KR101081294B1 - 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 태양전지는, 기판 상에 형성된 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 형성된 광 흡수층; 상기 후면전극층과 상기 광 흡수층 사이에 배치되며, 상기 후면전극층의 표면 상에 형성된 제1 전도도의 제1 합금막과 상기 제1 전도도 보다 큰 제2 전도도를 가지는 제2 합금막; 상기 광 흡수층 상에 형성된 버퍼층; 상기 광 흡수층 및 버퍼층을 관통하여 상기 제2 합금막을 노출시키는 관통홀; 및 상기 버퍼층 상에 형성된 전면전극층을 포함한다. 실시예에 따르면, 상기 후면전극층 상에 형성된 제2 합금막에 의하여 상기 후면전극층의 컨택저항을 낮추고, 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
태양전지, CIGS 광 흡수층
Description
실시예는 태양전지에 관한 것이다.
최근 에너지 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지에 대한 개발이 진행되고 있다.
특히, 유리 기판, 금속 후면 전극층, p형 CIGS 계 광 흡수층, 고저항 버퍼층, n형 창층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.
이러한 태양전지는 복수개의 셀이 상호 연결되어 형성되는 것으로, 각의 셀들의 전기적인 특성을 향상시키기 위한 연구들이 진행되고 있다.
실시예는 태양전지 셀들의 컨택 특성을 향상시킬 수 있는 태양전지 및 이의 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 태양전지는, 기판 상에 형성된 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 형성된 광 흡수층; 상기 후면전극층과 상기 광 흡수층 사이에 배치되며, 상기 후면전극층의 표면 상에 형성된 제1 전도도의 제1 합금막과 상기 제1 전도도 보다 큰 제2 전도도를 가지는 제2 합금막; 상기 광 흡수층 상에 형성된 버퍼층; 상기 광 흡수층 및 버퍼층을 관통하여 상기 제2 합금막을 노출시키는 관통홀; 및 상기 버퍼층 상에 형성된 전면전극을 포함한다.
실시에에 따른 태양전지의 제조방법은, 기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계; 상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 후면전극층과 상기 광 흡수층의 금속간 반응에 의하여 상기 후면전극층 표면에 제1 합금막을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하는 관통홀을 형성하고, 상기 관통홀 형성에 의하여 노출된 상기 제1 합금막이 결정화되고 선택적으로 제2 합금막을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 전면전극을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 의하면, CIGS 광 흡수층의 백 컨택으로 사용되는 후면전극층의 표 면에 선택적으로 서로 다른 전도도를 가지는 제1 합금막 및 제2 합금막을 형성할 수 있다.
특히, 상기 제2 합금막은 상기 제1 합금막보다 높은 전도도를 가질 수 있다.
이에 따라, CIGS 광 흡수층의 윈도우층인 전면전극층에서 연장된 접속배선이 상기 제2 합금막에 접촉하고, 컨택저항을 감소시킬 수 있다.
이에 따라, 태양전지의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
상기 제2 합금막은 상기 접속배선을 형성하기 위한 스크라이빙 공정시 형성될 수 있다.
즉, 스크라이빙 공정을 통해 형성된 관통홀의 바닥면인 상기 제2 합금막에 대한 열처리 공정을 통하여, 상기 제2 합금막의 결정화도를 높이고 전도성을 향상시킬 수 있다.
특히, 상기 스크라이빙 공정은 팁을 사용하는 것이고, 상기 팁에 열을 인가함으로써 상기 제2 합금막의 그레인 사이즈가 커질 수 있다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1 내지 도 9를 참조하여, 실시예에 태양전지 및 이의 제조방법을 구체적으로 설명한다.
도 1을 참조하여, 기판(100) 상에 후면전극층(200)이 형성된다.
상기 기판(100)은 유리가 사용될 수 있으며, 세라믹 기판, 금속기판 또는 폴리머 기판 등도 사용될 수 있다.
예를 들어, 유리 기판으로는 소다라임 유리(sodalime galss) 또는 고변형점 소다유리(high strained point soda glass)를 사용할 수 있다. 금속기판으로는 스테인레스 스틸 또는 티타늄을 포함하는 기판을 사용할 수 있다. 폴리머 기판으로는 폴리이미드(polyimide)를 사용할 수 있다.
상기 기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible) 할 수 있다.
상기 후면전극층(200)은 금속 등의 도전체로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 후면전극층(200)은 몰리브덴(Mo)을 타겟(target)으로 사용하여, 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 형성될 수 있다.
이는, 몰리브덴(Mo)이 가진 높은 전기 전도도, 광 흡수층과의 오믹(ohmic) 접합, Se 분위기 하에서의 고온 안정성 때문이다.
상기 후면전극층(200)인 몰리브덴 박막은 전극으로서 비저항이 낮아야하고, 열팽창 계수의 차이로 인하여 박리현상이 일어나지 않도록 기판(100)에의 점착성이 뛰어나야 한다.
한편, 상기 후면전극층(200)을 형성하는 물질은 이에 한정되지 않고, 나트륨(Na) 이온이 도핑된 몰리브덴(Mo)으로 형성될 수도 있다.
도면에 도시되지는 않았지만, 상기 후면전극층(200)은 적어도 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다. 상기 후면전극층(200)이 복수개의 층으로 형성될 때, 상기 후면전극층(200)을 이루는 층들은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다.
도 2를 참조하여, 상기 후면전극층(200)에 제1 관통홀(P1)이 형성되고, 상기 후면전극층(200)은 다수개로 패터닝 될 수 있다.
상기 제1 관통홀(P1)은 상기 기판(100)의 상면을 선택적으로 노출시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 관통홀(P1)은 기계적 장치 또는 레이저 장치에 의하여 패터닝 될 수 있다. 상기 제1 관통홀(P1)의 폭은 80㎛±20 일 수 있다.
상기 제1 관통홀(P1)에 의하여 상기 후면전극층(200)은 스트라이프(stripe) 형태 또는 매트릭스(matrix) 형태로 배치될 수 있으며, 각각의 셀에 대응할 수 있다.
한편, 상기 후면전극층(200)은 상기의 형태에 한정되지 않고, 다양한 형태로 형성될 수 있다.
도 3을 참조하여, 상기 제1 관통홀(P1)을 포함하는 후면전극층(200) 상에 광 흡수층(400)이 형성된다.
상기 광 흡수층(400)은 외부의 광을 입사 받아, 전기 에너지로 변환시킨다. 상기 광 흡수층(400)은 광전효과에 의해서 광 기전력을 생성한다.
상기 광 흡수층(400)은 Ⅰb-Ⅲb-Ⅵb계 화합물을 포함한다.
더 자세하게, 상기 광 흡수층(400)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In, Ga)Se2, CIGS계) 화합물을 포함한다.
이와는 다르게, 상기 광 흡수층(400)은 구리-인듐-셀레나이드계(CuInSe2, CIS계) 화합물 또는 구리-갈륨-셀레나이드계(CuGaSe2, CGS계) 화합물을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(400)을 형성하기 위해서, 구리 타겟, 인듐 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하여, 상기 후면전극층(200) 및 제1 관통홀(P1) 상에 CIG계 금속 프리커서(precursor)막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서막은 셀레니제이션(selenization) 공정에 의해서, 셀레늄(Se)과 반응하여 CIGS계 광 흡수층(400)이 형성된다.
또한, 상기 광 흡수층(400)은 구리,인듐,갈륨,셀레나이드(Cu, In, Ga, Se)를 동시증착법(co-evaporation)에 의해 형성할 수도 있다.
이러한, 상기 광 흡수층(400)은 CIGS 화합물의 정량적인 조성을 위하여 과도한 셀레나이드계 분위기에서 진행될 수 있다.
이에 따라, 상기 광 흡수층(400)의 셀레니제이션 공정을 진행할 때, 상기 후면전극층(200)을 이루는 금속원소와 상기 광 흡수층(400)을 이루는 원소가 상호 반응에 의하여 결합될 수 있다.
이에 따라, 금속간 화합물인 제1 합금막(310)이 상기 후면전극층(200)의 표 면에 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 합금막(310)은 몰리브덴(Mo)과 셀레나이드(Se)의 화합물인 이셀렌화몰리브덴(MoSe2)일 수 있다.
상기 제1 합금막(310)은 상기 광 흡수층(400)과 상기 후면전극층(200)이 접촉하는 계면에 형성되고, 상기 후면전극층(200)의 표면을 보호할 수 있다.
상기 제1 합금막(310)은 상기 제1 관통홀(P1)을 통해 노출된 상기 기판(100)의 표면에는 형성되지 않으므로, 상기 제1 관통홀(P1)의 내부에는 상기 광 흡수층(400)이 갭필될 수 있다.
상기 제1 합금막(310)으로 사용되는 이셀렌화몰리브덴은 상기 후면전극층(200)인 몰리브덴 박막보다 높은 면저항을 가진다.
즉, 상기 제1 합금막(310)이 상기 후면전극층(200) 표면에 형성되고, 상기 후면전극층(200)의 콘택저항이 높아질 수 있다. 이에 따라, 상기 후면전극층(200)의 콘택저항 개선이 요구된다.
도 4를 참조하여, 상기 광 흡수층(400) 상에 버퍼층(500)이 형성된다.
상기 버퍼층(500)은 상기 광 흡수층(400) 상에 적어도 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(500)은 화학 용액 증착법(chemical bath deposition: CBD)에 의하여 황화 카드뮴(CdS)으로 형성될 수 있다.
이때, 상기 버퍼층(500)은 n형 반도체 층이고, 상기 광 흡수층(400)은 p형 반도체 층이다. 따라서, 상기 광 흡수층(400) 및 버퍼층(500)은 pn 접합을 형성한 다.
도 5를 참조하여, 상기 버퍼층(500) 상에 투명전극층을 증착하고, 고저항 버퍼층(600)을 형성한다.
예를 들어, 상기 고저항 버퍼층(600)은 ITO, ZnO 및 i-ZnO 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 고저항 버퍼층(600)은 산화 아연(ZnO)을 타겟으로 한 스퍼터링 공정을 진행하여, 산화 아연층으로 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(500) 및 고저항 버퍼층(600)은 상기 광 흡수층(400)과 이후 형성될 전면전극의 사이에 배치된다.
즉, 상기 광 흡수층(400)과 전면전극은 격자상수와 에너지 밴드 갭의 차이가 크기 때문에, 밴드 갭이 두 물질의 중간에 위치하는 상기 버퍼층(500) 및 고저항 버퍼층(600)을 삽입하여 양호한 접합을 형성할 수 있다.
본 실시예에서 두개의 버퍼층(500)을 상기 광 흡수층(400) 상에 형성하였지만, 이에 한정되지 않고, 상기 버퍼층(500)은 단일층으로 형성될 수도 있다.
도 6을 참조하여, 상기 고저항 버퍼층(600), 버퍼층(500) 및 광 흡수층(400)을 관통하는 제2 관통홀(P2)이 형성된다.
상기 제2 관통홀(P2)은 상기 제1 합금막(310)을 노출시킬 수 있다.
상기 제2 관통홀(P2)은 상기 제1 관통홀(P1)에 인접하여 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 관통홀(P2)의 폭은 80㎛±20이고 상기 제2 관통홀(P2)과 상기 제1 관통홀(P1)의 갭은 80㎛±20일 수 있다.
상기 제2 관통홀(P2)은 팁(Tip)을 이용한 기계적(mechanical) 스크라이빙 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 제2 관통홀(P2)을 형성할 때 상기 제2 합금막(320)이 상기 후면전극층(200)의 보호층 역할을 하므로 상기 후면전극층(200)의 디펙트를 방지할 수 있다.
상기 제2 관통홀(P2)을 형성할 때, 상기 팁과 접촉하는 상기 제1 합금막(310)은 선택적으로 결정화될 수 있다. 이는 상기 팁에 의하여 상기 제1 합금막(310)이 선택적으로 국소 열처리 되기 때문이다.
예를 들어, 상기 팁과 접촉하는 상기 제2 관통홀(P2) 하부의 제1 합금막(310)을 제2 합금막(320)이라고 지칭한다.
구체적으로, 상기 스크라이빙 공정 시 상기 팁에는 열이 인가될 수 있다. 예를 들어, 상기 팁에는 400~1000℃의 온도가 인가될 수 있다.
즉, 상기 스크라이빙 공정시 상기 팁에 의하여 제2 관통홀(P2)이 형성되고, 상기 제2 관통홀(P2)에 해당하는 상기 제1 합금막(310)은 열처리되고 제2 합금막(320)이 될 수 있다.
따라서, 상기 팁에 의하여 열처리된 상기 제2 합금막(320)의 그레인(321)들은 결정화도가 높아질 수 있게 된다. 특히, 상기 제2 합금막(320)은 열처리 공정에 의하여 원주방향인 c축 방향으로 성장되고, 상기 그레인(321)들의 결정화도는 더욱 높아질 수 있다.
한편, 실시예에서 상기 제2 관통홀(P2)의 스크라이빙 공정을 팁에 의한 기계 적 공정을 예로 하여 설명하였지만, 이에 한정되지 않는다. 즉, 상기 제2 관통홀(P2)은 레이저 공정을 통해 형성하고, 이후 국소 열처리 공정에 의하여 상기 제2 관통홀(p2) 하부에 제2 합금막을 형성할 수도 있다.
도 7은 도 6에 도시된 A영역을 확대한 단면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제1 합금막(310)과 상기 제2 합금막(320)의 그레인 사이즈는 서로 다르게 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 합금막(310)의 그레인(311) 사이즈는 제1 크기이고 상기 제2 합금막(320)의 그레인(321) 사이즈는 제1 크기보다 큰 제2 크기로 형성될 수 있다.
상기 제2 합금막(320)의 그레인(321)들은 상기 제1 합금막(310)의 그레인(311)들보다 2~5배 큰 크기로 형성될 수 있다.
이에 따라, 상기 후면전극층(200)에서 일부영역에 형성된 상기 제2 합금막(320)의 전도성은 선택적으로 커질 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 합금막(310)은 제1 전도도를 가지고, 상기 제2 합금막(320)은 제1 전도도 보다 높은 제2 전도도를 가질 수 있게 된다.
상기 제2 관통홀(P2) 하부에 해당하는 상기 제2 합금막(320)의 전도성이 선택적으로 높아지게 되고, 상기 후면전극층(200)의 콘택특성을 향상시킬 수 있다.
도 8을 참조하여, 상기 고저항 버퍼층(600) 상에 투명한 도전물질을 적층하고, 전면전극층(700)이 형성된다.
상기 전면전극층(700)이 형성될 때, 상기 투명한 도전물질이 상기 제2 관통 홀(P2)에 삽입되어 접속배선(800)을 형성할 수 있다.
상기 접속배선(800)은 상기 제2 관통홀(P2)을 통해 상기 후면전극층(200)과 연결될 수 있다. 특히, 상기 접속배선(800)은 상기 제2 합금막(320)에 의하여 상기 후면전극층(200)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 합금막(320)은 높은 결정화도 및 그에 따른 그레인 사이즈 확대에 의하여 상기 후면전극층(200)의 컨택저항을 낮출 수 있다.
이에 따라, 상기 접속배선(800)과 상기 후면전극층(200)의 오믹(ohmic) 컨택이 향상될 수 있다. 특히, 상기 태양전지의 백 컨택(back contact)으로 사용되는 후면전극층(200)의 표면을 따라 흐르는 전류의 이동성 및 전도성이 향상될 수 있다.
상기 전면전극층(700)은 스퍼터링 공정을 진행하여 알루미늄(Al) 또는 알루미나(Al2O3)로 도핑된 산화 아연으로 형성된다.
상기 전면전극층(700)은 상기 광 흡수층(400)과 pn접합을 형성하는 윈도우(window)층으로서, 태양전지 전면의 투명전극의 기능을 하기 때문에 광투과율이 높고 전기 전도성이 좋은 산화 아연(ZnO)으로 형성된다.
따라서, 상기 산화 아연에 알루미늄 또는 알루미나를 도핑함으로써 낮은 저항값을 갖는 전극을 형성할 수 있다.
상기 전면전극층(700)인 산화 아연 박막은 RF 스퍼터링 방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 증착하는 방법과, Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링, 그리고 유기금속화 학 증착법 등으로 형성될 수 있다.
또한, 전기광학적 특성이 뛰어난 ITO(Indium Tin Oxide) 박막을 산화 아연 박막 상에 증착한 2중 구조를 형성할 수도 있다.
도 9를 참조하여, 상기 전면전극층(700), 고저항 버퍼층(600), 버퍼층(500) 및 광 흡수층(400)을 관통하는 제3 관통홀(P3)이 형성된다.
상기 제3 관통홀(P3)은 상기 제1 합금막(310)을 선택적으로 노출시킬 수 있다. 상기 제3 관통홀(P3)은 상기 제2 관통홀(P2)과 인접하도록 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제3 관통홀(P3)의 폭은 80㎛±20이고 상기 제3 관통홀(P3)과 상기 제2 관통홀(P2)의 갭은 80㎛±20일 수 있다.
상기 제3 관통홀(P3)은 레이저(laser)를 조사하거나, 팁(Tip)과 같은 기계적(mechanical) 방법으로 형성될 수 있다.
상기 제3 관통홀(P3)이 형성될 때 상기 제1 합금막(310)에 의하여 상기 후면전극층(200)의 표면이 보호될 수 있다.
즉, 상기 제1 합금막(310)이 상기 후면전극층(200)의 표면에 형성되어 있으므로, 상기 레이저 또는 팁을 사용한 식각 공정시 상기 제1 합금막(310)이 상기 후면전극층(200)의 보호층 역할을 하게 되어 상기 후면전극층(200)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제3 관통홀(P3)에 의하여 상기 광 흡수층(400), 버퍼층(500), 고저항 버퍼층(600) 및 전면전극층(700)은 셀별로 분리될 수 있다.
이때, 상기 접속배선(800)에 의해 각각의 셀은 서로 연결될 수 있다. 즉, 상 기 접속배선(800)은 상호 인접하는 셀의 후면전극층(200)과 전면전극층(700)을 물리적, 전기적으로 연결할 수 있다.
상기와 같이 후면전극 표면에 형성된 이셀렌화몰리브덴층을 선택적으로 제거함으로써, 상기 전면전극과의 오믹컨택 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 이셀렌화몰리브덴층에 의하여 상기 후면전극의 손상을 방지할 수도 있다.
이에 따라, 태양전지의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 9는 실시예에 따른 태양전지의 제조공정을 나타내는 단면도이다.
Claims (10)
- 기판 상에 형성된 후면전극층;상기 후면전극층 상에 형성된 광 흡수층;상기 후면전극층과 상기 광 흡수층 사이에 배치되며, 상기 후면전극층의 표면 상에 형성된 제1 전도도의 제1 합금막과 상기 제1 전도도 보다 큰 제2 전도도를 가지는 제2 합금막;상기 광 흡수층 상에 형성된 버퍼층;상기 광 흡수층 및 버퍼층을 관통하여 상기 제2 합금막을 노출시키는 관통홀; 및상기 버퍼층 상에 형성된 전면전극층을 포함하고,상기 제1 합금막과 제2 합금막은 동일한 층에 형성되는 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 전면전극으로부터 연장되고, 상기 제2 합금막과 접속하는 접속배선을 포함하는 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 합금막은 이셀렌화몰리브덴(MoSe2)층이고,상기 제1 합금막의 그레인은 제1 크기로 형성되고, 상기 제2 합금막의 그레 인은 제1 크기보다 큰 제2 크기를 가지는 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 제2 합금막은 상기 제1 합금막의 그레인 사이즈보다 2~5배 큰 그레인 사이즈를 가지는 태양전지.
- 기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;상기 후면전극층과 상기 광 흡수층의 금속간 반응에 의하여 상기 후면전극층 표면에 제1 합금막을 형성하는 단계;상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 및 광 흡수층을 관통하는 관통홀을 형성하고, 상기 관통홀 형성에 의하여 노출된 상기 제1 합금막이 결정화되고 선택적으로 제2 합금막을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 후면전극은 몰리브덴(Mo)으로 형성되고, 상기 광 흡수층은 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 화합물로 형성되며,상기 합금막은 이셀렌화몰리브덴(MoSe2)층으로 형성되는 태양전지의 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 제2 합금막은 상기 관통홀에 의하여 노출된 상기 제1 합금막에 대한 국소 열처리 공정을 통해 형성되는 태양전지의 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 관통홀은 팁을 이용한 스크라이빙 공정을 통해 형성되고,상기 스크라이빙 공정 시 상기 팁에 400~1000℃의 열이 인가되는 태양전지의 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 제1 합금막은 제1 전도도를 가지며, 상기 제2 합금막은 제1 전도도 보다 큰 제2 전도도를 가지는 태양전지의 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 제1 합금막의 그레인은 제1 크기로 형성되고, 상기 제2 합금막의 크레인 크기는 제1 크기보다 큰 제2 크기로 형성되는 태양전지의 제조방법.
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