JPH08111572A - 多層配線およびその製造方法 - Google Patents
多層配線およびその製造方法Info
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- JPH08111572A JPH08111572A JP6246071A JP24607194A JPH08111572A JP H08111572 A JPH08111572 A JP H08111572A JP 6246071 A JP6246071 A JP 6246071A JP 24607194 A JP24607194 A JP 24607194A JP H08111572 A JPH08111572 A JP H08111572A
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 下層配線の構成金属にAlもしくはAl合金
を用い、上層配線となる酸化物が導電性である第2の金
属5と透明導電膜4との安定した低接触抵抗が得られ、
表示装置や太陽電池などの、透明導電膜を配線材料や電
極とした素子に利用できる多層配線およびその製造方法
を提供する。 【構成】 下層配線の構成金属2に表面酸化のしやすい
AlもしくはAl合金からなる低抵抗材料を用いても、
上層配線となる透明導電膜4との安定した低接触抵抗が
得られる多層配線を得るため、金属配線を構成するAl
系金属からなる第1の金属2と、In−Sn等の酸化物
が導電性である金属からなる前記第1の金属2上の第2
の金属5と、前記第2の金属5上で前記金属配線と配線
されたITO等の透明導電膜4とを有する。
を用い、上層配線となる酸化物が導電性である第2の金
属5と透明導電膜4との安定した低接触抵抗が得られ、
表示装置や太陽電池などの、透明導電膜を配線材料や電
極とした素子に利用できる多層配線およびその製造方法
を提供する。 【構成】 下層配線の構成金属2に表面酸化のしやすい
AlもしくはAl合金からなる低抵抗材料を用いても、
上層配線となる透明導電膜4との安定した低接触抵抗が
得られる多層配線を得るため、金属配線を構成するAl
系金属からなる第1の金属2と、In−Sn等の酸化物
が導電性である金属からなる前記第1の金属2上の第2
の金属5と、前記第2の金属5上で前記金属配線と配線
されたITO等の透明導電膜4とを有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、多層配線およびその製
造方法に関する。さらに詳しくは情報処理端末や映像機
器に用いられる表示装置や光・エネルギー変換装置であ
る太陽電池などに用いられる、透明導電膜を配線材料や
電極とした素子に利用できる多層配線およびその製造方
法に関するものである。
造方法に関する。さらに詳しくは情報処理端末や映像機
器に用いられる表示装置や光・エネルギー変換装置であ
る太陽電池などに用いられる、透明導電膜を配線材料や
電極とした素子に利用できる多層配線およびその製造方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、高度情報化社会の発達によりマン
-マシンインターフェイスである表示素子の小型化、軽
量化、低消費電力化、高解像度化等や、環境問題に対す
るクリーンなエネルギーとしての太陽電池の高効率化等
の、性能向上のための研究開発がさかんに行われてい
る。
-マシンインターフェイスである表示素子の小型化、軽
量化、低消費電力化、高解像度化等や、環境問題に対す
るクリーンなエネルギーとしての太陽電池の高効率化等
の、性能向上のための研究開発がさかんに行われてい
る。
【0003】これら光を利用する電気素子において、光
の制御および利用に関する電極として透明導電膜が用い
られている。しかしながら透明導電膜は一般に金属に比
べ比抵抗が高く、素子の配線をすべて透明導電膜で形成
することは困難である。そしてさらなる素子の性能向上
のため、配線抵抗低減の観点からアルミニウム(Al)
もしくはAl合金を用いた金属配線が必要とされ、ま
た、製造における高歩留まり化の観点から配線間のショ
ート発生率を低減させるため各配線を別々の層で形成す
る必要がある。よって、AlもしくはAl合金からなる
金属配線と透明導電膜との多層配線が検討されている。
の制御および利用に関する電極として透明導電膜が用い
られている。しかしながら透明導電膜は一般に金属に比
べ比抵抗が高く、素子の配線をすべて透明導電膜で形成
することは困難である。そしてさらなる素子の性能向上
のため、配線抵抗低減の観点からアルミニウム(Al)
もしくはAl合金を用いた金属配線が必要とされ、ま
た、製造における高歩留まり化の観点から配線間のショ
ート発生率を低減させるため各配線を別々の層で形成す
る必要がある。よって、AlもしくはAl合金からなる
金属配線と透明導電膜との多層配線が検討されている。
【0004】以下、図面を参照しながらAlもしくはA
l合金からなる配線と透明導電膜との従来の多層配線お
よびその製造方法について説明する。図3(a),(b),
(c),(d),(e),(f)は、従来の多層配線およびその
製造方法を示した構造断面図である。
l合金からなる配線と透明導電膜との従来の多層配線お
よびその製造方法について説明する。図3(a),(b),
(c),(d),(e),(f)は、従来の多層配線およびその
製造方法を示した構造断面図である。
【0005】図3(a),(b),(c),(d),(e),(f)
において、1は素子の基板、2はAlからなる第1の金
属、2aは層間の絶縁膜3の開口部3aにより露呈した
第1の金属の露呈部、4は上層の配線となる透明導電膜
である。
において、1は素子の基板、2はAlからなる第1の金
属、2aは層間の絶縁膜3の開口部3aにより露呈した
第1の金属の露呈部、4は上層の配線となる透明導電膜
である。
【0006】まず、ガラスからなる基板1上全面にAl
からなる第1の金属2を厚さ3000〜10000オン
グストロームに、真空蒸着法、スパッタリング法等によ
り成膜する(図3(a))。次に、前記第1の金属2を下
層の配線パターンにエッチング加工する(図3(b))。
次に、全面に多層配線の層間絶縁となる絶縁膜3を厚さ
2000〜5000オングストロームに、スパッタリン
グ法、プラズマCVD法等により成膜する(図3
(c))。さらに、前記第1の金属2上に前記絶縁膜3の
開口部3aを形成することにより、第1の金属の露呈部
2aを形成する(図3(d))。次に、全面にインジウム
錫酸化物からなる透明導電膜4を厚さ200〜2000
オングストロームに、スパッタリング法、真空蒸着法等
により成膜する(図3(e))。次に、前記透明導電膜4
を上層の配線パターンにエッチング加工し、多層配線を
形成する(図3(f))(例えば、特開平1―25582
9号公報参照)。
からなる第1の金属2を厚さ3000〜10000オン
グストロームに、真空蒸着法、スパッタリング法等によ
り成膜する(図3(a))。次に、前記第1の金属2を下
層の配線パターンにエッチング加工する(図3(b))。
次に、全面に多層配線の層間絶縁となる絶縁膜3を厚さ
2000〜5000オングストロームに、スパッタリン
グ法、プラズマCVD法等により成膜する(図3
(c))。さらに、前記第1の金属2上に前記絶縁膜3の
開口部3aを形成することにより、第1の金属の露呈部
2aを形成する(図3(d))。次に、全面にインジウム
錫酸化物からなる透明導電膜4を厚さ200〜2000
オングストロームに、スパッタリング法、真空蒸着法等
により成膜する(図3(e))。次に、前記透明導電膜4
を上層の配線パターンにエッチング加工し、多層配線を
形成する(図3(f))(例えば、特開平1―25582
9号公報参照)。
【0007】以上のように、Alからなる第1の金属2
により下層の配線を形成することにより配線抵抗の低減
をはかり、絶縁膜3を層間絶縁とした多層構造を用いて
透明導電膜4と前記第1の金属2とを配線することによ
り配線間のショート発生率の低減をはかった多層配線が
形成される。
により下層の配線を形成することにより配線抵抗の低減
をはかり、絶縁膜3を層間絶縁とした多層構造を用いて
透明導電膜4と前記第1の金属2とを配線することによ
り配線間のショート発生率の低減をはかった多層配線が
形成される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな方法では、第1の金属2がAlであるため絶縁膜3
の開口部3aを形成後第1の金属の露呈部2aにAlの
酸化膜が容易に形成され、透明導電膜4と第1の金属2
との接触抵抗が増大しやすいという問題を有していた。
うな方法では、第1の金属2がAlであるため絶縁膜3
の開口部3aを形成後第1の金属の露呈部2aにAlの
酸化膜が容易に形成され、透明導電膜4と第1の金属2
との接触抵抗が増大しやすいという問題を有していた。
【0009】本発明は上記問題点に鑑み、下層配線の構
成金属にAlもしくはAl合金を用いつつ、上層配線と
なる透明導電膜と下層配線との安定した低接触抵抗が得
られる多層配線およびその製造方法を提供するものであ
る。
成金属にAlもしくはAl合金を用いつつ、上層配線と
なる透明導電膜と下層配線との安定した低接触抵抗が得
られる多層配線およびその製造方法を提供するものであ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の多層配線は、金属配線上に透明導電膜を配線
した多層配線であって、前記金属配線を構成する第1の
金属と、酸化物が導電性であって前記第1の金属上の第
2の金属と、前記第2の金属上で前記金属配線と配線さ
れた前記透明導電膜とを有することを特徴とする。
に本発明の多層配線は、金属配線上に透明導電膜を配線
した多層配線であって、前記金属配線を構成する第1の
金属と、酸化物が導電性であって前記第1の金属上の第
2の金属と、前記第2の金属上で前記金属配線と配線さ
れた前記透明導電膜とを有することを特徴とする。
【0011】また前記構成の多層配線において,第1の
金属がアルミニウムもしくはアルミニウム合金であり、
透明導電膜がインジウム酸化物もしくは錫酸化物もしく
はインジウム錫酸化物であることが好ましい。
金属がアルミニウムもしくはアルミニウム合金であり、
透明導電膜がインジウム酸化物もしくは錫酸化物もしく
はインジウム錫酸化物であることが好ましい。
【0012】また前記構成の多層配線において,前記第
1の金属上の第2の金属がインジウムまたは錫またはカ
ドミウムまたはこれらの合金であることが好ましい。
1の金属上の第2の金属がインジウムまたは錫またはカ
ドミウムまたはこれらの合金であることが好ましい。
【0013】本発明の多層配線の製造方法は、基板上に
第1の金属と酸化物が導電性である第2の金属とを連続
成膜により形成する工程と、前記第1の金属と前記第2
の金属とをパターニングし下層の金属配線を形成する工
程と、全面に絶縁膜を形成後前記金属配線上の前記絶縁
膜に開口部を形成する工程と、前記開口部を通じ前記第
2の金属の表面を酸素を含む雰囲気に露呈する工程と、
全面に透明導電膜を成膜後エッチング加工し前記開口部
を通じて前記金属配線と配線した上層の配線を形成する
工程とを有することを特徴とする。
第1の金属と酸化物が導電性である第2の金属とを連続
成膜により形成する工程と、前記第1の金属と前記第2
の金属とをパターニングし下層の金属配線を形成する工
程と、全面に絶縁膜を形成後前記金属配線上の前記絶縁
膜に開口部を形成する工程と、前記開口部を通じ前記第
2の金属の表面を酸素を含む雰囲気に露呈する工程と、
全面に透明導電膜を成膜後エッチング加工し前記開口部
を通じて前記金属配線と配線した上層の配線を形成する
工程とを有することを特徴とする。
【0014】また前記製造方法において、前記第1の金
属がアルミニウムもしくはアルミニウム合金であり、透
明導電膜がインジウム酸化物もしくは錫酸化物もしくは
インジウム錫酸化物であることが好ましい。
属がアルミニウムもしくはアルミニウム合金であり、透
明導電膜がインジウム酸化物もしくは錫酸化物もしくは
インジウム錫酸化物であることが好ましい。
【0015】また前記製造方法において、前記第1の金
属上の第2の金属がインジウムまたはスズまたはカドミ
ウムまたはこれらの合金であることが好ましい。また前
記製造方法において、酸素を含む雰囲気が大気または酸
素プラズマ雰囲気であることが好ましい。
属上の第2の金属がインジウムまたはスズまたはカドミ
ウムまたはこれらの合金であることが好ましい。また前
記製造方法において、酸素を含む雰囲気が大気または酸
素プラズマ雰囲気であることが好ましい。
【0016】
【作用】本発明の多層配線は、前記金属配線を構成する
第1の金属と、酸化物が導電性であって前記第1の金属
上の第2の金属と、前記第2の金属上で前記金属配線と
配線された前記透明導電膜とを有するので、第1の金属
と第2の金属との層間には酸化物等の接触抵抗を増大す
る層間物は形成されず、また透明導電膜と第2の金属と
の層間には導電性である第2の金属の酸化物が形成され
ているので、配線間の接触抵抗が低く、かつショート発
生率の低い多層配線が得られる。
第1の金属と、酸化物が導電性であって前記第1の金属
上の第2の金属と、前記第2の金属上で前記金属配線と
配線された前記透明導電膜とを有するので、第1の金属
と第2の金属との層間には酸化物等の接触抵抗を増大す
る層間物は形成されず、また透明導電膜と第2の金属と
の層間には導電性である第2の金属の酸化物が形成され
ているので、配線間の接触抵抗が低く、かつショート発
生率の低い多層配線が得られる。
【0017】また本発明の多層配線の構成おいて、前記
第1の金属がアルミニウムもしくはアルミニウム合金で
あり、透明導電膜がインジウム酸化物もしくは錫酸化物
もしくはインジウム錫酸化物であるので、低抵抗の第1
の金属により透明電極が配線された多層配線が得られ、
透明電極への電気信号の遅延がなくなる。
第1の金属がアルミニウムもしくはアルミニウム合金で
あり、透明導電膜がインジウム酸化物もしくは錫酸化物
もしくはインジウム錫酸化物であるので、低抵抗の第1
の金属により透明電極が配線された多層配線が得られ、
透明電極への電気信号の遅延がなくなる。
【0018】また前記多層配線の構成おいて、第2の金
属がインジウムまたはスズまたはカドミウムまたはこれ
らの合金であるので、透明電極膜成膜時に第2の金属の
表面が酸化しても導電性を有するため低接触抵抗で第1
の金属と透明電極とを接続した多層配線が得られる。
属がインジウムまたはスズまたはカドミウムまたはこれ
らの合金であるので、透明電極膜成膜時に第2の金属の
表面が酸化しても導電性を有するため低接触抵抗で第1
の金属と透明電極とを接続した多層配線が得られる。
【0019】本発明の多層配線の製造方法は、基板上に
第1の金属と酸化物が導電性である第2の金属とを連続
成膜により形成する工程と、前記第1の金属と前記第2
の金属とをパターニングし下層の金属配線を形成する工
程と、全面に絶縁膜を形成後前記金属配線上の前記絶縁
膜に開口部を形成する工程と、前記開口部を通じ前記第
2の金属の表面を酸素を含む雰囲気に露呈する工程と、
全面に透明導電膜を成膜後エッチング加工し前記開口部
を通じて前記金属配線と配線した上層の配線を形成する
工程とを有することを特徴とする。これにより層間には
酸化物等の接触抵抗を増大させる層間物を形成させるこ
とがなく、透明導電膜と第2の金属との層間には導電性
である第2の金属の酸化物が形成され、配線間の接触抵
抗が低く、かつショート発生率の低い多層配線が得られ
る。
第1の金属と酸化物が導電性である第2の金属とを連続
成膜により形成する工程と、前記第1の金属と前記第2
の金属とをパターニングし下層の金属配線を形成する工
程と、全面に絶縁膜を形成後前記金属配線上の前記絶縁
膜に開口部を形成する工程と、前記開口部を通じ前記第
2の金属の表面を酸素を含む雰囲気に露呈する工程と、
全面に透明導電膜を成膜後エッチング加工し前記開口部
を通じて前記金属配線と配線した上層の配線を形成する
工程とを有することを特徴とする。これにより層間には
酸化物等の接触抵抗を増大させる層間物を形成させるこ
とがなく、透明導電膜と第2の金属との層間には導電性
である第2の金属の酸化物が形成され、配線間の接触抵
抗が低く、かつショート発生率の低い多層配線が得られ
る。
【0020】また前記構成の方法において、第1の金属
がアルミニウムもしくはアルミニウム合金であり、透明
導電膜がインジュウム酸化物もしくは錫酸化物もしくは
インジウム錫酸化物であるので、低抵抗な第1の金属に
より配線された透明導電膜を有する多層配線を製造する
ことができる。
がアルミニウムもしくはアルミニウム合金であり、透明
導電膜がインジュウム酸化物もしくは錫酸化物もしくは
インジウム錫酸化物であるので、低抵抗な第1の金属に
より配線された透明導電膜を有する多層配線を製造する
ことができる。
【0021】また前記製造方法の構成において、第2の
金属がインジウムまたはスズまたはカドミウムまたはこ
れらの合金であるので、配線間のショート発生率の低
い、低接触抵抗で第1の金属と透明導電膜とを接続した
多層配線を低コストで製造することができる。
金属がインジウムまたはスズまたはカドミウムまたはこ
れらの合金であるので、配線間のショート発生率の低
い、低接触抵抗で第1の金属と透明導電膜とを接続した
多層配線を低コストで製造することができる。
【0022】また前記製造方法の構成において、酸素を
含む雰囲気が大気または酸素プラズマ雰囲気であるの
で、導電性である第2の金属の酸化物の形成が容易で、
透明導電膜との接触抵抗を低くすることができる。
含む雰囲気が大気または酸素プラズマ雰囲気であるの
で、導電性である第2の金属の酸化物の形成が容易で、
透明導電膜との接触抵抗を低くすることができる。
【0023】上記したように本発明に係る多層配線の構
造および方法によって、第1の金属と第2の金属との層
間には酸化物等の接触抵抗を増大する層間物は形成され
ず、また透明導電膜と第2の金属との層間には導電性で
ある第2の金属の酸化物が形成された多層配線が得られ
る。
造および方法によって、第1の金属と第2の金属との層
間には酸化物等の接触抵抗を増大する層間物は形成され
ず、また透明導電膜と第2の金属との層間には導電性で
ある第2の金属の酸化物が形成された多層配線が得られ
る。
【0024】
【実施例】以下、本発明の一実施例としての多層配線お
よびその製造方法について、図面を参照しながら説明す
る。
よびその製造方法について、図面を参照しながら説明す
る。
【0025】図1および図2(a),(b),(c),(d),
(e)は、本発明の一実施例としての多層配線およびその
製造方法の、それぞれ構造および工程を示した構造断面
図である。
(e)は、本発明の一実施例としての多層配線およびその
製造方法の、それぞれ構造および工程を示した構造断面
図である。
【0026】図1および図2(a),(b),(c),(d),
(e)において、5は第1の金属2上に形成され酸化物が
導電性であるInSn合金からなる第2の金属、5aは
層間の絶縁膜3の開口部3aにより露呈した第2の金属
の露呈部であり、その他の構成は従来例として図3
(a),(b),(c),(d),(e),(f)に示した多層配線
およびその製造方法と同じであるため、同一構成部分に
は同一番号を付して詳細な説明を省略する。
(e)において、5は第1の金属2上に形成され酸化物が
導電性であるInSn合金からなる第2の金属、5aは
層間の絶縁膜3の開口部3aにより露呈した第2の金属
の露呈部であり、その他の構成は従来例として図3
(a),(b),(c),(d),(e),(f)に示した多層配線
およびその製造方法と同じであるため、同一構成部分に
は同一番号を付して詳細な説明を省略する。
【0027】まず、従来と同様にして、ガラスからなる
基板1上全面にAlからなる第1の金属2を、従来例と
同様に成膜し、ついで連続してInSn合金からなる第
2の金属5を、厚さ100〜1000オングストローム
に、真空蒸着法、スパッタリング法等により成膜する
(図2(a))。次に、前記第1の金属2と第2の金属5
とを下層の配線パターンに基づいて従来例と同様にエッ
チング加工する(図2(b))。
基板1上全面にAlからなる第1の金属2を、従来例と
同様に成膜し、ついで連続してInSn合金からなる第
2の金属5を、厚さ100〜1000オングストローム
に、真空蒸着法、スパッタリング法等により成膜する
(図2(a))。次に、前記第1の金属2と第2の金属5
とを下層の配線パターンに基づいて従来例と同様にエッ
チング加工する(図2(b))。
【0028】次に、全面に多層配線の層間絶縁となる絶
縁膜3を従来例と同様に、厚さ2000〜5000オン
グストロームに、スパッタリング法、プラズマCVD法
等により成膜する(図2(c))。
縁膜3を従来例と同様に、厚さ2000〜5000オン
グストロームに、スパッタリング法、プラズマCVD法
等により成膜する(図2(c))。
【0029】さらに、前記第2の金属5上に前記絶縁膜
3の開口部3aを、従来例と同様にフッ素(F)系ガス
を使ったドライエッチング等によりエッチング加工し
て、形成する。そして、ドライエッチング装置から取り
出し、第2の金属の露呈部5aを大気に露呈する(図2
(d))。ここで第2の金属の露呈部5aの表面には導電
性の自然酸化膜が形成される。
3の開口部3aを、従来例と同様にフッ素(F)系ガス
を使ったドライエッチング等によりエッチング加工し
て、形成する。そして、ドライエッチング装置から取り
出し、第2の金属の露呈部5aを大気に露呈する(図2
(d))。ここで第2の金属の露呈部5aの表面には導電
性の自然酸化膜が形成される。
【0030】次に、従来例と同様にして、全面にインジ
ウム錫酸化物からなる透明導電膜4を、上記と同様に、
厚さ200〜2000オングストロームに、スパッタリ
ング法、真空蒸着法等により成膜する(図2(e))。次
に、前記透明導電膜4にレジストを塗布しレジストパタ
ーンにより上層の配線パターンを形成し、ウエットエッ
チング法等によりエッチング液にヨウ化水素(HI)水
溶液等を用いてエッチング加工して多層配線を形成する
(図1)。
ウム錫酸化物からなる透明導電膜4を、上記と同様に、
厚さ200〜2000オングストロームに、スパッタリ
ング法、真空蒸着法等により成膜する(図2(e))。次
に、前記透明導電膜4にレジストを塗布しレジストパタ
ーンにより上層の配線パターンを形成し、ウエットエッ
チング法等によりエッチング液にヨウ化水素(HI)水
溶液等を用いてエッチング加工して多層配線を形成する
(図1)。
【0031】以上のように図1および図2(a),(b),
(c),(d),(e)に示す実施例によれば、In−Sn合
金からなる第2の金属5をAlからなる第1の金属2上
に連続成膜で形成し、第2の金属5を通じて上層の配線
パターンであるインジウム錫酸化物からなる透明導電膜
4と下層の配線パターンとの多層配線を形成することに
より、第1の金属2と第2の金属5との接触抵抗が無視
でき、また第2の金属の露呈部5aで形成される第2の
金属の酸化物が導電性であるため、透明導電膜4と第2
の金属5との接触抵抗も低くできる多層配線を得ること
が可能となる。
(c),(d),(e)に示す実施例によれば、In−Sn合
金からなる第2の金属5をAlからなる第1の金属2上
に連続成膜で形成し、第2の金属5を通じて上層の配線
パターンであるインジウム錫酸化物からなる透明導電膜
4と下層の配線パターンとの多層配線を形成することに
より、第1の金属2と第2の金属5との接触抵抗が無視
でき、また第2の金属の露呈部5aで形成される第2の
金属の酸化物が導電性であるため、透明導電膜4と第2
の金属5との接触抵抗も低くできる多層配線を得ること
が可能となる。
【0032】なお、以上の実施例では、第1の金属2を
Alとしたが第1の金属2はAlに準じる低抵抗材料で
あればよく、例えばAl合金としてAl−SiまたはA
l−Si−CuまたはAl−TiまたはAl−Taまた
はAl−Zrなどでもよい。また、第2の金属5をIn
−Sn合金としたが第2の金属5は酸化物が導電性であ
る金属であればよく、例えばInまたはSnまたはCd
またはこれらの合金などでもよい。さらに透明導電膜4
をインジウム錫酸化物としたが透明導電膜4は透明膜で
あり導電性を有するものであればよく、例えばインジウ
ム酸化物もしくは錫酸化物などでもよい。また、第2の
金属の露呈部5aを大気に露呈したが第2の金属の露呈
部5aの露呈は酸素を含む雰囲気であればよく、例えば
透明導電膜4を成膜する際の酸素を含むプラズマ雰囲気
などでもよい。さらに、第1の金属2上全面に第2の金
属5を残した多層配線を形成したが、第2の金属5は第
1の金属2と透明導電膜4との接合部に少なくとも存在
すればよく、例えば接合部以外において第2の金属5を
エッチング除去した多層配線であってもよい。さらに本
発明は上記実施例に限られない。例えば、成膜法とし
て、イオンプレーテイング法等であってもよい。また透
明導電膜の形成を所定の形状にマスクして形成してもよ
い。
Alとしたが第1の金属2はAlに準じる低抵抗材料で
あればよく、例えばAl合金としてAl−SiまたはA
l−Si−CuまたはAl−TiまたはAl−Taまた
はAl−Zrなどでもよい。また、第2の金属5をIn
−Sn合金としたが第2の金属5は酸化物が導電性であ
る金属であればよく、例えばInまたはSnまたはCd
またはこれらの合金などでもよい。さらに透明導電膜4
をインジウム錫酸化物としたが透明導電膜4は透明膜で
あり導電性を有するものであればよく、例えばインジウ
ム酸化物もしくは錫酸化物などでもよい。また、第2の
金属の露呈部5aを大気に露呈したが第2の金属の露呈
部5aの露呈は酸素を含む雰囲気であればよく、例えば
透明導電膜4を成膜する際の酸素を含むプラズマ雰囲気
などでもよい。さらに、第1の金属2上全面に第2の金
属5を残した多層配線を形成したが、第2の金属5は第
1の金属2と透明導電膜4との接合部に少なくとも存在
すればよく、例えば接合部以外において第2の金属5を
エッチング除去した多層配線であってもよい。さらに本
発明は上記実施例に限られない。例えば、成膜法とし
て、イオンプレーテイング法等であってもよい。また透
明導電膜の形成を所定の形状にマスクして形成してもよ
い。
【0033】
【発明の効果】以上のように本発明は、酸化物が導電性
である第2の金属を第1の金属上に連続成膜で形成し、
第2の金属上に透明導電膜を積層して形成することによ
り、第1の金属と第2の金属との接触抵抗が無視でき、
また透明導電膜と第2の金属との接触抵抗も第2の金属
の酸化物が導電性であるため低くすることが可能とな
る。よって、下層配線の構成金属に表面酸化のしやすい
AlもしくはAl合金からなる低抵抗材料を用いても、
上層配線となる透明導電膜との安定した低接触抵抗が得
られる多層配線を得ることができる。
である第2の金属を第1の金属上に連続成膜で形成し、
第2の金属上に透明導電膜を積層して形成することによ
り、第1の金属と第2の金属との接触抵抗が無視でき、
また透明導電膜と第2の金属との接触抵抗も第2の金属
の酸化物が導電性であるため低くすることが可能とな
る。よって、下層配線の構成金属に表面酸化のしやすい
AlもしくはAl合金からなる低抵抗材料を用いても、
上層配線となる透明導電膜との安定した低接触抵抗が得
られる多層配線を得ることができる。
【図1】本発明の一実施例における多層配線およびその
製造方法を示した構造断面図である。
製造方法を示した構造断面図である。
【図2】本発明の一実施例における多層配線およびその
製造方法を各工程ごとに示した構造断面図である。
製造方法を各工程ごとに示した構造断面図である。
【図3】従来の多層配線およびその製造方法を各工程ご
とに示した構造断面図である。
とに示した構造断面図である。
1 基板 2 第1の金属 2a 第1の金属の露呈部 3 絶縁膜 3a 開口部 4 透明導電膜 5 第2の金属 5a 第2の金属の露呈部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 31/04
Claims (7)
- 【請求項1】 金属配線上に透明導電膜を配線した多層
配線であって、前記金属配線を構成する第1の金属と、
酸化物が導電性であって前記第1の金属上の第2の金属
と、前記第2の金属上で前記金属配線と配線された前記
透明導電膜とを有することを特徴とした多層配線。 - 【請求項2】 第1の金属がアルミニウムもしくはアル
ミニウム合金であり、透明導電膜がインジウム酸化物も
しくは錫酸化物もしくはインジウム錫酸化物である請求
項1記載の多層配線。 - 【請求項3】 第2の金属がインジウムまたは錫または
カドミウムまたはこれらの合金である請求項1記載の多
層配線。 - 【請求項4】 基板上に第1の金属と酸化物が導電性で
ある第2の金属とを連続成膜により形成する工程と、前
記第1の金属と前記第2の金属とをパターニングし下層
の金属配線を形成する工程と、全面に絶縁膜を形成後前
記金属配線上の前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部を通じ前記第2の金属の表面を酸素を含む雰
囲気に露呈する工程と、全面に透明導電膜を成膜後エッ
チング加工し前記開口部を通じて前記金属配線と配線し
た上層の配線を形成する工程とを有することを特徴とし
た多層配線の製造方法。 - 【請求項5】 第1の金属がアルミニウムもしくはアル
ミニウム合金であり、透明導電膜がインジウム酸化物も
しくは錫酸化物もしくはインジウム錫酸化物である請求
項4記載の多層配線の製造方法。 - 【請求項6】 第2の金属がインジウムまたはスズまた
はカドミウムまたはこれらの合金である請求項4記載の
多層配線の製造方法。 - 【請求項7】 酸素を含む雰囲気が大気または酸素プラ
ズマ雰囲気である請求項4記載の多層配線の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6246071A JPH08111572A (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 多層配線およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6246071A JPH08111572A (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 多層配線およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08111572A true JPH08111572A (ja) | 1996-04-30 |
Family
ID=17143041
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6246071A Pending JPH08111572A (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 多層配線およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08111572A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100696471B1 (ko) * | 2004-07-02 | 2007-03-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 발광 소자 |
JP2008147671A (ja) * | 2007-12-07 | 2008-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | コンタクトホールの形成方法 |
CN105684159A (zh) * | 2013-10-25 | 2016-06-15 | 夏普株式会社 | 光电转换装置 |
-
1994
- 1994-10-12 JP JP6246071A patent/JPH08111572A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100696471B1 (ko) * | 2004-07-02 | 2007-03-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 발광 소자 |
JP2008147671A (ja) * | 2007-12-07 | 2008-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | コンタクトホールの形成方法 |
CN105684159A (zh) * | 2013-10-25 | 2016-06-15 | 夏普株式会社 | 光电转换装置 |
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