KR101393743B1 - 태양전지 및 이의 제조 방법 - Google Patents

태양전지 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101393743B1
KR101393743B1 KR1020120070356A KR20120070356A KR101393743B1 KR 101393743 B1 KR101393743 B1 KR 101393743B1 KR 1020120070356 A KR1020120070356 A KR 1020120070356A KR 20120070356 A KR20120070356 A KR 20120070356A KR 101393743 B1 KR101393743 B1 KR 101393743B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
electrode layer
light absorbing
rear electrode
buffer layer
Prior art date
Application number
KR1020120070356A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140003800A (ko
Inventor
권진호
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020120070356A priority Critical patent/KR101393743B1/ko
Priority to CN201380031990.9A priority patent/CN104380484A/zh
Priority to US14/401,153 priority patent/US20150136218A1/en
Priority to PCT/KR2013/005668 priority patent/WO2014003442A1/en
Publication of KR20140003800A publication Critical patent/KR20140003800A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101393743B1 publication Critical patent/KR101393743B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/035281—Shape of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

실시예에 따른 태양전지는, 기판; 상기 기판 상에 배치되는 후면 전극층; 상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 버퍼층을 포함하고, 상기 후면 전극층, 상기 광 흡수층 및 상기 버퍼층에는, 상기 후면 전극층, 상기 광 흡수층 및 상기 버퍼층을 관통하는 제 1 관통홈이 형성되며, 상기 제 1 관통홈에는 절연 부재가 증착된다.
실시예에 따른 태양전지 제조 방법은, 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계; 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 후면 전극층, 상기 광 흡수층 및 상기 버퍼층을 관통하는 제 1 관통홈을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 관통홈 내에 절연 부재를 증착하는 단계를 포함한다.

Description

태양전지 및 이의 제조 방법{SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
실시예는 태양전지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
태양광 발전을 위한 태양전지의 제조방법은 다음과 같다. 먼저, 기판이 제공되고, 상기 기판 상에 후면전극층이 형성되고, 레이저에 의해서 패터닝되어, 다수 개의 이면전극들이 형성된다.
이후, 상기 이면전극들 상에 광 흡수층, 버퍼층 및 고저항 버퍼층이 차례로 형성된다. 상기 광 흡수층을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다. 상기 광 흡수층의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1 내지 1.8 eV 이다.
이후, 상기 광 흡수층 상에 황화 카드뮴(CdS)을 포함하는 버퍼층이 스퍼터링 공정에 의해서 형성된다. 상기 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 2.2 내지 2.4 eV 이다. 이후, 상기 버퍼층 상에 징크 옥사이드(ZnO)를 포함하는 고저항 버퍼층이 스퍼터링 공정에 의해서 형성된다. 상기 고저항 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 3.1 내지 3.3 eV 이다.
이후, 상기 광 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 고저항 버퍼층에 홈 패턴이 형성될 수 있다.
이후, 상기 고저항 버퍼층 상에 투명한 도전물질이 적층되고, 상기 홈패턴이 상기 투명한 도전물질이 채워진다. 이에 따라서, 상기 고저항 버퍼층 상에 투명전극층이 형성되고, 상기 홈 패턴 내측에 접속배선들이 각각 형성된다. 상기 투명전극층 및 상기 접속배선으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드 등을 들 수 있다. 상기 투명전극층의 에너지 밴드갭은 약 3.1 내지 3.3 eV 이다.
이후, 상기 투명전극층 등에 홈 패턴이 형성되어, 다수 개의 태양전지들이 형성될 수 있다. 상기 투명전극들 및 상기 고저항 버퍼들은 각각의 셀에 대응한다. 상기 투명전극들 및 상기 고저항 버퍼들은 스트라이프 형태 또는 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.
상기 투명전극들 및 상기 이면전극들은 서로 미스 얼라인되며, 상기 투명전극들 및 상기 이면전극들은 상기 접속배선들에 의해서 각각 전기적으로 연결된다. 이에 따라서, 다수 개의 태양전지들이 서로 전기적으로 직렬로 연결될 수 있다.
이와 같이, 태양광을 전기에너지로 변환시키기 위해서, 다양한 형태의 태양광 발전장치가 제조되고, 사용될 수 있다. 이와 같은 태양광 발전장치는 특허 공개 공보 10-2008-0088744 등에 개시된다.
한편, 종래에는, 상기 후면 전극층에 패터닝을 하여 상기 후면 전극층을 다수 개의 후면 전극들로 구분한 후에, 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층, 버퍼층 및 전면 전극층 등을 증착하여 태양전지를 제조하였다.
그러나, 상기 광 흡수층 증착 공정은 500℃ 이상의 고온에서 진행되기 때문에, 상기 광 흡수층 증착 공정에 의해, 상기 지지 기판의 휨 현상이 발생하게 된다. 따라서, 상기 지지 기판의 휨 현상은 상기 지지 기판 상에 배치되는 상기 후면 전극층에도 함께 영향을 주며, 상기 후면 전극층에 형성되는 패터닝도 함께 휨 현상이 발생할 수 있다. 이러한, 휨 현상은 태양전지에서 발전이 되지 않는 데드존(dead zone) 영역을 증가시키고, 따라서 전체적인 태양전지의 효율을 감소시키는 원인이 된다.
따라서, 상기 지지 기판의 휨 현상을 방지할 수 있는 태양전지 및 이의 제조 방법의 필요성이 대두된다.
실시예는 향상된 광-전 변환 효율을 가지는 태양전지 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 태양전지는, 기판; 상기 기판 상에 배치되는 후면 전극층; 상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 버퍼층을 포함하고, 상기 후면 전극층, 상기 광 흡수층 및 상기 버퍼층에는, 상기 후면 전극층, 상기 광 흡수층 및 상기 버퍼층을 관통하는 제 1 관통홈이 형성되며, 상기 제 1 관통홈에는 절연 부재가 증착된다.
실시예에 따른 태양전지 제조 방법은, 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계; 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 후면 전극층, 상기 광 흡수층 및 상기 버퍼층을 관통하는 제 1 관통홈을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 관통홈 내에 절연 부재를 증착하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 태양전지 및 태양전지 제조 방법은 후면 전극층, 광 흡수층 및 버퍼층을 관통하는 제 1 관통홈들 내에 절연 부재를 증착하여 제조되고, 상기 제 1 관통홈들 및 상기 절연 부재에 의해 상기 후면 전극층은 다수개의 후면 전극들로 정의된다.
즉, 실시예에 따른 태양전지 및 태양전지 제조 방법은 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층 및 버퍼층을 증착한 후, 상기 후면 전극층, 상기 광 흡수층 및 상기 버퍼층을 관통하는 관통홈을 형성하여, 상기 관통홈 내에 상기 후면 전극층을 다수 개의 후면 전극들로 구분하는 절연 부재를 증착한다.
따라서, 상기 광 흡수층 증착 공정 이후에, 상기 후면 전극층을 다수 개의 후면 전극들로 구분하는 공정이 진행되므로, 상기 광 흡수층의 고온 공정에 의해 상기 지지 기판이 휘는 현상을 방지할 수 있다.
따라서, 이에 따른 데드존 영역을 감소할 수 있고, 태양전지의 전체적인 효율을 상승시킬 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이다.
도 2는 실시예에 따른 태양전지의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 9는 실시예에 따른 태양전지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
이하, 도 1 및 도 2를 참조하여, 실시예에 따른 태양전지를 상세하게 설명한다. 도 1은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이고, 도 2는 실시예에 따른 태양전지의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 태양전지는, 지지 기판(100), 후면 전극층(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 전면 전극층(500) 및 다수 개의 절연 부재(600)들을 포함한다.
상기 지지 기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 후면 전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 전면 전극층(500) 및 상기 절연 부재(600)를 지지한다.
상기 지지 기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지 기판(100)은 유리 기판, 플라스틱 기판 또는 금속 기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지 기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 이와는 다르게, 상기 지지 기판(100)의 재질로 알루미나와 같은 세라믹 기판, 스테인레스 스틸, 유연성이 있는 고분자 등이 사용될 수 있다. 상기 지지 기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지 기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible)할 수 있다.
상기 후면 전극층(200)은 상기 지지 기판(100) 상에 배치된다. 상기 후면 전극층(200)은 도전층이다. 상기 후면 전극층(200)은 몰리브덴(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스템(W) 및 구리(Cu) 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 이 가운데, 특히 몰리브덴은 다른 원소에 비해 상기 지지 기판(100)과 열팽창 계수의 차이가 적기 때문에, 접착성이 우수하여 박리 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 후면 전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.
상기 광 흡수층(300)은 상기 후면전극층(200) 상에 배치된다.
상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.
이어서, 상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300)에 직접 접촉한다. 상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴, ZnS, InXSY 및 InXSeYZn(O, OH) 등을 포함한다. 상기 버퍼층(400)의 두께는 약 50 ㎚ 내지 약 150 ㎚ 일 수 있으며, 상기 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 약 2.2 eV 내지 2.4 eV 일 수 있다.
상기 버퍼층(400) 상에는 고저항 버퍼층이 더 배치될 수 있다. 상기 고저항 버퍼층은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 3.1 eV 내지 약 3.3 eV 일 수 있다. 또한, 상기 고저항 버퍼층은 생략될 수 있다.
상기 버퍼층(400) 상에는 제 1 관통홈(TH1)들이 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 관통홈(TH1)들은 상기 버퍼층(400), 상기 광 흡수층(300) 및 상기 후면 전극층(200)을 관통할 수 있다.
상기 제 1 관통홈(TH1)들의 폭은 약 80㎛ 내지 200㎛ 일 수 있다.
상기 제 1 관통홈(TH1)들 내부에는 절연 부재(600)가 위치할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 관통홈(TH1)들 내부에는 상기 절연 부재(600)가 증착할 수 있다.
상기 절연 부재(600)는 실리콘을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 절연 부재(600)는 실리콘, 실리콘을 포함하는 산화물 또는 실리콘을 포함하는 질화물을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 절연 부재(600)는 SiOx(여기서, X는 0≤X≤2) 또는 SixNy(여기서, X는 0＜X≤3, Y는 0≤Y≤4)를 포함할 수 있다.
상기 절연 부재(600)는 상기 제 1 관통홈(TH1)들에 의해 노출되는 상기 후면 전극층(200), 상기 광 흡수층(300) 및 상기 버퍼층(400)의 측면과 직접 접촉할 수 있다.
이에 따라, 상기 제 1 관통홈(TH1)들에 의해서, 상기 후면 전극층(200)은 다수 개의 후면 전극들로 구분된다. 즉, 상기 제 1 관통홈(TH1)들에 의해서, 상기 후면전극들이 정의된다.
상기 후면 전극들은 상기 제 1 관통홈(TH1)들에 의해서 서로 이격된다. 상기 후면 전극들은 스트라이프 형태로 배치된다.
이와는 다르게, 상기 후면 전극들은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 이때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)은 평면에서 보았을 때, 격자 형태로 형성될 수 있다.
또한, 상기 버퍼층(400) 상에는 제 2 관통홈(TH2)들이 형성될 수 있다. 상기 제 2 관통홈(TH2)들은 상기 지지 기판(100)의 상면 및 상기 후면 전극층(200)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 평면에서 보았을 때, 일 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 80㎛ 내지 200㎛ 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 버퍼층(400)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 다수 개의 버퍼층들로 정의된다. 즉, 상기 버퍼층(400)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 상기 버퍼층들로 구분된다.
상기 전면 전극층(500)은 상기 버퍼층(400) 및/또는 고저항 버퍼층 상에 배치된다. 상기 전면 전극층(500)은 투명하며 도전층이다. 또한, 상기 전면 전극층(500)의 저항은 상기 후면 전극층(500)의 저항보다 높다.
상기 전면 전극층(500)은 산화물을 포함한다. 일례로, 상기 전면 전극층(500)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped ZnC;AZO), 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide;IZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO) 등을 들 수 있다.
상기 전면 전극층(500)은 n 형 반도체의 특성을 가질 수 있다. 이 때, 상기 전면 전극층(500)은 상기 버퍼층(400)과 함께 n 형 반도체층을 형성하여 p 형 반도체층인 상기 광 흡수층(300)과 pn 접합을 형성할 수 있다. 상기 전면 전극층(500)의 두께는 약 100㎚ 내지 약 500㎚ 일 수 있다.
상기 전면 전극층(500)의 두께는 약 500㎚ 내지 약 1.5㎛일 수 있다. 또한, 상기 전면 전극층(500)이 알루미늄이 도핑되는 징크 옥사이드로 형성되는 경우, 알루미늄은 약 2.5wt% 내지 약 3.5wt%의 비율로 도핑될 수 있다.
상기 버퍼층(400) 및 상기 전면 전극층(500)에는 제 3 관통홈(TH3)들이 형성된다. 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 버퍼층(400)의 일부 또는 전부, 상기 고저항 버퍼층 및 상기 전면 전극층(500)을 관통할 수 있다. 즉, 상기 제 3 관통홈(TH3)들은 상기 후면 전극층(200)의 상면을 노출시킬 수 있다.
상기 제 3 관통홈(TH3)들은 상기 제 2 관통홈(TH2)들에 인접하는 위치에 형성된다. 더 자세하게, 상기 제 3 관통홈(TH3)들은 상기 제 2 관통홈(TH2)들 옆에 배치된다. 즉, 평면에서 보았을 때, 상기 제 3 관통홈(TH3)들은 상기 제 2 관통홈(TH2)들 옆에 나란히 배치된다. 상기 제 3 관통홈(TH3)들은 상기 제 1 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다.
상기 제 3 관통홈(TH3)들은 상기 전면 전극층(500)을 관통한다. 더 자세하게, 상기 제 3 관통홈(TH3)들은 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및/또는 상기 고저항 버퍼층을 일부 또는 전부 관통할 수 있다.
상기 제 3 관통홈(TH3)들에 의해서, 상기 전면 전극층(500)은 다수 개의 전면 전극들로 구분된다. 즉, 상기 전면 전극들은 상기 제 3 관통홈(TH3)들에 의해서 정의된다.
상기 전면 전극들은 상기 후면 전극들과 대응되는 형상을 가진다. 즉, 상기 전면 전극들은 스트라이프 형태로 배치된다. 이와는 다르게, 상기 전면 전극들은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 3 관통홈(TH3)들에 의해서, 다수 개의 태양전지들(C1, C2...)이 정의된다. 더 자세하게, 상기 제 2 관통홈(TH2)들 및 상기 제 3 관통홈(TH3)들에 의해서, 상기 태양전지들(C1, C2...)이 정의된다. 즉, 상기 제 2 관통홈(TH2)들 및 상기 제 3 관통홈(TH3)들에 의해서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 태양전지들(C1, C2...)로 구분된다. 또한, 상기 태양전지들(C1, C2...)은 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 서로 연결된다. 즉, 상기 태양전지들(C1, C2...)을 통하여 상기 제 2 방향으로 전류가 흐를 수 있다.
즉, 상기 태양전지 패널(10)은 상기 지지 기판(100) 및 상기 태양전지들(C1, C2...)을 포함한다. 상기 태양전지들(C1, C2...)은 상기 지지 기판(100) 상에 배치되고, 서로 이격된다. 또한, 상기 태양전지들(C1, C2...)은 접속부들에 의해서 서로 직렬로 연결된다.
상기 접속부들은 상기 제 2 관통홈(TH2)들 내측에 배치된다. 상기 접속부들은 상기 전면 전극층(500)으로부터 하방으로 연장되며, 상기 후면 전극층(200)에 접속된다. 예를 들어, 상기 접속부들은 상기 제 1 셀(C1)의 전면전극으로부터 연장되어, 상기 제 2 셀(C2)의 후면전극에 접속된다.
따라서, 상기 접속부들은 서로 인접하는 태양전지들을 연결한다. 더 자세하게, 상기 접속부들은 서로 인접하는 태양전지들에 각각 포함된 전면 전극과 후면 전극을 연결한다.
상기 접속부들은 상기 전면 전극층(500)과 일체로 형성된다. 즉, 상기 접속부들로 사용되는 물질은 상기 전면 전극층(500)으로 사용되는 물질과 동일하다.
이하, 도 3 내지 도 9를 참조하여, 실시예에 따른 태양전지 제조 방법을 설명한다. 도 3 내지 도 9는 실시예에 따른 태양전지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
먼저 도 3을 참조하며, 지지 기판(100) 상에 후면 전극층(200), 광 흡수층(300) 및 버퍼층(400)이 형성된다. 자세하게, 상기 지지 기판(100) 상에 상기 후면 전극층(200)이 형성되고, 상기 후면 전극층(200) 상에 상기 광 흡수층(300)이 형성되며, 상기 광 흡수층(300) 상에 상기 버퍼층(400)이 형성된다.
상기 후면 전극층(200)은 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 도금의 방법으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.
금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 후면전극(200) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레이제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)이 형성된다.
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.
이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.
또한, 상기 버퍼층(400)은 당업계에서 태양전지의 버퍼층 제조를 위해 사용하는 것이라면 특별히 제한없이 사용하여 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 버퍼층(400)은 스퍼터링법(sputtering), 증발법(evaporation), CVD법(Chemical vapor deposition), 유기금속화학기상증착(MOCVD), 근접승화법(Close-spaced sublimation, CSS), 스프레이 피롤리시스(Spray pyrolysis), 화학 스프레이법(Chemical spraying), 스크린프린팅법(Screeen printing), 비진공 액상성막법, CBD법(Chemicalbath deposition), VTD법(Vapor transport deposition), 원자층 증착 (Atomic layer deposition: ALD), 및 전착법(electrodeposition) 중에서 선택된 어느 하나의 방법으로 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 버퍼층(400)은 용액성장법(Chemicalbath deposition; CBD), 원자층 증착 (Atomic layer deposition: ALD) 또는, 유기금속화학기상증착(MOCVD)에 의하여 제조될 수 있다.
이어서, 도 4를 참조하면, 상기 버퍼층(400), 상기 광 흡수층(300) 및 상기 후면 전극층(200)의 일부가 제거되어 제 1 관통홈(TH1)들이 형성된다.
상기 제 1 관통홈(TH1)들은 레이저 장치 또는 팁 등의 기계적인 장치 등에 의해서 형성될 수 있다. 일례로, 상기 제 1 관통홈(TH1)들은 일정한 파장대를 가지를 레이저를 통해 한번에 상기 버퍼층(400), 상기 광 흡수층(300) 및 상기 후면 전극층(200)을 관통하여 형성될 수 있다. 또는 상기 제 1 관통홈(TH1)들은 상기 버퍼층(400) 및 상기 광 흡수층(300)을 팁 등의 기계적인 장치 등에 의해 홈을 형성한 후, 상기 홈에 의해 노출되는 상기 후면 전극층의 상면을 레이저 장치에 의해 홈을 형성하여 최종적으로 제 1 관통홈(TH1)들을 형성할 수 있다.
이어서, 도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 제 1 관통홈(TH1)들 내부에 절연 부재(600)를 증착할 수 있다.
상기 절연 부재(600)는 실리콘 또는 실리콘 계열의 산화물 또는 질화물을 포함할 수 있다.
상기 절연 부재(600)는 상기 버퍼층 상에 마스크를 증착한 후, 스퍼터링 증착 또는 화학기상증착에 의해 상기 제 1 관통홈(TH1)들 내부에 증착될 수 있다. 이에 따라, 상기 절연 부재(600)는 상기 제 1 관통홈(TH1)들에 의해 노출되는 상기 후면 전극층(200), 상기 광 흡수층(300) 및 상기 버퍼층(400)의 측면과 직접 접촉할 수 있다.
따라서, 상기 제 1 관통홈(TH1) 및 상기 절연 부재에 의해, 상기 후면 전극층(200)은 다수 개의 후면 전극들로 구분된다. 즉, 상기 제 1 관통홈(TH1)들에 의해서, 상기 후면전극들이 정의된다.
이어서, 도 7을 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 및 상기 버퍼층(400)의 일부가 제거되어 제 2 관통홈(TH2)들이 형성된다.
상기 제 2 관통홈(TH2)들은 팁 등의 기계적인 장치 또는 레이저 장치 등에 의해서 형성될 수 있다.
예를 들어, 약 40㎛ 내지 약 180㎛의 폭을 가지는 팁에 의해서, 상기 광 흡수층(300) 및 상기 버퍼층(400)은 패터닝될 수 있다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 약 200 내지 600㎚의 파장을 가지는 레이저에 의해서 형성될 수 있다.
이때, 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 100㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 후면전극층(200)의 상면의 일부를 노출하도록 형성된다.
이어서, 도 8을 참조하면, 상기 버퍼층(400) 상에 전면 전극층이 형성될 수 있다. 일례로, 상기 전면 전극층(800)은 RF 스퍼터링 방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 증착하는 방법과 Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링, 또는 유기금속화학증착법 등으로 형성될 수 있다.
이어서, 도 9를 참조하면, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 전면 전극층(500)의 일부가 제거되어 제 3 관통홈(TH3)들이 형성된다. 이에 따라서, 상기 전면 전극층(500)은 패터닝되어, 다수 개의 전면전극들 및 제 1 셀(C1), 제 2 셀(C2) 및 제 3 셀들(C3)이 정의된다. 상기 제 3 관통홈(TH3)들의 폭은 약 80㎛ 내지 약 200㎛ 일 수 있다.
실시예에 따른 태양전지 및 태양전지 제조 방법은 후면 전극층, 광 흡수층 및 버퍼층을 관통하는 제 1 관통홈들 내에 절연 부재를 증착하여 제조되고, 상기 제 1 관통홈들 및 상기 절연 부재에 의해 상기 후면 전극층은 다수개의 후면 전극들로 정의된다.
종래에는, 상기 후면 전극층에 패터닝을 하여 상기 후면 전극층을 다수 개의 후면 전극들로 구분한 후에, 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층, 버퍼층 및 전면 전극층 등을 증착하여 태양전지를 제조하였다.
그러나, 상기 광 흡수층 증착 공정은 500℃ 이상의 고온에서 진행되기 때문에, 상기 광 흡수층 증착 공정에 의해, 상기 지지 기판의 휨 현상이 발생하게 된다. 따라서, 상기 지지 기판의 휨 현상은 상기 지지 기판 상에 배치되는 상기 후면 전극층에도 함께 영향을 주며, 상기 후면 전극층에 형성되는 패터닝도 함께 휨 현상이 발생할 수 있다. 이러한, 휨 현상은 태양전지에서 발전이 되지 않는 데드존(dead zone) 영역을 증가시키고, 따라서 전체적인 태양전지의 효율을 감소시키는 원인이 된다.
따라서, 실시예에 따른 태양전지 및 태양전지 제조 방법은 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층 및 버퍼층을 증착한 후, 상기 후면 전극층, 상기 광 흡수층 및 상기 버퍼층을 관통하는 관통홈을 형성하여, 상기 관통홈 내에 상기 후면 전극층을 다수 개의 후면 전극들로 구분하는 절연 부재를 증착한다.
따라서, 상기 광 흡수층 증착 공정 이후에, 상기 후면 전극층을 다수 개의 후면 전극들로 구분하는 공정이 진행되므로, 상기 광 흡수층의 고온 공정에 의해 상기 지지 기판이 휘는 현상을 방지할 수 있다.
따라서, 이에 따른 데드존 영역을 감소할 수 있고, 태양전지의 전체적인 효율을 상승시킬 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 후면 전극층;
    상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및
    상기 광 흡수층 상에 배치되는 버퍼층을 포함하고,
    상기 후면 전극층, 상기 광 흡수층 및 상기 버퍼층에는, 상기 후면 전극층, 상기 광 흡수층 및 상기 버퍼층을 관통하는 제 1 관통홈이 형성되며,
    상기 제 1 관통홈에는 절연 부재가 증착되고,
    상기 후면 전극층은 몰리브덴(Mo)을 포함하고,
    상기 광 흡수층은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 포함하는 태양전지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 절연 부재는 실리콘, 실리콘을 포함하는 산화물 또는 실리콘을 포함하는 질화물을 포함하는 태양전지.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 절연 부재는 상기 제 1 관통홈에 의해 노출되는 상기 후면 전극층, 상기 광 흡수층 및 상기 버퍼층의 측면과 직접 접촉하는 태양전지.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 광 흡수층 및 상기 버퍼층을 관통하는 제 2 관통홈이 더 형성되는 태양전지.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 버퍼층 상에 배치되는 전면 전극층을 더 포함하는 태양전지.
  6. 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계;
    상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
    상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;
    상기 후면 전극층, 상기 광 흡수층 및 상기 버퍼층을 관통하는 제 1 관통홈을 형성하는 단계; 및
    상기 제 1 관통홈 내에 절연 부재를 증착하는 단계를 포함하고,
    상기 후면 전극층은 몰리브덴(Mo)을 포함하고,
    상기 광 흡수층은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 포함하는 태양전지 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 절연 부재는 실리콘, 실리콘을 포함하는 산화물 또는 실리콘을 포함하는 질화물을 포함하는 태양전지 제조 방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 절연 부재는 스퍼터링 증착법 또는 화학기상증착법에 의해 상기 제 1 관통홈 내에 증착하는 태양전지 제조 방법.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 제 1 관통홈 내에 절연 부재를 증착하는 단계 이후에,
    상기 광 흡수층 및 상기 버퍼층을 관통하는 제 2 관통홈을 형성하는 단계; 및
    상기 버퍼층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지 제조 방법.
  10. 제 6항에 있어서,
    상기 제 1 관통홈 내에 절연 부재를 증착하는 단계에서는,
    상기 절연 부재는 상기 제 1 관통홈에 의해 노출되는 상기 후면 전극층, 상기 광 흡수층 및 상기 버퍼층의 측면과 직접 접촉하는 태양전지 제조 방법.
KR1020120070356A 2012-06-28 2012-06-28 태양전지 및 이의 제조 방법 KR101393743B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120070356A KR101393743B1 (ko) 2012-06-28 2012-06-28 태양전지 및 이의 제조 방법
CN201380031990.9A CN104380484A (zh) 2012-06-28 2013-06-26 太阳能电池和用于制造太阳能电池的方法
US14/401,153 US20150136218A1 (en) 2012-06-28 2013-06-26 Solar cell and method of fabricating the same
PCT/KR2013/005668 WO2014003442A1 (en) 2012-06-28 2013-06-26 Solar cell and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120070356A KR101393743B1 (ko) 2012-06-28 2012-06-28 태양전지 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140003800A KR20140003800A (ko) 2014-01-10
KR101393743B1 true KR101393743B1 (ko) 2014-05-13

Family

ID=49783503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120070356A KR101393743B1 (ko) 2012-06-28 2012-06-28 태양전지 및 이의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20150136218A1 (ko)
KR (1) KR101393743B1 (ko)
CN (1) CN104380484A (ko)
WO (1) WO2014003442A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106253829A (zh) * 2016-09-14 2016-12-21 宁波山迪光能技术有限公司 遮挡边框及超薄衬底薄膜太阳能电池的制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090125675A (ko) * 2008-06-02 2009-12-07 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
KR20100109319A (ko) * 2009-03-31 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04276665A (ja) * 1991-03-04 1992-10-01 Canon Inc 集積型太陽電池
US6084175A (en) * 1993-05-20 2000-07-04 Amoco/Enron Solar Front contact trenches for polycrystalline photovoltaic devices and semi-conductor devices with buried contacts
US6324195B1 (en) * 1999-01-13 2001-11-27 Kaneka Corporation Laser processing of a thin film
JP5081389B2 (ja) * 2006-02-23 2012-11-28 三洋電機株式会社 光起電力装置の製造方法
US20080223430A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like
WO2008157807A2 (en) * 2007-06-20 2008-12-24 Ascent Solar Technologies, Inc. Array of monolithically integrated thin film photovoltaic cells and associated methods
WO2009012345A2 (en) * 2007-07-16 2009-01-22 Ascent Solar Technologies, Inc. Hybrid multi-junction photovoltaic cells and associated methods
KR101405023B1 (ko) * 2008-07-04 2014-06-10 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
EP2320474B1 (en) * 2008-07-04 2014-09-10 Ulvac, Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
KR101081294B1 (ko) * 2009-10-07 2011-11-08 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
US20110303272A1 (en) * 2010-06-09 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric Conversion Device and Manufacturing Method Thereof
US8247682B2 (en) * 2010-06-29 2012-08-21 Primestar Solar, Inc. Metallic gridlines as front contacts of a cadmium telluride based thin film photovoltaic device
US8426725B2 (en) * 2010-12-13 2013-04-23 Ascent Solar Technologies, Inc. Apparatus and method for hybrid photovoltaic device having multiple, stacked, heterogeneous, semiconductor junctions

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090125675A (ko) * 2008-06-02 2009-12-07 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
KR20100109319A (ko) * 2009-03-31 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20150136218A1 (en) 2015-05-21
KR20140003800A (ko) 2014-01-10
CN104380484A (zh) 2015-02-25
WO2014003442A1 (en) 2014-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20120174977A1 (en) Solar Power Generation Apparatus and Manufacturing Method Thereof
US9379266B2 (en) Solar cell module and method of fabricating the same
KR101189309B1 (ko) 태양전지 및 태양전지 모듈
KR101283113B1 (ko) 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
KR101210046B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101382898B1 (ko) 씨스루형 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
KR101241467B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101173419B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR20150039040A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101173418B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101405639B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조 방법
KR101393743B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조 방법
KR101306525B1 (ko) 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
KR101417213B1 (ko) 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
US9570636B2 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR20150039535A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101934434B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조 방법
KR101327102B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101438877B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101417321B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조 방법
KR101459829B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조 방법
KR101459830B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조 방법
KR20140003802A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101349596B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101262583B1 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170405

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee