JPH10275920A - 光起電力装置及び光電変換装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置及び光電変換装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH10275920A JPH10275920A JP9078325A JP7832597A JPH10275920A JP H10275920 A JPH10275920 A JP H10275920A JP 9078325 A JP9078325 A JP 9078325A JP 7832597 A JP7832597 A JP 7832597A JP H10275920 A JPH10275920 A JP H10275920A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode layer
- electrode
- substrate
- resist pattern
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 工程が簡単で、基板に損傷がない製造方法を
提供する。 【構成】 基板１０の絶縁表面上に、第１電極層４０ａ
〜４０ｃの形状に抜いたレジストパターン３５を配置す
る工程と、前記レジストパターン３５上を含んで前記絶
縁表面の略全面に、前記第１電極層４０ａ〜４０ｃを構
成する第１電極膜４０を形成する工程と、前記レジスト
パターン３５を前記絶縁表面上より機械的に剥離するこ
とにより、前記レジストパターン３５上の前記第１電極
膜４０を除去して、前記第１電極層４０ａ〜４０ｂを形
成する工程と、を備えることを特徴とする。
提供する。 【構成】 基板１０の絶縁表面上に、第１電極層４０ａ
〜４０ｃの形状に抜いたレジストパターン３５を配置す
る工程と、前記レジストパターン３５上を含んで前記絶
縁表面の略全面に、前記第１電極層４０ａ〜４０ｃを構
成する第１電極膜４０を形成する工程と、前記レジスト
パターン３５を前記絶縁表面上より機械的に剥離するこ
とにより、前記レジストパターン３５上の前記第１電極
膜４０を除去して、前記第１電極層４０ａ〜４０ｂを形
成する工程と、を備えることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光起電力装置及び
光電変換装置の製造方法に関する。
光電変換装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光起電力装置において所望のパタ
ーンの電極層を形成する方法においては、金属マスク
法、リフトオフ法、レ−ザ−パタ−ニング法が採用され
ていた。
ーンの電極層を形成する方法においては、金属マスク
法、リフトオフ法、レ−ザ−パタ−ニング法が採用され
ていた。
【０００３】金属マスク法においては、基板の絶縁表面
上に所望のパターンの開口部を有する金属マスクを密着
させた状態で、蒸着等の形成方法により基板表面上の全
面に金属等の電極膜を形成して、所望のパターンの電極
層を形成していた。この方法においては、金属マスクを
基板の絶縁表面に完全に密着させることが難しく、金属
マスクと基板表面とのわずかな隙間を通って、電極層の
パターンがにじんで形成される問題があった。そして、
基板が大型になり、金属マスクも大型になるほど、金属
マスクと基板表面との間隔も大きくなりにじみが激しく
なる。
上に所望のパターンの開口部を有する金属マスクを密着
させた状態で、蒸着等の形成方法により基板表面上の全
面に金属等の電極膜を形成して、所望のパターンの電極
層を形成していた。この方法においては、金属マスクを
基板の絶縁表面に完全に密着させることが難しく、金属
マスクと基板表面とのわずかな隙間を通って、電極層の
パターンがにじんで形成される問題があった。そして、
基板が大型になり、金属マスクも大型になるほど、金属
マスクと基板表面との間隔も大きくなりにじみが激しく
なる。
【０００４】また、リフトオフ法については、例えば、
特開昭５８−８５５７３号公報に開示があるように、所
望のパターンを抜いた樹脂製のレジスト膜を配置した
後、基板表面上の全面に電極膜を形成する。そして、レ
ジスト膜が溶解する有機溶液中に、基板全体を浸し、レ
ジスト膜を除去することにより、この上に形成された電
極膜も同時に除去して、所望のパターンの電極層を形成
する。しかしながら、この方法においては、基板全体を
溶液中に浸すことになるので、その後、基板に付着した
溶液を乾燥除去する必要があり、工程が複雑であった。
また、特に、基板が樹脂製である場合においては、基板
自体が溶解して損傷を受ける問題があった。
特開昭５８−８５５７３号公報に開示があるように、所
望のパターンを抜いた樹脂製のレジスト膜を配置した
後、基板表面上の全面に電極膜を形成する。そして、レ
ジスト膜が溶解する有機溶液中に、基板全体を浸し、レ
ジスト膜を除去することにより、この上に形成された電
極膜も同時に除去して、所望のパターンの電極層を形成
する。しかしながら、この方法においては、基板全体を
溶液中に浸すことになるので、その後、基板に付着した
溶液を乾燥除去する必要があり、工程が複雑であった。
また、特に、基板が樹脂製である場合においては、基板
自体が溶解して損傷を受ける問題があった。
【０００５】レーザーパタ−ニング法については、例え
ば、特開平７−２３１０１５号公報に開示があるよう
に、基板の絶縁表面上の略全面に、金属膜からなる第１
電極膜を形成した後、各発電領域間にレ−ザ−ビームを
照射して、照射部分の第１電極膜を除去して分割溝を形
成し、各発電領域に対応した個々の第１電極層を分割形
成していた。そして、この方法においては、基板の絶縁
表面と第１電極膜との密着力が弱いため、分割溝の周辺
の第１電極層上には、レーザービーム照射部より飛散し
た第１電極膜の残りカスである異物が付着する。この異
物はその後に形成される半導体光活性層を貫通し、第２
電極層と上記第１電極層間で短絡する問題がある。これ
を防止するため、半導体光活性層の形成前に、エアーで
吹き飛ばしたり、ブラシでかき落とす等の異物除去工程
が必要であり、工程が複雑であった。
ば、特開平７−２３１０１５号公報に開示があるよう
に、基板の絶縁表面上の略全面に、金属膜からなる第１
電極膜を形成した後、各発電領域間にレ−ザ−ビームを
照射して、照射部分の第１電極膜を除去して分割溝を形
成し、各発電領域に対応した個々の第１電極層を分割形
成していた。そして、この方法においては、基板の絶縁
表面と第１電極膜との密着力が弱いため、分割溝の周辺
の第１電極層上には、レーザービーム照射部より飛散し
た第１電極膜の残りカスである異物が付着する。この異
物はその後に形成される半導体光活性層を貫通し、第２
電極層と上記第１電極層間で短絡する問題がある。これ
を防止するため、半導体光活性層の形成前に、エアーで
吹き飛ばしたり、ブラシでかき落とす等の異物除去工程
が必要であり、工程が複雑であった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題点を解決するために成されたものであり、工程が簡単
で、基板に損傷がない、光起電力装置及び光電変換装置
の製造方法を提供する。
題点を解決するために成されたものであり、工程が簡単
で、基板に損傷がない、光起電力装置及び光電変換装置
の製造方法を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の主要な構成は、
基板の絶縁表面上に、第１電極層の形状に抜いたレジス
トパターンを配置する工程と、前記レジストパターン上
を含んで前記絶縁表面の略全面に、前記第１電極層を構
成する第１電極膜を形成する工程と、前記レジストパタ
ーンを前記絶縁表面上より機械的に剥離することによ
り、前記レジストパターン上の前記第１電極膜を除去し
て、前記第１電極層を形成する工程と、を備えることを
特徴とする。
基板の絶縁表面上に、第１電極層の形状に抜いたレジス
トパターンを配置する工程と、前記レジストパターン上
を含んで前記絶縁表面の略全面に、前記第１電極層を構
成する第１電極膜を形成する工程と、前記レジストパタ
ーンを前記絶縁表面上より機械的に剥離することによ
り、前記レジストパターン上の前記第１電極膜を除去し
て、前記第１電極層を形成する工程と、を備えることを
特徴とする。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明の光起電力装置の製造方法の
一実施例を、図１〜５を用いて詳細に説明する。
一実施例を、図１〜５を用いて詳細に説明する。
【０００９】まず、図１において、１０は可撓性を有す
るポリイミド等の樹脂からなる矩形状のフィルム基板で
あり、透光性でも、非透光性でもよい。２０ａ〜２０ｃ
は後述する第１電極層、半導体光活性層及び第２電極層
の積層体で構成される発電領域である。また、２０ａ
ｔ、２０ｃｔは、光起電力装置からの出力を取り出すた
めの左端、右端出力端子領域である。
るポリイミド等の樹脂からなる矩形状のフィルム基板で
あり、透光性でも、非透光性でもよい。２０ａ〜２０ｃ
は後述する第１電極層、半導体光活性層及び第２電極層
の積層体で構成される発電領域である。また、２０ａ
ｔ、２０ｃｔは、光起電力装置からの出力を取り出すた
めの左端、右端出力端子領域である。
【００１０】そして、図１に示す工程において、発電領
域２０ａ〜２０ｃの各領域間において基板１０の側辺に
平行に、帯状の銀ペースト等からなる導電ペースト３０
ａｂ、３０ｂｃを配置する。そして、左端、右端出力端
子領域２０ａｔ、２０ｃｔにおいても、基板１０の側辺
に平行に帯状の導電ペースト３１、３２を配置する。こ
こで、導電ペースト３０ａｂ、３０ｂｃ、３１、３２
は、ポリイミド又はフェノール系のバインダーに銀、ニ
ッケル又はアルミニウム等の粉末（粒径約３〜７μｍ）
を含むもので、スクリーン印刷によりパターニングされ
た後、２５０〜３００℃で焼成され、高さ約１０〜５０
μｍ、幅約０．２〜０．６ｍｍに形成される。
域２０ａ〜２０ｃの各領域間において基板１０の側辺に
平行に、帯状の銀ペースト等からなる導電ペースト３０
ａｂ、３０ｂｃを配置する。そして、左端、右端出力端
子領域２０ａｔ、２０ｃｔにおいても、基板１０の側辺
に平行に帯状の導電ペースト３１、３２を配置する。こ
こで、導電ペースト３０ａｂ、３０ｂｃ、３１、３２
は、ポリイミド又はフェノール系のバインダーに銀、ニ
ッケル又はアルミニウム等の粉末（粒径約３〜７μｍ）
を含むもので、スクリーン印刷によりパターニングされ
た後、２５０〜３００℃で焼成され、高さ約１０〜５０
μｍ、幅約０．２〜０．６ｍｍに形成される。
【００１１】次に、各発電領域間、発電領域２０ｃと右
端出力端子領域２０ｃｔとの間及び基板１０表面上の全
外周部に、樹脂材料からなるレジストパターン３５（図
１（ａ）において斜線部で示す）を配置する。このレジ
ストパターン３５は、ペースト状の樹脂材料を原材料と
して、スクリーン印刷によりパタ−ニングされた後、１
５０℃１０分で硬化される。このレジストパターン３５
の材料としては、例えば、扇化学工業株式会社のストリ
ップマスクペーストＳＭＰ−１００が利用できる。
端出力端子領域２０ｃｔとの間及び基板１０表面上の全
外周部に、樹脂材料からなるレジストパターン３５（図
１（ａ）において斜線部で示す）を配置する。このレジ
ストパターン３５は、ペースト状の樹脂材料を原材料と
して、スクリーン印刷によりパタ−ニングされた後、１
５０℃１０分で硬化される。このレジストパターン３５
の材料としては、例えば、扇化学工業株式会社のストリ
ップマスクペーストＳＭＰ−１００が利用できる。
【００１２】そして、上記導電ペーストを含んで基板１
０上の全面に、厚さ約０．１〜１．０μｍの第１電極膜
４０が形成される。この第１電極膜４０としては、アル
ミニウム、チタン、ニッケル等の金属が用いられる。
０上の全面に、厚さ約０．１〜１．０μｍの第１電極膜
４０が形成される。この第１電極膜４０としては、アル
ミニウム、チタン、ニッケル等の金属が用いられる。
【００１３】図２に示す工程においては、レジストパタ
ーン３５を、基板１０表面より、機械的に剥離すること
により、レジストパターン３５と共にこの上の第１電極
膜４０を除去する。これにより、各発電領域毎に対応し
た第１電極層４０ａ〜４０ｃ、右端出力端子領域２０ｃ
ｔに対応した第１電極膜材料からなる第１電極パッド４
１ｃｔが分割形成され、左端出力端子領域２０ａｔにお
いては、第１電極層４０ａから延出する第１電極延出部
４０ａｔが形成される。また、導電ペースト３０ａｂ、
３０ｂｃ上に形成された第１電極層は第１接続部４１ａ
ｂ、４１ｂｃとして、後述する隣接する第２電極層と電
気接続するために利用される。この工程により、基板１
０の全外周には、第１電極膜が存在しない基板外周部１
１ができ、また、各発電領域間には分割溝６１、６１、
発電領域２０ｃと右端出力端子領域２０ｃｔとの間には
分割溝６２が形成される。ここで、レジストパターン３
５が基板１０の全外周に配置されていることで、レジス
トパターン３５自体がひとつに絡ながった一連の形状を
しており、一ケ所より剥離を開始すれば、つながって全
てを剥離できる。また、従来の技術で開示した特開平７
−２３１０１５号公報においては、基板の側面、裏面に
不所望に付着した第１電極膜により各発電領域の第１電
極層間で短絡することを防止するため、基板表面上の全
外周に、第１電極膜を分割する分割溝を形成している。
しかしながら、本実施例においては、上記のようにレジ
ストパタ−ン３５が基板１０の全外周に配置されて一連
の形状を有しているので、基板外周部１１には第１電極
層が配置されず、上記のような短絡問題はない。次に、
図３に示す工程においては、第１電極層４０ａ〜４０ｃ
各々の左端で、これら各々の上に、分割絶縁部材６１・
・・を配置する。これら絶縁部材６１は、ポリイミド又
はフェノ−ル系のバインダーに二酸化シリコン等の無機
材料の粉末（粒径約１．５〜７．０μｍ）を含むもの
で、スクリーン印刷法によりパタ−ニングされた後、２
５０〜３００℃で乾燥され、高さ約１０〜５０μｍ、幅
約０．２〜０．６ｍｍに形成される。
ーン３５を、基板１０表面より、機械的に剥離すること
により、レジストパターン３５と共にこの上の第１電極
膜４０を除去する。これにより、各発電領域毎に対応し
た第１電極層４０ａ〜４０ｃ、右端出力端子領域２０ｃ
ｔに対応した第１電極膜材料からなる第１電極パッド４
１ｃｔが分割形成され、左端出力端子領域２０ａｔにお
いては、第１電極層４０ａから延出する第１電極延出部
４０ａｔが形成される。また、導電ペースト３０ａｂ、
３０ｂｃ上に形成された第１電極層は第１接続部４１ａ
ｂ、４１ｂｃとして、後述する隣接する第２電極層と電
気接続するために利用される。この工程により、基板１
０の全外周には、第１電極膜が存在しない基板外周部１
１ができ、また、各発電領域間には分割溝６１、６１、
発電領域２０ｃと右端出力端子領域２０ｃｔとの間には
分割溝６２が形成される。ここで、レジストパターン３
５が基板１０の全外周に配置されていることで、レジス
トパターン３５自体がひとつに絡ながった一連の形状を
しており、一ケ所より剥離を開始すれば、つながって全
てを剥離できる。また、従来の技術で開示した特開平７
−２３１０１５号公報においては、基板の側面、裏面に
不所望に付着した第１電極膜により各発電領域の第１電
極層間で短絡することを防止するため、基板表面上の全
外周に、第１電極膜を分割する分割溝を形成している。
しかしながら、本実施例においては、上記のようにレジ
ストパタ−ン３５が基板１０の全外周に配置されて一連
の形状を有しているので、基板外周部１１には第１電極
層が配置されず、上記のような短絡問題はない。次に、
図３に示す工程においては、第１電極層４０ａ〜４０ｃ
各々の左端で、これら各々の上に、分割絶縁部材６１・
・・を配置する。これら絶縁部材６１は、ポリイミド又
はフェノ−ル系のバインダーに二酸化シリコン等の無機
材料の粉末（粒径約１．５〜７．０μｍ）を含むもの
で、スクリーン印刷法によりパタ−ニングされた後、２
５０〜３００℃で乾燥され、高さ約１０〜５０μｍ、幅
約０．２〜０．６ｍｍに形成される。
【００１４】そして、第１電極層４０ａ〜４０ｃ上を含
んで基板１０の略全面に、アモルファスシリコン、アモ
ルファスシリコンカーバイド、アモルファスシリコンゲ
ルマニウム等をｐｎまたはｐｉｎに積層した半導体膜７
０（厚さ約０．３〜１．０μｍ）を、及び、酸化亜鉛
（ＺｎＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化錫（Ｓ
ｎＯ2）等の透明導電膜からなる第２電極膜８０（厚さ
約０．３〜１．０μｍ）を積層形成する。
んで基板１０の略全面に、アモルファスシリコン、アモ
ルファスシリコンカーバイド、アモルファスシリコンゲ
ルマニウム等をｐｎまたはｐｉｎに積層した半導体膜７
０（厚さ約０．３〜１．０μｍ）を、及び、酸化亜鉛
（ＺｎＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化錫（Ｓ
ｎＯ2）等の透明導電膜からなる第２電極膜８０（厚さ
約０．３〜１．０μｍ）を積層形成する。
【００１５】次に図４の示す工程においては、この第２
電極膜８０の露出方向から、基板１０の全外周の第１電
極膜が存在しない基板外周部１１上に、レーザビームや
電子ビーム等のエネルギービームを照射して、照射部分
の半導体膜７０及び第２電極膜８０を除去し、基板外周
部１１表面に到達する外周溝９０（幅約２０〜１００μ
ｍ）を形成する。同様に、この第２電極膜８０の露出方
向から、分割絶縁部材６１・・・上に位置する部分に、
レーザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射
して、照射部分の半導体膜７０及び第２電極膜８０を除
去し、分割絶縁部材６１に到達する上部溝９１（幅約２
０〜１００μｍ）を形成する。そして、これらの外周溝
９０、上部溝９１により、各発電領域に対応した半導体
光活性層７０ａ〜７０ｃ及び第２電極層８０ａ〜８０ｃ
に分割形成される。また、導電ペースト３０ａｂ及び第
１接続部４１ａｂ、導電ペースト３０ｂｃ及び第１接続
部４１ｂｃ上に形成された第２電極層は、第２接続部８
１ａｂ、８１ｂｃとして、後述するように、第１接続部
４１ａｂ、４１ｂｃと各々電気接続される。加えて、左
端出力端子領域２０ａｔにおいては、半導体膜材料から
なる半導体層７０ａｔ及び第２電極膜材料からなる第２
電極パッド８０ａｔが分割形成されることになる。一
方、右端出力端子領域２０ｃｔにおいては、半導体光活
性層７０ｃから延出した半導体層７０ｃｔ及び第２電極
層８０ｃから延出する第２電極延出部８０ｃｔが形成さ
れることになる。更に、第２電極膜の露出側から、導電
ペースト３０ａｂ、３０ｂｃ、３１、３２上に位置する
部分に、レーザビームや電子ビーム等のエネルギービー
ムを照射する。これにより、導電ペースト３０ａｂ及び
第１接続部４１ａｂと、第２接続部８１ａｂとが、ま
た、導電ペースト３０ｂｃ及び第１接続部４１ｂｃと、
第２接続部８１ｂｃとが、各々溶着されて電気的に接続
され、各発電領域２０ａ〜２０ｃが直列に接続される。
また、左端出力端子領域２０ａｔにおいては、導電ペー
スト３１と第２電極パッド８０ａｔが電気的に接続さ
れ、第１電極層２０ａからの出力を導出することができ
る。更には、右端出力端子領域２０ｃｔにおいては、導
電ペースト３２と第２電極延出部８０ｃｔとが電気的に
接続され、この導電ペースト３２により出力端子での電
気抵抗を低減し、集電効率が向上する。
電極膜８０の露出方向から、基板１０の全外周の第１電
極膜が存在しない基板外周部１１上に、レーザビームや
電子ビーム等のエネルギービームを照射して、照射部分
の半導体膜７０及び第２電極膜８０を除去し、基板外周
部１１表面に到達する外周溝９０（幅約２０〜１００μ
ｍ）を形成する。同様に、この第２電極膜８０の露出方
向から、分割絶縁部材６１・・・上に位置する部分に、
レーザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射
して、照射部分の半導体膜７０及び第２電極膜８０を除
去し、分割絶縁部材６１に到達する上部溝９１（幅約２
０〜１００μｍ）を形成する。そして、これらの外周溝
９０、上部溝９１により、各発電領域に対応した半導体
光活性層７０ａ〜７０ｃ及び第２電極層８０ａ〜８０ｃ
に分割形成される。また、導電ペースト３０ａｂ及び第
１接続部４１ａｂ、導電ペースト３０ｂｃ及び第１接続
部４１ｂｃ上に形成された第２電極層は、第２接続部８
１ａｂ、８１ｂｃとして、後述するように、第１接続部
４１ａｂ、４１ｂｃと各々電気接続される。加えて、左
端出力端子領域２０ａｔにおいては、半導体膜材料から
なる半導体層７０ａｔ及び第２電極膜材料からなる第２
電極パッド８０ａｔが分割形成されることになる。一
方、右端出力端子領域２０ｃｔにおいては、半導体光活
性層７０ｃから延出した半導体層７０ｃｔ及び第２電極
層８０ｃから延出する第２電極延出部８０ｃｔが形成さ
れることになる。更に、第２電極膜の露出側から、導電
ペースト３０ａｂ、３０ｂｃ、３１、３２上に位置する
部分に、レーザビームや電子ビーム等のエネルギービー
ムを照射する。これにより、導電ペースト３０ａｂ及び
第１接続部４１ａｂと、第２接続部８１ａｂとが、ま
た、導電ペースト３０ｂｃ及び第１接続部４１ｂｃと、
第２接続部８１ｂｃとが、各々溶着されて電気的に接続
され、各発電領域２０ａ〜２０ｃが直列に接続される。
また、左端出力端子領域２０ａｔにおいては、導電ペー
スト３１と第２電極パッド８０ａｔが電気的に接続さ
れ、第１電極層２０ａからの出力を導出することができ
る。更には、右端出力端子領域２０ｃｔにおいては、導
電ペースト３２と第２電極延出部８０ｃｔとが電気的に
接続され、この導電ペースト３２により出力端子での電
気抵抗を低減し、集電効率が向上する。
【００１６】図５に示す工程においては、基板１０の上
下辺に平行な複数の枝部分１０１とこれら枝部分１０１
の右端で連続している幹部分１０２からなる集電極１０
０・・・を第２電極層８０ａ〜８０ｃ上に形成する。こ
れらの集電極１００の幹部分１０２は、各々、導電ペー
スト３０ａｂ、３０ｂｃ、３２の上方に位置すると共
に、基板１０の側辺に平行に配置され、帯状の形状を有
する。ここで、右端出力端子領域２０ｃｔに位置する集
電極１００の幹部分１０２は、出力端子１０４として機
能している。また、左端出力端子領域２０ａｔにおいて
は、導電ペースト３１上方の第２電極パッド８０ａｔ上
に導電ペーストからなる帯状の出力端子１０３を形成す
る。なお、この集電極１００は、導電ペースト３０ａ
ｂ、３０ｂｃ等と同一材料、製法にて形成される。
下辺に平行な複数の枝部分１０１とこれら枝部分１０１
の右端で連続している幹部分１０２からなる集電極１０
０・・・を第２電極層８０ａ〜８０ｃ上に形成する。こ
れらの集電極１００の幹部分１０２は、各々、導電ペー
スト３０ａｂ、３０ｂｃ、３２の上方に位置すると共
に、基板１０の側辺に平行に配置され、帯状の形状を有
する。ここで、右端出力端子領域２０ｃｔに位置する集
電極１００の幹部分１０２は、出力端子１０４として機
能している。また、左端出力端子領域２０ａｔにおいて
は、導電ペースト３１上方の第２電極パッド８０ａｔ上
に導電ペーストからなる帯状の出力端子１０３を形成す
る。なお、この集電極１００は、導電ペースト３０ａ
ｂ、３０ｂｃ等と同一材料、製法にて形成される。
【００１７】そして、出力端子１０３、１０４上の一端
に、半田付けを容易にするために銅ペースト（図示せ
ず）を配置した上に、半田めっきした矩形状の銅箔１０
５、１０６を半田付けする。
に、半田付けを容易にするために銅ペースト（図示せ
ず）を配置した上に、半田めっきした矩形状の銅箔１０
５、１０６を半田付けする。
【００１８】次に、第２電極層８０ａ〜８０ｃ上で基板
１０の略全面に、透光性を有するポリエチレンテレフタ
レ−トフィルム、フッ素系フィルム等からなる厚さ約２
５〜１０００μｍの熱可塑性樹脂の保護膜１１０を、熱
可塑性樹脂からなる接着層（図示せず）を介して形成す
る。この形成方法としては、第２電極層側から熱ローラ
でラミネートして形成される。ここで、外周溝９０にお
いては、熱で溶解した接着層が進入し、基板１０表面と
接触し、接着している。基板１０は樹脂材料からなるこ
とより、同じ樹脂材料からなる接着層と強固に接着さ
れ、基板１０の外周部より、水分が発電領域内に進入す
るのを確実に防止することができる。
１０の略全面に、透光性を有するポリエチレンテレフタ
レ−トフィルム、フッ素系フィルム等からなる厚さ約２
５〜１０００μｍの熱可塑性樹脂の保護膜１１０を、熱
可塑性樹脂からなる接着層（図示せず）を介して形成す
る。この形成方法としては、第２電極層側から熱ローラ
でラミネートして形成される。ここで、外周溝９０にお
いては、熱で溶解した接着層が進入し、基板１０表面と
接触し、接着している。基板１０は樹脂材料からなるこ
とより、同じ樹脂材料からなる接着層と強固に接着さ
れ、基板１０の外周部より、水分が発電領域内に進入す
るのを確実に防止することができる。
【００１９】そして、銅箔１０５、１０６上に位置する
保護膜１１０に、半田ごてを当てて半田を溶かすことに
より、熱により保護膜に開穴１１１、１１１を開けると
共に、銅箔１０５、１０６上に半田層１０７、１０８を
形成する。この半田層１０７、１０８を介して、リード
線１２０、１２０を半田付けして、光起電力装置が完成
する。
保護膜１１０に、半田ごてを当てて半田を溶かすことに
より、熱により保護膜に開穴１１１、１１１を開けると
共に、銅箔１０５、１０６上に半田層１０７、１０８を
形成する。この半田層１０７、１０８を介して、リード
線１２０、１２０を半田付けして、光起電力装置が完成
する。
【００２０】以上の本実施例においては、レジストパタ
−ン３５が基板１０の全外周に配置されて一連の形状を
有しているので、一ケ所より剥離を開始すれば、つなが
って全てを剥離できる。そして、基板外周部１１には第
１電極層が配置されないことより、基板の側面、裏面に
不所望に付着した第１電極膜により各発電領域の第１電
極層間で短絡することを防止できる。更には、基板外周
部１１に位置する外周溝９０において、熱で溶解して進
入した接着層が基板１０表面と接触し、接着している。
よって、基板１０は樹脂材料からなることより、同じ樹
脂材料からなる接着層と強固に接着され、基板１０の外
周部より、水分が発電領域内に進入するのを確実に防止
することができる。
−ン３５が基板１０の全外周に配置されて一連の形状を
有しているので、一ケ所より剥離を開始すれば、つなが
って全てを剥離できる。そして、基板外周部１１には第
１電極層が配置されないことより、基板の側面、裏面に
不所望に付着した第１電極膜により各発電領域の第１電
極層間で短絡することを防止できる。更には、基板外周
部１１に位置する外周溝９０において、熱で溶解して進
入した接着層が基板１０表面と接触し、接着している。
よって、基板１０は樹脂材料からなることより、同じ樹
脂材料からなる接着層と強固に接着され、基板１０の外
周部より、水分が発電領域内に進入するのを確実に防止
することができる。
【００２１】また、本実施例においては、第２電極層と
保護膜とを透明として、この側より光を入射している
が、第１電極層と基板とを透明として、この側より光を
入射させてもよい。
保護膜とを透明として、この側より光を入射している
が、第１電極層と基板とを透明として、この側より光を
入射させてもよい。
【００２２】ここで、本実施例は、光電変換装置の一例
として光起電力装置を説明しており、本発明は、特許請
求の範囲に従って、光電変換装置にも適用できる。
として光起電力装置を説明しており、本発明は、特許請
求の範囲に従って、光電変換装置にも適用できる。
【００２３】
【発明の効果】本発明は、以上の構成であり、レジスト
パターンを基板の絶縁表面上より機械的に剥離すること
により、レジストパターン上の第１電極膜を除去して第
１電極層を分割形成しており、簡単な工程である。ま
た、従来の技術で説明したように、金属マスク法と比較
して、第１電極層のにじみもなく大面積をパタ−ニング
でき、レジストパターンを有機溶液で除去するリフトオ
フ法と比較して、基板が損傷することはない。
パターンを基板の絶縁表面上より機械的に剥離すること
により、レジストパターン上の第１電極膜を除去して第
１電極層を分割形成しており、簡単な工程である。ま
た、従来の技術で説明したように、金属マスク法と比較
して、第１電極層のにじみもなく大面積をパタ−ニング
でき、レジストパターンを有機溶液で除去するリフトオ
フ法と比較して、基板が損傷することはない。
【００２４】また、請求項１においては、第１電極層、
半導体光活性層及び第２電極層からなる積層体におい
て、第２電極層の第２接続部が存在する領域の下側で
は、第１電極層の外周部が位置することになる。また、
請求項２においては、第１電極層の外周部の少なくとも
一部の上に半導体光活性層を挟んで第２電極層が位置し
ている。従来の技術で説明したレーザーパタ−ニング法
においては、分割溝周辺の第１電極層上で、飛散した異
物によって、第１電極層と第２電極層とが短絡する問題
があったが、本発明においては、第１電極層がレジスト
パターンを機械的に剥離していることより分割形成され
るので、異物が発生せず、このような短絡問題がない。
半導体光活性層及び第２電極層からなる積層体におい
て、第２電極層の第２接続部が存在する領域の下側で
は、第１電極層の外周部が位置することになる。また、
請求項２においては、第１電極層の外周部の少なくとも
一部の上に半導体光活性層を挟んで第２電極層が位置し
ている。従来の技術で説明したレーザーパタ−ニング法
においては、分割溝周辺の第１電極層上で、飛散した異
物によって、第１電極層と第２電極層とが短絡する問題
があったが、本発明においては、第１電極層がレジスト
パターンを機械的に剥離していることより分割形成され
るので、異物が発生せず、このような短絡問題がない。
【図１】本発明の一実施例における第１工程を示す図で
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ
断面図である。
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ
断面図である。
【図２】本発明の一実施例における第２工程を示す図で
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ
断面図である。
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ
断面図である。
【図３】本発明の一実施例における第３工程を示す図で
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ
断面図である。
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ
断面図である。
【図４】本発明の一実施例における第４工程を示す図で
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ
断面図である。
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ
断面図である。
【図５】本発明の一実施例における第５工程を示す図で
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ
断面図である。
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ
断面図である。
１０ 基板 ２０ａ〜２０ｃ 発電領域 ４０ 第１導電膜 ４０ａ〜４０ｃ 第１電極層 ４１ａｂ、４１ｂｃ 第１接続部 ３５ レジストパターン ７０ 半導体膜 ７０ａ〜７０ｃ 半導体光活性層 ８０ 第２電極膜 ８０ａ〜８０ｃ 第２電極層 ８１ａｂ、８１ｂｃ 第２接続部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加地 正典 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 小野 雅義 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁表面を有する基板上に、第１電極
層、半導体光活性層及び第２電極層の積層体からなる複
数の発電領域を配設し、これら積層体を電気接続した光
起電力装置の製造方法であって、 前記絶縁表面上に前記各発電領域毎に対応した第１接続
部を有する前記第１電極層の形状に抜いたレジストパタ
ーンを配置する工程と、 前記レジストパターン上を含んで前記絶縁表面の略全面
に、前記第１電極層を構成する第１電極膜を形成する工
程と、 前記レジストパターンを前記絶縁表面上より機械的に剥
離することにより、前記レジストパターン上の前記第１
電極膜を除去して、前記各発電領域毎に対応した前記第
１接続部を有する前記第１電極層を形成する工程と、 前記第１電極層上に前記半導体光活性層を形成する工程
と、 前記半導体光活性層を形成後、隣接する前記発電領域の
前記第１電極層の前記第１接続部と重なりあう第２接続
部を有する前記第２電極層を配置する工程と、を備える
ことを特徴とする光起電力装置の製造方法。 - 【請求項２】 絶縁表面を有する基板上に、第１電極
層、半導体光活性層及び第２電極層を積層すると共に、
前記第１電極層の外周部の少なくとも一部の上に前記半
導体光活性層を挟んで前記第２電極層が位置する構造の
光電変換装置の製造方法であって、 前記絶縁表面上に前記第１電極層の形状に抜いたレジス
トパターンを配置する工程と、 前記レジストパターン上を含んで前記絶縁表面の略全面
に、前記第１電極層を構成する第１電極膜を形成する工
程と、 前記レジストパターンを前記絶縁表面上より機械的に剥
離することにより、前記レジストパターン上の前記第１
電極膜を除去して、前記第１電極層を形成する工程と、 前記第１電極層上に前記半導体光活性層を形成する工程
と、 前記半導体光活性層上に前記第２電極層を配置する工程
と、を備えることを特徴とする光電変換装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9078325A JPH10275920A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 光起電力装置及び光電変換装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9078325A JPH10275920A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 光起電力装置及び光電変換装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275920A true JPH10275920A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=13658822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9078325A Pending JPH10275920A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 光起電力装置及び光電変換装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10275920A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001127318A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | パターン状薄膜層の形成方法 |
| WO2022209591A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | 株式会社カネカ | 太陽電池パネルの製造方法、太陽電池パネルの製造装置、太陽電池パネル、及び光電変換基板の製造方法 |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP9078325A patent/JPH10275920A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001127318A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | パターン状薄膜層の形成方法 |
| WO2022209591A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | 株式会社カネカ | 太陽電池パネルの製造方法、太陽電池パネルの製造装置、太陽電池パネル、及び光電変換基板の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9865753B2 (en) | Metallization of solar cells using metal foils | |
| JP3889470B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| JPH07231015A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3449155B2 (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
| JP3819507B2 (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JP3237621B2 (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
| JPH10275920A (ja) | 光起電力装置及び光電変換装置の製造方法 | |
| JP3573869B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP3111805B2 (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JP2005260107A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP3584750B2 (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JP2598967B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2009283544A (ja) | 薄膜太陽電池及びその製造方法 | |
| JP2994810B2 (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JP3920661B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP3081414B2 (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPH06268241A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JP3588186B2 (ja) | 光起電力装置及び光電変換装置の製造方法 | |
| JPS59220979A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS61164274A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP3102232B2 (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JP2883371B2 (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JP2744058B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS61210681A (ja) | 集積型光起電力装置の製造方法 | |
| JPS63261762A (ja) | 光起電力装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050418 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050426 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050927 |