JP2005260107A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】テラス部と接続電極との接触抵抗の増大に起因する出力特性の低下を抑制することが可能な光起電力装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この光起電力装置の製造方法は、受光面電極層５にレーザビームを照射することにより受光面電極層５に開口部５ｃを形成することによって、開口部５ｃによって分離された受光面電極５ａと受光面電極５ｂとを形成する工程と、背面電極層３にレーザビームを照射することにより背面電極層３に開口部３ｃを形成することによって、開口部３ｃによって分離された背面電極３ａと背面電極３ｂとを形成する工程と、受光面電極５ａおよび５ｂをマスクとして光電変換層４をエッチングすることにより、背面電極３ｂの上面の開口部５ｃに対応する領域を露出させてテラス部３ｄを形成する工程と、受光面電極５ａと背面電極３ｂのテラス部３ｄとに接触する接続電極７を形成する工程とを備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、光起電力装置の製造方法に関し、特に、電極にレーザビームを照射することにより開口部を形成することによって開口部により分離された電極を形成する工程を含む光起電力装置の製造方法に関する。

従来、電極にレーザビームを照射することにより開口部を形成することによって開口部により分離された電極を形成する工程を含む光起電力装置の製造方法が知られている（たとえば、特許文献１参照）。

図１３は、上記特許文献１に開示された光起電力装置と同様の構成を有する従来の光起電力装置の構成を示した断面図である。図１３を参照して、従来の一例による光起電力装置では、基板１０１の上面上に絶縁層１０２が形成されている。また、絶縁層１０２の上面上には、開口部１０３ｃによって分離された背面電極１０３ａおよび１０３ｂが形成されている。また、背面電極１０３ａおよび１０３ｂの上面上の所定領域には、それぞれ、光電変換層１０４ａおよび１０４ｂが形成されている。この光電変換層１０４ａおよび１０４ｂは、開口部１０３ｃに対応して設けられた開口部１０４ｃによって分離されている。また、背面電極１０３ｂには、背面電極１０３ｂの上面の開口部１０４ｃに対応する領域が露出されたテラス部１０３ｄが設けられている。

また、光電変換層１０４ａおよび１０４ｂの上面上には、それぞれ、受光面電極１０５ａおよび１０５ｂが設けられている。この受光面電極１０５ａおよび１０５ｂは、開口部１０５ｃによって分離されている。また、開口部１０３ｃを埋め込むとともに、背面電極１０３ｂのテラス部１０３ｄの一部と、開口部１０４ｃの光電変換層１０４ａ側の側面と、開口部１０５ｃの受光面電極１０５ａ側の側面とを覆うように、絶縁層１０６が形成されている。また、絶縁層１０６を跨いで、受光面電極１０５ａの上面と、背面電極１０３ｂのテラス部１０３ｄとに接触するように、接続電極１０７が形成されている。これにより、背面電極１０３ｂと受光面電極１０５ａとが接続されている。

図１４〜図１７は、図１３に示した従来の一例による光起電力装置の製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図１３〜図１７を参照して、従来の一例による光起電力装置の製造プロセスについて説明する。

まず、図１４に示すように、基板１０１の上面上に、絶縁層１０２、背面電極層１０３、光電変換層１０４および受光面電極層１０５を形成する。

次に、図１５に示すように、受光面電極層１０５にレーザビームを照射することにより、開口部１０５ｃを形成する。これにより、開口部１０５ｃによって分離された受光面電極１０５ａおよび１０５ｂが形成される。

次に、図１６に示すように、開口部１０５ｃによって露出された光電変換層１０４の上面部分のうち、受光面電極１０５ａ近傍の領域にレーザビームを照射することにより、開口部１０４ｃを形成した後、連続して背面電極層１０３にレーザ光を照射することにより、開口部１０３ｃを形成する。これにより、開口部１０４ｃによって分離された光電変換層１０４ａおよび１０４ｂが形成されるとともに、開口部１０３ｃによって分離された背面電極１０３ａおよび１０３ｂが形成される。

次に、図１７に示すように、光電変換層１０４ｂの開口部１０５ｃに対応する領域にレーザビームを照射することにより、背面電極１０３ｂの上面の開口部１０５ｃに対応する領域を露出させてテラス部１０３ｄを形成する。

最後に、図１３に示したように、開口部１０３ｃを埋め込むとともに、テラス部１０３ｄの一部と、開口部１０４ｃの光電変換層１０４ａ側の側面と、開口部１０５ｃの受光面電極１０５ａ側の側面とを覆うように絶縁層１０６を形成する。その後、絶縁層１０６を跨いで、受光面電極１０５ａの上面と、テラス部１０３ｄとに接触するように導電性ペーストを塗布する。そして、その導電性ペーストを乾燥させて硬化させることにより、接続電極１０７を形成する。このようにして、従来の一例による光起電力装置が作製される。
特許第２９８６８７５号公報

しかしながら、図１３に示した従来の光起電力装置では、光電変換層１０４ｂにレーザビームを照射することにより背面電極１０３ｂの上面を露出させてテラス部１０３ｄを形成しているので、レーザビームの照射による加工屑がテラス部１０３ｄに付着したり、レーザビームの熱によりテラス部１０３ｄにクラックなどが生じる場合がある。この場合には、テラス部１０３ｄに接触するように形成される接続電極１０７とテラス部１０３ｄとの界面における接触抵抗が増大することにより、抵抗損失が増大するという不都合がある。その結果、光起電力装置の出力特性が低下するという問題点がある。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、テラス部と接続電極との接触抵抗の増大に起因する出力特性の低下を抑制することが可能な光起電力装置の製造方法を提供することである。

課題を解決するための手段および発明の効果

上記目的を達成するために、この発明の一の局面による光起電力装置の製造方法は、基板上に下部電極、光電変換層および上部電極を順次形成する工程と、上部電極にレーザビームを照射することにより上部電極に第１開口部を形成することによって、第１開口部により分離された第１上部電極と第２上部電極とを形成する工程と、下部電極にレーザビームを照射することにより下部電極に第２開口部を形成することによって、第２開口部により分離された第１上部電極に対応する第１下部電極と第２上部電極に対応する第２下部電極とを形成する工程と、第１上部電極および第２上部電極をマスクとして光電変換層をエッチングすることにより、第１下部電極の上面の第１開口部に対応する領域を露出させてテラス部を形成する工程と、第２上部電極と第１下部電極のテラス部とに接触する導電性部材を形成する工程とを備えている。

この一の局面による光起電力装置の製造方法では、上記のように、光電変換層をエッチングすることにより第１下部電極の上面の第１開口部に対応する領域を露出させてテラス部を形成することによって、レーザビームを照射することにより第１下部電極にテラス部を形成する場合のようにテラス部に加工屑が付着したり、レーザの熱に起因するクラックなどが発生するのを抑制することができる。これにより、加工屑やクラックなどに起因して、テラス部に接触するように形成される接続電極とテラス部との界面における接触抵抗が増大するのを抑制することができる。このため、抵抗損失が増大するのを抑制することができるので、光起電力装置の出力特性が低下するのを抑制することができる。また、上部電極および下部電極の各々にレーザビームを照射することにより第１開口部および第２開口部を形成することによって、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程が必要なエッチング法により第１開口部および第２開口部を形成する場合に比べて、少ない工程数で第１開口部および第２開口を形成することができる。これにより、第１開口部、第２開口部およびテラス部を全てエッチング法により形成する場合のように大幅に工程数が増大するのを抑制することができる。

上記一の局面による光起電力装置の製造方法において、好ましくは、第１上部電極および第２上部電極を形成する工程は、複数の層を有するとともに、最表面にＺｎＯ層を有する第１上部電極および第２上部電極を形成する工程を含む。このように構成すれば、第１および第２上部電極をマスクとしてプラズマエッチングを行う場合に、第１および第２上部電極のＺｎＯ層の下側の層のプラズマ耐性が低い場合にも、最表面のＺｎＯ層はプラズマ耐性が高いので、第１および第２上部電極のＺｎＯ層の下側の層にプラズマダメージが与えられるのを抑制することができる。

この場合において、好ましくは、第１上部電極および第２上部電極を形成する工程は、ＩＴＯ層からなる下層およびＺｎＯ層からなる上層の積層構造と、ＳｎＯ_２層からなる下層およびＺｎＯ層からなる上層の積層構造とのいずれか一方を有する第１上部電極および第２上部電極を形成する工程を含む。このように構成すれば、光電変換層がＺｎＯ層とのオーミック接触をとるのが困難な微結晶シリコン層などからなる場合にも、微結晶シリコン層とのオーミック接触が良好なＩＴＯ層またはＳｎＯ_２層を介してＺｎＯ層を微結晶シリコン層に接続すれば、第１および第２上部電極と光電変換層との間で良好なオーミック接触を得ることができる。また、ＩＴＯ膜およびＳｎＯ_２層は、高い導電性を有するので、第１および第２上部電極をＩＴＯ層およびＺｎＯ層の積層構造またはＳｎＯ_２層およびＺｎＯ層の積層構造を有するように構成したとしても、抵抗損失が大幅に増大するのを抑制することができる。

上記第１および第２上部電極がＺｎＯ層を含む構成において、好ましくは、第１上部電極の総膜厚および第２上部電極の総膜厚は、７５ｎｍ以上１０５ｎｍ以下であり、ＺｎＯ層の膜厚は、６５ｎｍ以上である。このように構成すれば、第１および第２上部電極をマスクとしてプラズマエッチングを行う場合に、容易に、プラズマダメージが第１および第２上部電極のＺｎＯ層の下側の層に与えられるのを抑制することができる。

上記一の局面による光起電力装置の製造方法において、好ましくは、光電変換層にレーザビームを照射することにより光電変換層に第３開口部を形成することによって、第１上部電極および第１下部電極に対応する第１光電変換層と、第２上部電極および第２下部電極に対応する第２光電変換層とを形成する工程をさらに備え、第１下部電極と第２下部電極とを形成する工程は、第１光電変換層および第２光電変換層の形成後、連続して下部電極にレーザビームを照射することにより下部電極に第２開口部を形成することによって、第１下部電極と第２下部電極とを形成する工程を含む。このように構成すれば、第２開口部と第３開口部とを１回のレーザビームの照射により連続的に形成することができるので、第３開口部を第２開口部とは別の形成プロセスにより形成する場合に比べて、第３開口部の形成プロセスを簡略化することができる。

上記一の局面による光起電力装置の製造方法において、好ましくは、第１下部電極と第２下部電極とを形成する工程は、光電変換層を形成する工程に先立って行われ、光電変換層をエッチングすることによりテラス部を形成する工程は、第１上部電極および第２上部電極をマスクとして光電変換層をエッチングすることにより、光電変換層に第３開口部を形成することによって、第１上部電極および第１下部電極に対応する第１光電変換層と、第２上部電極および第２下部電極に対応する第２光電変換層とを形成するとともに、前記テラス部を形成する工程を含む。このように構成すれば、１回のエッチング工程で、第３開口部およびテラス部を同時に形成することができるので、テラス部を第３開口部とは別の形成工程で形成する場合に比べて、テラス部の製造プロセスを簡略化することができる。また、第１下部電極と第２下部電極とを形成する工程を、光電変換層を形成する工程に先立って行うことによって、第１下部電極と第２下部電極とを分離するための第２開口部を形成する際に、下部電極のみにレーザビームを照射して第２開口部を形成すればよいので、１回のレーザビームを照射する工程で、光電変換層および下部電極の各々に第３開口部および第２開口部を形成する場合に比べて、小さいパワーのレーザビームを照射して第２開口部を形成することができる。これにより、１回のレーザビームを照射する工程で光電変換層および下部電極の各々に第３開口部および第２開口部を形成する場合に比べて、レーザビームから第１および第２下部電極と、基板とに与えられる熱を低減することができるので、レーザビームの熱により、第１および第２下部電極にクラックが発生したり、第１および第２下部電極が基板から剥離するのを抑制することができる。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による光起電力装置の構成を示した断面図である。図２は、図１に示した第１実施形態による光起電力装置の平面レイアウトと断面構造との対応関係を示した図である。まず、図１および図２を参照して、本発明の第１実施形態による光起電力装置の構成について説明する。

第１実施形態による光起電力装置では、図１に示すように、ステンレス（ＳＵＳ）からなる基板１の上面上には、約３０μｍ〜約４０μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂からなる絶縁層２が形成されている。また、絶縁層２の上面上には、開口部３ｃによって分離された背面電極３ａおよび３ｂが形成されている。なお、この背面電極３ａおよび３ｂは、それぞれ、本発明の「第２下部電極」および「第１下部電極」の一例であり、開口部３ｃは、本発明の「第２開口部」の一例である。また、背面電極３ａおよび３ｂは、約３００ｎｍ〜約４００ｎｍの膜厚を有するとともに、銀（Ａｇ）を主成分とする金属材料により形成されている。

また、背面電極３ａおよび３ｂの上面上の所定領域には、それぞれ、約３μｍ〜約４μｍの膜厚を有するｐｉｎ型の微結晶シリコン半導体からなる光電変換層４ａおよび４ｂが形成されている。この光電変換層４ａおよび４ｂは、開口部３ｃに対応して設けられた開口部４ｃによって分離されている。なお、光電変換層４ａおよび４ｂは、それぞれ、本発明の「第２光電変換層」および「第１光電変換層」の一例であり、開口部４ｃは、本発明の「第３開口部」の一例である。

ここで、第１実施形態では、背面電極３ｂの上面上の開口部３ｃ近傍の領域には、光電変換層４ｂによって覆われていないテラス部３ｄが設けられている。また、光電変換層４ａおよび４ｂの上面上には、それぞれ、約７５ｎｍ〜約１０５ｎｍの膜厚を有する受光面電極５ａおよび５ｂが設けられている。この受光面電極５ａおよび５ｂは、開口部５ｃによって分離されている。なお、受光面電極５ａおよび５ｂは、それぞれ、本発明の「第２上部電極」および「第１上部電極」の一例であり、開口部５ｃは、本発明の「第１開口部」の一例である。また、受光面電極５ａおよび５ｂは、最表面に形成された約６５ｎｍ以上の膜厚を有するＺｎＯ層５ｄと、ＺｎＯ層５ｄと光電変換層４ａ（４ｂ）との間に介在するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）層５ｅとによって構成されている。このＩＴＯ層５ｅを介して、ＺｎＯ層５ｄが微結晶シリコン半導体からなる光電変換層４ａ（４ｂ）に接続されることにより、受光面電極５ａおよび５ｂと光電変換層４ａおよび４ｂとの間で良好なオーミック接触が得られる。また、開口部３ｃを埋め込むとともに、テラス部３ｄの一部と、開口部４ｃの光電変換層４ａ側の側面と、開口部５ｃの受光面電極５ａ側の側面とを覆うように絶縁層６が形成されている。この絶縁層６は、エポキシ樹脂中にＡｌ_２Ｏ_３からなるフィラーを添加した絶縁性材料によって形成されている。

また、絶縁層６を跨いで、受光面電極５ａの上面と、背面電極３ｂのテラス部３ｄとに接触するように、樹脂硬化型の導電性ペースト（銀（Ａｇ）ペースト）からなる接続電極７が形成されている。これにより、背面電極３ｂと受光面電極５ａとが接続されている。なお、接続電極７は、本発明の「導電性部材」の一例である。また、接続電極７は、受光面電極５ａの上面に接触する受光面側電極部７ａと、背面電極３ｂのテラス部３ｄに接触するテラス側電極部７ｂとを有している。受光面側電極部７ａは、図２に示すように、互いに平行な方向に延びるように複数形成されており、光電変換層４ａによって発電された電流を収集する機能を有している。また、テラス側電極部７ｂは、受光面側電極部７ａの延びる方向に対して直交する方向に沿って延びるように形成されているとともに、複数の受光面側電極部７ａに接続されている。また、テラス側電極部７ｂは、背面電極３ｂに接続する機能に加えて、受光面側電極部７ａによって収集された電流を集合させる機能も有している。

また、背面電極３ａ、光電変換層４ａ、受光面電極５ａおよび接続電極７によって１つの光起電力素子８ａが構成されるとともに、背面電極３ｂ、光電変換層４ｂおよび受光面電極５ｂおよび接続電極（図示せず）によって別の光起電力素子８ｂが構成されている。そして、上記のように、光起電力素子８ａの接続電極７が、光起電力素子８ｂの背面電極３ｂと接続されることにより光起電力素子８ａおよび８ｂが直列に接続されている。このように、複数の光起電力素子を直列に接続することによって、モジュール化された光起電力装置が形成されている。

図３〜図６は、図１に示した本発明の第１実施形態による光起電力モジュールの製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図１〜図６を参照して、本発明の第１実施形態による光起電力装置の製造プロセスについて説明する。

まず、図３に示すように、ステンレス（ＳＵＳ）からなる基板１の上面に、ポリイミド樹脂を塗布することによって、約３０μｍ〜約４０μｍの膜厚を有する絶縁層２を形成する。その後、スパッタ法によって、絶縁層２の上面上に約３００μｍ〜約４００μｍの膜厚を有する銀（Ａｇ）を主成分とする金属材料からなる背面電極層３を形成する。なお、この背面電極層３は、本発明の「下部電極」の一例である。そして、プラズマＣＶＤ法によって、背面電極層３上に、約３μｍ〜約４μｍの膜厚を有するｐｉｎ型の微結晶シリコン半導体からなる光電変換層４を形成する。

その後、第１実施形態では、スパッタ法を用いて、光電変換層４上にＩＴＯ層５ｅと、約６５ｎｍ以上の膜厚を有するＺｎＯ層５ｄとを順次積層することにより、約７５ｎｍ〜約１０５ｎｍの総膜厚を有する受光面電極層５を形成する。なお、この受光面電極層５は、本発明の「上部電極」の一例である。

次に、図４に示すように、受光面電極層５に約３５５ｎｍの波長λを有するＱ−スイッチ付きＹＡＧレーザビームの第３高調波（発振周波数：１０ｋＨｚ）を照射することにより、開口部５ｃを形成する。これにより、開口部５ｃによって分離された受光面電極５ａおよび５ｂが形成される。

次に、第１実施形態では、図５に示すように、開口部５ｃに対応する光電変換層４の受光面電極５ａ近傍の領域に約１０６４ｎｍの大きい波長λを有するＱ−スイッチ付きＹＡＧレーザビーム（基本波）を照射することにより、開口部４ｃを形成した後、連続して背面電極層３に上記のＹＡＧレーザビームを照射することにより、開口部３ｃを形成する。これにより、開口部４ｃによって分離された光電変換層４ａおよび４ｂと、開口部３ｃによって分離された背面電極３ａおよび３ｂとが同時に形成される。

次に、第１実施形態では、図６に示すように、受光面電極５ａおよび５ｂをマスクとして、ＣＦ_４：Ｏ_２＝約９５％：約５％のガス組成からなるプラズマを用いて光電変換層４ｂをドライエッチングすることにより、背面電極３ｂの上面の開口部５ｃに対応する領域を露出させてテラス部３ｄを形成する。この際、金属材料からなる背面電極３ｂは、プラズマにより実質的にダメージを受けない。これにより、レーザビームの照射による加工屑の付着やクラックなどのないきれいなテラス部３ｄが形成される。なお、このプラズマを用いたドライエッチングによって、光電変換層４ａの上面の開口部５ｃに対応する領域も露出される。また、マスクとして用いられる受光面電極５ａおよび５ｂの最表面には、プラズマ耐性の高いＺｎＯ層５ｄが設けられているので、ＺｎＯ層５ｄの下側のＩＴＯ層５ｅにプラズマによるダメージが与えられるのが抑制されている。

次に、図１に示すように、開口部３ｃを埋め込むとともに、テラス部３ｄの一部と、開口部４ｃの光電変換層４ａ側の側面と、開口部５ｃの受光面電極５ａ側の側面とを覆うように、エポキシ樹脂中にＡｌ_２Ｏ_３からなるフィラーを添加した絶縁性材料からなる絶縁性ペーストを印刷する。これにより、絶縁層６を形成する。

その後、第１実施形態では、スクリーン印刷法を用いて、受光面電極５ａおよび絶縁層６の上面に接触するとともに、テラス部３ｄに接触するように、樹脂硬化型の導電性ペースト（銀（Ａｇ）ペースト）を塗布する。そして、その導電性ペーストを乾燥させて硬化させることにより、接続電極７を形成する。この際、図２に示すように、受光面電極５ａの上面に接触する接続電極７の受光面側電極部７ａを互いに平行な方向に沿って延びるように複数形成する。また、テラス部３ｄに接触する接続電極７のテラス側電極部７ｂを受光面側電極部７ａの延びる方向に対して直交する方向に沿って延びるように形成するとともに、受光面側電極７ａに接続する。これにより、背面電極３ａ、光電変換層４ａ、受光面電極５ａおよび接続電極７からなる光起電素子８ａと、背面電極３ｂ、光電変換層４ｂ、受光面電極５ｂおよび接続電極（図示せず）からなる光起電素子８ｂとが直列に接続される。このようにして、図１に示したような本発明の一実施形態による光起電力装置が作製される。

第１実施形態では、上記のように、光電変換層４をドライエッチングすることにより背面電極３ｂの上面の開口部５ｃに対応する領域を露出させてテラス部３ｄを形成することによって、レーザビームを照射することにより背面電極３ｂにテラス部３ｄを形成する場合のようにテラス部３ｄに加工屑が付着したり、レーザビームの熱に起因するクラックなどが発生するのを抑制することができる。これにより、加工屑やクラックなどに起因して、テラス部３ｄに接触するように形成される接続電極７とテラス部３ｄとの界面における接触抵抗が増大するのを抑制することができる。このため、抵抗損失が増大するのを抑制することができるので、光起電力装置の出力特性が低下するのを抑制することができる。

また、第１実施形態では、最表面にＺｎＯ層５ｄを有する受光面電極５ａおよび５ｂを形成することによって、受光面電極５ａおよび５ｂをマスクとして光電変換層４にプラズマエッチングを行う場合に、ＺｎＯ層５ｄはプラズマ耐性が高いので、ＺｎＯ層の下側のＩＴＯ層５ｅにプラズマによるダメージが与えられるのを抑制することができる。

また、第１実施形態では、光電変換層４にレーザビームを照射することにより光電変換層４に開口部４ｃを形成した後、連続して背面電極層３にレーザビームを照射することにより背面電極層３に開口部３ｃを形成することによって、開口部４ｃと開口部３ｃとを１回のレーザビームの照射により連続的に形成することができるので、開口部４ｃと開口部３ｃとを別々の工程で形成する場合に比べて、開口部４ｃおよび開口部３ｃを形成する際のプロセスを簡略化することができる。

次に、上記した第１実施形態の効果を確認するために行った実験（実施例）について説明する。まず、最表面にＺｎＯ層が形成された受光面電極をマスクとして光電変換層に対してプラズマエッチングを行う場合に、プラズマによる光起電力装置の出力特性の低下について評価するための実験を行った。具体的には、受光面電極を構成するＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比と、受光面電極の総膜厚とを変化させて受光面電極を形成するとともに、その受光面電極をマスクとして、光電変換層に対してプラズマエッチングを行うことによって、実施例１−１〜１−３、２−１〜２−３、３−１〜３−３、４−１〜４−３および５−１〜５−３による光起電力装置を作製した。そして、その作製した各光起電力装置について出力特性試験を行った。

（実施例１−１）
この実施例１−１では、光電変換層の上面上に総膜厚が５０ｎｍになるように受光面電極を形成した。また、受光面電極を構成するＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比（ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚）は、４．０になるように受光面電極を形成した。そして、この受光面電極をマスクとして、ＣＦ_４：Ｏ_２＝９５％：５％のガス組成からなるプラズマにより光電変換層をドライエッチングすることによって、背面電極の上面を露出させてテラス部を形成した。また、この実施例１−１では、４つの光起電力素子を接続電極により直列に接続してモジュール化した。これ以外は、上記第１実施形態の製造プロセスと同様のプロセスにより、実施例１−１による光起電力装置を作製した。

（実施例１−２）
この実施例１−２では、受光面電極を構成するＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比（ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚）が９．０になるように受光面電極を形成した。これ以外は、上記実施例１−１と同様にして実施例１−２による光起電力装置を作製した。

（実施例１−３）
この実施例１−３では、受光面電極を構成するＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比（ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚）が４９．０になるように受光面電極を形成した。これ以外は、上記実施例１−１と同様にして実施例１−３による光起電力装置を作製した。

（実施例２−１）
この実施例２−１では、光電変換層の上面上に総膜厚が７０ｎｍになるように受光面電極を形成した。また、受光面電極を構成するＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比（ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚）は、５．０になるように受光面電極を形成した。これ以外は、上記実施例１−１と同様にして実施例２−１による光起電力装置を作製した。

（実施例２−２）
この実施例２−２では、受光面電極を構成するＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比（ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚）が３０．０になるように受光面電極を形成した。これ以外は、上記実施例２−１と同様にして実施例２−２による光起電力装置を作製した。

（実施例２−３）
この実施例２−３では、受光面電極を構成するＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比（ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚）が４９．０になるように受光面電極を形成した。これ以外は、上記実施例２−１と同様にして実施例２−３による光起電力装置を作製した。

（実施例３−１）
この実施例３−１では、光電変換層の上面上に総膜厚が７５ｎｍになるように受光面電極を形成した。また、受光面電極を構成するＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比（ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚）は、１．０になるように受光面電極を形成した。これ以外は、上記実施例１−１と同様にして実施例３−１による光起電力装置を作製した。

（実施例３−２）
この実施例３−２では、受光面電極を構成するＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比（ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚）が６．５になるように受光面電極を形成した。これ以外は、上記実施例３−１と同様にして実施例３−２による光起電力装置を作製した。

（実施例３−３）
この実施例３−３では、受光面電極を構成するＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比（ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚）が３０．０になるように受光面電極を形成した。これ以外は、上記実施例３−１と同様にして実施例３−３による光起電力装置を作製した。

（実施例４−１）
この実施例４−１では、光電変換層の上面上に総膜厚が１００ｎｍになるように受光面電極を形成した。また、受光面電極を構成するＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比（ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚）は、０．４になるように受光面電極を形成した。これ以外は、上記実施例１−１と同様にして実施例４−１による光起電力装置を作製した。

（実施例４−２）
この実施例４−２では、受光面電極を構成するＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比（ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚）が２．３になるように受光面電極を形成した。これ以外は、上記実施例４−１と同様にして実施例４−２による光起電力装置を作製した。

（実施例４−３）
この実施例４−３では、受光面電極を構成するＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比（ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚）が９．０になるように受光面電極を形成した。これ以外は、上記実施例４−１と同様にして実施例４−３による光起電力装置を作製した。

（実施例５−１）
この実施例５−１では、光電変換層の上面上に総膜厚が１０５ｎｍになるように受光面電極を形成した。また、受光面電極を構成するＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比（ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚）は、０．３になるように受光面電極を形成した。これ以外は、上記実施例１−１と同様にして実施例５−１による光起電力装置を作製した。

（実施例５−２）
この実施例５−２では、受光面電極を構成するＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比（ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚）が２．０になるように受光面電極を形成した。これ以外は、上記実施例５−１と同様にして実施例５−２による光起電力装置を作製した。

（実施例５−３）
この実施例５−３では、受光面電極を構成するＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比（ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚）が９．０になるように受光面電極を形成した。これ以外は、上記実施例５−１と同様にして実施例５−３による光起電力装置を作製した。

［出力特性試験］
次に、上記のようにして作製した実施例１−１〜１−３、２−１〜２−３、３−１〜３−３、４−１〜４−３および５−１〜５−３による光起電力装置について、出力特性試験を行った。この出力特性試験では、各光起電力装置の出力を測定するとともに、実施例３−２による光起電力装置（受光面電極の総膜厚：７５ｎｍ、ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚：６．５）の出力で規格化することにより、各光起電力装置の規格化出力Ｐｍａｘを算出した。図７には、その算出した各光起電力装置の規格化出力Ｐｍａｘが示されている。なお、規格化出力Ｐｍａｘが０．９以上の場合には、良好な出力特性を保持していると判断する。

図７を参照して、実施例３−２および３−３（受光面電極の総膜厚：７５ｎｍ、ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚：６．５〜３０．０）では、規格化出力Ｐｍａｘが０．９１以上（実施例３−２：１．０、実施例３−３：０．９１）になることがわかる。また、実施例４−２および４−３（受光面電極の総膜厚：１００ｎｍ、ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚＝２．３〜９．０）では、規格化出力Ｐｍａｘが０．９５以上（実施例４−２：０．９７、実施例４−３：０．９５）になることがわかる。また、実施例５−２および５−３（受光面電極の総膜厚：１０５ｎｍ、ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚＝２．０〜９．０）では、規格化出力Ｐｍａｘが０．９１以上（実施例５−２：０．９２、実施例５−３：０．９１）になることがわかる。上記の結果から、受光面電極の総膜厚が７５ｎｍ〜１０５ｎｍの場合において、ＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比が２．０〜３０．０の場合（実施例３−２、３−３、４−２、４−３、５−２および５−３）には、光起電力装置の規格化出力Ｐｍａｘが０．９以上になることがわかった。すなわち、この場合には、良好な出力特性を保持していることが判明した。

上記の結果は、以下の理由によると考えられる。すなわち、実施例３−２、３−２、４−２、４−３、５−２および５−３では、受光面電極を構成するＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比が２．０〜３０．０である。この場合には、ＩＴＯ層に比べてプラズマ耐性の高いＺｎＯ層の膜厚が６５ｎｍ以上（９４．５ｎｍ以下）になる。これにより、ＩＴＯ層に比べてプラズマ耐性の高いＺｎＯ層の膜厚が十分大きくなるので、ＺｎＯ層の表面に照射されるプラズマによる影響（プラズマによるダメージ）がＺｎＯ層を介してＩＴＯ層に及ぶのを抑制することができる。このため、プラズマの影響（プラズマによるダメージ）により、ＩＴＯ層中の酸素が還元されて減少するのに伴ってＩＴＯ層のシート抵抗が増大するのを抑制することができる。その結果、抵抗損失が増大するのを抑制することができるので、良好な出力特性を保持することができたと考えられる。この結果から、良好な出力特性を得るためには、受光面電極の総膜厚は、７５ｎｍ以上１０５ｎｍ以下であるとともに、受光面電極の最表面のＺｎＯ層の膜厚は、６５ｎｍ以上であることが好ましいことが判明した。

また、図７から、実施例３−１（受光面電極の総膜厚：７５ｎｍ、ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚＝１．０）、実施例４−１（受光面電極の総膜厚：１００ｎｍ、ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚＝０．４）および実施例５−１（受光面電極の総膜厚：１０５ｎｍ、ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚＝０．３）では、規格化出力Ｐｍａｘが０．８５以下（実施例３−１：０．８１、実施例４−１：０．８５、実施例５−１：０．８０）になることがわかる。上記の結果から、受光面電極の総膜厚が７５ｎｍ〜１０５ｎｍであっても、ＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比が０．３〜１．０の場合（実施例３−１、４−１および５−１）には、光起電力装置の規格化出力Ｐｍａｘが０．９以上にならないことがわかった。すなわち、この場合には、良好な出力特性の低下を得ることができないことが判明した。

上記の結果は、以下の理由によると考えられる。すなわち、実施例３−１、４−１および５−１では、受光面電極を構成するＺｎＯ層とＩＴＯ層との膜厚比が０．３〜１．０であり、この場合には、ＩＴＯ層に比べてプラズマ耐性の高いＺｎＯ層の膜厚が３７．５ｎｍ以下（２４．２ｎｍ以上）になる。このように、プラズマ耐性の高いＺｎＯ層の膜厚が小さいので、プラズマによる影響がＺｎＯ層を介してＩＴＯ層に及ぶことにより、ＩＴＯ層のシート抵抗が増大したと考えられる。このため、抵抗損失が増大するので、良好な出力特性が得られなかったと考えられる。

また、図７から、実施例１−１〜１−３（受光面電極の総膜厚：５０ｎｍ、ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚：４．０〜４９．０）では、規格化出力Ｐｍａｘが０．７０以下（実施例１−１：０．６１、実施例１−２：０．６５、実施例１−３：０．７０）になることがわかる。また、実施例２−１〜２−３（受光面電極の総膜厚：７０ｎｍ、ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚＝５．０〜４９．０）では、規格化出力Ｐｍａｘが０．８１以下（実施例２−１：０．６９、実施例２−２：０．８１、実施例２−３：０．７５）になることがわかる。上記の結果から、受光面電極の総膜厚が７０ｎｍ以下の場合（実施例１−１〜１−３および２−１〜２−３）には、光起電力装置の規格化出力Ｐｍａｘが０．９以上にならないので、良好な出力特性が得られないことがわかった。

これは、以下の理由によると考えられる。すなわち、実施例１−１〜１−３では、ＩＴＯ層の膜厚（実施例１−１：１０ｎｍ、実施例１−２：５ｎｍ、実施例１−３：１ｎｍ）が小さいとともに、受光面電極のＺｎＯ層の膜厚（実施例１−１：４０ｎｍ、実施例１−２：４５ｎｍ、実施例１−３：４９ｎｍ）が６５ｎｍよりも小さい。これにより、実施例１−１〜１−３では、ＩＴＯ層の膜厚が小さいことに起因してＩＴＯ層は大きなシート抵抗を有しているとともに、ＺｎＯ層が６５ｎｍよりも小さいことに起因してプラズマの影響によりＩＴＯ層のシート抵抗が増大される。その結果、抵抗損失が増大するので、良好な出力特性が得られなかったと考えられる。

また、実施例２−１の場合も、ＺｎＯ層の膜厚が５９．３ｎｍであるとともに、ＩＴＯ層の膜厚が１１．７ｎｍであるので、上記した実施例１−１〜１−３と同様の理由により、良好な出力特性が得られなかったと考えられる。また、実施例２−２および２−３では、ＺｎＯ層の膜厚（実施例２−２：６７．７、実施例２−３：６８．６）は６５ｎｍよりも若干大きくなる一方、ＩＴＯ層の膜厚（実施例２−２：２．３ｎｍ、実施例２−３：１．４ｎｍ）は小さくなる。これにより、ＺｎＯ層によってプラズマによるＩＴＯ層のシート抵抗の増大をある程度抑制できる一方、ＩＴＯ層の元々のシート抵抗が大きいので、良好な出力特性が得られなかったと考えられる。

次に、上記の出力特性試験において、最も規格化出力Ｐｍａｘが大きかった実施例３−２による光起電力装置（受光面電極の総膜厚：７５ｎｍ、ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚＝６．５）について、プラズマによるエッチング時間を変化させて光起電力装置を作製するとともに、その作製した光起電力装置のフィルファクタ（Ｆ．Ｆ．）を測定した。ここで、フィルファクタ（Ｆ．Ｆ．）は、セル出力を開放電圧と短絡電流との積で除した値であり、このフィルファクタ（Ｆ．Ｆ．）の値が１に近づくほど、光起電力装置の出力特性が優れているといえる。また、セル出力とは、光起電力装置に負荷抵抗を接続したときに、負荷抵抗を変化させて最大の電力が得られる場合の電圧および電流の積である。また、開放電圧は、光起電力装置に光を当てた際に発生する電圧を、受光面電極と背面電極との間に電圧計を接続して測定した電圧であり、電流を流さない状態での出力電圧値である。また、短絡電流は、光起電力装置に光を当てた際に流れる電流を、光起電力装置の受光面電極と背面電極との間に電流計を接続して測定した電流であり、負荷がない場合の出力電流値である。なお、この測定では、各エッチング時間について４つの試料を作製して、フィルファクタ（Ｆ．Ｆ．）を測定した。また、基準試料として、プラズマによるエッチングを行うことなく作製した光起電力素子（セル）単体からなる光起電力装置についても、フィルファクタ（Ｆ．Ｆ．）を測定した。フィルファクタ（Ｆ．Ｆ．）が、基準試料のフィルファクタ（Ｆ．Ｆ．）の値よりも大きい場合には、良好な出力特性を有していると判断することができる。図８には、上記のように測定した各試料についての測定結果が示されている。

図８を参照して、エッチング時間が１．０分、２．０分および３．０分の全ての試料のフィルファクタ（Ｆ．Ｆ．）は、基準試料のフィルファクタ（Ｆ．Ｆ.＝約０．６）よりも大きい値を示すことがわかる。すなわち、１．０分〜３．０分のエッチング時間によるプラズマエッチングを行った場合にも、実施例３−２による光起電力装置（受光面電極の総膜厚：７５ｎｍ、ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚＝６．５）では、良好な出力特性を保持できることが判明した。なお、光電変換層をプラズマエッチングする際に必要な時間は、１分程度であるため、実施例３−２による受光面電極（受光面電極の総膜厚：７５ｎｍ、ＺｎＯ層の膜厚／ＩＴＯ層の膜厚：６．５）をマスクとして用いた場合には、プラズマエッチングによって出力特性の低下はほとんど生じないことがわかった。

（第２実施形態）
図９〜図１２は、本発明の第２実施形態による光起電力装置の製造プロセスを説明するための図面である。次に、図９〜図１２を参照して、本発明の第２実施形態による光起電力装置の製造プロセスについて説明する。この第２実施形態による光起電力装置の製造プロセスでは、プラズマエッチングを用いて、光電変換層の分離と同時にテラス部を形成する場合について説明する。

第２実施形態による光起電力装置の製造プロセスでは、図９に示すように、ステンレス（ＳＵＳ）からなる基板１上に、絶縁層２および背面電極層３（図３参照）を形成した後、約１０６４ｎｍの波長を有するＱ−スイッチ付きＹＡＧレーザビーム（基本波）を照射することにより、開口部３ｃを形成する。これにより、開口部３ｃによって分離された背面電極３ａおよび３ｂが形成される。この際、背面電極層３（図３参照）のみにレーザビームを照射して開口部３ｃを形成するので、開口部３ｃを形成する際に、上記第１実施形態で用いたＹＡＧレーザビームよりも小さいパワーのレーザビームを照射する。

次に、図１０に示すように、開口部３ｃを埋め込むとともに、背面電極３ａおよび３ｂ上を覆うように、光電変換層４を形成した後、光電変換層４上にＩＴＯ層５ｅおよびＺｎＯ層５ｄを順次積層することにより、受光面電極層５を形成する。

次に、図１１に示すように、受光面電極層５に約３５５ｎｍの波長を有するＱ−スイッチ付きＹＡＧレーザ光の第３高調波（発振周波数：１０ｋＨｚ）を照射することにより、開口部５ｃを形成する。これにより、開口部５ｃによって分離された受光面電極５ａおよび５ｂを形成する。

次に、第２実施形態では、図１２に示すように、受光面電極５ａおよび５ｂをマスクとして、ＣＦ_４：Ｏ_２＝約９５％：約５％のガス組成を有するプラズマを用いて光電変換層４をドライエッチングする。これにより、開口部５ｃに対応する開口部４ｃを形成することによって、光電変換層４ａおよび４ｂを形成すると同時に、背面電極３ｂの上面の開口部５ｃに対応する領域を露出させてテラス部３ｄを形成する。

この後、上記第１実施形態と同様のプロセスにより、絶縁層６と、受光面側電極部７ａおよびテラス側電極部７ｂを有する接続電極７とを形成することによって、第２実施形態による光起電力装置を作製する。なお、第２実施形態による光起電力装置の上記以外の製造プロセスは、上記第１実施形態による製造プロセスと同様である。

第２実施形態では、上記のように、光電変換層４をプラズマを用いてエッチングすることにより、光電変換層４に開口部４ｃを形成すると同時に、背面電極３ｂにテラス部３ｄを形成することによって、１回のエッチング工程で開口部４ｃおよびテラス部３ｄを同時に形成することができるので、テラス部３ｄを開口部４ｃとは別の工程で形成する場合に比べて、テラス部３ｄの製造プロセスを簡略化することができる。

また、第２実施形態では、背面電極３ａおよび３ｂを形成する工程を、光電変換層４を形成する工程に先立って行うことによって、背面電極３ａおよび３ｂを分離するための開口部３ｃを形成する際に、背面電極層３のみにレーザビームを照射して開口部３ｃを形成すればよいので、１回のレーザビームを照射する工程で光電変換層４および背面電極層３の各々に開口部４ｃおよび３ｃを形成する場合に比べて、小さいパワーのレーザビームを照射して開口部３ｃを形成することができる。これにより、１回のレーザビームを照射する工程で光電変換層４および背面電極層３の各々に開口部４ｃおよび３ｃを形成する場合に比べて、レーザビームから背面電極３ａおよび３ｂと基板１とに与えられる熱を低減することができる。その結果、レーザビームの熱により、背面電極３ａおよび３ｂにクラックが発生したり、背面電極３ａおよび３ｂが基板１から剥離するのを抑制することができる。

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。

たとえば、上記実施形態では、ＩＴＯ層およびＺｎＯ層を積層して受光面電極を形成したが、本発明はこれに限らず、Ｓｎ_２Ｏ層およびＺｎＯ層を積層して受光面電極を形成してもよい。この場合にも、ＩＴＯ層およびＺｎＯ層を積層して受光面電極を形成した上記実施形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、ＳｎＯ_２層を介してＺｎＯ層を微結晶シリコン半導体からなる光電変換層に接続することによって、受光面電極と光電変換層との間で良好なオーミック接触を得ることができる。

本発明の第１実施形態による光起電力装置の構成を示した断面図である。 図１に示した第１実施形態による光起電力装置の平面レイアウトと断面構造との対応関係を示した図である。 本発明の第１実施形態による光起電力装置の製造プロセスを説明するための断面図である。 本発明の第１実施形態による光起電力装置の製造プロセスを説明するための断面図である。 本発明の第１実施形態による光起電力装置の製造プロセスを説明するための断面図である。 本発明の第１実施形態による光起電力装置の製造プロセスを説明するための断面図である。 受光面電極の構成と規格化出力Ｐｍａｘとの関係を示した相関図である。 光電変換層にプラズマエッチングを行った時間（エッチング時間）とＦ.Ｆ.（フィルファクタ）との関係を示した相関図である。 本発明の第２実施形態による光起電力装置の製造プロセスを説明するための断面図である。 本発明の第２実施形態による光起電力装置の製造プロセスを説明するための断面図である。 本発明の第２実施形態による光起電力装置の製造プロセスを説明するための断面図である。 本発明の第２実施形態による光起電力装置の製造プロセスを説明するための断面図である。 従来の一例による光起電力装置の構成を示した断面図である。 従来の一例による光起電力装置の製造プロセスを説明するための断面図である。 従来の一例による光起電力装置の製造プロセスを説明するための断面図である。 従来の一例による光起電力装置の製造プロセスを説明するための断面図である。 従来の一例による光起電力装置の製造プロセスを説明するための断面図である。

符号の説明

１ 基板
３ 背面電極層（下部電極）
３ａ 背面電極（第２下部電極）
３ｂ 背面電極（第１下部電極）
３ｃ 開口部（第２開口部）
３ｄ テラス部
４、４ａ、４ｂ 光電変換層
５ 受光面電極層（上部電極）
５ａ 受光面電極（第２上部電極）
５ｂ 受光面電極（第１上部電極）
５ｃ 開口部（第１開口部）
７ 接続電極（導電性部材）

Claims (6)

1. 基板上に下部電極、光電変換層および上部電極を順次形成する工程と、
   前記上部電極にレーザビームを照射することにより前記上部電極に第１開口部を形成することによって、前記第１開口部により分離された第１上部電極と第２上部電極とを形成する工程と、
   前記下部電極にレーザビームを照射することにより前記下部電極に第２開口部を形成することによって、前記第２開口部により分離された前記第１上部電極に対応する第１下部電極と前記第２上部電極に対応する第２下部電極とを形成する工程と、
   前記第１上部電極および前記第２上部電極をマスクとして前記光電変換層をエッチングすることにより、前記第１下部電極の上面の前記第１開口部に対応する領域を露出させてテラス部を形成する工程と、
   前記第２上部電極と前記第１下部電極のテラス部とに接触する導電性部材を形成する工程とを備えた、光起電力装置の製造方法。
2. 前記第１上部電極および前記第２上部電極を形成する工程は、
   複数の層を有するとともに、最表面にＺｎＯ層を有する前記第１上部電極および前記第２上部電極を形成する工程を含む、請求項１に記載の光起電力装の製造方法。
3. 前記第１上部電極および前記第２上部電極を形成する工程は、
   ＩＴＯ層からなる下層および前記ＺｎＯ層からなる上層の積層構造と、ＳｎＯ_２層からなる下層および前記ＺｎＯ層からなる上層の積層構造とのいずれか一方を有する前記第１上部電極および前記第２上部電極を形成する工程を含む、請求項２に記載の光起電力装置の製造方法。
4. 前記第１上部電極の総膜厚および前記第２上部電極の総膜厚は、７５ｎｍ以上１０５ｎｍ以下であり、
   前記ＺｎＯ層の膜厚は、６５ｎｍ以上である、請求項２または３に記載の光起電力装置の製造方法。
5. 前記光電変換層にレーザビームを照射することにより前記光電変換層に第３開口部を形成することによって、前記第１上部電極および前記第１下部電極に対応する第１光電変換層と、前記第２上部電極および前記第２下部電極に対応する第２光電変換層とを形成する工程をさらに備え、
   前記第１下部電極と前記第２下部電極とを形成する工程は、前記第１光電変換層および前記第２光電変換層の形成後、連続して前記下部電極にレーザビームを照射することにより前記下部電極に前記第２開口部を形成することによって、前記第１下部電極と前記第２下部電極とを形成する工程を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光起電力装置の製造方法。
6. 前記第１下部電極と第２下部電極とを形成する工程は、前記光電変換層を形成する工程に先立って行われ、
   前記光電変換層をエッチングすることによりテラス部を形成する工程は、前記第１上部電極および前記第２上部電極をマスクとして前記光電変換層をエッチングすることにより、前記光電変換層に第３開口部を形成することによって、前記第１上部電極および前記第１下部電極に対応する第１光電変換層と、前記第２上部電極および前記第２下部電極に対応する第２光電変換層とを形成するとともに、前記テラス部を形成する工程を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光起電力装置の製造方法。

Images