JP2578424Y2 - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JP2578424Y2 JP2578424Y2 JP1993010451U JP1045193U JP2578424Y2 JP 2578424 Y2 JP2578424 Y2 JP 2578424Y2 JP 1993010451 U JP1993010451 U JP 1993010451U JP 1045193 U JP1045193 U JP 1045193U JP 2578424 Y2 JP2578424 Y2 JP 2578424Y2
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、光起電力装置における
出力端子構造に関する。
出力端子構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】光起電力装置の出力端子構造が、実開平
１−１４６５５９号公報に開示されている。ガラス等の
透光性絶縁基板上に形成された金属膜、透明導電膜等か
らなる電気導電性膜に、リード線を半田付けする場合
は、超音波半田ごて、及び超音波半田材料を用いた特殊
な作業を必要としていたが、この公報は、出力端子が、
透光性絶縁基板、透明導電膜、銅ペーストの積層体から
なり、銅ペーストを採用することにより、銅ペースト上
にて、リード線を通常の半田付け作業にて接続すること
を提案している。また、この構造においては、銅ペース
トと透明導電膜の密着力が大きいことより、リード線を
強力に接続することができる利点をも有している。しか
しながら、透明導電膜は電気抵抗が金属膜に比べて大き
いことより、大電流を取り出すとき、出力が低下する問
題がある。
１−１４６５５９号公報に開示されている。ガラス等の
透光性絶縁基板上に形成された金属膜、透明導電膜等か
らなる電気導電性膜に、リード線を半田付けする場合
は、超音波半田ごて、及び超音波半田材料を用いた特殊
な作業を必要としていたが、この公報は、出力端子が、
透光性絶縁基板、透明導電膜、銅ペーストの積層体から
なり、銅ペーストを採用することにより、銅ペースト上
にて、リード線を通常の半田付け作業にて接続すること
を提案している。また、この構造においては、銅ペース
トと透明導電膜の密着力が大きいことより、リード線を
強力に接続することができる利点をも有している。しか
しながら、透明導電膜は電気抵抗が金属膜に比べて大き
いことより、大電流を取り出すとき、出力が低下する問
題がある。
【０００３】また、光起電力装置の他の出力端子構造
が、特開平３−２５０６７２号公報に開示されている。
この端子構造は、透光性絶縁基板、透明導電膜、導電性
ペースト、半導体膜、金属膜の積層体からなり、大電流
を取り出すために、電気抵抗の小さい導電性ペーストを
用いて、出力を取り出している。
が、特開平３−２５０６７２号公報に開示されている。
この端子構造は、透光性絶縁基板、透明導電膜、導電性
ペースト、半導体膜、金属膜の積層体からなり、大電流
を取り出すために、電気抵抗の小さい導電性ペーストを
用いて、出力を取り出している。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】従来の大電流を取り出
すための出力端子構造、すなわち、上記特開平３−２５
０６７２号公報の出力端子構造において、通常の半田付
け作業を可能にするため、金属膜上に銅ペーストを形成
して、リード線接続を行うと、通常の半田付け作業は可
能となるものの、半導体膜と、金属膜の密着力が小さい
ため、この界面で剥がれ易く、十分なリード線接続強度
を得ることができない。
すための出力端子構造、すなわち、上記特開平３−２５
０６７２号公報の出力端子構造において、通常の半田付
け作業を可能にするため、金属膜上に銅ペーストを形成
して、リード線接続を行うと、通常の半田付け作業は可
能となるものの、半導体膜と、金属膜の密着力が小さい
ため、この界面で剥がれ易く、十分なリード線接続強度
を得ることができない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本考案は、透光性絶縁基
板上に、透明導電膜からなる第１電極層、半導体光活性
層及び第２電極層を積層した光起電力装置であって、こ
れより出力を取り出す出力端子の構造が、以下の解決手
段からなる。
板上に、透明導電膜からなる第１電極層、半導体光活性
層及び第２電極層を積層した光起電力装置であって、こ
れより出力を取り出す出力端子の構造が、以下の解決手
段からなる。
【０００６】第１電極層から延出した透明導電延出部
上に、この延出部の一部を露出する切欠部を有する上記
半導体光活性層と同一材料からなる半導体層と、この半
導体層と同一形状であり、上記延出部と電気的に連なり
金属膜からなる金属パッドとを積層すると共に、上記切
欠部から露出する透明導電膜からなる透明電極延出部上
よりその周辺の金属膜からなる金属パッド上に銅ペース
トを設けたことを特徴とする。
上に、この延出部の一部を露出する切欠部を有する上記
半導体光活性層と同一材料からなる半導体層と、この半
導体層と同一形状であり、上記延出部と電気的に連なり
金属膜からなる金属パッドとを積層すると共に、上記切
欠部から露出する透明導電膜からなる透明電極延出部上
よりその周辺の金属膜からなる金属パッド上に銅ペース
トを設けたことを特徴とする。
【０００７】第１電極層と同一材料からなる島状の透
明導電パッド上に、この透明導電パッドの一部を露出す
る切欠部を有する上記半導体光活性層と同一材料からな
る半導体層と、上記切欠部と同一形状の切欠部を有し、
上記第２電極層から延出し、上記透明電極パッドと電気
的に連なり金属膜からなる金属延出部を積層すると共
に、上記切欠部から露出する透明導電膜からなる透明導
電パッド上よりその周辺の金属膜からなる金属延出部上
に銅ペーストを設けたことを特徴とする。
明導電パッド上に、この透明導電パッドの一部を露出す
る切欠部を有する上記半導体光活性層と同一材料からな
る半導体層と、上記切欠部と同一形状の切欠部を有し、
上記第２電極層から延出し、上記透明電極パッドと電気
的に連なり金属膜からなる金属延出部を積層すると共
に、上記切欠部から露出する透明導電膜からなる透明導
電パッド上よりその周辺の金属膜からなる金属延出部上
に銅ペーストを設けたことを特徴とする。
【０００８】第１電極層から延出した透明導電延出部
上に、この延出部の一部を露出する切欠部を有する導電
性ペーストと、この切欠部より大面積の他の切欠部を有
する上記半導体光活性層と同一材料からなる半導体層
と、上記他の切欠部と同一形状の切欠部を有し、上記導
電性ペーストと電気的に連なる金属膜からなる金属パッ
ドを積層すると共に、上記切欠部から露出する透明導電
膜からなる透明導電延出部上よりその周辺の導電性ペー
スト上に銅ペーストを設けたことを特徴とする光起電力
装置。
上に、この延出部の一部を露出する切欠部を有する導電
性ペーストと、この切欠部より大面積の他の切欠部を有
する上記半導体光活性層と同一材料からなる半導体層
と、上記他の切欠部と同一形状の切欠部を有し、上記導
電性ペーストと電気的に連なる金属膜からなる金属パッ
ドを積層すると共に、上記切欠部から露出する透明導電
膜からなる透明導電延出部上よりその周辺の導電性ペー
スト上に銅ペーストを設けたことを特徴とする光起電力
装置。
【０００９】第１電極層と同一材料からなる島状の透
明導電パッド上に、この透明導電パッドの一部を露出す
る切欠部を有する導電性ペーストと、この切欠部より大
面積の他の切欠部を有する上記半導体光活性層と同一材
料からなる半導体層と、上記他の切欠部と同一形状の切
欠部を有し、上記第２電極層から延出し、上記導電性ペ
ーストと電気的に連なる金属膜からなる延出部を積層す
ると共に、上記切欠部から露出する透明導電膜からなる
透明導電パッド上よりその周辺の導電性ペースト上に銅
ペーストを設けたことを特徴とする。
明導電パッド上に、この透明導電パッドの一部を露出す
る切欠部を有する導電性ペーストと、この切欠部より大
面積の他の切欠部を有する上記半導体光活性層と同一材
料からなる半導体層と、上記他の切欠部と同一形状の切
欠部を有し、上記第２電極層から延出し、上記導電性ペ
ーストと電気的に連なる金属膜からなる延出部を積層す
ると共に、上記切欠部から露出する透明導電膜からなる
透明導電パッド上よりその周辺の導電性ペースト上に銅
ペーストを設けたことを特徴とする。
【００１０】更に、上記銅ペーストに半田付けされたリ
ード線を有することを特徴とする。
ード線を有することを特徴とする。
【００１１】
【作用】本考案の光起電力装置の出力端子構造は、銅ペ
ーストを採用することにより、リード線を通常の半田付
け作業で接続することができると共に、銅ペーストが透
明導電膜と、その周辺の金属膜または導電性ペーストに
接触することより、銅ペーストと透明導電膜が接触して
いる領域においてリード線の接続強度が大きく、かつ、
銅ペーストが金属膜または導電性ペーストと接触してい
ることより電気抵抗を低減できる。
ーストを採用することにより、リード線を通常の半田付
け作業で接続することができると共に、銅ペーストが透
明導電膜と、その周辺の金属膜または導電性ペーストに
接触することより、銅ペーストと透明導電膜が接触して
いる領域においてリード線の接続強度が大きく、かつ、
銅ペーストが金属膜または導電性ペーストと接触してい
ることより電気抵抗を低減できる。
【００１２】
【実施例】図１は、本考案の一実施例を示す光起電力装
置の全体図である。
置の全体図である。
【００１３】１は、耐熱性プラスチック、ガラス等から
なる矩形の透光性絶縁基板、２ａ〜２ｃは透光性絶縁基
板１上に形成された複数の発電領域、３ａ〜３ｃは、透
光性絶縁基板１上の発電領域２ａ〜２ｃ毎に分割配置さ
れた酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）、酸化錫（ＳｎＯ2）等の透明導電膜からなる第１
電極層である。４ａ〜４ｃは、第１電極層３ａ〜３ｃ上
に分割配置されたアモルファスシリコン、アモルファス
シリコンカーバイド、アモルファスシリコンゲルマニウ
ム等をｐｎまたはｐｉｎに積層した半導体光活性層、５
ａ〜５ｃは、半導体光活性層４ａ〜４ｃ上に分割配置さ
れたアルミニウム、チタン、ニッケル、銅等の金属膜か
らなる第２電極層である。
なる矩形の透光性絶縁基板、２ａ〜２ｃは透光性絶縁基
板１上に形成された複数の発電領域、３ａ〜３ｃは、透
光性絶縁基板１上の発電領域２ａ〜２ｃ毎に分割配置さ
れた酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）、酸化錫（ＳｎＯ2）等の透明導電膜からなる第１
電極層である。４ａ〜４ｃは、第１電極層３ａ〜３ｃ上
に分割配置されたアモルファスシリコン、アモルファス
シリコンカーバイド、アモルファスシリコンゲルマニウ
ム等をｐｎまたはｐｉｎに積層した半導体光活性層、５
ａ〜５ｃは、半導体光活性層４ａ〜４ｃ上に分割配置さ
れたアルミニウム、チタン、ニッケル、銅等の金属膜か
らなる第２電極層である。
【００１４】また、各発電領域２ａ〜２ｃは、隣り合う
発電領域と電気的接続を行うために、第１電極層３ｂ、
３ｃの左端に銀ペースト等からなる導電性ペースト６
ｂ、６ｃを配置している。これら導電性ペースト６ｂ、
６ｃ上に配置した隣接する発電領域２ａ、２ｂの半導体
光活性層４ａ、４ｂ、及び第２電極層５ａ、５ｂ上から
レーザビームを照射することにより、導電性ペースト６
ｂ、６ｃと、第２電極層５ａ、５ｂが各々溶着され電気
的に接続され、各発電領域２ａ〜２ｃが直列に接続され
る。
発電領域と電気的接続を行うために、第１電極層３ｂ、
３ｃの左端に銀ペースト等からなる導電性ペースト６
ｂ、６ｃを配置している。これら導電性ペースト６ｂ、
６ｃ上に配置した隣接する発電領域２ａ、２ｂの半導体
光活性層４ａ、４ｂ、及び第２電極層５ａ、５ｂ上から
レーザビームを照射することにより、導電性ペースト６
ｂ、６ｃと、第２電極層５ａ、５ｂが各々溶着され電気
的に接続され、各発電領域２ａ〜２ｃが直列に接続され
る。
【００１５】そして、本考案の特徴は、以下に説明する
出力端子の構造にある。まず、配列方向の左端に位置す
る出力端子において、３ａｔは発電領域２ａの第１電極
層３ａより延出する透明導電延出部、６ａｔは透明導電
延出部３ａｔ上に配置された銀ペースト等からなる導電
性ペーストで、概略矩形であり、その左端の１コーナー
に正方形状の切欠部７ａｔを有している。４ａｔは、導
電性ペースト６ａｔ上に形成されたこれと同一形状であ
り、半導体光活性層と同一工程、同一材料で形成された
半導体膜である。５ａｔは、半導体膜４ａｔ上に形成さ
れたこれと同一形状であり、第２電極膜と同一工程、同
一材料で形成された金属膜からなる金属パッドである。
ここで、導電性ペースト６ａｔと金属パッド５ａｔは、
電気的接続を取るために、レーザービームにより溶着さ
れている。
出力端子の構造にある。まず、配列方向の左端に位置す
る出力端子において、３ａｔは発電領域２ａの第１電極
層３ａより延出する透明導電延出部、６ａｔは透明導電
延出部３ａｔ上に配置された銀ペースト等からなる導電
性ペーストで、概略矩形であり、その左端の１コーナー
に正方形状の切欠部７ａｔを有している。４ａｔは、導
電性ペースト６ａｔ上に形成されたこれと同一形状であ
り、半導体光活性層と同一工程、同一材料で形成された
半導体膜である。５ａｔは、半導体膜４ａｔ上に形成さ
れたこれと同一形状であり、第２電極膜と同一工程、同
一材料で形成された金属膜からなる金属パッドである。
ここで、導電性ペースト６ａｔと金属パッド５ａｔは、
電気的接続を取るために、レーザービームにより溶着さ
れている。
【００１６】８ａｔは、概略正方形で、金属パッド５ａ
ｔの切欠部７ａｔよりも一回り大きな面積の銅ペースト
であり、切欠部７ａｔにおいて直接、透明導電延出部３
ａｔと接触すると共に、その周囲の金属パッド５ａｔに
も接触している。この銅ペースト８ａｔは、通常の半田
付け作業を可能にするもので、フェノール系樹脂をバイ
ンダーとして、粒径５〜７μｍの銅粉末を重量比約９０
％で混入したものからなり、スクリーン印刷によるパタ
−ニング後、加熱処理により硬化される。
ｔの切欠部７ａｔよりも一回り大きな面積の銅ペースト
であり、切欠部７ａｔにおいて直接、透明導電延出部３
ａｔと接触すると共に、その周囲の金属パッド５ａｔに
も接触している。この銅ペースト８ａｔは、通常の半田
付け作業を可能にするもので、フェノール系樹脂をバイ
ンダーとして、粒径５〜７μｍの銅粉末を重量比約９０
％で混入したものからなり、スクリーン印刷によるパタ
−ニング後、加熱処理により硬化される。
【００１７】一方、配列方向の右端に位置する出力端子
において、３ｃｔは発電領域２ｃの第１電極膜３ｃの右
側に位置する島状の透明導電パッド、６ｃｔは透明電導
パッド３ｃｔ上に配置された銀ペースト等からなる導電
性ペーストで、概略矩形であり、その右端の１コーナー
に正方形状の切欠部７ｃｔを有している。４ｃｔは、半
導体光活性層４ｃから延在し、導電性ペースト６ｃｔ上
に形成された半導体膜であり、導電性ペースト６ｃｔと
同一形状の切欠部７ｃｔを有している。５ｃｔは、第２
電極層５ｃから延在し、半導体膜４ｃｔ上に形成された
金属延出部であり、導電性ペースト６ｃｔと同一形状の
切欠部７ｃｔを有している。ここで、導電性ペースト６
ｃｔと金属延出部５ｃｔは、電気的接続を取るため、レ
ーザービームにより溶着されている。８ｃｔは、概略正
方形で、金属延出部５ｃｔの切欠部７ｃｔよりも一回り
大きな面積の銅ペーストであり、切欠部７ｃｔにおいて
直接、透明導電パッド３ｃｔと接触すると共に、その周
囲の金属延出部５ｃｔにも接触している。
において、３ｃｔは発電領域２ｃの第１電極膜３ｃの右
側に位置する島状の透明導電パッド、６ｃｔは透明電導
パッド３ｃｔ上に配置された銀ペースト等からなる導電
性ペーストで、概略矩形であり、その右端の１コーナー
に正方形状の切欠部７ｃｔを有している。４ｃｔは、半
導体光活性層４ｃから延在し、導電性ペースト６ｃｔ上
に形成された半導体膜であり、導電性ペースト６ｃｔと
同一形状の切欠部７ｃｔを有している。５ｃｔは、第２
電極層５ｃから延在し、半導体膜４ｃｔ上に形成された
金属延出部であり、導電性ペースト６ｃｔと同一形状の
切欠部７ｃｔを有している。ここで、導電性ペースト６
ｃｔと金属延出部５ｃｔは、電気的接続を取るため、レ
ーザービームにより溶着されている。８ｃｔは、概略正
方形で、金属延出部５ｃｔの切欠部７ｃｔよりも一回り
大きな面積の銅ペーストであり、切欠部７ｃｔにおいて
直接、透明導電パッド３ｃｔと接触すると共に、その周
囲の金属延出部５ｃｔにも接触している。
【００１８】そして、銅ペースト８ａｔ、８ｃｔに、通
常の半田付け作業にてリード線（図示せず）を接続する
ことによって、本考案の光起電力装置が完成する。
常の半田付け作業にてリード線（図示せず）を接続する
ことによって、本考案の光起電力装置が完成する。
【００１９】以上の構造の本考案は、銅ペーストを採用
することにより、リード線を通常の半田付け作業で接続
することができると共に、銅ペーストが透明導電膜と、
その周辺の金属膜に接触することより、銅ペーストと透
明導電膜が接触している領域においてリード線の接続強
度が大きく、かつ、銅ペーストが金属膜と接触している
ことにより電気抵抗を低減できる。
することにより、リード線を通常の半田付け作業で接続
することができると共に、銅ペーストが透明導電膜と、
その周辺の金属膜に接触することより、銅ペーストと透
明導電膜が接触している領域においてリード線の接続強
度が大きく、かつ、銅ペーストが金属膜と接触している
ことにより電気抵抗を低減できる。
【００２０】尚、上記実施例においては、それ程大きな
電流を取り出さないのであれば、導電性ペースト６ａ
ｔ、６ｃｔをなくすこともできる。
電流を取り出さないのであれば、導電性ペースト６ａ
ｔ、６ｃｔをなくすこともできる。
【００２１】次に、図２は、本考案の出力特性の比較表
である。図２において、は、従来例であり、両出力端
子において、透光性絶縁基板側より、透明導電膜、半導
体層、及び金属膜上にのみ、銅ペーストを形成し、リー
ド線を通常の半田付け作業で接続したもの。は、比較
例であり、両出力端子において、透明導電膜にのみ銅ペ
ーストを接触させ、リード線を通常の半田付け作業で接
続したもの。ここで、銅ペーストの外周部は、金属膜と
接触していない。は、本考案であり、両端子部におい
て、銅ペーストが透明導電膜に接触すると共に、その外
周部は、金属膜とも接触している。そして、この銅ペー
ストに、リード線を通常の半田付け作業で接続したも
の。
である。図２において、は、従来例であり、両出力端
子において、透光性絶縁基板側より、透明導電膜、半導
体層、及び金属膜上にのみ、銅ペーストを形成し、リー
ド線を通常の半田付け作業で接続したもの。は、比較
例であり、両出力端子において、透明導電膜にのみ銅ペ
ーストを接触させ、リード線を通常の半田付け作業で接
続したもの。ここで、銅ペーストの外周部は、金属膜と
接触していない。は、本考案であり、両端子部におい
て、銅ペーストが透明導電膜に接触すると共に、その外
周部は、金属膜とも接触している。そして、この銅ペー
ストに、リード線を通常の半田付け作業で接続したも
の。
【００２２】図２より、比較例の特性は透明導電膜の
電気抵抗が大きいために、Ｐｍａｘ、ＦＦの出力特性
が、低下しているが、本考案の特性は、従来例の特
性と、同一であることが分かる。また、リード線の接続
強度に関しては、従来例は、金属膜と半導体膜の密着
力が小さいため、接続強度が小さく、一方、本考案
は、銅ペーストが透明電導膜と接触しているので、接続
強度が大きい。
電気抵抗が大きいために、Ｐｍａｘ、ＦＦの出力特性
が、低下しているが、本考案の特性は、従来例の特
性と、同一であることが分かる。また、リード線の接続
強度に関しては、従来例は、金属膜と半導体膜の密着
力が小さいため、接続強度が小さく、一方、本考案
は、銅ペーストが透明電導膜と接触しているので、接続
強度が大きい。
【００２３】更に、図３は、本考案の他の実施例を示す
光起電力装置の全体図で、前記実施例との違いは、出力
端子の構造についてのみである。
光起電力装置の全体図で、前記実施例との違いは、出力
端子の構造についてのみである。
【００２４】まず、配列方向の左端に位置する出力端子
において、３ａｔ′は発電領域２ａの第１電極層３ａよ
り延出する透明導電延出部、６ａｔ′は透明導電延出部
３ａｔ′上に配置された銀ペースト等からなる導電性ペ
ーストで、概略矩形であり、その左端の１コーナーに正
方形状の切欠部７ａｔ′を有している。４ａｔ′は、上
記半導体光活性層と同一材料からなり、導電性ペースト
６ａｔ′上に形成された半導体膜であり、この切欠部７
ａｔ′より大きな面積の他の切欠部９ａｔを有してい
る。５ａｔ′は、半導体膜４ａｔ′上に形成されたこれ
と同一形状であり、第２電極膜と同一工程、同一材料で
形成された金属膜からなる金属パッドである。ここで、
導電性ペースト６ａｔ′と金属パッド５ａｔ′は、電気
的接続を取るために、レーザービームにより溶着され、
金属パッド５ａｔ′は、導電性ペースト６ａｔ′に加え
て、出力端子における電気抵抗低減のために形成されて
いる。
において、３ａｔ′は発電領域２ａの第１電極層３ａよ
り延出する透明導電延出部、６ａｔ′は透明導電延出部
３ａｔ′上に配置された銀ペースト等からなる導電性ペ
ーストで、概略矩形であり、その左端の１コーナーに正
方形状の切欠部７ａｔ′を有している。４ａｔ′は、上
記半導体光活性層と同一材料からなり、導電性ペースト
６ａｔ′上に形成された半導体膜であり、この切欠部７
ａｔ′より大きな面積の他の切欠部９ａｔを有してい
る。５ａｔ′は、半導体膜４ａｔ′上に形成されたこれ
と同一形状であり、第２電極膜と同一工程、同一材料で
形成された金属膜からなる金属パッドである。ここで、
導電性ペースト６ａｔ′と金属パッド５ａｔ′は、電気
的接続を取るために、レーザービームにより溶着され、
金属パッド５ａｔ′は、導電性ペースト６ａｔ′に加え
て、出力端子における電気抵抗低減のために形成されて
いる。
【００２５】８ａｔ′は、概略正方形で、導電性ペース
ト６ａｔ′の切欠部７ａｔ′よりも一回り大きな面積で
金属パッド５ａｔ′の他の切欠部９ａｔよりは小さな面
積の銅ペーストであり、切欠部７ａｔ′において直接、
透明導電延出部３ａｔ′と接触すると共に、その周囲の
導電性ペースト６ａｔ′にも接触している。
ト６ａｔ′の切欠部７ａｔ′よりも一回り大きな面積で
金属パッド５ａｔ′の他の切欠部９ａｔよりは小さな面
積の銅ペーストであり、切欠部７ａｔ′において直接、
透明導電延出部３ａｔ′と接触すると共に、その周囲の
導電性ペースト６ａｔ′にも接触している。
【００２６】一方、配列方向の右端に位置する出力端子
において、３ｃｔ′は発電領域２ｃの第１電極膜３ｃの
右側に位置する島状の透明導電パッド、６ｃｔ′は透明
導電パッド３ｃｔ′上に配置された銀ペースト等からな
る導電性ペーストで、概略矩形であり、その右端の１コ
ーナーに正方形状の切欠部７ｃｔ′を有している。４ｃ
ｔ′は、半導体光活性層４ｃより延在し、上記半導体光
活性層と同一材料からなる半導体層であり、この切欠部
７ｃｔ′より大きな面積の他の切欠部９ｃｔを有してい
る。５ａｔ′は、他の切欠部９ｃｔと同一形状の切欠部
を有し、上記第２電極層５ｃから延出し、上記導電性ペ
ースト６ｃｔ′と電気的に連なる金属延出部である。こ
こで、導電性ペースト６ｃｔ′と金属延出部５ｃｔ′
は、電気的接続を取るため、レーザービームにより溶着
されている。８ｃｔ′は、概略正方形で、導電性ペース
ト６ｃｔ′の切欠部７ｃｔ′よりも一回り大きな面積で
金属延出部５ｃｔ′の他の切欠部９ｃｔよりは小さな面
積の銅ペーストであり、切欠部７ｃｔ′において直接、
透明導電パッド３ｃｔ′と接触すると共に、その周囲の
導電性ペースト６ｃｔ′にも接触している。
において、３ｃｔ′は発電領域２ｃの第１電極膜３ｃの
右側に位置する島状の透明導電パッド、６ｃｔ′は透明
導電パッド３ｃｔ′上に配置された銀ペースト等からな
る導電性ペーストで、概略矩形であり、その右端の１コ
ーナーに正方形状の切欠部７ｃｔ′を有している。４ｃ
ｔ′は、半導体光活性層４ｃより延在し、上記半導体光
活性層と同一材料からなる半導体層であり、この切欠部
７ｃｔ′より大きな面積の他の切欠部９ｃｔを有してい
る。５ａｔ′は、他の切欠部９ｃｔと同一形状の切欠部
を有し、上記第２電極層５ｃから延出し、上記導電性ペ
ースト６ｃｔ′と電気的に連なる金属延出部である。こ
こで、導電性ペースト６ｃｔ′と金属延出部５ｃｔ′
は、電気的接続を取るため、レーザービームにより溶着
されている。８ｃｔ′は、概略正方形で、導電性ペース
ト６ｃｔ′の切欠部７ｃｔ′よりも一回り大きな面積で
金属延出部５ｃｔ′の他の切欠部９ｃｔよりは小さな面
積の銅ペーストであり、切欠部７ｃｔ′において直接、
透明導電パッド３ｃｔ′と接触すると共に、その周囲の
導電性ペースト６ｃｔ′にも接触している。
【００２７】そして、銅ペースト８ａｔ′、８ｃｔ′
に、通常の半田付け作業にてリード線（図示せず）を接
続することによって、本考案の他の実施例の光起電力装
置が完成する。
に、通常の半田付け作業にてリード線（図示せず）を接
続することによって、本考案の他の実施例の光起電力装
置が完成する。
【００２８】以上の構造の他の実施例は、銅ペーストを
採用することにより、リード線を通常の半田付け作業で
接続することができると共に、銅ペーストが透明導電膜
と、その周辺の導電性ペーストに接触することより、銅
ペーストと透明導電膜が接触している領域においてリー
ド線の接続強度が大きく、かつ、銅ペーストが導電性ペ
ーストと接触していることにより電気抵抗を低減でき
る。
採用することにより、リード線を通常の半田付け作業で
接続することができると共に、銅ペーストが透明導電膜
と、その周辺の導電性ペーストに接触することより、銅
ペーストと透明導電膜が接触している領域においてリー
ド線の接続強度が大きく、かつ、銅ペーストが導電性ペ
ーストと接触していることにより電気抵抗を低減でき
る。
【００２９】
【考案の効果】本考案の光起電力装置の出力端子構造
は、銅ペーストを採用することにより、リード線を通常
の半田付け作業で接続することができると共に、銅ペー
ストが透明導電膜と、その周辺の金属膜または導電性ペ
ーストに接触することより、銅ペーストと透明導電膜が
接触している領域においてリード線の接続強度が大き
く、かつ、銅ペーストが金属膜または導電性ペーストと
接触していることにより電気抵抗を低減でき、特性が低
下することなく出力を取り出せる。
は、銅ペーストを採用することにより、リード線を通常
の半田付け作業で接続することができると共に、銅ペー
ストが透明導電膜と、その周辺の金属膜または導電性ペ
ーストに接触することより、銅ペーストと透明導電膜が
接触している領域においてリード線の接続強度が大き
く、かつ、銅ペーストが金属膜または導電性ペーストと
接触していることにより電気抵抗を低減でき、特性が低
下することなく出力を取り出せる。
【図１】本考案の一実施例による光起電力装置を示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−
Ｂ断面図である。
（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）はＢ−
Ｂ断面図である。
【図２】本考案の、一実施例の光起電力装置の特性比較
表である。
表である。
【図３】本考案の他の実施例による光起電力装置を示
し、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）は
Ｂ−Ｂ断面図である。
し、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図、（ｃ）は
Ｂ−Ｂ断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−250672（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−146559（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/04
Claims (5)
- 【請求項１】 透光性絶縁基板上に、透明導電膜からな
る第１電極層、半導体光活性層及び第２電極層を積層し
た光起電力装置において、上記第１電極層から延出した
透明導電延出部上に、この延出部の一部を露出する切欠
部を有する上記半導体光活性層と同一材料からなる半導
体層と、この半導体層と同一形状であり、上記延出部と
電気的に連なる金属パッドとを積層すると共に、上記切
欠部から露出する延出部上よりその周辺の金属パッド上
に銅ペーストを設けたことを特徴とする光起電力装置。 - 【請求項２】 透光性絶縁基板上に、透明導電膜からな
る第１電極層、半導体光活性層及び第２電極層を積層し
た光起電力装置において、上記第１電極層と同一材料か
らなる島状の透明導電パッド上に、この透明導電パッド
の一部を露出する切欠部を有する上記半導体光活性層と
同一材料からなる半導体層と、上記切欠部と同一形状の
切欠部を有し、上記第２電極層から延出し、上記透明電
極パッドと電気的に連なる金属延出部を積層すると共
に、上記切欠部から露出する透明電極パッド上よりその
周辺の延出部上に銅ペーストを設けたことを特徴とする
光起電力装置。 - 【請求項３】 透光性絶縁基板上に、透明導電膜からな
る第１電極層、半導体光活性層及び第２電極層を積層し
た光起電力装置において、上記第１電極層から延出した
透明導電延出部上に、この延出部の一部を露出する切欠
部を有する導電性ペーストと、この切欠部より大面積の
他の切欠部を有する上記半導体光活性層と同一材料から
なる半導体層と、上記他の切欠部と同一形状の切欠部を
有し、上記導電性ペーストと電気的に連なる金属パッド
を積層すると共に、上記切欠部から露出する延出部上よ
りその周辺の導電性ペースト上に銅ペーストを設けたこ
とを特徴とする光起電力装置。 - 【請求項４】 透光性絶縁基板上に、透明導電膜からな
る第１電極層、半導体光活性層及び第２電極層を積層し
た光起電力装置において、上記第１電極層と同一材料か
らなる島状の透明導電パッド上に、この透明導電パッド
の一部を露出する切欠部を有する導電性ペーストと、こ
の切欠部より大面積の他の切欠部を有する上記半導体光
活性層と同一材料からなる半導体層と、上記他の切欠部
と同一形状の切欠部を有し、上記第２電極層から延出
し、上記導電性ペーストと電気的に連なる金属延出部を
積層すると共に、上記切欠部から露出する透明電極パッ
ド上よりその周辺の導電性ペースト上に銅ペーストを設
けたことを特徴とする光起電力装置。 - 【請求項５】 上記銅ペーストに半田付けされたリード
線を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４の内
のいずれかの光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993010451U JP2578424Y2 (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993010451U JP2578424Y2 (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | 光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0670251U JPH0670251U (ja) | 1994-09-30 |
| JP2578424Y2 true JP2578424Y2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=11750513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1993010451U Expired - Fee Related JP2578424Y2 (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2578424Y2 (ja) |
-
1993
- 1993-03-11 JP JP1993010451U patent/JP2578424Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0670251U (ja) | 1994-09-30 |
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|---|---|---|---|
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