KR102144795B1 - 광전지 어셈블리, 광전지 어레이 및 태양 전지 어셈블리 - Google Patents

광전지 어셈블리, 광전지 어레이 및 태양 전지 어셈블리 Download PDF

Info

Publication number
KR102144795B1
KR102144795B1 KR1020187037842A KR20187037842A KR102144795B1 KR 102144795 B1 KR102144795 B1 KR 102144795B1 KR 1020187037842 A KR1020187037842 A KR 1020187037842A KR 20187037842 A KR20187037842 A KR 20187037842A KR 102144795 B1 KR102144795 B1 KR 102144795B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
electrode
photovoltaic
disposed
region
Prior art date
Application number
KR1020187037842A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190013952A (ko
Inventor
시앙 쑨
윤지앙 야오
예 티안
베이 판
잔펑 지앙
Original Assignee
비와이디 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from CN201620686961.7U external-priority patent/CN205863186U/zh
Priority claimed from CN201610510202.XA external-priority patent/CN107564985A/zh
Application filed by 비와이디 컴퍼니 리미티드 filed Critical 비와이디 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20190013952A publication Critical patent/KR20190013952A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102144795B1 publication Critical patent/KR102144795B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0516—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 개시내용은 광전지 어셈블리, 광전지 어레이 및 태양 전지 어셈블리를 개시한다. 광전지 어셈블리는 종방향을 따라서 순차적으로 배치된 복수의 광전지 및 적어도 하나의 전도성 밴드를 포함하며, 각 광전지는 실리콘 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼의 전면에 배치된 전면 전도성 부재, 실리콘 웨이퍼의 후면에 배치된 2개의 전극 및 상기 2개의 전극 중 하나와 상기 전면 전도성 부재 사이을 전기적으로 연결하며, 실리콘 웨이퍼의 측면에 배치되는 측면 전도성 부재를 포함하며, 상기 2개의 전극은 횡방향으로 연장하며, 종방향에서 간격을 두고 분포되며, 및 상기 전도성 밴드는 상기 전극의 연장 방향과 동일한 연장방향을 가지며, 서로 근접하고 2개의 인접한 광전지 상에 각각 위치된 2개의 전극에 전기적으로 연결되어 2개의 인접한 광전지 상에 위치된 2개의 전극을 전도성으로 연결하여, 2개의 인접한 광전지가 직렬로 연결되거나 병렬로 연결된다.

Description

광전지 어셈블리, 광전지 어레이 및 태양 전지 어셈블리
본 개시내용은 태양 전지 기술 분야에 관련되며, 특히 광전지 어셈블리, 광전지 어레이 및 태양 전지 어셈블리와 관련된다.
종래의 결정질 실리콘 태양 전지에 있어서, 후면 및 전면 각각은 광전지의 양극 및 음극으로서 2 내지 3 개의 실버 1차 게이트 라인을 갖는다. 이 실버 1차 게이트 라인은 많은 양의 은 페이스트를 소비할 뿐만 아니라 입사광을 차단하기 때문에 광전지의 효율을 저하시킨다. 또한, 양극 및 음극은 각각 광전지의 정면 및 후면에 분포한다. 따라서, 광전지를 직렬로 접속하는 경우, 광전지의 전면의 음극을 전도성 밴드를 사용하여 인접하는 광전지의 후면의 양극에 용접할 필요가 있다. 그 결과, 번거로운 용접 공정 및 용접 재료의 많은 사용과 같은 문제점이 야기된다. 또한, 용접 및 후속 적층 공정에서, 광전지 및 전도성 밴드는 쉽게 손상된다. 전면이 수광 표면을 나타내며, 후면은 백라이트 표면을 지칭한다.
또한, 종래의 광전지 어레이는 통상 72 개 또는 60 개의 광전지를 직렬로 연결하여 6 개의 셀 스트링에 의해 형성된 3 개의 루프를 형성함으로써 형성된다. 이 경우, 일반적으로 적어도 3 개의 다이오드가 필요하므로 바이패스 보호를 수행하기 위해 각 루프에 하나의 다이오드가 배치된다. 일반적으로 다이오드는 셀의 연결 박스에 배치된다. 결과적으로 통합된 연결 박스의 비용이 증가하고 셀의 구조적 복잡성이 증가한다. 또한, 복수의 광전지를 직렬 접속하여 이루어지는 직렬 연결 구성요소를 다시 직렬 연결하는 경우, 접속 케이블의 사용량이 많아져 재료 낭비가 크다. 결과적으로, 파워 스테이션의 비용이 증가하게 된다.
본 개시내용은 종래 기술에 존재하는 기술적 문제점 중 적어도 하나를 해결하는 것을 목적으로 한다. 이 목적을 위해, 본 개시내용은 광전지 어셈블리를 제안하고, 광전지 어셈블리의 전력은 높다.
본 개시내용은 상기 광전지 어셈블리를 갖는 광전지 어레이를 더 제안한다.
본 개시내용은 상기 광전지 어레이를 갖는 태양 전지 어셈블리를 더 제안한다.
본 개시내용의 제 1 관점에 따른 광전지 어셈블리는 종방향을 따라서 순차적으로 배치된 복수의 광전지; 및 적어도 하나의 전도성 밴드;를 포함하며, 각 광전지는 실리콘 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼의 전면에 배치된 전면 전도성 부재, 실리콘 웨이퍼의 후면에 배치된 2개의 전극 및 상기 2개의 전극 중 하나와 상기 전면 전도성 부재 사이을 전기적으로 연결하며, 실리콘 웨이퍼의 측면에 배치되는 측면 전도성 부재를 포함하며, 상기 2개의 전극은 횡방향으로 연장하며, 종방향에서 간격을 두고 분포되며, 상기 전도성 밴드는 상기 전극의 연장 방향과 동일한 연장방향을 가지며, 서로 근접하고 2개의 인접한 광전지 상에 각각 위치된 2개의 전극에 전기적으로 연결되어 상기 2개의 인접한 광전지 상에 위치된 2개의 전극을 전도성으로 연결하여, 2개의 인접한 광전지가 직렬로 연결되거나 병렬로 연결된다. 실리콘 웨이퍼의 전면은 실리콘 웨이퍼의 수광면을 말하며, 실리콘 웨이퍼의 후면은 실리콘 웨이퍼의 백라이트 표면을 지칭한다.
본 개시내용에 따른 광전지 어셈블리에서 상기 전도성 밴드의 사용 길이는 효과적으로 감소될 수 있어, 전도성 밴드의 사용양을 감소시키며, 전도성 밴드에 의해 발생하는 열영향을 감소시키고, 광전지 어셈블리의 전체 전력을 향상시킨다.
일부 실시예에서, 상기 전도성 밴드의 연장 방향에서 상기 전도성 밴드의 연장 길이는 상기 전도성 밴드에 의해 도전성으로 연결된 각 전극의 연장 길이보다 크거나 같고, 상기 전도성 밴드의 두 단부 각각은 상기 전도성 밴드에 의해 전도성으로 연결된 각 전극의 대응 단부를 초과하거나 또는 동등하다.
일부 실시예에서, 상기 전도성 밴드의 연장 방향에 직각인 방향으로, 상기 전도성 밴드의 스팬은 상기 전도성 밴드에 의해 전도성으로 연결된 2개의 전극의 스팬의 합보다 크거나 같으며, 상기 전도성 밴드의 양측 에지는 상기 전도성 밴드에 의해서 전도성으로 연결된 2개의 전극의 서로로부터 떨어진 양측 에지를 각각 초과하거나 동등하다.
일부 실시예에서, 상기 전도성 밴드는 구조가 동일하고 상기 전도성 밴드의 연장 방향에 수직으로 연속적으로 배열된 2 개의 반부를 포함하고, 상기 2 개의 반부는 각각 상기 전도성 밴드에 의해 전도성으로 연결된 2개의 전극을 각각 정확하게 커버한다.
일부 실시예에서, 상기 전도성 밴드의 연장 방향에 수직인 방향에서, 상기 2개의 인접 광전지 사이의 간격은 0.1㎜ 이하이다.
일부 실시예에서, 상기 측면 전도성 부재가 배치되는 측면에 수직인 방향에서 상기 실리콘 웨이퍼의 스팬은 20㎜ 내지 60㎜ 이다.
일부 실시예에서, 상기 실리콘 웨이퍼는 직사각형의 시트이며, 길이가 변하지 않는 규칙에 따라서 정사각형의 규칙적인 실리콘 웨이퍼 바디를 분리하여 얻어진다.
일부 실시예에서, 상기 실리콘 웨이퍼는 직사각형 시트이고, 상기 실리콘 웨이퍼의 2개의 긴 측부에 대해 상기 광전지 각각에서 상기 2개의 전극이 각각 배치되어 상기 실리콘 웨이퍼의 길이방향을 따라 연장되고, 상기 측면 전도성 부재는 실리콘 웨이퍼의 하나의 긴 측부 상의 측면에 배치된다.
일부 실시예에서, 상기 광전지 각각에서 상기 2개의 전극은 각각 상기 측면 전도성 부재와 전기적으로 연결된 제 1 전극과 상기 측면 전도성 부재와 전기적으로 연결되지 않은 제 2 전극이며, 상기 실리콘 웨이퍼는 실리콘 기판, 전면 제 1 형 확산층, 후면 분할층을 포함하며, 상기 실리콘 기판의 후면은 제 1 영역과 제 2 영역을 포함하며, 상기 전면 제 1 형 확산층은 상기 실리콘 기판의 전면에 배치되며, 상기 전면 전도성 부재는 상기 전면 제 1 형 확산층에 배치되며, 상기 후면 분할층은 상기 제 1 영역 상에만 배치되며, 상기 제 1 영역을 완전히 커버하며, 상기 제 1 전극은 상기 후면 분할층에 배치되며, 상기 제 2 전극은 제 2 영역에 배치되며 제 1 전극과 접촉하지 않고, 후면 분할층의 적어도 일부는 절연층 혹은 상기 전면 제 1 형 확산층과 동일한 타입의 확산층이다. 여기서, 실리콘 기판의 후면은 실리콘 기판의 백라이트 표면을 지칭하며, 실리콘 기판의 전면은 실리콘 기판의 수광면을 지칭한다.
일부 실시예에서, 상기 실리콘 웨이퍼는 측면 분할층을 더 포함하며, 상기 측면 분할층은 상기 실리콘 기판의 측면에 배치되며, 상기 측면 전도성 부재는 상기 측면 분할층 상에 배치되며, 상기 측면 분할층의 적어도 일부는 상기 전면 제 1 형 확산층과 동일한 타입의 확산층 혹은 절연층이다.
일부 실시예에서, 상기 광전지 각각은 후면 전기층을 더 포함하며, 상기 후면 전기층은 제 2 영역에 배치되며, 상기 제 2 전극은 상기 후면 전기층 상에 배치되며, 상기 후면 전기층에 전기적으로 연결된다.
일부 실시예에서, 상기 광전지 각각은 제 2 후면 게이트 라인층을 더 포함하며, 상기 제 2 후면 게이트 라인층 및 상기 제 2 전극은 모두 상기 제 2 영역에 배치되며, 상기 제 2 전극과 상기 제 2 후면 게이트 라인층은 전기적으로 연결되며, 서로 중첩되지 않는다.
일부 실시예에서, 상기 실리콘 웨이퍼는 상기 전면 제 1 형 확산층과 타입이 상이한 후면 제 2 형 확산층을 포함하며, 상기 후면 제 2 형 확산층은 제 2 영역에만 배치되며, 제 2 영역을 완전히 커버하며, 상기 제 2 후면 게이트 라인층과 상기 제 2 전극은 모두 상기 후면 제 2 형 확산층 상에 배치된다.
일부 실시예에서, 상기 광전지 각각은 제 1 후면 게이트 라인층을 더 포함하며, 상기 제 1 후면 게이트 라인층과 제 1 전극은 모두 상기 후면 분할층 상에 배치되며, 상기 제 1 전극과 상기 제 1 후면 게이트 라인층은 전기적으로 연결되며, 서로 중첩되지 않는다.
일부 실시예에서, 상기 후면 분할층은 상기 전면 제 1 형 확산층과 동일한 타입의 후면 제 1 형 확산층이며, 상기 후면 제 1 형 확산층은 제 1 영역에만 배치되고, 상기 제 1 영역을 완전히 커버하며, 상기 제 1 후면 게이트 라인층 및 제 1 전극은 모두 상기 후면 제 1 형 확산층 상에 배치된다.
일부 실시예에서, 상기 제 1 영역 및 제 2 영역 각각은 비분리 영역이다.
일부 실시예에서, 상기 제 1 영역과 제 2 영역은 손가락 교차형으로 분배되며, 상기 제 1 영역은 제 1 연통 영역과 복수의 제 1 분산 영역을 포함하고, 상기 복수의 제 1 분산 영역은 제 1 연통 영역의 길이 방향으로 이격되며, 각각은 상기 제 1 연통 영역과 커뮤니케이션하며, 상기 제 2 영역은 제 2 연통 영역과 복수의 제 2 분산 영역을 포함하며, 상기 복수의 제 2 분산 영역은 제 2 연통 영역의 길이 방향으로 이격되며, 각각은 상기 제 2 연통 영역과 커뮤니케이션하며, 상기 제 1 연통 영역과 상기 제 2 연통 영역은 평행하게 배치되며, 상기 복수의 제 1 분산 영역과 상기 복수의 제 2 분산 영역은 상기 제 1 연통 영역과 제 2 연통 영역 사이에서 하나씩 교차한다.
본 개시내용의 제 2 관점에 따른 광전지 어레이는 복수의 광전지 병렬 연결 구성요소를 직렬 연결하여 형성되며, 상기 광전지 병렬 연결 구성요소 각각은 복수의 광전지 직렬 연결 구성요소를 병렬로 연결하여 형성되며, 상기 광전지 직렬 연결 구성요소 각각은 본 개시내용의 제 1 관점에 따른 광전지 어셈블리이며, 상기 광전지 어셈블리에서 상기 복수의 광전지는 상기 전도성 밴드를 사용하여 순차적으로 직렬 연결된다.
본 개시내용에 따른 광전지 어레이에서, 제 1 관점에 따른 광전지 어셈블리가 배치되어, 광전지 어레이의 전체 전력이 향상된다.
일부 실시예에서, 상기 광전지 병렬 연결 구성요소의 수는 2 이며, 각 상기 광전지 병렬 연결 구성요소는 3개의 광전지 직렬 연결 구성요소를 포함한다.
본 개시내용의 제 3 관점에 따른 태양 전지 어셈블리는 전면 측에서 후면 측으로 순차적으로 배치되는 제 1 패널, 제 1 본딩층, 셀, 제 2 본딩층, 및 제 2 패널을 포함하며, 상기 셀은 본 개시내용의 제 1 관점에 따른 광전지 어셈블리이거나 본 개시내용의 제 2 관점에 따른 광전지 어레이이다.
본 개시내용에 따른 태양 전지 어셈블리에서, 본 개시내용의 제 2 관점에 따른 광전지 어레이 혹은 본 개시내용의 제 1 관점에 따른 광전지 어셈블리가 배치되어, 태양 전지 어셈블리의 전체 전력이 향상된다.
본 개시내용의 실시형태의 부가적인 관점 및 이점은 후술하는 설명에 부분적으로 주어지며, 후술의 설명으로부터 부분적으로 명백해지거나 본 개시의 실시형태의 실시로부터 알 수 있다.
도 1 은 본 개시내용의 일 실시형태에 따른 광전지 어셈블리의 개략도이다.
도 2 는 도 1 에서 도시된 광전지 어셈블리에서 전도성 밴드가 제거된 개략도이다.
도 3 은 본 개시내용의 일 실시형태에 따른 광전지 어레이의 개략도이다.
도 4 는 도 3 에 도시된 광전지 어레이의 회로의 개략도이다.
도 5 는 본 개시내용의 제 1 실시형태에 따른 광전지의 전면의 개략도이다.
도 6 은 도 5 에 도시된 광전지의 후면의 개략도이다.
도 7 은 도 5 에 도시된 광전지의 측면의 개략도이다.
도 8 은 전도성 밴드를 사용하여 도 6 에 도시된 광전지 2개를 연결하는 개략도이다.
도 9 는 도 8 에서 도시된 2개의 광전지 개략도에서 전도성 밴드가 제거된 개략도이다.
도 10 은 본 개시내용의 제 2 실시형태에 따른 광전지의 전면의 개략도이다.
도 11 은 도 10 에 도시된 광전지의 후면의 개략도이다.
도 12 는 도 10 에 도시된 광전지의 측면의 개략도이다.
도 13 은 전도성 밴드를 사용하여 도 11 에 도시된 광전지 2개를 연결하는 개략도이다.
도 14 는 도 13 에서 도시된 2개의 광전지 개략도에서 전도성 밴드가 제거된 개략도이다.
도 15 는 본 개시내용의 제 3 실시형태에 따른 광전지의 전면의 개략도이다.
도 16 은 도 15 에 도시된 광전지의 후면의 개략도이다.
도 17 은 도 15 에 도시된 광전지의 측면의 개략도이다.
도 18 은 전도성 밴드를 사용하여 도 16 에 도시된 광전지 2개를 연결하는 개략도이다.
도 19 는 도 18 에서 도시된 2개의 광전지 개략도에서 전도성 밴드가 제거된 개략도이다.
도 20 은 본 개시내용의 제 4 실시형태에 따른 광전지의 전면의 개략도이다.
도 21 은 도 20 에 도시된 광전지의 후면의 개략도이다.
도 22 는 도 20 에 도시된 광전지의 측면의 개략도이다.
도 23 은 전도성 밴드를 사용하여 도 21 에 도시된 광전지 2개를 연결하는 개략도이다.
도 24 는 도 23 에서 도시된 2개의 광전지 개략도에서 전도성 밴드가 제거된 개략도이다.
도 25 는 본 개시내용의 제 5 실시형태에 따른 광전지의 전면의 개략도이다.
도 26 은 도 25 에 도시된 광전지의 후면의 개략도이다.
도 27 은 도 25 에 도시된 광전지의 측면의 개략도이다.
도 28 은 도 25 에 도시된 광전지의 또다른 측면의 개략도이다.
도 29 는 도 26 에 도시된 광전지의 후면을 마련하는 공정의 도면이다.
도 30 은 전도성 밴드를 사용하여 도 26 에 도시된 광전지 2개를 연결하는 개략도이다.
도 31 은 도 30 에서 도시된 2개의 광전지 개략도에서 전도성 밴드가 제거된 개략도이다.
도 32 는 본 개시내용의 제 6 실시형태에 따른 광전지의 전면의 개략도이다.
도 33 은 도 32 에 도시된 광전지의 후면의 개략도이다.
도 34 는 도 32 에 도시된 광전지의 측면의 개략도이다.
도 35 은 도 32 에 도시된 광전지의 또다른 측면의 개략도이다.
도 36 은 도 33 에 도시된 광전지의 후면을 마련하는 공정의 도면이다.
도 37 은 전도성 밴드를 사용하여 도 33 에 도시된 광전지 2개를 연결하는 개략도이다.
도 38 은 도 37 에서 도시된 2개의 광전지 개략도에서 전도성 밴드가 제거된 개략도이다.
도 39 는 본 개시내용의 제 7 실시형태에 따른 광전지의 전면의 개략도이다.
도 40 은 도 39 에 도시된 광전지의 후면의 개략도이다.
도 41 은 도 39 에 도시된 광전지의 측면의 개략도이다.
도 42 는 도 39 에 도시된 광전지의 또다른 측면의 개략도이다.
도 43 은 도 40 에 도시된 광전지의 후면을 마련하는 공정의 도면이다.
도 44 는 전도성 밴드를 사용하여 도 40 에 도시된 광전지 2개를 연결하는 개략도이다.
도 45 는 도 44 에서 도시된 2개의 광전지 개략도에서 전도성 밴드가 제거된 개략도이다.
이하, 본 개시내용의 실시 형태를 상세히 설명한다. 실시예들의 예가 첨부 도면에 도시된다. 동일하거나 유사한 기능을 갖는 동일한 또는 유사한 요소는 상세한 설명 전반에 걸쳐 동일한 참조번호로 나타낸다. 첨부된 도면을 참조하여 설명되는 실시예는 본 개시내용을 설명하기 위한 예시적인 것으로서, 개시된 사항에 대한 한정으로서 이해될 수는 없다.
다음은 본 개시내용의 상이한 구조를 달성하기 위한 다수의 상이한 실시예 또는 예를 제공한다. 개시내용을 단순화하기 위해, 구체적인 예에 대한 구성요소 및 설정을 하기에 설명한다. 확실히, 이들은 단지 예시일 뿐이고, 본 개시내용을 제한하지 않는다. 또한, 본 개시내용은 상이한 예에서 참조번호 및/또는 참조문자를 반복 할 수 있지만, 그러한 반복은 설명된 실시예 및/또는 설정 간의 관계를 나타내지 않는 단순화 및 명료성을 위한 것이다. 또한, 본 개시내용은 다양한 특정 프로세스 및 재료의 예를 제공하지만, 당업자는 다른 프로세스 및/또는 다른 재료의 이용의 적용 가능성을 실현할 수 있다.
본 개시내용의 제 1 관점의 실시형태에 따른 광전지 어셈블리(100A)가 도 1 내지 도 45를 참조하여 아래에서 설명된다.
본 개시내용의 제 1 관점 실시형태에 따른 광전지 어셈블리(100A)는 적어도 2 개의 광전지(100) 및 적어도 하나의 전도성 밴드(1001)를 포함한다. 광전지(100)는 후면 접촉형 태양 광전지이다.
일 실시형태에서, 각 광전지(100)는 실리콘 웨이퍼(1), 실리콘 웨이퍼(1)의 전면 상에 배치된 전면 전도성 부재(예를 들어, 후술하는 전면 게이트 라인층(2))와, 실리콘 웨이퍼(1)의 배면에 배치된 2개의 전극(예를 들어, 후술하는 제1 전극(4) 및 제2 전극(5))과, 실리콘 웨이퍼(1)의 측면에 배치되어 전면 도전성 부재와 2개의 전극 중 하나 사이에 전기적으로 연결되는 측면 전도성 부재(3)를 구비하며, 상기 2개의 전극은 극성이 반대이고 서로 접촉하지 않는 음극 및 양극이다. 이와 같이, 실리콘 웨이퍼(1)의 전면에 광을 조사하는 경우, 전면 도전성 부재는 실리콘 웨이퍼(1)의 표면으로부터 일종의 전하를 수집하고, 측면 도전성 부재(3)를 사용하여 측면 전도성 부재에 전기적으로 연결된 2개의 전극 중 하나로 전달할 수 있고, 다른 전극은 실리콘 웨이퍼(1)의 후면측에 다른 종류의 전하를 얻는다. 따라서, 2개의 전극은 전기 에너지를 출력할 수 있다.
일 실시형태에서, 복수의 광전지(100)의 전면은 모두 동일한 면을 향하고, 예를 들어 모두 태양을 향하고, 복수의 광전지(100)의 후면은 모두 동일한 면, 예를 들어 종방향을 따라 태양에 후방으로 순차적으로 배치된다. 각각의 광전지(100) 상의 2개의 전극은 횡방향을 따라 연장되고 종방향으로 간격을 두고 분포되어, 2개의 전극이 단락되는 것을 피하기 위해 서로 접촉하지 않도록 보장한다. 또한, 본원에 기술된 “전극의 연장방향”은 전극의 길이방향이고, 이하에 설명하는 “전도성 밴드(1001)의 연장방향”은 전도성 밴드(1001)의 길이방향이다. 여기에서, 본원에 기술된 "횡방향"은 횡선의 연장방향, 예를 들어 도 1 및 2에 도시된 수평방향이고, “종방향”은 종선의 연장방향, 예를 들어 도 1 및 2에 도시된 수직방향이며, 횡선 및 종선은 서로 수직하는 직선이다. 더욱이, "횡방향을 따라 연장되는"은 넓게 이해되는데, 즉 "횡선에 평행한 방향을 따라 연장" 및 "횡선에 대하여 45°보다 작은 각도를 갖는 방향을 따라 연장"을 포함해야 한다. 복수의 광전지(100)의 후면은 복수의 광전지(100)의 백라이트 표면을 지칭하고, 복수의 광전지(100)의 전면은 복수의 광전지(100)의 수광 표면을 지칭한다.
일 실시형태에서, 전도성 밴드(1001)는 전극과 동일한 연장방향을 가짐으로써 전극에 완전히 전기적으로 연결되어, 전도성을 향상시키며, 여기서 전도성 밴드(1001)는 서로 근접하고 2개의 인접한 광전지(100) 상에 각각 위치된 2개의 전극에 전기적으로 연결되어 2개의 인접한 광전지 상에 위치된 2개의 전극을 전도성으로 연결하여, 2개의 인접한 광전지(100)가 직렬로 연결되거나 병렬로 연결된다. 여기서, 명확한 표현을 위해, 예를 이용하여 설명이 이루어진다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 2개의 인접한 광전지(100)가 각각 광전지(A)와 광전지(B)인 것으로 가정하고, 광전지(A)는 종방향을 따라 이격된 전극(A1) 및 전극(A2)을 갖고, 광전지(B)는 종방향을 따라 이격된 전극(B1) 및 전극(B2)을 갖는다. 광전지(A) 및 광전지(B)가 길이방향을 따라 순차적으로 배치될 때, 전극(A1), 전극(A2), 전극(B1) 및 전극(B2)는 길이방향을 따라 순차적으로 배치된다. 이 경우, 전극(A2)과 전극(B1)은 서로 근접하고, 전극(A1)과 전극(B2)은 서로 떨어져 있다. 이 경우, 전도성 밴드(1001)는 전극(A2)과 전극(B1)에 전기적으로 연결되어 전극(A2)과 전극(B1)을 전도성으로 연결한다. 이 경우, 전극(A2)과 전극(B1)이 동일한 극성(즉, 양자가 양극 또는 음극)인 경우, 광전지(A)와 광전지(B)는 병렬로 연결될 수 있고, 전극(A2)과 전극(B1)이 서로 다른 극성(즉, 하나는 양극이고, 다른 하나는 음극)인 경우, 광전지(A)와 광전지(B)는 직렬로 연결될 수 있다.
이하에서는, 도 1 및 도 2에 도시된 수직방향이 “종방향”이고, 도 1 및 도 2에 도시된 수평방향이 “횡방향“인 예를 이용하여 설명이 이루어진다. 물론, 하기의 기술적 해결책을 읽은 후에, 당업자는 또 다른 방향이 "종방향"인 기술적 해결책을 명확하게 이해할 수 있다. 또한, 본 출원의 첨부된 도면에 도시된 방향 또는 위치 관계는 본 개시내용을 설명하고 설명을 단순화하기 위한 편의를 위한 것일 뿐이며, 언급된 장치 또는 요소가 특정 방향으로 구성되고 작동될 필요가 있으므로, 본 개시내용에 대한 제한으로서 이해될 수 없음을 지시 또는 암시하지 않는다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 광전지(100)는 길이방향으로 순차적으로 배치되어 있으며, 각 광전지(100) 상의 2개의 전극은 횡방향을 따라 연장되어 길이방향으로 간격을 두고 분포되어, 각각의 광전지(100)의 상부 및 하부 각각은 전극을 갖는다. 따라서, 최상측 광전지(100)(예컨대, 광전지(A)) 이외의 나머지 광전지(100)(예컨대, 광전지(B))의 상부 전극(예컨대, 전극(B1)) 및 나머지 광전지(100)의 위의 광전지(100)(예컨대, 광전지(A))의 하부 전극(예컨대, 전극(A2))은 서로 근접하며 전도성 밴드(1001)를 사용하여 전도성으로 연결될 수 있다. 즉, 최하측 광전지(100)(예컨대, 광전지(B)) 이외의 나머지 광전지(100)(예컨대, 광전지(A))의 하부 전극(예컨대, 전극(A2)) 및 나머지 광전지(100) 아래의 광전지(100)(예컨대, 광전지(B))의 상부 전극(예컨대, 전극(B1))은 서로 근접하며 전도성 밴드(1001)를 사용하여 전도성으로 연결될 수 있다.
따라서, 본 개시내용의 실시형태에 따른 광전지 어셈블리(100A)에서, 전도성 밴드(1001)의 총면적을 효과적으로 줄일 수 있고, 전도성 밴드(1001)에 의한 열효과를 감소시킬 수 있으며, 전도성 밴드(1001)의 사용량이 감소될 수 있고, 광전지 어셈블리(100A)의 전체 전력이 개선될 수 있다. 전도성 밴드(1001)는 솔더 스트립일 수 있다.
본 개시내용의 제2 관점의 실시형태에 따른 광전지 어레이(10000)를 도 3 및 도 4를 참조하여 기술한다.
일 실시형태에서, 광전지 어셈블리(100A) 내의 복수의 광전지(100)가 전도성 밴드(1001)를 이용하여 직렬로 순차적으로 연결되면, 광전지 어셈블리(100A)는 광전지 직렬 연결 구성요소(1000)이다. 광전지 어레이(10000)는 직렬로 연결된 복수의 광전지 병렬 연결 구성요소(2000)에 의해 형성되며, 여기서 각각의 광전지 병렬 연결 구성요소(2000)는 병렬로 연결된 복수의 광전지 직렬 연결 구성요소(1000)에 의해 형성된다. 즉, 복수의 광전지 직렬 연결 구성요소(1000)는 우선 복수의 광전지 병렬 연결 구성요소(2000)를 형성하도록 병렬로 연결되고, 그 다음 복수의 광전지 병렬 연결 구성요소(2000)는 광전지 어레이(10000)를 형성하도록 직렬로 연결된다. 따라서, 광전지 어레이(10000)의 전력이 효과적으로 증가되고, 바이패스 보호를 수행하도록 다이오드가 추가될 필요가 없으므로, 전지 비용을 감소시킨다. 더욱이, 광전지 어레이(10000)의 2개의 측부 상에는 양 및 음의 연결 박스가 분포되어, 인접한 구성요소들 간의 연결 케이블의 사용량을 감소시키고, 파워 스테이션의 비용을 감소시킬 수 있다.
예를 들어, 본 개시내용의 실시형태에서, 광전지 병렬 연결 구성요소(2000)의 수는 2이고, 각 광전지 병렬 연결 구성 요소(2000)는 병렬로 3 개의 광전지 직렬 연결 구성요소(1000)가 연결되어 형성된다. 즉, 6개의 광전지 직렬 연결 구성 요소(1000)는 "3개를 병렬로 연결한 후 2 개를 직렬로 연결"하는 방식으로 광전지 어레이(10000)를 구성한다. 즉, 6 개의 광전지 직렬 연결 구성요소(1000)는 우선 3개씩 병렬로 연결하여 2 개의 광전지 병렬 연결 구성요소(2000)를 형성하고, 2 개의 태양 광전지 병렬 연결 구성요소(2000)를 직렬로 접속하여 광전지 어레이(10000)를 형성한다.
여기서, 종래 기술의 광전지 어레이는 일반적으로 직렬로 연속 연결된 60 개의 광전지를 포함하며, 각 10 개의 광전지가 먼저 직렬로 연결되어 광전지 스트링을 형성하고, 6 개의 광전지 스트링이 순차적으로 직렬 연결되어, 60 개의 광전지가 모두 연속적으로 직렬로 연결될 수 있다. 각 광전지의 전압이 0.5V 일 때, 직렬로 연결된 60개의 광전지의 전압은 30V이다. 이 경우, 광전지 스트링에 장애가 발생하면 전체 광전지 어레이가 정상적으로 작동할 수 없으므로 3개 다이오드가 병렬로 연결되는 것이 필요하다. 이러한 방식으로, 광전지 스트링이 고장난 경우에도, 병렬로 연결된 다이오드를 사용하여 회로가 여전히 루프를 형성하고, 광전지 어레이는 여전히 정상적으로 계속 작동할 수 있으며 스크랩될 수는 없지만, 전력은 작다. 그러나, 한편으로, 다이오드의 제조 비용이 상대적으로 높고, 다른 한편, 다이오드가 연결 박스 내에 배치될 필요가 있으며, 연결 박스는 셀 플레이트의 중앙에서 폭방향으로 인접한 에지에 배치되며 양극 및 음극이 연결 박스를 사용하여 도출되기 때문에, 구성요소에 사용되는 일체형 연결 박스의 생산 비용이 증가된다. 또한, 연결 박스가 구성요소의 중앙에 위치하기 때문에, 구성요소을 직렬 연결할 때, 연결 케이블의 사용량이 많고, 재료 낭비가 발생하고, 파워 스테이션의 비용이 상승한다.
상대적으로, 여기서 광전지(100)의 폭은 정규 광전지의 폭의 1/4 일 수 있다. 이 경우, 10 개의 광전지(100)를 직렬로 연결하여 이루어지는 광전지 직렬 연결 구성요소(1000)의 총 전압은 20V(즉, 40 × 0.5V = 20V)이며, 따라서, 직렬로 연결된 2 개의 광전지 직렬 연결 구성요소(1000)의 전압은 40V에 도달할 수 있고, 이로 인해 서비스 전압에 효과적으로 도달할 수 있다. 또한, 광전지 어레이(10000)를 상술한 바와 같이 "3개를 병렬로 연결한 후 2 개를 직렬로 연결"하는 방식으로형성하는 경우, 병렬 연결 구조가 병렬 연결 바이패스를 보호할 수 있기 때문에, 바이패스 보호를 수행하기 위한 추가의 다이오드가 추가될 필요가 없으며, 이로 인해 생산 비용이 절감된다. 또한, 광전지 어레이(10000)의 양면에 양 및 음의 연결 박스를 배치할 수 있기 때문에, 구성요소 간 연결 케이블의 사용량이 감소하고, 파워 스테이션의 비용이 더욱 감소된다.
본 개시내용의 제3 관점의 실시형태에 따른 태양 전지 어셈블리가 이하에서 설명된다.
실시형태에서, 태양 전지 어셈블리는 전면 측에서 후면 측으로 순차적으로 배치되는 제 1 패널, 제 1 본딩층, 셀, 제 2 본딩층, 및 제 2 패널을 포함한다. 셀은 전술한 제 1 관점의 실시예에 따른 광전지 어셈블리(100A)거나 전술한 제 2 관점의 실시예에 따른 광전지 어레이(10000)일 수 있다. 따라서, 태양 전지 어셈블리는 고출력, 고 에너지 효율 및 저비용을 가지며, 보다 간단하고 편리하게 제조될 수 있다. 여기서, 전면 측은 수광 측, 후면 측은 백라이트 측을 나타낸다.
본 개시내용의 제 4 관점의 따른 태양 전지 어셈블리의 제조 방법을 이하에 설명한다.
먼저, 셀을 준비한다.
일 실시형태에서, 셀이 광전지 어셈블리(100A)인 경우, 광전지 어셈블리(100A)를 얻기 위해 2 개의 인접한 광전지(100)는 먼저 전도성 밴드(1001)를 사용하여 병렬 또는 직렬로 연결될 수 있으며, 그 후 광전지 어셈블리(100A)의 양극 및 음극은 각각 버스바(1002)를 사용하여 도출된다.
일 실시형태에서, 셀이 광전지 어레이(10000)일 때, 전도성 밴드(1001)를 사용하여 두 개의 인접한 광전지(100)를 먼저 직렬로 연결하여 복수의 광전지 직렬 연결 구성요소(1000)를 얻은 다음, 복수의 광전지 직렬 연결 구성요소(1000)가 버스바(1002)를 사용하여 병렬로 연결하여 광전지 병렬 연결 구성요소(2000)를 얻고, 그 다음 복수의 광전지 병렬 연결 구성요소(2000)를 버스바(1002)를 사용하여 직렬 연결하여 광전지 어레이(10000)를 얻고, 최종적으로 버스바(1002)를 사용하여 광전지 어레이(10000)의 양극 및 음극을 각각 도출한다.
이어서, 제 1 패널, 제 1 본딩층, 셀, 제 2 본딩층, 및 제 2 패널을 수직 방향으로 순차적으로 적층하여 적층 구조체를 얻고, 이 적층 구조체를 라미네이팅 및 밀폐한다. 예를 들면, 제 1 패널(예를 들면, 유리), 제 1 본딩층(예를 들면, EVA), 셀, 제 2 본딩층(예를 들면, EVA), 제 2 패널(예를 들면, 셀 백보드 혹은 유리)를 먼저 순서대로 순차적으로 적층하여 적층 구조체를 얻은 다음, 이전 공정에서의 적층 구조체를 라미네이팅 머신에 넣고 라미네이팅하고, 연결 상자 및 프레임을 실장함으로써 태양 전지 어셈블리를 밀폐 및 제조할 수 있다.
본 개시내용의 복수의 실시형태에 따른 광전지(100)를 도 1 및 도 2 및 도 5 내지 도 45를 참고해서 아래에서 설명한다.
본 개시내용의 일 실시형태에서, 전도성 밴드(1001)의 연장 방향에서 전도성 밴드(1001)의 연장 길이는 전도성 밴드(1001)에 의해 전도성으로 연결된 각 전극의 연장 길이보다 크거나 같고, 전도성 밴드(1001)의 두 단부의 각각은 전도성 밴드(1001)에 의해 전도성으로 연결된 각 전극의 대응 단부를 초과하거나 또는 동등하다. 그러나, 전도성 밴드(1001)의 양단부 각각이 전도성 밴드(1001)에 의해 도전성으로 연결된 각 전극의 대응 단부를 초과하는 경우에, 전도성 밴드(1001)는 동일한 실리콘 웨이퍼(1) 상의 두 전극이 단락되는 것을 방지하도록 각 실리콘 웨이퍼(1) 상에 있으며, 전도성 밴드(1001)에 의해서 전도성으로 연결된 전극에서 취급하는 전하에 반대되는 전하의 전도성 물질로부터 안전 거리를 유지할 필요가 있다.
예를 들어,도 1 및 도 2 도시된 실시예에서, 전극(A2) 및 전극(B1) 모두는 횡방향으로 연장되고, 전도성 밴드(1001) 또한 횡방향으로 연장되며, 전도성 밴드(1001)의 횡방향의 길이는 전극(A2)의 횡방향 길이보다 크거나 같고, 전극(B1)의 횡방향 길이보다도 크거나 같으며, 전도성 밴드(1001)의 횡방향의 양단은 각각 좌단 및 우단이다. 전도성 밴드(1001)의 좌단은 좌측을 향해서 전극(A2)의 좌측을 넘어가거나 동일 평면 상에 있고, 전도성 밴드(1001)의 좌단은 좌측을 향하여 전극(B1)의 좌단을 넘어가거나 동일 평면을 이룬다. 전도성 밴드(1001)의 우단은 우측을 향하여 전극(A2)의 우단을 넘어가거가 동일 평면을 이루며, 전도성 밴드(1001)의 우단은 우측을 향해서 전극(B1)의 우단을 넘어가거나 동일 평면을 이룬다. 또한, 전도성 밴드(1001)의 좌단 및 우단 각각은 전극(A1), 전극(A1)에 전기적으로 연결된 전도성 매질, 전극(B2), 및 전극(B2)에 전기적으로 연결된 전도성 매질 각각으로부터 안전 거리를 유지하여, 전극(A1)과 전극(A2)이 단락되는 것을 방지하고, 전극(B1)과 전극(B2)이 단락되는 것을 방지한다. 따라서, 전도성 밴드(1001)가 전극에 완전하게 연결되어, 전도성 밴드(1001)의 전체 면적을 줄이고, 전도성 밴드(1001)에 의한 열영향을 감소시키며, 전도성 밴드(1001)의 사용량을 줄이며, 광전지 어셈블리(100A)의 전체 전력을 증가시킨다.
본 개시내용의 일 실시형태에서, 전도성 밴드(1001)의 연장 방향에 직각인 방향으로, 전도성 밴드(1001)의 스팬은 전도성 밴드(1001)에 의해 전도성으로 연결된 두 전극의 스팬의 합보다 크거나 같으며, 전도성 밴드(1001)의 양측 에지는 전도성 밴드(1001)에 의해서 전도성으로 연결된 두 전극의 서로로부터 떨어진 양측 에지를 각각 넘어서거나 동일 평면을 이룬다. 그러나, 주목할 점은, 전도성 밴드(1001)가 전도성 밴드(1001)에 의해 도전성으로 연결된 2 개의 전극 중 서로 떨어진 양측 에지를 넘어설 때, 동일한 실리콘 웨이퍼(1)에서 두 전극이 단락되는 것을 방지하도록, 전도성 밴드(1001)는 전하가 전도성 밴드(1001)에 의해 전도성 연결된 전극에 취급되는 전하와 반대이며 각 실리콘 웨이퍼(1)상에 있는 전도성 매질로부터 안전 거리를 유지할 필요가 있다.
예를 들어, 도 1 및 도 2 에 도시된 실시예에서, 전극(A2)과 전극(B1)은 횡방향으로 연장되고, 전도성 밴드(1001) 역시 횡방향으로 연장되며, 종방향에서 전도성 밴드(1001)의 폭은 종방향에서 전극(A2)의 폭과 종방향에서 전극(B1)의 폭보다 크거나 같으며, 종방향에서 전도성 밴드(1001)의 양측 에지는 각각 상측 에지 및 하측 에지이다. 전도성 밴드(1001)의 상측 에지는 상측을 향해서 전극(A2)의 상측 에지를 넘어서거나 동일 평면이며, 전도성 밴드(1001)의 하측 에지는 하측을 향해서 전극(B1)의 하측 에지를 넘어서거나 동일 평면이다. 또한, 전도성 밴드(1001)의 상부 에지와 하부 에지 각각은 전극(A1)과 전극(A2)이 단락되는 것을 방지하고 또한 전극(B1)과 전극(B2)이 단락되는 것을 방지하기 위하여, 전극(A1), 전극(A1)에 전기적으로 연결된 전도성 매질, 전극(B2) 및 전극(B2)에 전기적으로 연결된전도성 매질 각각으로부터 안전 거리를 유지할 필요가 있다. 따라서, 전도성 밴드(1001)가 전극에 완전하게 연결되어, 전도성 밴드(1001)의 전체 면적을 줄이고, 전도성 밴드(1001)에 의한 열영향을 감소시키며, 전도성 밴드(1001)의 사용량을 줄이며, 광전지 어셈블리(100A)의 전체 전력을 증가시킨다.
본 개시내용의 선택적 실시형태에서, 전도성 밴드(1001)는 구조가 동일하고 전도성 밴드(1001)의 연장 방향에 수직으로 연속적으로 배열된 2 개의 반부(half portion)를 포함하고, 상기 2 개의 반부는 각각 전도성 밴드(1001)에 의해 전도성으로 연결된 두 전극을 각각 정확하게 커버한다. 예를 들어, 도 1 및 도 2 에 도시된 실시예에서, 전도성 밴드(1001)는 횡방향을 따라 연장되고, 종방향으로 순차적으로 배열된 상반부 및 하반부를 포함하며, 여기서 상반부는 전극(A2)을 정확히 커버하며, 즉, 상반부의 윤곽선이 전극(A2)의 윤곽선과 일치하고, 하반부는 전극(B1)을 정확히 커버하며, 즉, 하반부의 윤곽선이 전극(B1)의 윤곽선과 일치한다. 따라서, 전도성 밴드(1001)가 전극에 완전하게 연결되어, 전도성 밴드(1001)의 전체 면적을 줄이고, 전도성 밴드(1001)에 의한 열영향을 감소시키며, 전도성 밴드(1001)의 사용량을 줄이며, 광전지 어셈블리(100A)의 전체 전력을 증가시킨다.
선택적으로, 전도성 밴드(1001)의 연장 방향에 직각인 방향에서, 2 개의 인접한 광전지(100) 사이의 갭은 0.1㎜ 이하이다. 즉, 2 개의 인접한 광전지(100) 사이의 갭은 0㎜ 내지 0.1㎜이다. 예를 들어, 도 1 및 도 2 에 도시된 실시예에서 전도성 밴드(1001)는 횡방향을 따라 연장되고, 광전지(A) 및 광전지(B)는 종방향으로 순차적으로 배열된다. 이 경우, 광전지(A)의 하부 에지와 광전지(B)의 상부 에지 사이의 거리는 광전지(A)와 광전지(B) 사이의 간극이다. 따라서, 인접한 2 개의 광전지(100) 사이이며, 전도성 밴드(1001)의 연장 방향에 수직인 갭은 0.1㎜ 이하로 제한되며, 전도성 밴드(1001)의 전체 면적은 더욱 감소될 수 있으며, 전도성 밴드(1001)에 의한 열영향이 감소될 수 있으며, 상기 전도성 밴드(1001)의 사용량이 감소될 수 있으며, 상기 광전지 어셈블리(100A)의 전체 전력이 증가될 수 있다. 또한, 2 개의 광전지(100) 사이에 비교적 작은 갭이 존재할 때, 광전지(100)의 불규칙한 형상들로 인한 인접한 광전지(100) 간의 중첩의 문제점 또는 동작 에러가 회피될 수 있다.
본 개시내용의 일부 실시형태에서, 측면 전도성 부재(3)가 배치되는 측면에 수직인 방향에서 실리콘 웨이퍼(1)의 스팬은 20㎜ 내지 60㎜이다. 즉, 실리콘 웨이퍼(1)는 서로가 대향하게 배치되는 (2개의) 측면 그룹을 포함하며. 여기서 측면 전도성 부재(3)가 일측면에 배치되며, 측면 그룹의 거리는 20㎜ 내지 60이다. 예를 들어, 도 1 및 도 2 에 도시된 실시예에서, 실리콘 웨이퍼(1)가 직사각형 시트이고 측면 전도성 부재(3)가 실리콘 웨이퍼(1)의 긴 측부 상의 측면에 배치되는 경우, 실리콘 웨이퍼(1)의 폭은 20㎜ 내지 60㎜이다. 예를 들면, 본 개시내용의 다른 실시예(실시예 미도시)에서는, 실리콘 웨이퍼(1)가 직사각형의 시트이고, 측면 도전성 부재(3)가 실리콘 웨이퍼(1)의 넓은 측부 상의 측면에 배치되는 경우, 실리콘 웨이퍼(1)의 길이는 20㎜ 내지 60㎜이다.
따라서, 실리콘 웨이퍼(1)의 전면으로부터 후면으로 전달되는 전하 경로가 단축되어, 전하 전달률을 증가시킨 다음, 광전지(100)의 전력을 증가시킬 수 있다. 여기서, “직사각형 시트”는 폭넓게 이해되는데, 즉 엄격한 직사각형의 시트에 제한되지 않음에 주목해야 한다. 예컨대, 4개의 꼭지각이 둥근 코너부 또는 모떼기부를 갖는 직사각형의 시트 등의 대략 직사각형 시트는 본 개시내용의 보호 범위 내에 있다. 따라서, 광전지(100)를 제조하기가 편리하고, 광전지(100)를 연결하는 것이 편리하다. 여기서, 전면은 수광면을 지칭하고, 후면은 백라이트 표면을 지칭한다.
선택적으로, 실리콘 웨이퍼(1)는 직사각형 시트이고, 변하지 않는 길이 규칙에 따라 정사각형의 규칙적인 실리콘 웨이퍼 바디를 분할(단지 “분리”를 의미하지만, “절단 공정을 취함”을 특별히 의미하지 않음)함으로써 형성된다. 즉, 정사각형의 실리콘 웨이퍼 바디는 길이 변화없는 방식으로 복수의 직사각형 시트 형상의 실리콘 웨이퍼(1)로 분할될 수 있다. 이 경우, 각 실리콘 웨이퍼(1)의 길이는 정사각형의 실리콘 웨이퍼 바디의 길이와 동일하고, 복수의 실리콘 웨이퍼(1)의 폭의 합은 정삭각형의 실리콘 웨이퍼 바디의 폭과 동일하다.
실리콘 웨이퍼(1)는 직사각형 시트이고, 실리콘 웨이퍼(1)의 2개의 긴 측부에 대해 2개의 전극이 각각 배치되어 실리콘 웨이퍼(1)의 폭방향으로 이격되고, 실리콘 웨이퍼(1)의 길이방향을 따라 연장되고, 측면 전도성 부재(3)는 실리콘 웨이퍼(1)의 하나의 긴 측부 상의 측면에 배치되고, 즉, 실리콘 웨이퍼(1)의 폭방향으로 측부 상의 측면에 배치된다. 따라서, 전하 전달 경로가 더 짧아지고, 광전지(100)의 전력이 더 높아지고, 광전지(100)는 더욱 단순하고 편리하게 제조되고, 광전지(100)를 연결하는 것이 더욱 편리해진다.
선택적으로, 2개의 전극 각각은 직사각형 시트이고 실리콘 웨이퍼(1)의 길이와 동일한 길이를 가질 수 있으므로, 각 전극의 2개의 넓은 측부 및 하나의 긴 측부는 실리콘 웨이퍼(1)의 2개의 넓은 측부 및 하나의 긴 측부와 각각 정렬될 수 있다. 그 다음, 공간이 완전히 이용될 수 있고, 광전지(100)의 전력이 증가되고, 광전지(100)를 후속적으로 연결하는 것이 편리해진다. 또한, 측면 전도성 부재(3)는 시트 형상으로 구성되어 실리콘 웨이퍼(1)의 폭방향으로 측부 상의 측면을 완전히 차지함으로써, 광전지(100)의 파워를 증가시킨다. 물론, 측면 전도성 부재(3) 및 전극의 특정 구조는 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 측면 전도성 부재(3) 및 전극은 간격을 두고 분포된 복수의 서브-전극에 의해 별개의 전극으로 각각 형성될 수도 있다.
이하의 제 1 내지 제7 실시형태를 참고하면, 각각의 광전지(100) 상의 2 개의 전극은 측면 전도성 부재(3)에 전기적으로 연결된 제 1 전극(4) 및 측면 전도성 부재(3)에 전기적으로 연결되지 않은 제 2 전극(5)이며, 실리콘 웨이퍼(1)는 실리콘 기판(11), 전면 제 1 형 확산층(12) 및 후면 분할층(14)을 포함하고, 여기서, 실리콘 기판(11)의 후면은 제 1 영역 및 제 2 영역을 포함하고, 전면 제 1 형 확산층(12)은 실리콘 기판(11)의 전면에 배치되고, 전면 전도성 부재는 전면 제 1 형 확산층(12) 상에 배치되고, 후면 분할층(14)은 제 1 영역만을 완전히 커버하며, 제 1 전극(4)은 후면 분할층(14) 상에 배치되고, 제 2 전극(5)은 제 2 영역 상에 배치되고 제 1 전극(4)과 접촉하지 않으며, 후면 분할층(14)의 적어도 일부는 전면 제 1 형 확산층(12)과 동일한 타입의 확산층 혹은 절연층이다. 따라서, 광전지(100)는 간단한 구조를 가지며, 편리하게 제조되어 실용화된다.
이하의 제 1 내지 제7 실시형태를 참고하면, 실리콘 웨이퍼(1)는, 측면 분할층(13)을 더 포함하며, 여기서, 측면 분할층(13)은 실리콘 기판(11)의 측면에 배치되며, 측면 도전성 부재(3)가 상기 측면 분할층(13)에 배치되며, 측면 분할층(13)의 적어도 일부는, 전면 제 1 형 확산층(12)과 동일한 타입의 확산층 또는 절연층이다. 이하의 제 1 실시형태에서 각 광전지(100)는 후면 전기층(60)을 더 포함하며, 여기서 후면 전기층(60)은 제 2 영역 상에 배치되고, 제 2 전극(5)이 후면 전기층(60)상에 배치되며, 후면 전기층(60)에 전기적으로 연결된다.
이하의 제 2 내지 제7 실시형태를 참고하면, 각 광전지(100)는 제 2 후면 게이트 라인층(6)을 더 포함하며, 제 2 후면 게이트 라인층(6) 및 제 2 전극(5)은 모두 제 2 영역 상에 배치되고, 제 2 전극(5) 및 제 2 후면 게이트 라인층(6)은 전기적으로 연결되고 서로 중첩되지 않는다. 또한, 제 2 내지 제 6 실시형태를 참고하면, 실리콘 웨이퍼(1)는, 전면 제 1 형 확산층(12)의 타입과 다른 타입의 후면 제2형 확산층(15)을 더 구비하고, 후면 제 2 형 확산층(15)은 제 2 영역에만 배치되며 제 2 영역을 완전히 커버하며, 제 2 후면 게이트 라인층(6) 및 제 2 전극(5)은 모두 후면 제2형 확산층(15) 상에 배치된다.
이하의 제 5 내지 제7 실시형태를 참고하면, 각 광전지(100)는 제 1 후면 게이트 라인층(7)를 더 포함하며, 여기서 제 1 후면 게이트 라인층(7)과 제 1 전극(4)은 모두 후면 분할층(14) 상에 배치되며, 제 1 전극(4)과 제 1 후면 게이트 라인층(7)은 전기적으로 연결되며, 서로 중첩되지 않는다. 또한, 후면 분할층(14)은, 제 5 내지 제 7 실시형태를 참고하면, 전면 제 1 형 확산층(12)과 동일한 방식의 후면 제 1 형 확산층이고, 후면 제 1 형 확산층 제 1 영역에만 배치되며 제 1 영역을 완전히 커버하며, 제 1 후면 게이트 라인층(7) 및 제 1 전극(4)은 모두 후면 제 1 형 확산층 상에 배치된다.
이하의 제 1 내지 제 7 실시형태를 참조하면, 제 1 영역 및 제 2 영역 각각은 비분리(non-discrete) 영역이다. 즉, 제 1 영역을 복수의 서브 영역으로 랜덤하게 분할하는 경우, 복수의 서브 영역은 모두 서로 커뮤니케이션하여 연속적인 제 1 영역을 형성할 수 있다. 임의의 층이 단지 제 1 영역 상에만 배치되고 제 1 영역을 완전히 커버할 때, 임의의 층은 또한 비분리층, 즉 연속층이다. 제 2 영역이 복수의 서브 영역으로 랜덤하게 분할되는 경우, 복수의 서브 영역은 모두 서로 커뮤니케이션하여 연속적인 제 2 영역을 형성할 수 있다. 임의의 층이 단지 제 2 영역 상에만 배치되고 완전히 제 2 영역을 커버할 때, 임의의 층 또한 비분리층, 즉 연속층이다.
이하의 제 1 내지 제 4 실시형태를 참조하면, 제 1 영역 및 제 2 영역 각각은 편리하게 제조되는 직사각형 영역이다. 이하의 제 5 내지 제 7 실시형태를 참조하면, 제 1 영역 및 제 2 영역은 손가락 교차형(fingers-crossed shape)으로 분포된다. 이 경우, 제 1 영역은 제 1 연통 영역과 복수의 제 1 분산 영역을 포함하고, 복수의 제 1 분산 영역은 제 1 연통 영역의 길이 방향으로 이격되어 있고, 각각 제 1 연통 영역과 커뮤니케이션 하며, 상기 제 2 영역은 제 2 연통 영역 및 복수의 제 2 분산 영역을 포함하고, 상기 복수의 제 2 분산 영역은 상기 제 2 연통 영역의 길이 방향으로 이격되어 있으며, 각각이 상기 제 2 연통 영역과 커뮤니케이션하며, 상기 제 1 연통 영역과 상기 제 2 연통 영역은 평행하게 배치되며, 상기 복수의 제 1 분산 영역 및 상기 제 2 분산 영역은 상기 제 1 연통 영역과 상기 제 2 연통 영역을 사이에서 하나씩 교대로 배치된다.
제 1 실시형태
도 5 내지 9 를 참고하면, 광전지(100)는 실리콘 웨이퍼(1), 전면 전도성 부재, 측면 전도성 부재(3), 제 1 전극(4), 후면 전기층(60) 및 제 2 전극(5)을 포함하며, 전면 전도성 부재는 전면 게이트 라인층(2)이며, 실리콘 웨이퍼(1)는 실리콘 기판(11), 전면 제 1 형 확산층(12), 측면 분할층(13) 및 후면 분할층(14)를 포함할 수 있다.
실리콘 기판(11)은 시트형이며, 두께 방향에서 실리콘 기판(11)의 두면은 각각 전면과 후면이며, 상기 전면은 측면을 사용하여 후면과 연결된다. 전면 제 1 형 확산층(12)은 실리콘 기판(11)의 전면에 배치된다. 예를 들어, 본 개시내용의 선택적 실시예에서, 전면 제 1 형 확산층(12)은 실리콘 기판(11)의 전면을 전부 커버할 수 있으며, 이에 의해서 전면 제 1 형 확산층(12)의 제조 난이도가 감소되며, 제조 효율이 향상되고, 제조 원가가 감소된다.
측면 분할층(13)은 실리콘 기판(11)의 측면에 배치된다. 예를 들어, 측면 분할층(13)은 실리콘 기판(11)의 일측면에만 배치될 수 있거나, 복수의 측면에 배치될 수 있다. 선택적으로, 측면 분할층(13)은 실리콘 기판(11)의 한 측면에만 배치되며, 그 측면을 완전히 커버한다. 따라서, 측면 분할층(13)을 제조 및 조립하는 것이 편리하다.
측면 전도성 부재(3)는 상기 측면 분할층(13)에 배치된다. 즉, 측면 전도성 부재(3)는 측면 분할층(13) 상에 직접 또는 간접적으로 배치될 수 있다. 이 경우, 측면 전도성 부재(3)는 실리콘 웨이퍼(1)의 측면에 배치되며, 측면 분할층(13)에 대응한다. 즉, 측면 분할층(13)이 위치하는 측면에 수직인 방향을 따라 투영될 때, 측면 전도성 부재(3)는 측면 분할층(13)의 윤곽선을 넘어설 수 있다.
측면 전도성 부재(3)는 실리콘 웨이퍼(1)의 측면 상에 배치되고, 실리콘 웨이퍼(1)에 실장되지 않는다. 따라서, 광전지(100)의 제조 곤란성 전체가 감소될 수 있고, 제조 공정이 간단해질 수 있으며, 제조 효율이 향상될 수 있고, 제조 비용이 감소될 수 있다.
실리콘 기판(11)의 후면은 제 1 영역과 제 2 영역을 포함하고, 제 1 영역과 제 2 영역은 교차 세트를 갖지 않는다. 제 1 영역과 제 2 영역은 서로 접촉하거나 서로 접촉하지 않을 수 있다. 즉, 제 1 영역의 윤곽선과 제 2 영역의 윤곽선은 서로 접촉하거나 접촉하지 않을 수 있다. 예를 들어, 후면 분할층(14) 중 후면 전기층(60)과 접하는 부분이 절연층인 경우, 제 1 영역과 제 2 영역은 서로 접촉할 수 있고, 후면 분할층(14)의 일부가 후면 전기층(60)과 접하는 부분이 전면 제 1 형 확산층(12)과 동일한 타입의 확산층인 경우, 제 1 영역과 제 2 영역이 접하지 않을 수 있다. 제 1 영역 및 제 2 영역 각각은 비분리 영역이다.
후면 분할층(14)은 제 1 영역에만 배치된다. 즉, 제 1 영역 이외의 실리콘 기판(11)의 후면의 나머지 표면은 후면 분할층(14)을 가지지 않으며, 또한, 후면 분할층(14)은 제 1 영역을 완전히 커버한다. 이와 같이, 제 1 영역이 비분리 연속 영역일 때, 후면 분할층(14)은 실리콘 기판(11) 상에 비분리, 즉, 연속적으로 배치될 수 있다. 따라서, 후면 분할층(14)은 실리콘 기판(11) 상에 연속적으로, 즉 비분리적으로 배치될 수 있으며, 실리콘 기판(11)에 분리적으로, 즉, 비연속적으로 예를 들어, 산란-점 형상 또는 얼룩 형상과 같은 분리형(discrete form)으로 비산되지 않는다. 따라서, 후면 분할층(14)의 제조상의 어려움이 크게 감소되고, 제조 효율이 향상되며, 제조 비용이 감소되고, 광전지(100)의 전력이 효과적으로 증가 될 수 있다.
전면 게이트 라인층(2)은 전면 제 1 형 확산층(12) 상에 배치된다. 즉, 전면 게이트 라인층(2)은 전면 제 1 형 확산층(12) 상에 직접 또는 간접적으로 배치될 수 있다. 이 경우 전면 게이트 라인층(2)은 실리콘 웨이퍼(1)의 전면 상에 배치되고, 전면 제 1 형 확산층(12)에 대응한다. 즉, 전면 게이트 라인층(2)은 실리콘 웨이퍼(1)의 두께 방향을 따라 투영될 때, 전면 제 1 형 확산층(12)의 윤곽선을 초과하지 않는다.
실리콘 웨이퍼(1)는 반사 방지층(101)을 더 포함할 수 있고, 상기 반사 방지층(101)은 전면 제 1 형 확산층(12) 상에 배치될 수 있다. 이와 같이 실리콘 웨이퍼(1)가 반사 방지층(101)을 포함할 때, 전면 게이트 라인층(2)이 반사 방지층(101) 상에 직접 배치될 수 있다. 그러나, 실리콘 웨이퍼(1)가 반사 방지층(101)을 포함하지 않는 경우, 전면 게이트 라인층(2)은 전면 제 1 형 확산층(12) 상에 직접 배치될 수 있다.
제 1 전극(4)은 후면 분할층(14) 상에 배치된다. 즉, 제 1 전극(4)는 직접 또는 간접적으로 후면 분할층(14) 상에 배치될 수 있다. 이 경우, 제 1 전극(4)은 실리콘 웨이퍼(1)의 후면에 배치되며, 제 1 영역에 대응된다. 다시 말해서, 제 1 전극(4)이 실리콘 웨이퍼(1)의 두께 방향을 따라 투영될 때, 제 1 전극(4)은 제 1 영역을 넘어서지 않는다. 예를 들어, 제 1 전극(4)은 패시베이션 층을 이용하여 후면 분할층(14) 상에 간접적으로 추가 배치될 수 있다.
후면 전기층(60) 및 제 2 전극(5)은 모두 제 2 영역 상에 배치된다. 즉, 후면 전기층(60)과 제 2 전극(5)은 실리콘 기판(11)의 후면의 제 2 영역에 직접 또는 간접적으로 배치될 수 있다. 이 경우, 후면 전기층(60)과 제 2 전극(5)은 실리콘 웨이퍼(1)의 후면에 배치되며, 제 2 영역에 대응한다. 즉, 후면 전기층(60) 및 제 2 전극(5)이 실리콘 웨이퍼(1)의 두께 방향을 따라 투영될 때, 제 2 영역을 넘어서지 않는다. 예를 들어, 후면 전기층(60)과 제 2 전극(5)은 패시베이션 층을 이용하여 실리콘 기판(11)의 후면에 간접적으로 추가 배치될 수 있다. 제 1 전극(4)은 후면 전기층(60)과 접촉하지 않으며, 제 2 전극(5)과도 접촉하지 않는다.
또한, 본 개시내용의 일부 실시형태에서, 후면 전기층(60)과 제 2 전극(5)은 서로 중첩되지 않고 서로 접촉 연결될 수 있음을 알아야 한다. 이 경우, 후면 전기층(60)과 제 2 전극(5)은 각각 실리콘 웨이퍼(1)의 후면에 완전히 배치되고, 서로에 직접 접촉하고, 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 공간이 완전히 사용될 수 있고, 광전지(100)의 전력이 증가된다. 본 개시내용의 일부 다른 실시형태에서, 후면 전기층(60)과 제 2 전극(5)은 서로 추가 중첩될 수 있다. 이 경우, 후면 전기층(60)과 제 2 전극(5)이 중첩된 후의 연합 세트면이 실리콘 웨이퍼(1)의 후면에 배치된다.
여기서, 전도성 매질이 전면 제 1 형 확산층(12) 상에(반사 방지층 또는 패시베이션 층을 이용하여 직접 또는 간접적으로) 배치되거나, 또는 전면 제 1 형 확산층(12)과 같은 타입의 확산층(예를 들면, 아래에서 설명하는 측면 제 1 형 확산층 및 후면 제 1 형 확산층) 상에(반사 방지층 또는 패시베이션 층을 이용하여 직접 또는 간접적으로) 배치되는 경우, 전하의 한 타입이 수집될 수 있으며, 전도성 매질이 전면 제 1 형 확산층(12)을 가지지 않는 실리콘 기판(11)의 표면에(패시베이션 층을 이용하여 직접 또는 간접적으로) 배치되거나, 전면 제 1 형 확산층(12)과 반대 타입의 확산층(예를 들면, 아래에서 설명하는 후면 제 2 형 확산층)(패시베이션 층을 이용하여 직접 또는 간접적으로) 배치되는 경우, 전하의 또다른 타입 수집될 수 있다. 여기서, 전도성 매질이 실리콘 웨이퍼로부터 전하를 수집하는 원리는 당업자에게 잘 알려져 있다. 세부 사항은 여기에서 다시 설명하지 않는다.
또한, 여기 제 1 내지 제 7 실시형태에서 실리콘 웨이퍼(1)의 전체 전면 및 한 측면의 최외측 표면은 반사 방지층을 가질 수 있고, 실시형태 2 내지 7 에서 실리콘 웨이퍼(1)의 전체 후면의 최외측 표면은 패시베이션 층을 더 가질 수 있으며, 이에 의해서 제조 및 조립이 용이해짐을 알아야 한다. 또한, 본 명세서에 기재된 반사 방지층 및 패시베이션 층의 개념은 당업자에게 잘 알려져 있고, 반사 방지층 및 패시베이션 층은 주로, 반사 저감 및 전하 수집 강화의 역할을 수행한다. 예를 들어, 반사 방지층 및 패시베이션 층의 재료는 TiO2, Al2O3, SiNxOy 및 SiNxCy를 포함하지만 이에 한정되지는 않는다.
예를 들어, 실리콘 기판(11)이 P형 실리콘으로 제조되는 경우, 전면 제 1 형 확산층(12)은 인 확산층일 수 있다. 이 경우, 상기 인 확산층 상에 배치된 전도성 매질은 음전하를 수집할 수 있으며, 비-인 확산층 상에 배치된 전도성 매질은 양전하를 수집할 수 있다. 이와 같이, 전면 게이트 라인층(2)은 전면 제 1 형 확산층(12) 상에 배치(예를 들면, 반사 방지층(101)을 이용하여 직접 배치 또는 간접 배치)되기 때문에, 전면 게이트 라인층(2)은 제 1 타입의 전하(예를 들면 : 음전하)를 수집할 수 있다. 후면 전기층(60)은 실리콘 기판(11)의 후면에 배치(예를 들어, 패시베이션 층을 이용하여 직접 배치되거나 간접적으로 배치)되어, 후면 전기층(60)은 제 2 타입의 전하(예를 들어, 양전하)를 수집할 수 있다.
구체적으로는, 제 1 전극(4)은 측면 전도성 부재(3)를 사용하여 전면 게이트 라인층(2)에 전기적으로 연결되어, 전면 게이트 라인층(2)에 의해 수집된 제 1 타입의 전하가 제 1 전극(4, 예를 들어, 음극)에 전달될 수 있다; 제 2 전극(5)은 후면 전기층(60)과 전기적으로 연결되어, 후면 전기층(60)에 의해 수집된 제 2 타입의 전하(예를 들어, 양전하)가 제 2 전극(5, 예를 들어 양극)에 전달될 수 있다. 따라서, 제 1 전극(4)과 제 2 전극(5)은 광전지(100)의 양극 및 음극으로 작용하여 전기 에너지를 출력할 수 있다. 또한, 측면 전도성 부재(3)가 실리콘 웨이퍼(1)의 측면에 배치되기 때문에, 측면 전도성 부재(3)를 사용함으로써 간단하고 편리하게 전면 게이트 라인층(2)이 제 1 전극(4)에 효율적으로 전도성으로 연결될 수 있으며, 이로써 광전지(100)의 동작 신뢰성을 확보한다.
당업자는 제 1 전극(4) 및 제 2 전극(5)은 극성이 반대이고 서로 절연되어야 할 필요가 있음을, 즉 서로 도통되어 있지 않거나, 또는 전기적으로 연결되지 않음을 알 수 있다. 이 경우, 제 1 전극(4), 제 1 전극(4)에 전기적으로 연결되는 모든 구성요소와 제 2 전극(5), 제 2 전극(5)에 전기적으로 연결되는 모든 구성 요소는 직접 전도성으로 연결될 수 없으며, 임의의 외부 전도성 매질에 의해서 간접적으로 전도성으로 연결될 수 없어, 예를 들면, 서로 접촉하지 않거나 또는 절연 재료를 사용하여 절연하여, 제 1 전극(4) 및 제 2 전극(5)이 단락되는 것을 방지할 수 있다.
후면 분할층(14)은 실리콘 기판(11)을 사용하여, 제 1 전극(4) 및 제 2 전극(5)이 단락되는 것을 방지하도록, 즉, 제 1 전극(4)과 실리콘 기판(11)이 서로 직접적 접촉하여 단락을 야기하는 것이 방지되도록 구성된다. 예를 들어, 후면 분할층(14)은 전면 확산층과 동일한 타입의 확산층 및/또는 절연층일 수 있다. 즉, 후면 분할층(14)은 전면 확산층과 완전히 같은 타입의 확산층일 수 있거나, 완전히 절연층일 수 있거나, 후면 분할층(14)과 같은 타입의 확산층일 수 있으며, 나머지 부분은 절연층이다. 제 1 전극(4)이 절연층을 사용하여 실리콘 기판(11) 상에 배치되는 경우, 제 1 전극(4)은 실리콘 기판(11)으로부터 직접 절연되어, 제 1 전극(4)이 실리콘 기판(11)으로부터 제 2 전극(5)에 의해 수집되는 전하와 동일 타입의 전하의 수집을 방지함으로써, 실리콘 기판(11)을 사용하여 단락을 야기하는 제 1 전극(4)이 제 2 전극(5)에 전도성으로 연결되는 것을 효과적으로 방지, 즉, 제 1 전극(4)과 실리콘 기판(11)이 직접 접촉하여 단락을 야기하는 것을 방지한다.
제 1 전극(4)은 전면 확산층과 같은 타입의 확산층을 사용하여 실리콘 기판(11) 상에 배치될 때, 확산된 실리콘 기판(11)으로부터, 전면 게이트 라인층(2)에 의해 수집된 전하, 즉 제 2 전극(5)에 의해 수집된 전하와 반대인 전하를 수집할 수 있으며, 이로써 제 1 전극(4) 및 제 2 전극(5)이 단락되는 것을 방지하며, 광전지(100)의 전력이 증대된다.
측면 분할층(13)은 실리콘 기판(11)을 사용하여 측면 전도성 부재(3)와 제 2 전극(5)이 단락되는 것을 방지하도록 구성되어, 제 1 전극(4)과 제 2 전극(5)이 단락되는 것을 방지, 즉, 측면 전도성 부재(3)가 실리콘 기판(11)과 직접 접촉하여 단락을 야기하는 것을 방지한다. 예를 들어, 측면 분할층(13)은 전면 확산층과 동일한 타입의 확산층 및/또는 절연층일 수 있다. 즉, 측면 분할층(13)은 전면 확산층과 완전히 같은 타입의 확산층일 수 있거나, 완전히 절연층일 수 있거나, 후면 분할층(14)의 일부가 전면 확산층과 같은 타입의 확산층이며, 나머지 부분은 절연층일 수 있다.
측면 전도성 부재(3)가 절연층을 사용하여 실리콘 기판(11) 상에 배치되는 경우, 측면 전도성 부재(3)가 실리콘 기판(11)로부터 제 2 전극(5)에 의해서 수집되는 전하와 같은 타입의 전하를 수집하는 것을 방지하도록 측면 전도성 부재(3)는 실리콘 기판(11)으로부터 직접적으로 절연되어, 측면 전도성 부재(3)가 실리콘 기판(11)을 사용하여 제 2 전극(5)에 전도성으로 연결되어 단락을 야기하는 것을 효과적으로 방지, 즉, 측면 전도성 부재(3)와 실리콘 기판(11)이 서로에 직접 접촉되어 단락을 야기하는 것을 방지한다.
측면 전도성 부재(3)가 전면 확산층(12)과 동일한 타입의 확산층을 사용하여 실리콘 기판(11)에 배치된 경우, 측면 전도성 부재(3)는 확산된 실리콘 기판(11)으로부터 전면 게이트 라인층(2)에 의해 수집된 전하와 같은 타입의 전하, 즉, 제 2 전극(5)에 의해서 수집된 전하와 반대 타입의 전하를 수집할 수 있어서, 측면 전도성 부재(3) 및 제 2 전극(5)이 단락되는 것의 방지, 즉, 측면 전도성 부재(3)와 실리콘 기판(11)이 직접 접촉하여 단락하는 것을 방지하고, 광전지(100)의 전력을 증가시킨다.
구체적으로, 본 개시내용의 일 실시형태에서, 측면 분할층(13) 및 후면 분할층(14) 중 적어도 하나의 적어도 일부는 전면 제 1 형 확산층(12)과 동일한 타입의 확산층이다. 즉, 측면 분할층(13)의 적어도 일부는 전면 제 1 형 확산층(12)과 같은 종류의 확산층이거나, 적어도 후면 분할층(14)의 적어도 일부는 전면 제 1 형 확산층(12)과 동일한 타입의 확산층이어서, 제 1 전극(4)과 제 2 전극(5)의 절연 효과를 확보할 뿐만 아니라, 광전지(100)의 전력을 증대시킨다.
선택적으로, 후면 분할층(14)은 전적으로 전면 제 1 형 확산층(12)과 동일한 타입의 확산층이며, 즉, 후면 분할층(14)이 제 1 영역을 완전히 커버하는 제 1 후면 확산층이다. 따라서, 제조가 용이하며, 절연 신뢰성이 양호하다. 선택적으로, 측면 분할층(13)은 완전히 전면 제 1 형 확산층(12)의 타입과 동일한 확산층, 즉 측면 분할층(13)은 실리콘 기판(11)의 측면을 완전히 커버하는 측면 확산층이다. 따라서, 제조가 용이하며, 절연 신뢰성이 양호하다.
여기서, 실리콘 기판, 확산층, 반사 방지층 및 패시베이션 층과 같은 개념, 및 전도성 매질이 실리콘 웨이퍼로부터 전하를 수집하는 원리는 모두 당업자에게 잘 알려져 있다. 세부 사항은 여기에서 다시 설명하지 않는다.
또한, 본 개시내용의 선택적 실시형태에서, 후술하는 전면 게이트 라인층(2), 제 2 후면 게이트 라인층(6) 및 제 1 후면 게이트 라인층(7) 각각은, 간격을 두고 배치된 복수의 전도성 미세 게이트 라인에 의해 형성되는 전도성 유전체층일 수 있으며, 상기 미세 게이트 라인은 은 재료로 만들어질 수 있다. 따라서, 한편으로는, 전도율이 증가될 수 있고, 다른 한편으로는 광 차단 영역이 줄어들 수 있어, 변형형태에서 광전지(100)의 전력을 증가시킨다. 후면 전기층(60)은 알루미늄 층, 즉 알루미늄 후면 필드일 수 있다. 따라서, 한편으로는 전도율이 증가될 수 있고, 다른 한편으로는 비용이 감소될 수 있다.
요약하면, 본 개시내용의 실시형태에 따른 광전지(100)에서는, 후면 분할층(14) 및 측면 분할층(13) 중 적어도 하나의 적어도 일부가 전면 제 1 형 확산층(12)과 동일한 타입의 확산층이기 때문에, 제 1 전극(4)과 제 2 전극(5) 사이의 절연성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 광전지(100)의 전력을 효율적으로 증가시킬 수 있다.
또한, 측면 전도성 부재(3)를 실리콘 기판(11)의 측면에 배치함으로써, 기존의 광전지의 전면의 제 1 전극을 실리콘 웨이퍼의 전면 측에서 후면 측으로 이동시킬 수 있어, 제 1 전극이 실리콘 웨이퍼의 전면 측에서 차광을 수행하는 것을 방지한다. 따라서, 기존의 광전지와 비교하여, 본 개시내용의 광전지(100)의 전력은 더 높다. 또한, 본 개시내용의 광전지(100)의 제 1 전극(4)과 제 2 전극(5)은 실리콘 웨이퍼(1)의 동일면에 위치하여 복수의 광전지(100)의 전기적 연결을 용이하게 하여 용접 난이도를 낮추며, 솔더 사용량을 감소시키고, 또한 용접 및 후속 라미네이션 공정에서 광전지(100)의 손상 확률을 감소시킨다.
또한, 측면 전도성 부재(3)는 실리콘 웨이퍼(1)의 측면에 배치되어, 광전지(100)의 제조 난이도를 크게 감소시키며(예를 들어, 실리콘 웨이퍼(1)에 구멍을 가공하고, 상기 구멍에 전도성 매체를 주입하는 등의 제조 프로세스가 불필요함), 제조율을 향상시키고 제조 불량률 및 제조 비용을 감소시킨다. 또한, 측면 전도성 부재(3)가 실리콘 기판(11)의 폭 방향에서 측부에서 측면 상에 배치될 때, 실리콘 웨이퍼(1)의 전면 측으로부터 후면 측으로 전하를 전달하는 경로가 전하 전송율(charge transfer rate)을 증대시키도록 효과적으로 단축될 수 있어, 변형 형태에서 광전지(100)의 전력을 증가시킨다.
선택적으로, 제 1 영역 및 제 2 영역이 각각 비분리 영역이고, 교차 세트가 없으며, 서로 접촉하지 않고, 실리콘 웨이퍼(1)가 직사각형 시트인 경우, 제 1 영역 및 제 2 영역은 각각 직사각형 영역이고, 실리콘 웨이퍼(1)의 폭 방향으로 간격을 두고 배치될 수 있다. 영역이 비교적 큰 제 1 전극(4) 및 후면 전기층(60)이 제조될 수 있다. 선택적으로, 제 1 전극(4)의 외측 에지는 실리콘 웨이퍼(1)의 두께 방향을 따라 투영될 때, 제 1 영역의 윤곽선 상에 있고, 후면 전기층(60)은 제 2 영역을 완전히 커버하며, 제 2 전극(5)은 후면 전기층(60)에 배치된다. 따라서, 상기 제 1 영역과 제 2 영역은 광전지(100)의 파워를 높이기 위해 최대로 사용될 수 있다. 여기서, 평면형 구성요소(예를 들어, 여기서 설명된 직사각형 시트형태의 제 1 전극(4) 및 제 2 전극(5))에서 "외측 에지"는 평면형 구성요소의 윤곽선이고, 선형 구성요소(예를 들어, 여기서 설명된 미세 게이트 라인)에 대해, "외측 에지"는 선형 구성요소의 두 끝점이다.
전면 게이트 라인층(2)은 측면 전도성 부재(3)의 길이 방향에 수직으로 연장되는 복수의 전면 2차 게이트 라인층(21)을 포함한다. 즉, 각각의 전면 2차 게이트 라인층(21)은 측면 전도성 부재(3)의 길이 방향에 직교한다. 따라서, 전면 2차 게이트 라인층(21)의 전하 전송 경로가 짧아질 수 있어, 전하 전송 효율이 향상되고 광전지(100)의 전력이 증가된다.
제 1 실시형태에 따른 광전지(100)의 제조 방법을 이하 간단히 설명한다.
단계 a1. 레이저를 사용하여 정사각형의 규칙적인 실리콘 기판 바디(예를 들어, 규격이 156㎜ * 156㎜m 인 일반 실리콘 기판)를 3~15(선택적으로, 5~10)개의 길이가 일정한(예를 들면, 길이 156㎜) 직사각형 시트 모양의 실리콘 기판(11)으로 평균적으로 분할하고 자르며, 그 후 광전지(100) 제조의 다음 공정을 수행한다. 물론, 본 개시내용은 이것에 한정되는 것은 아니고, 직사각형 시트 형상의 실리콘 기판(11)을 다른 방법 또는 공정을 사용하여 추가로 얻을 수도 있다. 여기서, 정사각형의 규칙적인 실리콘 기판 본체는 평균적으로 3 개 또는 3 개 이상의 부분으로 분할되어, 전하가 전면으로부터 후면으로 이동하는 거리를 단축시킴으로써 전하가 효율적으로 그리고 쉽게 수집되어, 광전지(100)의 전력을 증가시키며; 정사각형의 규칙적인 실리콘 기판 본체를 평균적으로 15 개 또는 15 개 이하의 부분으로 나누면, 절단 및 제조가 용이하고, 연속적으로 광전지(100)를 직렬로 연결하거나 병렬로 연결할 때 비교적 적은 양의 솔더가 소비되므로 직렬로 연결되거나 병렬로 연결된 후에 광전지(100)의 전체 전력을 향상시키고, 비용을 감소시킨다.
단계 a2. 세정 및 텍스쳐라이징: 세정은 실리콘 기판(11)의 각 표면 먼지를 제거하며, 텍스처라이징은 실리콘 기판(11)의 각 표면의 반사율을 감소시킨다.
단계 a3. 확산 및 접합 준비 : P-N 접합 준비를 위하여 확산로를 이용하여 양면 확산이 실리콘 기판(11) 상에서 수행되어, 실리콘 기판(11)의 각 표면은 동일한 타입의 확산층을 가진다.
단계 a4. 마스크 보호를 수행: 제 1 영역 상에 확산층(즉, 후면 확산층(14)으로 사용됨) 및 제 1 영역에 인접한 측면 상에 확산층(즉, 측면 확산층(13)으로 사용됨)이 파라핀을 사용하여 보호된다
단계 a5. 에칭 수행: 파라핀에 의해 보호되지 않으며, 실리콘 기판(11)의 측면 및 후면에 있는 후면 접합부가 제거된다.
단계 a6. 파라핀 보호를 제거하고, PSG(phosphosilicate glass)를 제거함으로써, 파라핀으로 보호된 측면 확산층(13) 및 후면 확산층(14)을 얻는다.
단계 a7. 전면 확산층(12)에서 반사 방지층(101)을 형성시키며, 여기서, 반사 방지층(101)의 재료는 TiO2, Al2O3, SiNxOy 및 SiNxCy를 포함하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
단계 a8. 제 2 영역의 길이 방향을 따라 후면 전기층(60)을 스크린 인쇄하고, 후면 전기층(60)의 길이 방향을 따라 제 2 전극(5)을 스크린 인쇄하고, 후면 확산층(14) 상의 길이 방향을 따라 제 1 전극(4)을 스크린 인쇄하고, 건조를 수행하며, 제 1 전극(4)은 후면 확산층(14)과 정확하게 일치하고, 단락을 방지하기 위해 후면 전기층(60)과 제 1 전극(4) 사이에 안전한 거리가 존재한다.
단계 a9. 전면 확산층(12)상의 폭 방향을 따라 게이트 라인층(2)을 스크린 인쇄하여 게이트 라인층(2) 내의 각 2차 게이트 라인(21)이 제 2 전극(5)에 수직이 되도록 하고, 건조를 수행한다.
단계 a10. 측면 확산층(13)에 길이 방향을 따라서 측면 전도성 부재(3)를 스크린 인쇄하고, 건조시킨다.
제 2 실시형태
도 10 내지 도 14를 참조하면, 제 2 실시형태의 구조는 제 1 실시형태의 구조와 대략적으로 동일하며, 일부 구성요소가 첨부 도면에서 동일한 도면번호를 가지며, 차이점은 다음과 같다: 제 1 실시형태에서 후면 전기층(60)은 제 2 영역에 배치되며, 제 2 전극(5)은 후면 전기층(60)에 배치되나, 제 2 실시형태에서 후면 제 2 형 확산층(15)이 제 2 영역에 배치되며, 제 2 후면 게이트 라인층(6) 및 제 2 전극(5)이 후면 제 2 형 확산층(15)에 배치된다.
광전지(100)는 실리콘 웨이퍼(1), 전면 전도성 부재, 측면 전도성 부재(3), 제 1 전극(4), 제 2 후면 게이트 라인층(6) 및 제 2 전극(5)을 포함하며, 전면 전도성 부재는 전면 게이트 라인층(2)이며, 실리콘 웨이퍼(1)는 실리콘 기판(11), 전면 제 1 형 확산층(12), 후면 제 2 형 확산층(15), 측면 분할층(13) 및 후면 분할층(14)을 포함할 수 있으며, 측면 분할층(13)은 전면 제 1 형 확산층(12)과 동일한 타입의 측면 확산층일 수 있으며, 후면 확산층(14)은 전면 제 1 형 확산층(12)과 동일한 타입의 후면 제 1 형 확산층일 수 있다. 후면 제 2 형 확산층(15)은 제 2 전극(5)의 길이 방향에 수직으로 연장되는 복수의 제 2 후면 2차 게이트 라인층(61)을 포함한다. 즉, 각각의 제 2 후면 2차 게이트 라인층(61)은 제 2 전극(5)의 길이 방향에 직교한다. 따라서, 제 2 후면 2차 게이트 라인층(61)의 전하 전송 경로가 짧아질 수 있어서, 전하 전달 효율이 향상되고, 광전지(100)의 전력이 증가된다.
구체적으로, 실리콘 기판(11)의 후면은 제 1 영역과 제 2 영역을 포함하고, 제 1 영역과 제 2 영역은 교차 세트가 없고 서로 접촉하지 않는다. 즉, 제 1 영역의 윤곽선과 제 2 영역의 윤곽선은 서로 접촉하지 않는다.
후면 제 1 형 확산층은 제 1 영역에만 배치된다. 즉, 제 1 영역 이외의 실리콘 기판(11)의 후면의 나머지 표면은 후면 제 1 형 확산층을 가지지 않고, 또한 후면 제 1 형 확산층은 제 1 영역을 완전히 커버한다. 이와 같이, 제 1 영역이 비분리 연속 영역일 때, 후면 제 1 형 확산층은 실리콘 기판(11) 상에 비분리, 즉, 연속적으로 배치될 수 있다. 따라서, 후면 제 1 형 확산층은 실리콘 기판(11) 상에 연속적으로, 즉 비분리적으로 배치될 수 있으며, 실리콘 기판(11)에 분리적으로, 즉, 비연속적으로 예를 들어, 산란-점 형상 또는 얼룩 형상과 같은 분리형으로 비산되지 않는다. 따라서, 후면 제 1 형 확산층의 제조 난이도가 크게 감소되고, 제조 효율이 향상되며, 제조 비용이 감소되고, 광전지(100)의 전력이 효과적으로 증가 될 수 있다.
후면 제 2 형 확산층(15)은 제 2 영역에만 배치된다. 즉, 제 2 영역 이외의 실리콘 기판(11)의 후면의 나머지 표면은 후면 제 2 형의 확산층(15)을 갖지 않는다. 또한, 후면 제 2 형 확산층(15)은 제 2 영역을 완전히 커버한다. 이와 같이, 제 2 영역이 비분리 연속 영역일 때, 후면 제 2 형 확산층(15)은 실리콘 기판(11) 상에 비분리, 즉, 연속적으로 배치될 수 있다. 따라서, 후면 제 2 형 확산층(15)은 실리콘 기판(11) 상에 연속적으로, 즉 비분리적으로 배치될 수 있으며, 실리콘 기판(11)에 분리적으로, 즉, 비연속적으로 예를 들어, 산란-점 형상 또는 얼룩 형상과 같은 분리형으로 비산되지 않는다. 따라서, 후면 제 2 형 확산층(15)의 제조 난이도가 크게 감소되고, 제조 효율이 향상되며, 제조 비용이 감소되고, 광전지(100)의 전력이 효과적으로 증가 될 수 있다.
제 1 전극(4)은 후면 제 1 형 확산층에 배치된다. 즉, 제 1 전극(4)은 후면 제 1 형 확산층 상에 직접 또는 간접적으로 배치될 수 있다. 이 경우, 제 1 전극(4)은 실리콘 웨이퍼(1)의 후면에 배치되고, 제 1 영역에 대응된다. 즉, 제 1 전극(4)은 실리콘 웨이퍼(1)의 두께 방향을 따라 투영될 때, 제 1 영역을 초과하지 않는다. 실리콘 웨이퍼(1)는 패시베이션 층(102)을 더 포함할 수 있으며, 패시베이션 층(102)은 후면 제 1 형 확산층 상에 배치될 수 있다. 이와 같이, 실리콘 웨이퍼(1)가 패시베이션 층(102)을 포함하는 경우, 제 1 전극(4)은 패시베이션 층(102) 상에 직접 배치될 수 있다. 본 개시내용의 일부 실시형태에서 실리콘 웨이퍼(1)가 페이베이션 층(102)을 포함하지 않을 때, 제 1 전극(4)은 후면 제 1 형 확산층 상에 직접 배치될 수 있다.
제 2 후면 게이트 라인층(6)과 제 2 전극(5)은 모두 후면 제 2 형 확산층(15)에 배치된다. 즉, 제 2 후면 게이트 라인층(6)과 제 2 전극(5)은 후면 제 2 형 확산층(15)에 직접 혹은 간접적으로 배치될 수 있다. 이 경우, 제 2 후면 게이트 라인층(6) 및 제 2 전극(5)은 실리콘 웨이퍼(1)의 후면 상에 배치되고 제 2 영역에 대응한다. 즉, 제 2 후면 게이트 라인층(6) 및 제 2 전극(5)이 실리콘 웨이퍼(1)의 두께 방향을 따라 투영될 때, 제 2 영역을 초과하지 않는다. 제 1 전극(4)은 제 2 후면 게이트 라인층(6)과 접촉하지도 않고, 제 2 전극(5)과 접촉하지도 않는다.
예를 들어, 실리콘 웨이퍼(1)는 패시베이션 층(102)을 더 포함할 수 있고, 패시베이션 층(102)은 후면 제 2 형 확산층(15) 상에 배치될 수 있다. 제 2 후면 게이트 라인층(6) 및 제 2 전극(5)은 패시베이션 층(102) 상에 직접 배치될 수 있다. 실리콘 웨이퍼(1)가 패시베이션 층(102)을 포함하지 않을 때, 제 2 후면 게이트 라인층(6) 및 제 2 전극(5)은 후면 제 2 형 확산층(15)에 직접 배치된다.
또한, 본 개시내용의 일부 실시형태에서, 제 2 후면 게이트 라인층(6)과 제 2 전극(5)은 서로 중첩되지 않고 서로 접촉하여 연결될 수 있음을 알아야 한다. 이 경우, 제 2 후면 게이트 라인층(6) 및 제 2 전극(5)은 각각 실리콘 웨이퍼(1)의 후면 상에 완전히 배치되고 에지는 서로 직접 접촉하고 서로 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 공간이 완전히 사용될 수 있고, 광전지(100)의 전력이 증가된다. 본 개시내용의 일부 다른 실시형태에서, 제 2 후면 게이트 라인층(6) 및 제 2 전극(5)은 서로 추가 중첩될 수 있다. 이 경우, 제 2 후면 게이트 라인층(6)과 제 2 전극(5)이 중첩된 후의 연합 세트면이 실리콘 웨이퍼(1)의 후면에 배치된다.
제 1 영역과 제 2 영역은 교차 세트를 가지지 않고, 접촉하지 않기 때문에, 면적이 비교적 큰 제 1 전극(4)을 제조할 수 있고, 면적이 비교적 큰 제 2 후면 게이트 라인층(6) 및 제 2 전극(5)이 제조될 수 있다. 선택적으로, 실리콘 웨이퍼(1)의 두께 방향을 따라 투영될 때, 제 1 전극(4)의 외측 에지는 제 1 영역의 윤곽선 상에 있고, 제 2 후면 게이트 라인층(6) 및 제 2 전극(5)의 각 외측 에지는 제 2 영역의 윤곽선 상에 위치한다. 따라서, 제 1 영역과 제 2 영역은 광전지(100)의 전력을 증가시키기 위해 최대로 사용될 수 있다
여기서, "제 1 형 확산층" 및 "제 2 형 확산층"은, 타입이 다른 2 개의 확산층이고, 전도성 매체를 제 1 형 확산층 및 제 2 형 확산층에 배치(예를 들면, 직접 배치 혹은 여기서 설명된 반사 방지층 또는 패시베이션 층을 이용하여 간접 배치)한 경우, 상이한 종류의 전하가 수집될 수 있다. 또한, 본 명세서에 기재된 반사 방지층 및 패시베이션 층의 개념은 당업자에게 잘 알려져 있으며, 반사 방지층 및 패시베이션 층은 주로 반사를 감소시키며 전하 수집을 강화하는 역할을 한다.
따라서, "제 1 형 확산층"으로 기술된 측면 제 1 형 확산층 및 후면 제 1 형 확산층 및 전면 제 1 형 확산층은 동일한 타입의 확산층이고, 전도성 매질이 제 1 타입의 확산층 상에 배치되면, 제 1 타입의 전하가 수집될 수 있고; "제 2 형 확산층"에서 후면 제 2 형 확산층은 다른 타입의 확산층이고, 전도성 매질이 제 2 형 확산층 상에 배치된 경우, 제 2 타입의 전하가 수집될 수 있다. 여기에서, 전도성 매질이 실리콘 웨이퍼로부터 전하를 수집하는 원리는 당업자에게 잘 알려져 있다. 세부 사항은 여기에서 다시 설명하지 않는다.
예를 들어, 실리콘 기판(11)이 P형 실리콘으로 제조되는 경우, 제 1 형 확산층은 인 확산층일 수 있다. 이 경우, 인 확산층 상에 배치 된 전도성 매질은 음전하를 수집할 수 있다. 상기 제 2 형 확산층은 붕소 확산층일 수 있고, 상기 붕소 확산층 상에 배치된 전도성 매체는 양전하를 수집할 수 있다. 다른 예로서, 실리콘 기판(11)이 N형 실리콘으로 제조되는 경우, "제 1 형 확산층"은 붕소 확산층일 수 있고, "제 2 형 확산층"은 인 확산층일 수 있다. 세부 사항은 여기에서 다시 설명하지 않는다.
이와 같이, 전면 게이트 라인층(2)이 제 1 형 확산층 상에 배치(예를 들면, 반사 방지층(101)을 이용하여 간접적 혹은 직접적으로 배치)되어 있기 때문에, 전면 게이트 라인층(2)은 제 1 타입의 전하(예를 들면, 음전하)를 수집할 수 있다. 제 2 후면 게이트 라인층(6)은 제 2 형 확산층 상에 배치(예를 들어, 직접 배치되거나 또는 패시베이션 층(102)을 사용하여 간접적으로 배치됨)되어 있기 때문에, 제 2 후면 게이트 라인층(6)은 제 2 타입의 전하(예를 들면, 양전하)를 수집할 수 있다.
구체적으로는, 제 1 전극(4)은 측면 전도성 부재(3)를 사용하여 전면 게이트 라인층(2)에 전기적으로 연결되어, 전면 게이트 라인층(2)에 의해 수집된 제 1 타입의 전하(예를 들면 음전하)가 제 1 전극(4, 예를 들면, 음극)에 전달될 수 있다; 제 2 전극(5)은 제 2 후면 게이트 라인층(6)에 전기적으로 연결되어, 제 2 후면 게이트 라인층(6)에 의해 수집된 제 2 타입 전하(예를 들어, 양 전하)가 제 2 전극(예를 들어, 양극)에 전달될 수 있다. 따라서, 제 1 전극(4)과 제 2 전극(5)은 광전지(100)의 양극 및 음극으로 작용하여 전기 에너지를 출력할 수 있다.
이와 같이, 제 1 전극(4)은 실리콘 웨이퍼(1)의 전면 측에 위치하는 전면 게이트 라인층(2)을 이용하여 제 1 타입의 전하를 수집할 수 있고, 제 2 전극(5)은 실리콘 웨이퍼(1)의 후면 측에 위치하는 제 2 후면 게이트 라인층(6)을 사용하여 제 2 타입의 전하를 수집할 수 있어, 공간 활용을 효과적으로 개선하고, 광전지(100)의 전력을 더욱 증가시킨다. 따라서, 광전지(100)는 미적이며 효율적인 이중 양면 셀이 될 수 있다.
구체적으로, 제 2 실시형태에서의 광전지(100)의 제조 방법은 제 1 실시형태에서의 광전지(100)의 제조 방법과 대략 동일하고, 차이는 다음과 같다: 제 2 실시형태에서의 실리콘 웨이퍼(1)가 준비될 때, 실리콘 기판(11)에 대하여 상이한 타입의 양면 확산이 수행되며, 즉, 실리콘 기판(11)의 전면 및 후면을 각각 확산시켜서 다른 타입의 확산층을 얻고, 전면의 확산층(11)의 실리콘 기판(11)의 측면으로부터 실리콘 기판(11)의 후면까지 연장하여, 전면 제 1 형 확산층(12), 측면 제 1 형 확산층(13) 및 후면 제 1 형 확산층(14)을 얻고, 다음으로, 반사 방치층(101)과 동일한 재료의 패시베이션 층(102)이 상기 후면 제 1 형 확산층(14), 상기 후면 제 2 형 확산층(15) 및 실리콘 기판(11)에서 형성되며, 그 후 제 2 후면 게이트 라인층(6)이 상기 패이베이션 층(102)에 스크린 인쇄된다.
제 3 실시형태
도 15 내지 19 를 참고하면, 제 3 실시형태의 구조는 제 2 실시형태의 구조와 대략 동일하며, 일부 구성요소가 첨부 도면에서 동일한 도면번호를 가지며, 차이점은 다음과 같다: 제 2 실시형태에서 제 1 영역 및 제 2 영역 교차 세트를 가지지 않고 서로 접촉하지 않지만, 제 3 실시형태에서는 제 1 영역과 제 2 영역이 교차 세트를 가지지 않고 서로 접촉한다. 즉, 제 1 영역의 윤곽선과 제 2 영역의 윤곽선은 서로 접촉한다.
구체적으로는, 제 1 영역과 제 2 영역은 교차 세트를 갖지 않고 서로 접촉하고 있고, 제 1 영역에는 제 1 전극(4)이 배치된다. 즉, 제 1 전극(4)은 제 1 영역 상에 직접 또는 간접적으로 배치될 수 있다. 이 경우, 제 1 전극(4)은 실리콘 웨이퍼(1)의 후면에 배치되고, 제 1 영역에 대응한다. 즉, 실리콘 웨이퍼(1)의 두께 방향을 따라 투영될 때, 제 1 전극(4)은 제 1 영역을 초과하지 않고, 제 2 영역을 넘어 위치한다. 제 2 후면 게이트 라인층(6) 및 제 2 전극(5) 각각은 제 2 영역 상에 배치되고 제 1 전극(4)과 접촉하지 않는다. 즉, 제 2 후면 게이트 라인층(6) 및 제 2 전극(5)은 제 2 영역에 직접 또는 간접적으로 배치된다. 또한, 제 2 후면 게이트 라인층(6)은 제 1 전극(4)과 접촉하지 않고, 제 2 전극(5)도 제 1 전극(4)과 접촉하지 않는다. 이 경우, 제 2 후면 게이트 라인층(6) 및 제 2 전극(5)은 실리콘 웨이퍼(1)의 후면에 배치되고, 제 2 영역에 대응한다. 즉, 실리콘 웨이퍼(1)의 두께 방향을 따라 투영될 때, 제 2 후면 게이트 라인층(6) 및 제 2 전극(5)은 제 2 영역을 초과하지 않고, 제 1 영역을 넘어 위치한다. 따라서, 제 1 전극(4)이 제 2 전극(5)과 접촉하여 단락이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다
제 4 실시형태
도 20 내지 24 를 참고하면, 제 4 실시형태의 구조는 제 3 실시형태의 구조와 대략 동일하며, 일부 구성요소가 첨부 도면에서 동일한 도면번호를 가지며, 차이점은 다음과 같다: 제 3 실시형태에서 측면 분할층(13)은 측면 제 1 형 확산층이며, 후면 분할층(14)은 후면 제 1 형 확산층이지만, 제 4 실시형태에서는 측면 분할층(13) 및 후면 분할층(14)이 각각 절연층이다.
구체적으로는, 제 4 실시형태의 광전지(100)의 제조 방법은, 제 2 실시형태의 광전지(100)의 제조 방법과 대략 동일하고, 그 차이는 다음과 같다: 제 4 실시형태의 실리콘 웨이퍼(1)가 준비되면, 실리콘 기판(11)에 대하여 상이한 타입의 양면 확산이 수행되며, 즉, 실리콘 기판(11)의 전면 및 후면을 각각 확산시켜서 전면 제 1 형 확산층(12) 및 후면 제 2 형 확산층(15)을 얻도록 다른 타입의 확산층을 얻고, 절연층이 실리콘 기판(11)의 후면 측 및 측면 인접 측에 형성되어 후면 분할층(14)과 측면 분할층(13)을 얻는다.
제 5 실시형태
도 25 내지 31 을 참고하면, 제 5 실시형태의 구조는 제 3 실시형태의 구조와 대략 동일하며, 일부 구성요소가 첨부 도면에서 동일한 도면번호를 가지며, 차이점은 다음과 같다: 첫째, 제 3 실시형태에서 제 1 전극(4)만이 후면 제 1 형 확산층(즉, 후면 분할층(14))에 배치되나, 제 5 실시형태에서 제 1 전극(4)에 전기적으로 연결된 제 1 후면 게이트 라인층(7)이 후면 제 1 형 확산층(즉, 후면 분할층(14))에 더 배치된다. 둘째, 제 5 실시형태에서 제 1 영역과 제 2 영역은 손가락 교차형 접촉 방식으로 배치된다.
제 1 후면 게이트 라인층(7) 및 제 1 전극(4)은 후면 제 1 형 확산층 상에 배치된다. 즉, 제 1 후면 게이트 라인층(7) 및 제 1 전극(4)은 후면 제 1 형 확산층 상에 직접 또는 간접적으로 배치될 수 있다. 이 경우, 제 1 후면 게이트 라인층(7) 및 제 1 전극(4)은 실리콘 웨이퍼(1)의 후면에 배치되고, 제 1 영역에 대응한다. 즉, 실리콘 웨이퍼(1)의 두께 방향을 따라 투영될 때, 제 1 후면 게이트 라인층(7) 및 제 1 전극(4)은 제 1 영역을 초과하지 않고, 제 2 영역을 넘어 위치한다.
예를 들어, 실리콘 웨이퍼(1)는 패시베이션 층(102)을 더 포함할 수 있으며, 패시베이션 층(102)은 후면 제 1 형 확산층 상에 배치될 수 있다. 이와 같이, 실리콘 웨이퍼(1)가 패시베이션 층(102)을 포함하는 경우, 제 1 후면 게이트 라인층(7) 및 제 1 전극(4)은 패시베이션 층(102) 상에 직접 배치될 수 있다. 실리콘 웨이퍼(1)가 패시베이션 층(102)를 포함하지 않는 경우, 제 1 후면 게이트 라인층(7) 및 제 1 전극(4)은 후면 제 1 형 확산층 상에 직접 배치될 수 있다.
또한, 본 개시내용의 일부 실시형태에서, 제 1 후면 게이트 라인층(7)과 제 1 전극(4)은 서로 중첩되지 않고, 서로 접촉하여 연결될 수 있음을 알아야 한다. 이 경우, 제 1 후면 게이트 라인층(7)과 제 1 전극(4)은 각각 실리콘 웨이퍼(1)의 후면 상에 완전히 배치되며, 에지는 서로 직접 접촉하고, 서로 전기적으로 연결된다. 따라서, 공간이 완전히 사용될 수 있고, 광전지(100)의 전력이 증가된다. 본 개시내용의 일부 다른 실시형태에서, 제 1 후면 게이트 라인층(7) 및 제 1 전극(4)은 추가로 서로에 대해 중첩될 수 있다. 이 경우, 제 1 후면 게이트 라인층(7)과 제 1 전극(4)이 중첩된 후에 얻어진 연합 세트면이 실리콘 웨이퍼(1)의 후면에 배치된다.
따라서, 본 실시형태에 따른 광전지(100)에서, 제 1 전극(4)에 접속되는 제 1 후면 게이트 라인층(7) 및 전면 게이트 라인층(2)이 각각 실리콘 웨이퍼(1)의 전면 및 후면에 형성되며, 제 2 전극(5)에 연결된 제 2 후면 게이트 라인층(6)이 실리콘 웨이퍼(1)의 후면에 형성되어 광전지(100)는 양면 셀이 되어 파워가 높아진다.
제 1 영역 및 제 2 영역은 손가락 교차형 접촉 방식으로 분포된다. 즉, 제 1 영역의 윤곽선과 제 2 영역의 윤곽선은 서로 접촉한다. 예를 들어, 제 1 영역과 제 2 영역은 완전히 이음매없이 상호 연결되어, 연속적이고, 완전하며, 홀이 없으며, 비분리 영역을 형성할 수 있다. 예를 들어, 선택적으로 제 1 영역 및 제 2 영역은 실리콘 기판(11)의 후면을 완전히 커버할 수 있다. 따라서, 공간이 완전히 사용될 수 있고, 광전지(100)의 전력이 증가될 수 있다. 여기서, "손가락 교차형"은, 좌우의 손의 손가락이 서로 겹치지 않는 것과 유사한 형상이다.
구체적으로, 제 1 영역은 제 1 연통 영역과 복수의 제 1 분산 영역을 포함하고, 복수의 제 1 분산 영역은 제 1 연통 영역의 길이 방향으로 이격되고, 각각은 제 1 연통 영역과 커뮤니케이션하며, 상기 제 2 영역은 제 2 연통 영역과 복수의 제 2 분산 영역을 포함하고, 상기 복수의 제 2 분산 영역은 상기 제 2 연통 영역의 길이 방향으로 이격되며, 상기 제 2 연통 영역과 각각 커뮤니케이션한다.
복수의 제 1 분산 영역 및 복수의 제 2 분산 영역의 수량은 제한되지 않으며 제 1 연통 영역, 복수의 제 1 분산 영역, 제 2 연통 영역 및 복수의 제 2 분산 영역의 형상은 제한되지 않는다. 예를 들면, 복수의 제 1 분산 영역 및 복수의 제 2 분산 영역은 각각 삼각형, 반원형, 직사각형 등으로 형성될 수 있으며, 복수의 제 1 분산 영역 및 복수의 제 2 분산 영역은 직사각형, 웨이브 스트립(wave strip) 형상 등으로 형성될 수 있다.
제 1 연통 영역과 제 2 연통 영역은 서로 대향하여 배치된다. 예를 들면, 제 1 연통 영역과 제 2 연통 영역은 서로 평행하게 또는 서로 대략 평행하게(비교적 작은 각도로) 배치되고, 복수의 제 1 분산 영역과 복수의 제 2 분산 영역은 상기 제 1 연통 영역과 상기 제 2 연통 영역 사이에 하나씩 교대로 배치된다 배치된다. 즉, 제 1 연통 영역의 길이 방향, 즉 제 2 연통의 길이 방향을 따라 제 1 분산 영역, 제 2 분산 영역, 다른 제 1 분산 영역 및 다른 제 2 분산 영역 등이 순차적으로 배치되며, 상기 복수의 제 1 분산 영역과 상기 복수의 제 2 분산 영역이 하나씩 번갈아 및 교대로 배치된다.
제 1 연통 영역의 윤곽선은 복수의 제 2 분산 영역의 윤곽선과 접촉하며, 제 2 연통 영역의 윤곽선은 복수의 제 1 분산 영역의 윤곽선과 접촉한다. 따라서, 제 1 영역과 제 2 영역이 손가락 교차형 접촉 방식으로 배치될 수 있다.
또한, 제 1 전극(4)은 제 1 연통 영역 상에 배치되고, 제 1 후면 게이트 라인층(7)은 복수의 제 1 분산 영역에 배치된다. 다시 말해서, 제 1 전극(4)은 제 1 연통 영역에 대응하여 배치되고, 제 1 후면 게이트 라인층(7)은 복수의 제 1 분산 영역에 대응하여 배치된다. 즉, 실리콘 웨이퍼(1)의 두께 방향을 따라 투영될 때, 제 1 전극(4)은 제 1 연통 영역의 윤곽선을 초과하지 않으며, 제 1 후면 게이트 라인층(7)은 복수의 제 1 분산 영역의 윤곽선을 초과하지 않으며, 제 2 영역의 윤곽선을 넘어서 위치한다. 따라서, 제 1 전극(4) 및 제 1 후면 게이트 라인층(7)은 적절하고 간단하게 배치되고, 후면 제 1 형 확산층 상에 편리하게 제조된다.
선택적으로, 제 1 후면 게이트 라인층(7)은 제 1 연통 영역의 길이 방향에 수직으로 연장되며 제 1 연통 영역의 길이 방향으로 이격된 복수의 제 1 후면 2차 게이트 라인층(71)을 포함한다. 따라서, 제 1 후면 게이트 라인층(7)은 수집된 전하를 제 1 전극(4)으로 더 짧은 경로로 전달하여 전하 전달 효율을 향상시키고, 광전지(100)의 전력을 증가시킨다.
또한, 제 2 전극(5)은 제 2 연통 영역 상에 배치되고, 제 2 후면 게이트 라인층(6)은 복수의 제 2 분산 영역 상에 배치된다. 다시 말해서, 제 2 전극(5)은 제 2 연통 영역에 대응하여 배치되고, 제 2 후면 게이트 라인층(6)은 복수의 제 2 분산 영역에 대응하여 배치된다. 즉, 실리콘 웨이퍼(1)의 두께 방향을 따라 투영될 때, 제 2 전극(5)은 제 2 연통 영역의 윤곽선을 초과하지 않으며, 제 2 후면 게이트 라인층(6)은 복수의 제 2 분산 영역의 윤곽선을 초과하지 않으며 상기 제 1 영역의 윤곽선을 넘어서 위치한다. 따라서, 제 2 전극(5) 및 제 2 후면 게이트 라인층(6)은 적당하고 간단하게 배치되고, 후면 제 2 형 확산층(15) 상에 편리하게 제조된다.
선택적으로, 제 2 후면 게이트 라인층(6)은 제 2 연통 영역의 길이 방향에 수직으로 연장되며 제 2 연통 영역의 길이 방향으로 이격된 복수의 제 2 후면 2차 게이트 라인층(61)을 포함한다. 따라서, 제 2 후면 게이트 라인층(6)은 수집된 전하를 제 2 전극(5)으로 더 짧은 경로로 전달하여 전하 전달 효율을 향상시키고, 광전지(100)의 전력을 증가시킨다.
각 제 1 후면 2차 게이트 라인층(71)의 윤곽선은 제 2 연통 영역 및 복수의 제 2 분산 영역 각각과 접촉하지 않는다. 즉, 제 1 후면 2차 게이트 라인층(71) 각각은 제 2 후면 2차 게이트 라인층(61) 및 제 2 전극(5) 각각과 접촉하지 않는다. 제 2 후면 2차 게이트 라인층(61) 각각의 윤곽선은 각각 상기 제 1 연통 영역 및 상기 복수의 제 1 분산 영역 각각과 접촉하지 않는다. 즉, 제 2 후면 2차 게이트 라인층(61) 각각은 제 1 후면 2차 게이트 라인층(71) 및 제 1 전극(4) 각각과 접촉하지 않는다.
구체적으로는, 제 5 실시형태에서 광전지(100)의 제조 방법은, 제 2 실시형태의 광전지(100)의 제조 방법과 대략 동일하지만, 차이점은 다음과 같다: 실리콘 웨이퍼(1)를 완전하게 준비한 후, 제 2 후면 2차 게이트 라인층(61)이 후면 2 형 확산층(15) 상에 제조된다.
제 6 실시형태
도 32 내지 38 을 참고하면, 제 6 실시형태의 구조는 제 5 실시형태의 구조와 대략 동일하며, 일부 구성요소가 첨부 도면에서 동일한 도면번호를 가지며, 차이점은 다음과 같다: 제 5 실시형태에서, 제 1 영역 및 제 2 영역은 손가락 교차형 접촉 방식으로 분포되지만, 재 6 실시형태에서는 제 1 영역 및 제 2 영역이 손가락 교차형 비접촉 방식으로 분포된다.
제 1 연통 영역의 윤곽선은 제 2 연통 영역의 윤곽선 및 복수의 제 2 분산 영역의 윤곽선 각각과 접촉하지 않고, 제 2 연통 영역의 윤곽선은 상기 제 1 연통 영역의 윤곽선 및 상기 복수의 제 1 분산 영역의 윤곽선 각각과 접촉하지 않는다. 따라서, 제 1 영역과 제 2 영역이 손가락 교차형 비접촉 방식으로 배치될 수 있다. 제 1 후면 2차 게이트 라인층(71)의 윤곽선은 제 2 연통 영역 및 제 2 분산 영역 각각과 접촉하지 않는다. 즉, 제 1 후면 2차 게이트 라인층(71) 각각은 제 2 후면 2차 게이트 라인층(61) 및 제 2 전극(5) 각각과 접촉하지 않는다. 각 제 2 후면 2차 게이트 라인층(61)의 윤곽선은 상기 제 1 연통 영역 및 상기 제 1 분산 영역 각각과 접촉하지 않는다. 즉, 제 2 후면 2차 게이트 라인층(61) 각각은 제 1 후면 2차 게이트 라인층(71) 및 제 1 전극(4) 각각과 접촉하지 않는다.
제 7 실시형태
도 39 내지 45 를 참고하면, 제 7 실시형태의 구조는 제 5 실시형태의 구조와 대략 동일하며, 일부 구성요소가 첨부 도면에서 동일한 도면번호를 가지며, 차이점은 다음과 같다: 제 5 실시형태에서 제 2 영역은 후면 제 2 형 확산층(15)에 의해서 완전히 커버되나, 제 7 실시형태에서 제 2 형 확산층은 제 2 영역에 배치되지 않는다.
제 2 전극(5)과 제 2 후면 게이트 라인층(6)은 제 2 영역에 직접 혹은 간적 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 2 영역은 패시베이션 층(102)에 의해서 완전히 커버될 수 있으며, 제 2 후면 게이트 라인층(6) 및 제 2 전극(5)은 상기 패시베이션 층(102)에 직접 배치될 수 있다. 실리콘 웨이퍼(1)가 패시베이션 층(102)을 포함하지 않을 때, 제 2 후면 게이트 라인층(6) 및 제 2 전극(5)은 제 2 영역에 직접 배치될 수 있다.
본 개시내용의 설명에서, "위", "아래", "전면" 및 "후면"과 같은 용어에 의해 지시되는 배향 또는 위치 관계는 첨부된 도면에서 보이는 배향 또는 위치 관계에 기초하며, 언급된 장치 또는 구성요소가 특정 배향을 가질 필요가 있거나 또는 특정 배향으로 구성되고 작동 될 필요가 있음을 나타내거나 암시하기보다는 설명 및 설명의 용이함 및 간략화를 위해서만 사용된다. 따라서, 이러한 용어는 본 개시내용을 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다.
본 개시내용의 설명에서, 달리 명시되거나 제한되지 않는 한, "실장된", "연결된", "결합된" 및 "고정된"이라는 용어는, 예를 들어 광범위하게 이해되어야하며, 서로 중간 매체를 통해, 또는 두 요소 내부의 연통 또는 두 요소 사이의 상호 작용 관계를 포함할 수 있다. 당업자는 특정 상황에 따라 본 개시내용에서 용어의 구체적인 의미를 이해할 수 있다. 본 개시내용에서, 명시적으로 특정되거나, 제한되지 않는 한, 제 1 특성 "상" 혹은 제 2 특성 "아래" 는 제 2 특성과 직접 접촉하는 제 1 특성 또는 제 2 특성과 중간 매개체를 사용하여.간접 접촉하는 제 1 특성일 수 있다.
본 명세서의 설명에서, "실시형태", "일부 실시형태", "실시예", "특정예"또는 "일부 실시예"와 같은 참조 용어의 설명은 실시형태 또는 실시예와 관련하여 기술된 특별한 특징, 구조, 재료, 혹은 특성이 본 개시내용의 적어도 하나의 실시예 또는 예시에 포함된 것을 의미한다. 따라서, 이러한 본 명세서 전체에 걸쳐서 다양한 곳에서 이러한 구(phrases)의 존재는 본 개시의 동일한 실시예 또는 예시를 반드시 인용하는 것은 아니다. 게다가, 특별한 특징, 구조, 재료, 또는 특징은 하나 또는 이상의 실시예들 또는 예시에서 임의의 적절한 방법으로 결합될 수 있다. 또한, 어떠한 충돌없이, 당업자는 본 명세서에 기술된 상이한 실시형태 및 실시형태의 다른 실시형태 또는 실시예를 통합하고 결합할 수 있다.
비록 상술한 바와 같이 설명하기 위한 실시예들이 나타내어지고 기술되었지만, 상기 실시예들은 본 개시를 제한하는 것으로 해석되어서는 아니되며, 본원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 개시의 기술 사상 및 원리의 범위 내에서의 다양한 간단한 개조가 이루질 수 있으며, 이러한 간단한 개조들은 모두 본 개시의 보호 범위에 속함은 인정되어야 할 것이다.
광전지 직렬 연결 구성요소 1000; 광전지 병렬 연결 구성요소 2000; 광전지 어레이 10000;
전도성 밴드 1001; 버스바 1002; 광전지 어셈블리 100A;
광전지 100; 광전지 A; 광전지 B; 전극 A1; 전극 A2; 전극 B1; 전극 B2;
실리콘 웨이퍼 1; 실리콘 기판 11; 반사 방지층 101; 패시베이션 층 102;
전면 제 1 형 확산층 12; 측면 분할층 13; 후면 분할층 14; 후면 제 2 형 확산층 15;
전면 게이트 라인층 2; 전면 2차 게이트 라인층 21;
측면 전도성 부재 3; 제 1 전극 4; 제2 전극 5;
제 2 후면 게이트 라인층 6; 제 2 후면 2차 게이트 라인 61; 후면 전기층 60;
제 1 후면 게이트 라인층 7; 제 1 후면 2차 게이트 라인층 71

Claims (20)

  1. 종방향을 따라서 순차적으로 배치된 복수의 광전지; 및 적어도 하나의 전도성 밴드;를 포함하며,
    각 광전지는 실리콘 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼의 전면에 배치된 전면 전도성 부재, 실리콘 웨이퍼의 후면에 배치된 2개의 전극 및 상기 2개의 전극 중 하나와 상기 전면 전도성 부재 사이을 전기적으로 연결하며, 실리콘 웨이퍼의 측면에 배치되는 측면 전도성 부재를 포함하며, 상기 2개의 전극은 횡방향으로 연장하며, 종방향에서 간격을 두고 분포되며,
    상기 전도성 밴드는 상기 전극의 연장 방향과 동일한 연장방향을 가지며, 서로 근접하고 2개의 인접한 광전지 상에 각각 위치된 2개의 전극에 전기적으로 연결되어 2개의 인접한 광전지 상에 위치된 2개의 전극을 전도성으로 연결하여, 2개의 인접한 광전지가 직렬로 연결되거나 병렬로 연결되고,
    상기 광전지 각각에서 상기 2개의 전극은 각각 상기 측면 전도성 부재와 전기적으로 연결된 제 1 전극과 상기 측면 전도성 부재와 전기적으로 연결되지 않은 제 2 전극이며,
    상기 실리콘 웨이퍼는 실리콘 기판 및 후면 분할층을 포함하며, 상기 실리콘 기판의 후면은 제 1 영역과 제 2 영역을 포함하며, 상기 후면 분할층은 상기 제 1 영역 상에만 배치되며, 상기 제 1 영역을 완전히 커버하며, 상기 제 1 전극은 상기 후면 분할층에 배치되며, 상기 제 2 전극은 제 2 영역에 배치되며 제 1 전극과 접촉하지 않고,
    상기 광전지 각각은 제 1 후면 게이트 라인층을 더 포함하며,
    상기 제 1 후면 게이트 라인층과 제 1 전극은 모두 상기 후면 분할층 상에 배치되며, 상기 제 1 전극과 상기 제 1 후면 게이트 라인층은 전기적으로 연결되며, 서로 중첩되지 않는 광전지 어셈블리.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 밴드의 연장 방향에서 상기 전도성 밴드의 연장 길이는 상기 전도성 밴드에 의해 도전성으로 연결된 각 전극의 연장 길이보다 크거나 같고, 상기 전도성 밴드의 두 단부 각각은 상기 전도성 밴드에 의해 전도성으로 연결된 각 전극의 대응 단부를 초과하거나 또는 동등한 광전지 어셈블리.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 밴드의 연장 방향에 직각인 방향으로, 상기 전도성 밴드의 스팬은 상기 전도성 밴드에 의해 전도성으로 연결된 2개의 전극의 스팬의 합보다 크거나 같으며, 상기 전도성 밴드의 양측 에지는 상기 전도성 밴드에 의해서 전도성으로 연결된 2개의 전극의 서로로부터 떨어진 양측 에지를 각각 넘어서거나 동일 평면을 이루는 광전지 어셈블리.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 밴드는 구조가 동일하고 상기 전도성 밴드의 연장 방향에 수직으로 연속적으로 배열된 2 개의 반부를 포함하고, 상기 2 개의 반부는 각각 상기 전도성 밴드에 의해 전도성으로 연결된 2개의 전극을 각각 정확하게 커버하는 광전지 어셈블리.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 밴드의 연장 방향에 수직인 방향에서, 상기 2개의 인접 광전지 사이의 간격은 0.1㎜ 이하인 광전지 어셈블리.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 측면 전도성 부재가 배치되는 측면에 수직인 방향에서 상기 실리콘 웨이퍼의 스팬은 20㎜ 내지 60㎜ 인 광전지 어셈블리.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 실리콘 웨이퍼는 직사각형의 시트이며, 길이가 변하지 않는 규칙에 따라서 정사각형의 규칙적인 실리콘 웨이퍼 바디를 분리하여 얻어진 광전지 어셈블리.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 실리콘 웨이퍼는 직사각형 시트이고, 상기 실리콘 웨이퍼의 2개의 긴 측부에 대해 상기 광전지 각각에서 상기 2개의 전극이 각각 배치되어 상기 실리콘 웨이퍼의 길이방향을 따라 연장되고, 상기 측면 전도성 부재는 실리콘 웨이퍼의 하나의 긴 측부 상의 측면에 배치되는 광전지 어셈블리.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리콘 웨이퍼는 전면 제 1 형 확산층을 더 포함하며, 상기 전면 제 1 형 확산층은 상기 실리콘 기판의 전면에 배치되며, 상기 전면 전도성 부재는 상기 전면 제 1 형 확산층에 배치되며, 후면 분할층의 적어도 일부는 절연층 혹은 상기 전면 제 1 형 확산층과 동일한 타입의 확산층인 광전지 어셈블리.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 실리콘 웨이퍼는 측면 분할층을 더 포함하며,
    상기 측면 분할층은 상기 실리콘 기판의 측면에 배치되며, 상기 측면 전도성 부재는 상기 측면 분할층 상에 배치되며, 상기 측면 분할층의 적어도 일부는 절연층 혹은 상기 전면 제 1 형 확산층과 동일한 타입의 확산층인 광전지 어셈블리.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 광전지 각각은 후면 전기층을 더 포함하며,
    상기 후면 전기층은 제 2 영역에 배치되며, 상기 제 2 전극은 상기 후면 전기층 상에 배치되며, 상기 후면 전기층에 전기적으로 연결되는 광전지 어셈블리.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 광전지 각각은 제 2 후면 게이트 라인층을 더 포함하며,
    상기 제 2 후면 게이트 라인층 및 상기 제 2 전극은 모두 상기 제 2 영역에 배치되며, 상기 제 2 전극과 상기 제 2 후면 게이트 라인층은 전기적으로 연결되며, 서로 중첩되지 않는 광전지 어셈블리.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 실리콘 웨이퍼는 상기 전면 제 1 형 확산층과 타입이 상이한 후면 제 2 형 확산층을 포함하며, 상기 후면 제 2 형 확산층은 제 2 영역에만 배치되며, 제 2 영역을 완전히 커버하며, 상기 제 2 후면 게이트 라인층과 상기 제 2 전극은 모두 상기 후면 제 2 형 확산층 상에 배치되는 광전지 어셈블리.
  14. 삭제
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 후면 분할층은 상기 전면 제 1 형 확산층과 동일한 타입의 후면 제 1 형 확산층이며, 상기 후면 제 1 형 확산층은 제 1 영역에만 배치되고, 상기 제 1 영역을 완전히 커버하며, 상기 제 1 후면 게이트 라인층 및 제 1 전극은 모두 상기 후면 제 1 형 확산층 상에 배치되는 광전지 어셈블리.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 영역 및 제 2 영역 각각은 비분리 영역인 광전지 어셈블리.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 영역과 제 2 영역은 손가락 교차형으로 분배되며, 상기 제 1 영역은 제 1 연통 영역과 복수의 제 1 분산 영역을 포함하고, 상기 복수의 제 1 분산 영역은 제 1 연통 영역의 길이 방향으로 이격되며, 각각은 상기 제 1 연통 영역과 커뮤니케이션하며, 상기 제 2 영역은 제 2 연통 영역과 복수의 제 2 분산 영역을 포함하며, 상기 복수의 제 2 분산 영역은 제 2 연통 영역의 길이 방향으로 이격되며, 각각은 상기 제 2 연통 영역과 커뮤니케이션하며, 상기 제 1 연통 영역과 상기 제 2 연통 영역은 평행하게 배치되며, 상기 복수의 제 1 분산 영역과 상기 복수의 제 2 분산 영역은 상기 제 1 연통 영역과 제 2 연통 영역 사이에서 하나씩 교차하는 광전지 어셈블리.
  18. 복수의 광전지 병렬 연결 구성요소를 직렬 연결하여 형성된 광전지 어레이로,
    상기 광전지 병렬 연결 구성요소 각각은 복수의 광전지 직렬 연결 구성요소를 병렬로 연결하여 형성되며,
    상기 광전지 직렬 연결 구성요소 각각은 제 1 항의 광전지 어셈블리이며, 상기 광전지 어셈블리에서 상기 복수의 광전지는 상기 전도성 밴드를 사용하여 순차적으로 직렬 연결된 광전지 어레이.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 광전지 병렬 연결 구성요소의 수는 2 이며, 각 상기 광전지 병렬 연결 구성요소는 3개의 광전지 직렬 연결 구성요소를 포함하는 광전지 어레이.
  20. 전면 측에서 후면 측으로 순차적으로 배치되는 제 1 패널, 제 1 본딩층, 셀, 제 2 본딩층, 및 제 2 패널을 포함하며,
    상기 셀은 제 1 항 내지 제 13 항, 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항의 광전지 어셈블리이거나 제 18 항 또는 제 19 항에 따른 광전지 어레이인 태양 전지 어셈블리.
KR1020187037842A 2016-06-30 2017-06-23 광전지 어셈블리, 광전지 어레이 및 태양 전지 어셈블리 KR102144795B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201620686961.7U CN205863186U (zh) 2016-06-30 2016-06-30 电池片组件、电池片矩阵和太阳能电池组件
CN201610510202.XA CN107564985A (zh) 2016-06-30 2016-06-30 电池片组件、电池片矩阵和太阳能电池组件
CN201620686961.7 2016-06-30
CN201610510202.X 2016-06-30
PCT/CN2017/089820 WO2018001188A1 (zh) 2016-06-30 2017-06-23 电池片组件、电池片矩阵和太阳能电池组件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190013952A KR20190013952A (ko) 2019-02-11
KR102144795B1 true KR102144795B1 (ko) 2020-08-18

Family

ID=60786412

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187037842A KR102144795B1 (ko) 2016-06-30 2017-06-23 광전지 어셈블리, 광전지 어레이 및 태양 전지 어셈블리

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11088294B2 (ko)
EP (1) EP3480860B1 (ko)
JP (1) JP6802298B2 (ko)
KR (1) KR102144795B1 (ko)
WO (1) WO2018001188A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3701564A4 (en) * 2017-10-24 2021-07-28 1366 Technologies Inc. SEMICONDUCTOR SLICES LONGER THAN THE INDUSTRY STANDARD SQUARE
CN110957386A (zh) * 2018-09-21 2020-04-03 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 条形电池片、太阳能电池片及光伏组件
CN112611787A (zh) * 2020-12-15 2021-04-06 无锡豪帮高科股份有限公司 一种高分子电阻型湿敏元件及其制备方法
CN113140645B (zh) * 2021-04-23 2024-05-07 南通天盛新能源股份有限公司 太阳能电池n型掺杂区栅线结构及其制备方法、太阳能电池

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006324590A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Sharp Corp 裏面電極型太陽電池とその製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60260164A (ja) 1984-06-06 1985-12-23 Nippon Sheet Glass Co Ltd 太陽電池モジユ−ル及びその製造方法
JPH02181475A (ja) 1989-01-06 1990-07-16 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池セル及びその製造方法
JPH0415962A (ja) 1990-05-09 1992-01-21 Sharp Corp 太陽電池及びその製造方法
JP2005011869A (ja) 2003-06-17 2005-01-13 Sekisui Jushi Co Ltd 太陽電池モジュールおよびその製造方法
CN102201460A (zh) * 2011-05-09 2011-09-28 马鞍山优异光伏有限公司 一种新型的晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN102969368B (zh) 2012-12-10 2015-06-10 常州天合光能有限公司 太阳能电池片的电极结构
DE112013006161A5 (de) * 2012-12-21 2015-09-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Justagetolerante photovoltaische Zelle
CN103117313B (zh) * 2013-02-28 2015-07-01 宏大中源太阳能股份有限公司 正面无电极遮挡的太阳能电池片及其制备方法
KR102124520B1 (ko) * 2013-10-29 2020-06-18 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
CN103943704A (zh) 2014-03-18 2014-07-23 连云港神舟新能源有限公司 一种指叉背接触太阳电池组件及其制备方法
CN104064609A (zh) * 2014-05-30 2014-09-24 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种背接触太阳能电池组件及其制备方法
CN104465892A (zh) 2014-12-31 2015-03-25 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 太阳电池串中相邻太阳电池的同侧互联的光伏组件制作方法
JP6656225B2 (ja) * 2015-03-31 2020-03-04 株式会社カネカ 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール
CN205319169U (zh) 2016-01-11 2016-06-15 上海大族新能源科技有限公司 背接触式太阳能电池
CN105633177A (zh) 2016-01-28 2016-06-01 黄河水电光伏产业技术有限公司 一种晶硅太阳能电池
CN205863186U (zh) * 2016-06-30 2017-01-04 比亚迪股份有限公司 电池片组件、电池片矩阵和太阳能电池组件

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006324590A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Sharp Corp 裏面電極型太陽電池とその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3480860A1 (en) 2019-05-08
JP6802298B2 (ja) 2020-12-16
EP3480860A4 (en) 2019-07-17
US20190140124A1 (en) 2019-05-09
WO2018001188A1 (zh) 2018-01-04
US11088294B2 (en) 2021-08-10
KR20190013952A (ko) 2019-02-11
JP2019519940A (ja) 2019-07-11
EP3480860B1 (en) 2020-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1770791B1 (en) Rectangular shaped solar cell module and its manufacturing method using hexagonal shaped unit solar cells
KR102144795B1 (ko) 광전지 어셈블리, 광전지 어레이 및 태양 전지 어셈블리
KR101923658B1 (ko) 태양전지 모듈
EP3480859A1 (en) Battery cell, battery cell matrix, solar cell, and battery cell preparation method
WO2018001182A1 (zh) 电池片、电池片组件、电池片矩阵及太阳能电池
CN104282771A (zh) 背面接触型太阳能电池
TWI502756B (zh) 具有粗細匯流排電極之太陽能電池
CN211182220U (zh) 一种用于半片叠瓦光伏组件的电池片
CN107564974B (zh) 电池片、电池片矩阵、太阳能电池及电池片的制备方法
CN107579122B (zh) 电池片、电池片矩阵、太阳能电池及电池片的制备方法
TWM502963U (zh) 太陽能電池模組
JP3198451U (ja) ４本バスバー太陽電池
WO2018001186A1 (zh) 电池片、电池片矩阵及太阳能电池
CN209785957U (zh) 双面直连太阳能电池组件
CN209804686U (zh) 分片贯孔单面直连太阳能电池组件
CN108780822B (zh) 太阳能电池组件
CN111403499A (zh) 条形电池片、太阳能电池片、光伏组件及其制造方法
CN107564986A (zh) 电池片组件、电池片矩阵和太阳能电池组件
CN107564973B (zh) 电池片、电池片矩阵、太阳能电池及电池片的制备方法
TWI528571B (zh) 太陽能電池、太陽能電池組、太陽能電池模組及太陽能電池組的組裝方法
CN110957386A (zh) 条形电池片、太阳能电池片及光伏组件
TWI734077B (zh) 太陽光電模組
US11380807B2 (en) Back-contact solar cell and solar cell module including same
CN109560146B (zh) 电池
JP2022011614A (ja) 太陽電池モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant