CN102449778B - 太阳能电池及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种太阳能电池，根据实施例的太阳能电池包括：多个后电极图案，所述多个后电极图案在衬底上彼此分开；光吸收层，所述光吸收层包括在形成有所述后电极图案的衬底上使电极彼此连接的接触图案和将电池分隔为单体电池的分隔图案；上电极图案，所述上电极图案通过在所述光吸收层上的所述分隔图案彼此分开；以及绝缘图案，所述绝缘图案在所述后电极图案之间或在所述后电极图案上。所述上电极图案填充在所述接触图案中并且与所述后电极图案电连接。

Description

太阳能电池及其制造方法
技术领域
本公开涉及太阳能电池及其制造方法。
背景技术
近来，随着能量消耗的增长，已研制能够将太阳能转化为电能的太阳能电池。
具体地，已广泛应用CIGS太阳能电池，所述CIGS太阳能电池是具有包括玻璃衬底的衬底结构、金属后电极层、P型CIGS光吸收层、高电阻缓冲层以及N型窗口层的PN异质结装置。
此外，为了制造这种太阳能电池，可以进行机械图案化过程。然而，如果进行机械图案化，精确度可能会降低并且在图案化过程期间会产生缺陷。
发明内容
技术问题
本公开提供一种太阳能电池及其制造方法，其中，电池可以通过精确的图案化有效地彼此连接，光吸收层可以具有宽的表面面积，并且可以提高太阳能电池的效率。
本公开提供一种太阳能电池及其制造方法，其中，可以增强衬底和后电极之间的联结强度和最小化漏电流。
技术方案
根据实施例的太阳能电池包括：在衬底上的多个后电极图案，所述多个后电极图案彼此分开；光吸收层，所述光吸收层包括在形成有所述后电极图案的衬底上使电极彼此连接的接触图案和将电池分隔为单体电池(unitcell)的分隔图案；上电极图案，所述上电极图案通过在所述光吸收层上的所述分隔图案彼此分开；以及绝缘图案，所述绝缘图案在所述后电极图案之间或在所述后电极图案上，其中，所述上电极图案填充在所述接触图案中并且与所述后电极图案电连接。
根据实施例的太阳能电池的制造方法包括：在衬底上形成彼此分开的多个后电极图案并且在所述后电极图案之间或在所述后电极图案上形成绝缘图案；形成光吸收层，所述光吸收层包括在形成有所述后电极图案的衬底上使电极彼此连接的接触图案和将电池分隔为单体电池的分隔图案；以及在所述光吸收层上形成被所述分隔图案彼此分开的上电极图案，其中，所述上电极图案填充在所述接触图案中并且与所述后电极图案电连接。
有益效果
根据第一和第二实施例的太阳能电池及其制造方法，第一绝缘图案形成在后电极图案上，因此可以防止较低的后电极图案被损坏。
此外，在形成分隔图案后，由于后电极图案不会因第一绝缘图案而暴露于外部，因此可以防止后电极图案被氧化，并且可以防止杂质。
此外，由于通过激光分割电池，因此可以减小相邻电池之间的距离，可以简化过程，并且可以扩宽光入射区域的面积。
此外，可以减少由机械压力导致的损坏，从而可以提高太阳能电池的效率。
根据第三实施例的太阳能电池及其制造方法，第二绝缘图案形成在后电极图案之间，从而可以增强后电极图案和第二绝缘图案之间的联结强度。
就是说，由于可以增强后电极图案和第二绝缘图案之间的联结强度，因此可以防止后电极图案从衬底脱落。
当利用激光进行图案化过程以形成后电极图案时，后电极图案的边缘区域可能脱落或剥离。然而，根据本实施例，可以在不使用激光的情况下形成后电极图案，因此可以防止后电极图案因激光图案化而变形。
此外，由于后电极图案不会脱落，因此可以稳定地形成光吸收层，从而可以提高太阳能电池的质量和效率。
此外，由于第二绝缘图案形成在后电极图案之间，因此可以防止在后电极图案之间产生漏电流。
附图说明
图1至图10是示出根据第一实施例的太阳能电池的制造方法的剖视图；
图11至图14是示出根据第二实施例的太阳能电池的制造方法的剖视图；
图15至图23是示出根据第三实施例的太阳能电池的制造方法的剖视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，应该理解，当衬底、膜、电极、凹槽或层被表述为在其它衬底、其它膜、其它电极、其它凹槽或其它层“上”或“下”时，可以“直接地”或“间接地”在所述衬底、膜、电极、凹槽或层之上，或者可以存在一个或多个中间层。参考附图描述所述层这种位置。为了方便和清楚，可以夸大、省略或示意性地描绘附图中每层的厚度和大小。此外，部件的大小不完全反映真实大小。
图1至图10是示出根据第一实施例的太阳能电池的制造方法的剖视图。
如图1所示，后电极201形成在衬底100上。衬底100包括玻璃衬底、诸如氧化铝衬底的陶瓷衬底、不锈钢衬底、钛衬底或聚合物衬底。
玻璃衬底可以包括钠钙玻璃，聚合物衬底可以包括聚酰亚胺。
衬底100可以具有刚性或挠性。
后电极201可以包括诸如金属的导体。
例如，后电极201可以利用钼(Mo)靶通过溅射过程形成。
钼(Mo)具有高导电性、对光吸收层的优异的欧姆接触特性以及在Se气氛下的高温稳定性。
此外，虽然未在图中示出，但是后电极201可以由至少一层构成。
如果后电极201包括多层，则这些层可以由不同材料形成。
此外，如图2所示，多个第一绝缘图案10形成在后电极201上。
为了形成第一绝缘图案10，在后电极201上形成绝缘层并且对绝缘层进行图案化处理。
绝缘层可以通过溅射过程、热沉积过程、喷射过程和旋涂过程中的一种形成。
形成第一绝缘图案10的图案化过程包括诸如湿蚀刻过程和干蚀刻过程的光刻过程。
第一绝缘图案10可以包括不与后电极201和稍后形成的光吸收层反应的绝缘材料或聚合物化合物。
例如，第一绝缘图案10可以包括SiOx(x＝2至4)，SiNx(x＝4)，PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯，polymethylmethacrylate)、聚酰亚胺、聚丙烯中的一种。
第一绝缘图案10位于电池之间，以使电池彼此分隔。
就是说，考虑到稍后将形成的光吸收层和上电极的位置，每个绝缘图案10位于两个相邻的电池之间。
然后，如图3所示，对后电极201进行图案化过程，以形成后电极图案200。
对齐后电极图案200，使得衬底100可以通过第一绝缘图案10露出。
另外，后电极图案200可以对齐为与电池对应的条状或矩阵形状。
然而，后电极图案200的形状不限于上述形状，而是可以具有各种形状。
其后，如图4所示，光吸收层300、第一缓冲层400和第二缓冲层500形成在后电极201上。
光吸收层300可以包括Ib-IIIb-VIb族化合物。
详细地说，光吸收层300可以包括Cu-In-Ga-Se(Cu(In，Ga)Se2，CIGS)化合物。
或者，光吸收层300可以包括Cu-In-Se(CuInSe2，CIS)化合物或Cu-Ga-Se(CuGaSe2，CGS)化合物。
例如，通过利用Cu靶、In靶或Ga靶在后电极201上形成CIG金属前体(precursor)层，以便形成光吸收层300。
在硒(Se)化过程中金属前体层与Se发生反应，以形成CIGS光吸收层300。
另外，在进行金属前体形成过程和硒化过程时，包含在衬底100中的碱组分通过后电极图案200扩散到所述金属前体层和光吸收层300中。
碱组分可以增加光吸收层300的颗粒尺寸和改善晶体特性。
光吸收层300接收入射光并将所述入射光转换为电能。光吸收层300通过光电效应产生光电动势。
可以通过在光吸收层300上沉积CdS来形成第一缓冲层400。
第一缓冲层400是N型半导体层，光吸收层300是P型半导体层。因此，光吸收层300和第一缓冲层400可以形成PN结。
此外，第二缓冲层500可以制备为包括ITO、ZnO和i-ZnO中的一种的透明电极层。
第一缓冲层400和第二缓冲层500放置在光吸收层和稍后形成的上电极之间。
由于光吸收层300和上电极之间的晶格常数和能带隙的巨大差异，因此如果在光吸收层300和上电极之间插置具有适中的带隙的第一缓冲层400和第二缓冲层500，则可以得到良好的结。
根据本实施例，在光吸收层300上形成两个缓冲层。然而，该实施例不限于此。例如，可以在光吸收层300上仅形成一个缓冲层。
接着，如图5所示，穿过光吸收层300、第一缓冲层400和第二缓冲层500形成接触图案310。
接触图案310可以通过激光照射形成，并且后电极图案200通过该接触图案310局部露出。
此时，辐射到第二缓冲层500上的激光束具有与辐射到光吸收层300和第一缓冲层400上的激光束不同的波长。此外，可以通过透镜调节激光束的强度。
由于第二缓冲层500具有高能带隙，因此，对第二缓冲层500使用具有相对高的输出功率的激光束。此外，由于第一缓冲层400和光吸收层300具有低能带隙，因此对第一缓冲层400和光吸收层300使用具有相对低的输出功率的激光束，以形成接触图案310。
接着，如图6所示，透明导电材料沉积在第二缓冲层500上，以形成上电极和连接线700。
当透明导电材料沉积在第二缓冲层500上时，透明导电材料填充到接触图案310中，以形成连接线700。
后电极图案200和上电极600通过连接线700电连接。
为了形成上电极600，利用掺杂有铝的ZnO或掺杂有氧化铝的ZnO对第二缓冲层500进行溅射过程。
上电极600是与光吸收层300形成PN结的窗口层。由于上电极600用作太阳能电池的透明电极，因而上电极600由具有高透光率和良好导电率的ZnO形成。
此外，ZnO掺杂有铝或氧化铝，从而使得上电极600具有低电阻值。
为了形成上电极600，通过使用ZnO靶的RF溅射过程、利用Zn靶的反应溅射法或金属有机化学气相沉积(MOCVD)法沉积ZnO层。
此外，通过将具有良好光电特性的ITO(氧化铟锡)层沉积到ZnO层上，可以形成双层结构。
接着，如图7所示，分隔图案320穿过光吸收层300、第一缓冲层400和第二缓冲层500形成。
可以通过激光照射形成分隔图案320，从而使得第一绝缘图案10的上表面可以通过分隔图案320露出。
用于形成分隔图案320的激光束具有约为532nm至1064nm的波长和约为5W至20W的功率。
第一缓冲层400、第二缓冲层500和上电极600通过分隔图案320彼此分开。此外，电池C1和C2通过第一绝缘图案10和分隔图案320彼此分开。
由于第一绝缘图案10形成在后电极图案200上，因此，当进行激光图案化过程时，可以防止较低的后电极图案200被损坏。
此外，在形成分隔图案320后，由于后电极图案200不会因第一绝缘图案10而暴露于外部，因此可以防止后电极图案200被氧化，并且可以防止杂质。
当形成分隔图案320时，进行过蚀刻以使相邻的电池彼此电隔离，从而可以部分移除第一绝缘图案10。
然而，可以不完全移除第一绝缘图案10并且后电极图案200可以不露出。
根据本实施例，分隔图案320的宽度等于第一绝缘图案10的宽度，但是本实施例不限于此。例如，分隔图案320的宽度可以小于第一绝缘图案10的宽度。
就是说，如图8所示，分隔图案320具有足够使电池C1和C2彼此分隔的宽度，并且第一绝缘图案10的宽度可以大于分隔图案320的宽度。
此外，如图9所示，分隔图案320的宽度可以大于第一绝缘图案10的宽度。
通过分隔图案320，第一缓冲层400、第二缓冲层500和光吸收层300可以对齐为条状或矩阵形状。
然而，分隔图案320可以不限于上述形状，而是可以具有各种形状。
包括后电极图案200、光吸收层300、第一缓冲层400、第二缓冲层500和上电极600的电池C1和C2通过分隔图案320形成。电池C1可以通过连接线700与电池C2连接。就是说，连接线700将第二电池C2的后电极图案200与邻近第二电池C2的第一电池C1的上电极600电连接。
之后，如图10所示，透明树脂800和上衬底900形成在上电极600上。
透明树脂800可以利用EVA(ethylenevinylacetatecopolymer，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物)通过进行热过程(thermalprocess)形成，并且上衬底900可以利用半钢化玻璃形成。透明树脂800填充到分隔图案320中，从而可以在分隔图案320上可以形成第一绝缘图案10和透明树脂800的堆叠结构。
图11至图14是示出根据第二实施例的太阳能电池的制造方法的剖视图。在第二实施例的以下描述中，为了避免冗长，将使用相同的附图标记描述与第一实施例相同的部件和结构，并且省略对其的详细描述。
如图11所示，后电极201形成在衬底100上。
衬底100包括玻璃衬底、诸如氧化铝衬底的陶瓷衬底、不锈钢衬底、钛衬底或聚合物衬底。
后电极201可以包括诸如金属的导体。
尽管在附图中未示出，但是后电极201可以包括至少一层。
此外，如图12所示，对后电极201进行图案化过程，以形成后电极图案200。
后电极图案200可以露出衬底100。
后电极图案200可以对齐为与电池对应的条状或矩阵形状。
接着，参照图13，绝缘层5形成在具有后电极图案200的衬底100上。
绝缘层5可以通过溅射过程、热沉积过程、喷射过程和旋涂过程中的一个形成。
绝缘层5可以包括不与后电极201和稍后形成的光吸收层反应的绝缘材料或聚合物化合物。
例如，绝缘层5可以包括SiOx(x＝2至4)，SiNx(x＝4)，PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、聚酰亚胺、聚丙烯中的一种。
其后，如图14所示，多个第一绝缘图案10形成在后电极图案200上。
第一绝缘图案10可以通过对形成在后电极图案200上的绝缘层5进行诸如湿蚀刻过程和干蚀刻过程的光刻过程来形成。
第一绝缘图案10可以位于电池之间，以使电池彼此分隔。
就是说，考虑到稍后将形成的光吸收层和上电极的位置，每个绝缘图案10位于两个相邻的电池之间。
在第一绝缘图案10上形成光吸收层300和上电极600的过程与图4至图10所示的过程相同，因此为了避免冗长，省略详细描述。
根据第一和第二实施例的太阳能电池及其制造方法，第一绝缘图案形成在后电极图案上，从而当进行激光图案化过程以分隔电池时，可以防止较低的后电极图案被损坏。
此外，在分隔图案形成后，后电极图案因第一绝缘图案而不会暴露于外部，从而可以防止后电极图案被氧化并且可以防止杂质。
此外，由于通过激光分割电池，因此可以减小相邻电池间的距离，可以简化过程，并且可以扩宽光入射区域的面积。
此外，可以减少由机械压力导致的损坏，从而可以提高太阳能电池的效率。
图15至图22是示出根据第三实施例的太阳能电池的制造方法的剖视图。
如图15所示，第二绝缘图案110形成在衬底100上。衬底100包括玻璃衬底、诸如氧化铝衬底的陶瓷衬底、不锈钢衬底、钛衬底或聚合物衬底。
玻璃衬底可以包括钠钙玻璃。
衬底100可以是刚性的或挠性的。
为了形成第二绝缘图案110，在衬底100上形成绝缘层(未示出)，并且对该绝缘层进行图案化处理。衬底100可以通过第二绝缘图案110露出。
绝缘层可以利用光刻胶形成。详细地，对该光刻胶进行光刻处理，以形成第二绝缘图案110。
第二绝缘图案110可以通过各种方法形成。例如，光刻胶或绝缘材料可以通过丝网印刷法、喷墨印刷法或凹版印刷法形成在衬底100上。
此外，可以对衬底100直接进行光刻过程，以局部去除衬底100，由此形成第二绝缘图案110。
第二绝缘图案110利用与衬底100的材料相同的材料形成。详细地，第二绝缘图案110可以包括光刻胶或绝缘材料。
考虑后电极图案的位置，第二绝缘图案110在后电极图案中对齐。
接着，如图16所示，后电极层201形成在具有第二绝缘图案110的衬底100上。
后电极层201可以包括诸如金属的导体。
例如，后电极层201可以利用钼(Mo)靶通过溅射过程形成。
钼(Mo)具有高导电性、对光吸收层的优异的欧姆接触特性以及在Se气氛下的高温稳定性。
此外，尽管在附图中未示出，但是后电极层201可以包括至少一层。
如果后电极层201包括多层，则这些层可以由不同材料形成。
之后，如图17所示，后电极图案200形成在衬底100上第二绝缘图案110之间。
后电极图案200可以通过部分移除后电极层201从而可以露出第二绝缘图案110而形成。
此时，后电极层201可以通过化学机械抛光(CMP，chemicalmechanicalpolishing)过程、湿蚀刻过程、干蚀刻过程和喷砂过程中的一种而被部分去除。
第二绝缘图案110的高度与后电极图案200的高度相等。
就是说，第二绝缘图案110的上表面与后电极图案200的上表面在同一平面上。
然而，第二绝缘图案110的高度和后电极图案200的高度不限于以上情况。例如，后电极图案200的高度可以低于第二绝缘图案110的高度。
详细地，当后电极层201被部分移除以露出第二绝缘图案110时，后电极层201被过蚀刻，从而使得后电极图案200的高度低于第二绝缘图案110的高度。
由于第二绝缘图案110在后电极图案200中对齐，因此可以增强后电极图案200和第二绝缘图案110之间的联结强度。
就是说，由于可以增强后电极图案200和第二绝缘图案110之间的联结强度，可以防止后电极图案200从衬底100脱落。
此外，第二绝缘层110的宽度可以小于后电极图案200的宽度。
此外，后电极图案200可以对齐为与电池相对应的条状或矩阵形状。
然而，后电极图案200不限于上述形状，而是可以具有各种形状。
此外，在形成第二绝缘图案110之后，后电极图案200形成在第二绝缘图案110之间，从而可以不必对后电极图案200进行额外的图案化过程。
当利用激光进行图案化过程以形成后电极图案200时，后电极图案的边缘区域可能脱落或剥离。然而，根据本实施例，可以在不使用激光的情况下形成后电极图案，因此可以防止后电极图案200因激光图案化而变形。
由于后电极图案200不脱落，因此可以在随后的过程中稳定形成光吸收层，从而可以提高太阳能电池的质量和效率。
此外，尽管在附图中未示出，但是可以在形成后电极图案200之后去除第二绝缘图案110。
在衬底100上形成后电极图案200的方法可以不限于以上方法。
例如，如图18所示，衬底100被部分去除以形成从衬底100延伸出的第二绝缘图案110，并且后电极图案200形成在第二绝缘图案110之间。
此时，第二绝缘图案110和衬底100用相同的材料形成。
之后，如图19所示，光吸收层300、第一缓冲层400和第二缓冲层500形成在具有后电极图案200和第二绝缘图案110的衬底100上。
光吸收层300包括Ib-IIIb-VIb族化合物。
详细地，光吸收层300可以包括Cu-In-Ga-Se(Cu(In，Ga)Se2，CIGS)化合物。
或者，光吸收层300可以包括Cu-In-Se(CuInSe2，CIS)化合物或Cu-Ga-Se(CuGaSe2，CGS)化合物。
例如，通过利用Cu靶、In靶或Ga靶在后电极201上形成CIG金属前体层，以便形成光吸收层300。
在硒(Se)化过程中金属前体层与Se发生反应，以形成CIGS光吸收层300。
另外，在进行金属前体层形成过程和硒化过程时，包含在衬底100中的碱组分通过后电极图案200扩散到所述金属前体层和光吸收层300中。
碱组分可以增加光吸收层300的颗粒尺寸和改善晶体特性。
光吸收层300接收入射光并将所述入射光转换为电能。光吸收层300通过光电效应产生光电动势。
此时，由于第二绝缘图案110形成在后电极图案200之间，因此可以防止在后电极图案200中产生漏电流。
可以通过在光吸收层300上沉积CdS来形成第一缓冲层400。
第一缓冲层400是N型半导体层，光吸收层300是P型半导体层。因此，光吸收层300和第一缓冲层400可以形成PN结。
此外，第二缓冲层500可以利用ZnO靶通过溅射过程形成。
第一缓冲层400和第二缓冲层500放置在光吸收层300和稍后形成的上电极之间。
由于光吸收层300和上电极之间的晶格常数和能带隙的巨大差异，因此如果在光吸收层和上电极之间插置具有适中的带隙的第一缓冲层400和第二缓冲层500，则可以得到良好的结。
接着，如图20所示，穿过光吸收层300、第一缓冲层400和第二缓冲层500形成接触图案310。
接触图案310可以通过机械图案化或激光照射形成。
后电极图案200通过该接触图案310局部露出。
之后，如图21所示，通过将透明导电材料沉积在第二缓冲层500上而形成上电极和连接线700。
当透明导电材料沉积在第二缓冲层500上时，透明导电材料填充到接触图案310中，以形成连接线700。
后电极图案200通过连接线700与上电极600电连接。
为了形成上电极600，利用掺杂有铝的ZnO或掺杂有氧化铝的ZnO对第二缓冲层500进行溅射过程。
上电极600是与光吸收层300形成PN结的窗口层。由于上电极600用作太阳能电池的透明电极，因而上电极600由具有高透光率和良好导电率的ZnO形成。
此外，ZnO掺杂有铝或氧化铝，从而使得上电极600具有低电阻值。
为了形成上电极600，通过使用ZnO靶的RF溅射过程、利用Zn靶的反应溅射法或金属有机化学气相沉积(MOCVD)法沉积ZnO层。
此外，通过将具有良好光电特性的ITO(氧化铟锡)层沉积到ZnO层上，可以形成双层结构。
接着，如图22所示，分隔图案320穿过光吸收层300、第一缓冲层400和第二缓冲层500形成。
就是说，分隔图案320可以穿过上电极600、光吸收层300、第一缓冲层400和第二缓冲层500形成。
此外，可以通过机械图案化或激光照射形成分隔图案320。
后电极图案200通过分隔图案320局部露出。
第一缓冲层400、第二缓冲层500和上电极600通过分隔图案320彼此分开。此外，电池C1和C2通过分隔图案320彼此分开。
第一缓冲层400、第二缓冲层500和光吸收层300通过分隔图案320对齐为条状或矩阵形状。
分隔图案320可以不限于上述形状，而是可以具有各种形状。
包括后电极图案200、光吸收层300、第一缓冲层400、第二缓冲层500和上电极600的电池C1和C2通过分隔图案320形成。电池C1可以通过连接线700与电池C2连接。就是说，连接线700将第二电池C2的后电极图案200与邻近第二电池C2的第一电池C1的上电极600电连接。
之后，如图23所示，透明树脂800和上衬底900形成在上电极600上。
透明树脂800可以利用EVA(乙烯-乙酸乙烯酯共聚物)通过进行热过程形成，并且上衬底900可以利用半钢化玻璃形成。
如上所述，根据第三实施例的太阳能电池及其制造方法，第二绝缘图案形成在后电极图案之间，从而可以增强后电极图案和第二绝缘图案之间的联结强度。
就是说，由于可以增强后电极图案和第二绝缘图案之间的联结强度，因此可以防止后电极图案从衬底脱落。
当利用激光进行图案化过程以形成后电极图案时，后电极图案的边缘区域可能脱落或剥离。然而，根据本实施例，可以在不使用激光的情况下形成后电极图案，因此可以防止后电极图案因激光图案化而变形。
此外，由于后电极图案200不脱落，因此可以稳定地形成光吸收层，从而可以提高太阳能电池的质量和效率。
此外，由于第二绝缘图案形成在后电极图案之间，因此可以防止在后电极图案之间产生漏电流。

Claims (10)

1.一种太阳能电池，包括：
在衬底上的多个后电极图案，所述多个后电极图案彼此分开；
光吸收层，所述光吸收层包括在形成有所述后电极图案的衬底上使电极彼此连接的接触图案和将电池分隔为单体电池的分隔图案；
上电极图案，所述上电极图案通过在所述光吸收层上的所述分隔图案彼此分开；以及
绝缘图案，所述绝缘图案形成在所述后电极图案之间，其中每个所述绝缘图案的上表面低于所述光吸收层的上表面，并且
其中，所述上电极图案填充在所述接触图案中并且与所述后电极图案电连接，
其中，所述衬底被部分去除以形成从所述衬底伸出的所述绝缘图案，并且所述后电极图案填充在所述绝缘图案之间。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述绝缘图案在所述衬底上的所述后电极图案之间对齐。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述后电极图案的高度等于或低于所述绝缘图案的高度；
其中所述后电极图案的宽度大于所述绝缘图案的宽度。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述绝缘图案和所述衬底由相同的材料形成；
其中所述绝缘图案不与所述分隔图案重叠。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述绝缘图案包括绝缘材料，
还包括形成在所述分隔图案上的透明树脂。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述分隔图案的宽度小于所述绝缘图案的宽度。
7.一种太阳能电池的制造方法，该方法包括：
在衬底上形成绝缘图案并在所述绝缘图案之间形成后电极图案，其中所述衬底被部分去除以形成从所述衬底伸出的所述绝缘图案并且所述后电极图案填充在所述绝缘图案之间，所述后电极图案在所述衬底上彼此分开，并且每个所述绝缘图案具有实的上表面；
形成光吸收层，所述光吸收层包括在形成有所述后电极图案的衬底上使电极彼此连接的接触图案和将电池分隔为单体电池的分隔图案，使得该光吸收层的上表面高于该绝缘图案的实的上表面；以及
在所述光吸收层上形成被所述分隔图案彼此分开的上电极图案，
其中所述上电极图案填充在所述接触图案中并且与所述后电极图案电连接，
其中，所述绝缘图案在所述衬底上的所述后电极图案之间对齐，并且
其中，所述后电极图案的高度等于或低于所述绝缘图案的高度。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述衬底上形成所述后电极图案和所述绝缘图案的步骤包括：
在所述衬底上形成所述绝缘图案；
在具有所述绝缘图案的所述衬底上形成后电极层；以及
通过部分去除所述后电极层从而露出所述绝缘图案，在所述后电极图案中对齐所述绝缘图案，
进一步包括在形成所述后电极图案之后去除所述绝缘图案，
其中所述分隔图案的宽度小于所述绝缘图案的宽度。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述衬底上形成所述绝缘图案的步骤包括：
在所述衬底上形成光刻胶；以及
通过光刻过程来形成所述绝缘图案，
其中所述后电极图案的厚度与所述绝缘图案的厚度相同。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述衬底上形成所述绝缘图案的步骤包括：
制备所述衬底；以及
通过光刻过程图案化所述衬底来形成所述绝缘图案。
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