KR101428146B1 - 태양전지 모듈 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
실시예는 태양전지 모듈 및 이의 제조방법을 제공한다. 실시예에 따른 태양전지 모듈은 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 제 1 p형 반도체층, 제 1 버퍼층 및 제 1 n형 반도체층을 포함하는 제 1 태양전지 셀들; 상기 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 제 2 n형 반도체층, 제 2 버퍼층 및 제 2 p형 반도체층을 포함하는 제 2 태양전지 셀들; 및 상기 제 1 태양전지 셀의 제 1 n형 반도체층과 상기 제 2 태양전지 셀의 제 2 p형 반도체층을 연결하는 연결전극을 포함한다.
Description
실시예는 태양전지 모듈 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
태양전지는 p-n 접합 다이오드에 빛을 쪼이면 전자가 생성 되는 광기전력 효과(photovoltaic effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 소자로 정의할 수 있다. 태양전지는 접합 다이오드로 사용되는 물질에 따라, 실리콘 태양전지, I-III-VI족 또는 III-V족 화합물로 대표되는 화합물 반도체 태양전지, 염료감응 태양전지, 유기물 태양전지로 나눌 수 있다.
I-III-VI족 Chalcopyrite계 화합물 반도체 중 하나인 CIGS(CuInGaSe) 태양전지는 광 흡수가 뛰어나고, 얇은 두께로도 높은 광전 변환효율을 얻을 수 있으며, 전기 광학적 안정성이 매우 우수하여 기존 실리콘 태양전지를 대체할 수 있는 태양전지로 부각되고 있다.
도 1을 참조하면, 일반적인 CIGS 박막 태양전지는 나트륨을 포함하는 기판(10), 후면 전극층(20), 광 흡수층(30), 버퍼층(40), 고저항 버퍼층(50) 및 전면 전극층(60)을 순차적으로 형성시켜 제조된다.
CIGS 박막 태양전지는 Bulk 태양전지와는 다르게 패터닝 공정(P1 내지 P3)에 의해 직렬 또는 병렬로 연결된 다수개의 태양전지 단위 셀들로 구성된다. 또한, 패터닝 공정에서 P1 내지 P3 사이에 갭(G1, G2)이 형성함으로써 태양전지 모듈의 광출력에 기여하지 못하는 불활성 영역(Non-active area; NAA)이 발생한다. 이와 같은 불활성 영역(NAA)은 전체 태양광 출력의 약 5% 내지 약 10%의 손실을 가져오는 문제점이 있다.
실시예는 불활성 영역(NAA)을 최소화 할 수 있는 연결 구조를 가지는 태양전지 모듈 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 태양전지 모듈은 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 제 1 p형 반도체층, 제 1 버퍼층 및 제 1 n형 반도체층을 포함하는 제 1 태양전지 셀들; 상기 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 제 2 n형 반도체층, 제 2 버퍼층 및 제 2 p형 반도체층을 포함하는 제 2 태양전지 셀들; 및 상기 제 1 태양전지 셀의 제 1 n형 반도체층과 상기 제 2 태양전지 셀의 제 2 p형 반도체층을 연결하는 연결전극을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조방법은 제 1 지지기판 상에 소정 간격으로 이격되어 있는 제 1 태양전지 셀들을 형성하는 단계; 제 2 지지기판 상에 소정 간격으로 이격되어 있는 제 2 태양전지 셀들을 형성하는 단계; 상기 제 1 태양전지 셀들의 일 측면 및 상기 제 2 태양전지 셀들의 타 측면에 각각 연결 전극 형성 물질을 도포하는 단계; 소정 간격으로 이격된 제 1 태양전지 셀들 사이에 상기 제 2 태양전지 셀들을 삽입하는 단계; 및 상기 연결 전극 형성 물질을 소성하여 연결 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 태양전지 모듈은 태양전지 셀들이 상하에 반복 배치된 구조를 가진다. 이와 같은 구조는 비활성 영역(NAA)을 최소화함으로써, 태양광 출력의 손실을 종래 5% 내지 10%에서 0.5% 내지 2.0% 정도로 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 태양전지 모듈의 광출력은 증가될 수 있다.
또한, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 전자의 이동 경로(path)가 최소화 되는 구조를 가지는 바, 직렬 저항이 감소하고, 단락 전류가 증가되어 광출력이 증가한다.
도 1은 종래 태양전지 모듈의 단면을 도시한 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 실시예에 따른 태양전지 모듈의 전자 이동을 설명하는 단면도이다.
도 4 내지 도 8은 실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조방법을 도시한 단면도들이다.
도 2는 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 실시예에 따른 태양전지 모듈의 전자 이동을 설명하는 단면도이다.
도 4 내지 도 8은 실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조방법을 도시한 단면도들이다.
실시예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 2는 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시한 단면도이다. 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 제 1 태양전지 셀들(C1, C3, C5) 및 제 2 태양전지 셀들(C2, C4), 및 상기 제 1 태양전지 셀들(C1, C3, C5)과 상기 제 2 태양전지 셀들(C2, C4)을 연결하는 연결전극(500)을 포함한다.
상기 제 1 태양전지 셀들(C1, C3, C5)은 소정 간격으로 이격 되어 있다. 또한, 상기 제 2 태양전지 셀들(C2, C4)은 상기 소정 간격으로 이격된 상기 제 1 태양전지 셀들(C1, C3, C5) 사이에 배치된다. 상기 제 1 태양전지 셀들(C1, C3, C5) 간의 간격은 그 사이에 상기 제 2 태양전지 셀들(C2, C4)이 삽입될 수 있을 정도라면 수치적으로 제한되지 않는다.
상기 제 1 태양전지 셀들(C1, C3, C5)과 상기 제 2 태양전지 셀들(C2, C4)은 역상 구조를 가진다. 더 자세하게, 상기 제 1 태양전지 셀들(C1, C3, C5)은 지지기판(100) 상에 순차적으로 배치되는 제 1 p형 반도체층(210), 제 1 버퍼층(310) 및 제 1 n형 반도체층(410)을 포함한다. 또한, 상기 제 2 태양전지 셀들(C2, C4)은 제2 지지기판(110) 상에 순차적으로 배치되는 제 2 p형 반도체층(220), 제 2 버퍼층(320) 및 제 2 n형 반도체층(420)을 포함한다.
상기 제 1 태양전지 셀들(C1, C3, C5)과 상기 제 2 태양전지 셀들(C2, C4)은 역상 구조를 가진다. 더 자세하게, 상기 제 1 태양전지 셀들(C1, C3, C5)은 지지기판(100) 상에 순차적으로 배치되는 제 1 p형 반도체층(210), 제 1 버퍼층(310) 및 제 1 n형 반도체층(410)을 포함한다. 또한, 상기 제 2 태양전지 셀들(C2, C4)은 제2 지지기판(110) 상에 순차적으로 배치되는 제 2 p형 반도체층(220), 제 2 버퍼층(320) 및 제 2 n형 반도체층(420)을 포함한다.
또한, 상기 제 1 태양전지 셀들(C1, C3, C5)과 상기 제 2 태양전지 셀들(C2, C4)은 연결전극(500)에 의하여 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 상기 연결전극(500)은 C1 셀의 제 1 n형반도체층(410)의 일 측면과 인접한 C2 셀의 제 2 p형반도체층(220)의 타 측면과 직접 접촉된다. 이에 따라, C1 셀의 제 1 n형반도체층(410)은 인접한 C2 셀의 제 2 p형반도체층(220)과 연결전극(500)에 의해 전기적으로 연결된다. 또한, C2 셀의 제 2 n형반도체층(420)은 인접한 C3 셀의 제 1 p형반도체층(210)과 연결전극(500)에 의해 전기적으로 연결된다.
도 2를 참조하면, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 연결 전극(500)이 형성된 영역에만 비활성 영역(Non-active area; NAA)이 형성된다. 즉, 종래 태양전지 모듈의 제조를 위한 패터닝 공정에서 형성되는 갭(도 1의 참조부호 G1, G2)을 최소화함으로써 태양광 출력의 손실을 종래 약 5% 내지 약 10% 에서 약 0.5% 내지 약 2.0% 정도로 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 태양전지 모듈의 광출력은 증가될 수 있다. 또한, 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 종래 태양전지 모듈과 달리 전자의 이동 경로(path)가 최소화 될 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 직렬 저항이 감소하고, 단락 전류가 증가되어 광출력이 증가할 수 있다.
상기 지지기판(100, 110)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 제 1 태양전지 셀들 (C1, C3, C5) 및 상기 제 2 태양전지 셀들(C2, C4)을 지지한다. 상기 지지기판(100, 110)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100, 110)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100, 110)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 지지기판(100, 110)은 투명할 수 있다. 상기 지지기판(100, 110)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.
상기 제 1 p형 반도체층(210) 및 상기 제 2 p형 반도체층(220)은 태양전지 모듈로 입사되는 태양광으로부터 전자 및 정공을 생성하는 광 흡수층이다. 상기 제 1 p형 반도체층(210) 및 상기 제 2 p형 반도체층(220)은 각각 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 제 1 n형 반도체층(410) 및 상기 제 2 n형 반도체층(420)은 각각 징크 옥사이드(zinc oxide), 인듐 틴 옥사이드(induim tin oxide;ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(induim zinc oxide;IZO) 등을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 n형 반도체층(410) 및 상기 제 2 n형 반도체층(420)은 각각 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped zinc oxide; AZO)로 제조될 수 있다.
상기 제 1 n형 반도체층(410) 및 상기 제 2 n형 반도체층(420)은 n 형 반도체의 특성을 가진다. 즉, 상기 제 1 n형 반도체층(410) 및 상기 제 2 n형 반도체층(420)은 n 형 반도체층을 형성하고, 각각 상기 제 1 p형 반도체층(210) 및 상기 제 2 p형 반도체층(220)과 pn 접합을 형성할 수 있다.
상기 제 1 버퍼층(310)은 상기 제 1 p형 반도체층(210) 및 상기 제 1 n형 반도체층(410) 사이에 배치된다. 또한, 상기 제 2 버퍼층(320)은 상기 제 2 p형 반도체층(220) 및 상기 제 2 n형 반도체층(420) 사이에 배치된다. p형 반도체들(210, 220)과 n형 반도체들(410, 420)은 격자상수와 밴드갭 에너지의 차이가 크기 때문에 양호한 접합을 형성하기 위해서는 밴드갭이 두 물질의 중간에 위치하는 버퍼층이 필요하다.
상기 제 1 버퍼층(310) 및 상기 제 2 버퍼층(320) 각각은 황화 카드뮴(CdS), ZnS, InXSY 및 InXSeYZn(O,OH) 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 제 1 버퍼층(310) 및 상기 제 2 버퍼층(320) 상에는 고저항 버퍼층(미도시)이 추가로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 고저항 버퍼층은 은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함할 수 있다.
상기 연결전극(500)은 도전층이다. 상기 연결전극(500)은 몰리브덴(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 4 내지 도 8은 실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조방법을 도시한 단면도들이다. 본 제조방법에 대한 설명은 상기 언급한 태양전지 모듈에 대한 설명과 본질적으로 결합될 수 있다.
도 4를 참조하면, 제 1 지지기판(100) 상에 제 1 태양전지 셀들(C1, C3, C5)을 형성한다. 먼저, 상기 제 1 지지기판(100) 상에 제 1 p형 반도체층(210)을 형성한다. 상기 제 1 p형 반도체층(210)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 p형 반도체층(210)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 상기 제 1 p형 반도체층(210)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.
금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다. 이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 제 1 p형 반도체층(210)이 형성된다.
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.
이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 제 1 p형 반도체층(210)이 형성될 수 있다.
이어서, 상기 제 1 p형 반도체층(210) 상에 제 1 버퍼층(310)을 증착한다. 상기 제 1 버퍼층(310)은 원자층 증착법(atomic layer deposition: ALD), 유기금속화학증착법(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD) 또는 화학 용액 증착법(chemical bath deposition; CBD) 등에 의하여 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 버퍼층(310)은 화학 용액 증착법(CBD)에 의하여 형성될 수 있다.
마지막으로, 상기 제 1 버퍼층(310) 상에 제 1 n형 반도체층(410)을 형성한다. 상기 제 1 n형 반도체층(410)은 상기 제 1 버퍼층(310) 상에 투명한 도전물질이 적층됨으로써 제조될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 n형 반도체층(410)은 스퍼터링 또는 화학기상증착법(chemical vapor deposition)에 의하여 제조될 수 있다. 더 자세하게, 상기 스퍼터링에 의하여 제 1 n형 반도체층(410)을 형성하기 위하여, RF 스퍼터링방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 증착하는 방법과 Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링 등이 사용될 수 있다.
이후, 상기 제 1 p형 반도체층(210), 상기 제 1 버퍼층(310) 및 상기 제 1 n형 반도체층(410)을 패터닝하여 다수개의 제 1 태양전지 셀들(C1, C3, C5)을 이격시킨다. 상기 패터닝은 기계적 공정 또는 레이저 공정에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 패터닝은 스크라이빙 팁 등을 이용하여 기계적으로 층들(210, 310, 410)을 긁어 내거나, 층들(210, 310, 410)에 레이저를 조사함으로써 수행될 수 있다.
도 5를 참조하면, 제 2 지지기판(110) 상에 제 2 태양전지 셀들(C2, C4)을 형성한다. 더 자세하게, 상기 제 2 태양전지 셀들(C2, C4)은 상기 제 2 지지기판(110) 상에 제 2 p형 반도체층(220), 제 2 버퍼층(320), 제 2 n형 반도체층(420)을 순차적으로 적층함으로써 제조될 수 있다. 상기 제 2 태양전지 셀들(C2, C4)의 제조에 관한 내용은 상기 언급한 제 1 태양전지 셀들(C1, C3, C5)의 제조에 개시된 내용을 모두 포함할 수 있으며, 편의상 중복 기재를 생략한다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 제 1 p형 반도체층(210) 및 상기 제 2 p형 반도체층(220)의 일 측면에 각각 연결전극 형성 물질을 도포한다. 도 8을 참조하면, 상기 제 1 태양전지 셀들(C1, C3, C5) 사이에 상기 제 2 태양전지 셀들(C2, C4)을 삽입한다. 이 때, 상기 제 2 태양전지 셀들(C2, C4)이 형성된 제 2 지지기판(110)은 상기 제 1 태양전지 셀들(C1, C3, C5)과 상기 제 2 태양전지 셀들(C2, C4)이 대응할 수 있도록 뒤집어 진다. 이에 따라, 상기 제 1 태양전지 셀들(C1, C3, C5)을 구성하는 층들과 상기 제 2 태양전지 셀들(C1, C3, C5)을 구성하는 층들의 순서는 역순으로 배치된다.
이후, 상기 연결전극 형성 물질(500)을 열처리 함으로써 태양전지 모듈의 제조 공정은 종료될 수 있다. 상기 열처리 과정은 태양전지의 전극을 제조하기 위한 통상의 소성 공정이 적용될 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (12)
- 제1 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 제 1 p형 반도체층, 제 1 버퍼층 및 제 1 n형 반도체층을 포함하는 제 1 태양전지 셀들;
제2 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 제 2 p형 반도체층, 제 2 버퍼층 및 제 2 n형 반도체층 을 포함하는 제 2 태양전지 셀들; 및
상기 제 1 태양전지 셀의 제 1 n형 반도체층과 상기 제 2 태양전지 셀의 제 2 p형 반도체층을 연결하는 연결전극을 포함하며,
상기 제 1 태양전지 셀들은 소정 간격으로 이격되어 있고,
상기 제 2 태양전지 셀들은 상기 소정 간격으로 이격된 상기 제 1 태양전지 셀들 사이에 배치되는 태양전지 모듈.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 연결전극은 상기 제 1 n형 반도체층의 일 측면 및 상기 제 2 p형 반도체층의 타 측면에 직접 접촉되는 태양전지 모듈.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 p형 반도체층 및 상기 제 2 p형 반도체층은 각각 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 화합물을 포함하는 태양전지 모듈.
- 제 4 항에 있어서,
상기 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 화합물은 구리-인듐-셀레나이드계 화합물 또는 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계 화합물을 포함하는 태양전지 모듈.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 버퍼층 및 상기 제 2 버퍼층 각각은 황화카드뮴(CdS)을 포함하는 태양전지 모듈.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 n형 반도체층 및 상기 제 2 n형 반도체층 각각은 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(Al doped zinc oxide;AZO), 징크 옥사이드(zinc oxide), 인듐 틴 옥사이드(induim tin oxide;ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(induim zinc oxide;IZO) 을 포함하는 태양전지 모듈.
- 제 1 지지기판 상에 소정 간격으로 이격되어 있는 제 1 태양전지 셀들을 형성하는 단계;
제 2 지지기판 상에 소정 간격으로 이격되어 있는 제 2 태양전지 셀들을 형성하는 단계;
상기 제 1 태양전지 셀들의 일 측면 및 상기 제 2 태양전지 셀들의 타 측면에 각각 연결 전극 형성 물질을 도포하는 단계;
소정 간격으로 이격된 제 1 태양전지 셀들 사이에 상기 제 2 태양전지 셀들을 삽입하는 단계; 및
상기 연결 전극 형성 물질을 소성하여 연결 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 모듈의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 태양전지 셀들을 형성하는 단계는 상기 제 1 지지기판 상에 순차적으로 제 1 p형 반도체층, 제 1 버퍼층 및 제 1 n형 반도체층을 형성하는 것을 포함하는 태양전지 모듈의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,
상기 연결 전극 형성 물질은 상기 제 1 p형 반도체층의 일 측면에 도포되는 태양전지 모듈의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,
상기 제 2 태양전지 셀들을 형성하는 단계는 상기 제 2 지지기판 상에 순차적으로 제 2 p형 반도체층, 제 2 버퍼층 및 제 2 n형 반도체층을 형성하는 것을 포함하는 태양전지 모듈의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서,
상기 연결 전극 형성 물질은 상기 제 2 p형 반도체층의 일 측면에 도포되는 태양전지 모듈의 제조방법.
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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