JP2001127318A - パターン状薄膜層の形成方法 - Google Patents
パターン状薄膜層の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 量産性と歩留りの向上、総じて量産コストの
低減を図ったリフトオフ方式のパターン状薄膜層の形成
方法を提供する。 【解決手段】 電気絶縁性フィルム基板上に、所定パタ
ーンのリフトオフ用マスク層を形成した後、前記基板お
よびマスク層の両面上にまたがって所定パターンの薄膜
層を形成し、前記マスク層を前記基板との界面から剥離
することにより、マスク層とその上の薄膜層（リフトオ
フ層１０）を除去して所望パターンの薄膜層を形成する
パターン状薄膜層の形成方法において、例えば、吸引口
を備えた真空吸引装置２１の吸引口２０を、前記リフト
オフ層１０上を走査させることにより、リフトオフ層１
０を吸引して剥離することとする。
低減を図ったリフトオフ方式のパターン状薄膜層の形成
方法を提供する。 【解決手段】 電気絶縁性フィルム基板上に、所定パタ
ーンのリフトオフ用マスク層を形成した後、前記基板お
よびマスク層の両面上にまたがって所定パターンの薄膜
層を形成し、前記マスク層を前記基板との界面から剥離
することにより、マスク層とその上の薄膜層（リフトオ
フ層１０）を除去して所望パターンの薄膜層を形成する
パターン状薄膜層の形成方法において、例えば、吸引口
を備えた真空吸引装置２１の吸引口２０を、前記リフト
オフ層１０上を走査させることにより、リフトオフ層１
０を吸引して剥離することとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、リフトオフ法に
よるパターン状薄膜層の形成方法、特に、電気絶縁性の
フレキシブルフィルム基板上に、光電変換層及び電極層
を備えた光電変換素子が複数直列接続されてなる光電変
換装置用の薄膜層の形成方法に関する。
よるパターン状薄膜層の形成方法、特に、電気絶縁性の
フレキシブルフィルム基板上に、光電変換層及び電極層
を備えた光電変換素子が複数直列接続されてなる光電変
換装置用の薄膜層の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、環境保護の立場から、クリーンな
エネルギーの研究開発が進められている。中でも、太陽
電池はその資源（太陽光）が無限であること、無公害で
あることから注目を集めている。
エネルギーの研究開発が進められている。中でも、太陽
電池はその資源（太陽光）が無限であること、無公害で
あることから注目を集めている。
【０００３】薄膜太陽電池は、薄型で軽量、製造コスト
の安さ、大面積化が容易であることなどから、今後の太
陽電池の主流となると考えられる。
の安さ、大面積化が容易であることなどから、今後の太
陽電池の主流となると考えられる。
【０００４】従来の薄膜太陽電池はガラス基板を用いて
いたが、軽量化、施工性、量産性においてプラスチック
フィルムおよび金属フィルムを用いたフレキシブルタイ
プの太陽電池の研究開発がすすめられている。このフレ
キシブル性を生かし、ロールツーロール方式の製造方法
により大量生産が可能となった。
いたが、軽量化、施工性、量産性においてプラスチック
フィルムおよび金属フィルムを用いたフレキシブルタイ
プの太陽電池の研究開発がすすめられている。このフレ
キシブル性を生かし、ロールツーロール方式の製造方法
により大量生産が可能となった。
【０００５】上記の薄膜太陽電池は、フレキシブルな電
気絶縁性フィルム基板上に下部電極層としての第１電
極、薄膜半導体層からなる光電変換層および透明電極層
としての第２電極が積層されてなる光電変換素子（また
はセル）が複数形成されている。ある光電変換素子の第
１電極と隣接する光電変換素子の第２電極を電気的に接
続することを繰り返すことにより、最初の光電変換素子
の第１電極と最後の光電変換素子の第２電極とに必要な
電圧を出力させることができる。例えば、インバータに
より交流化し商用電力源として交流１００Ｖを得るため
には、薄膜太陽電池の出力電圧は１００Ｖ以上が望まし
く、実際には数１０個以上の素子が直列接続される。
気絶縁性フィルム基板上に下部電極層としての第１電
極、薄膜半導体層からなる光電変換層および透明電極層
としての第２電極が積層されてなる光電変換素子（また
はセル）が複数形成されている。ある光電変換素子の第
１電極と隣接する光電変換素子の第２電極を電気的に接
続することを繰り返すことにより、最初の光電変換素子
の第１電極と最後の光電変換素子の第２電極とに必要な
電圧を出力させることができる。例えば、インバータに
より交流化し商用電力源として交流１００Ｖを得るため
には、薄膜太陽電池の出力電圧は１００Ｖ以上が望まし
く、実際には数１０個以上の素子が直列接続される。
【０００６】このような光電変換素子とその直列接続
は、電極層と光電変換層の成膜と各層のパターニングお
よびそれらの組み合わせ手順により形成される。少数の
光電変換素子を直列接続した薄膜太陽電池により従来技
術を説明する（特開平１０−２３３５１７号公報参
照）。
は、電極層と光電変換層の成膜と各層のパターニングお
よびそれらの組み合わせ手順により形成される。少数の
光電変換素子を直列接続した薄膜太陽電池により従来技
術を説明する（特開平１０−２３３５１７号公報参
照）。
【０００７】図８は、上記特許出願明細書に記載された
薄膜太陽電池の一例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）における線ＡＢＣＤおよびＢＱＣに沿っての断面
図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＥＥ断面図を示す。
薄膜太陽電池の一例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）における線ＡＢＣＤおよびＢＱＣに沿っての断面
図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＥＥ断面図を示す。
【０００８】電気絶縁性でフレキシブルな樹脂からなる
長尺のフィルム基板上に、順次、第１電極層、光電変換
層、第２電極層が積層され、フィルム基板の反対側（裏
面）には第３電極層、第４電極層が積層され、裏面電極
が形成されている。光電変換層は例えばアモルファスシ
リコンのpin接合である。フィルム基板用材料として
は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、パラ系アラミ
ド、フッ素系樹脂全般等々が用いられている。
長尺のフィルム基板上に、順次、第１電極層、光電変換
層、第２電極層が積層され、フィルム基板の反対側（裏
面）には第３電極層、第４電極層が積層され、裏面電極
が形成されている。光電変換層は例えばアモルファスシ
リコンのpin接合である。フィルム基板用材料として
は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、パラ系アラミ
ド、フッ素系樹脂全般等々が用いられている。
【０００９】製造工程の概要につき以下に説明する。
【００１０】先ず、フィルム基板にパンチを用いて、接
続孔ｈ１を開け、基板の片側（表側とする）に第１電極
層として、スパッタにより銀を成膜し、これと反対の面
（裏側とする）には、第３電極層として、同じく銀電極
を成膜する。接続孔ｈ１の内壁で第１電極層と第３電極
層とは重なり、導通する。
続孔ｈ１を開け、基板の片側（表側とする）に第１電極
層として、スパッタにより銀を成膜し、これと反対の面
（裏側とする）には、第３電極層として、同じく銀電極
を成膜する。接続孔ｈ１の内壁で第１電極層と第３電極
層とは重なり、導通する。
【００１１】成膜後、表側では、第１電極層を所定の形
状にレーザ加工して、下電極ｌ１〜ｌ６をパターニング
する。下電極ｌ１〜ｌ６の隣接部は一本の分離線ｇ２
を、二列の直列接続の光電変換素子間および周縁導電部
ｆとの分離のためには二本の分離線ｇ２を形成し、下電
極ｌ１〜ｌ６は分離線により囲まれるようにする。再度
パンチを用いて、集電孔ｈ２を開けた後、表側に、光電
変換層ｐとしてa-Si層をプラズマＣＶＤにより成膜す
る。マスクを用いて幅Ｗ２の成膜とし、レーザ加工によ
り二列素子の間だけに第１電極層と同じ分離線を形成す
る。
状にレーザ加工して、下電極ｌ１〜ｌ６をパターニング
する。下電極ｌ１〜ｌ６の隣接部は一本の分離線ｇ２
を、二列の直列接続の光電変換素子間および周縁導電部
ｆとの分離のためには二本の分離線ｇ２を形成し、下電
極ｌ１〜ｌ６は分離線により囲まれるようにする。再度
パンチを用いて、集電孔ｈ２を開けた後、表側に、光電
変換層ｐとしてa-Si層をプラズマＣＶＤにより成膜す
る。マスクを用いて幅Ｗ２の成膜とし、レーザ加工によ
り二列素子の間だけに第１電極層と同じ分離線を形成す
る。
【００１２】さらに第２電極層として表側にＩＴＯ層を
成膜する。但し、二つの素子列の間とこれに平行な基板
の両側端部にはマスクを掛け接続孔ｈ１には成膜しない
ようにし、素子部のみに成膜する。次いで裏面全面に第
４電極層として銀電極を成膜する。第４電極の成膜によ
り、集電孔ｈ２の内壁で第２電極と第４電極とが重な
り、導通する。表側では、レーザ加工により下電極と同
じパターンの分離線を入れ、個別の第２電極ｕ１〜ｕ６
を形成し、裏側では第３電極と第４電極とを同時にレー
ザ加工し、接続電極ｅ１２〜ｅ５６、および電力取り出
し電極ｏ１，ｏ２を個別化し、基板の周縁部では表側の
分離線ｇ３と重なるように分離線ｇ２を形成し、隣接電
極間には一本の分離線を形成する。
成膜する。但し、二つの素子列の間とこれに平行な基板
の両側端部にはマスクを掛け接続孔ｈ１には成膜しない
ようにし、素子部のみに成膜する。次いで裏面全面に第
４電極層として銀電極を成膜する。第４電極の成膜によ
り、集電孔ｈ２の内壁で第２電極と第４電極とが重な
り、導通する。表側では、レーザ加工により下電極と同
じパターンの分離線を入れ、個別の第２電極ｕ１〜ｕ６
を形成し、裏側では第３電極と第４電極とを同時にレー
ザ加工し、接続電極ｅ１２〜ｅ５６、および電力取り出
し電極ｏ１，ｏ２を個別化し、基板の周縁部では表側の
分離線ｇ３と重なるように分離線ｇ２を形成し、隣接電
極間には一本の分離線を形成する。
【００１３】全ての薄膜太陽電池素子を一括して囲う周
縁、および二列の直列接続太陽電池素子の隣接する境界
には（周縁導電部ｆの内側）分離線ｇ３がある。分離線
ｇ３の中にはどの層も無い。裏側では、全ての電極を一
括して囲う周縁、および二列の直列接続電極の隣接する
境界には（周縁導電部ｆの内側）分離線ｇ２がある。分
離線ｇ２の中にはどの層も無い。
縁、および二列の直列接続太陽電池素子の隣接する境界
には（周縁導電部ｆの内側）分離線ｇ３がある。分離線
ｇ３の中にはどの層も無い。裏側では、全ての電極を一
括して囲う周縁、および二列の直列接続電極の隣接する
境界には（周縁導電部ｆの内側）分離線ｇ２がある。分
離線ｇ２の中にはどの層も無い。
【００１４】こうして、電力取り出し電極ｏ１−集電孔
ｈ２−上電極ｕ１、光電変換層、下電極ｌ１−接続孔ｈ
１−接続電極ｅ１２−上電極ｕ２、光電変換層、下電極
ｌ２−接続電極ｅ２３−・・・−上電極ｕ６、光電変換
層、下電極ｌ６−接続孔ｈ１−電力取出し電極ｏ２の順
の光電変換素子の直列接続が完成する。
ｈ２−上電極ｕ１、光電変換層、下電極ｌ１−接続孔ｈ
１−接続電極ｅ１２−上電極ｕ２、光電変換層、下電極
ｌ２−接続電極ｅ２３−・・・−上電極ｕ６、光電変換
層、下電極ｌ６−接続孔ｈ１−電力取出し電極ｏ２の順
の光電変換素子の直列接続が完成する。
【００１５】以上薄膜太陽電池を例として説明したが、
従来のレーザ加工法によると、パターニングラインを１
本ごとに加工していくため、大面積レベルの量産化への
時間的ロスが問題になっていた。また、電極のパターニ
ングにレーザ加工法を用いると、片面電極のパターニン
グにおいて、透過レーザ光により、裏面の薄膜がダメー
ジをうけることから、基板の光透過率、太陽電池の膜構
成等についてレーザ光が透過しないようにするため選択
する材料に制限があった。
従来のレーザ加工法によると、パターニングラインを１
本ごとに加工していくため、大面積レベルの量産化への
時間的ロスが問題になっていた。また、電極のパターニ
ングにレーザ加工法を用いると、片面電極のパターニン
グにおいて、透過レーザ光により、裏面の薄膜がダメー
ジをうけることから、基板の光透過率、太陽電池の膜構
成等についてレーザ光が透過しないようにするため選択
する材料に制限があった。
【００１６】そこで、上記の問題に対する改善策とし
て、電極の個別化や分離線の形成をレーザ加工によら
ず、フィルム基板上に、所定パターンのリフトオフ用マ
スク層を形成した後、前記基板およびマスク層の両面上
にまたがって所定パターンの薄膜層を形成し、前記マス
ク層を前記基板との界面から剥離することにより、マス
ク層上の薄膜層をマスク層と共に除去して所望パターン
の薄膜層を形成する方法、いわゆる、リフトオフ方式の
薄膜形成方法が、前述の特開平１０−２３３５１７号公
報に記載され提案されている。リフトオフ方式の薄膜形
成方法は、他にも、特開昭６２−１７１１６９号公報に
も記載されており、よく知られた方法である。
て、電極の個別化や分離線の形成をレーザ加工によら
ず、フィルム基板上に、所定パターンのリフトオフ用マ
スク層を形成した後、前記基板およびマスク層の両面上
にまたがって所定パターンの薄膜層を形成し、前記マス
ク層を前記基板との界面から剥離することにより、マス
ク層上の薄膜層をマスク層と共に除去して所望パターン
の薄膜層を形成する方法、いわゆる、リフトオフ方式の
薄膜形成方法が、前述の特開平１０−２３３５１７号公
報に記載され提案されている。リフトオフ方式の薄膜形
成方法は、他にも、特開昭６２−１７１１６９号公報に
も記載されており、よく知られた方法である。
【００１７】マスク層としては、シリコン系樹脂、フッ
素系樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミ
ド、ポリフェニレンスルファイド、ポリベンゾイミダゾ
ールの中の一つまたはこれら材料の２種以上の組み合わ
せで構成される。
素系樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミ
ド、ポリフェニレンスルファイド、ポリベンゾイミダゾ
ールの中の一つまたはこれら材料の２種以上の組み合わ
せで構成される。
【００１８】また、本願出願人から別途、基板との剥離
性が良好でかつ除去を必要とする薄膜部を容易にリフト
オフ可能な新規のパターン状薄膜層の形成方法が提案さ
れている（特願平１０−３３０８９１号参照）。
性が良好でかつ除去を必要とする薄膜部を容易にリフト
オフ可能な新規のパターン状薄膜層の形成方法が提案さ
れている（特願平１０−３３０８９１号参照）。
【００１９】上記特願平１０−３３０８９１号に記載さ
れた発明は、図６に示す薄膜太陽電池の模式図におい
て、フィルム基板１の材料とマスク層５の材料に好適な
材料を選定して剥離性を良好にすることと、図７に示す
ように、フィルム基板１上に、第１のマスク層６および
第２のマスク層７を順次積層した所定パターンの２層構
造のマスク層を形成した後、前記基板および第２のマス
ク層の両面上にまたがって所定パターンの薄膜層を形成
し、前記第２のマスク層を前記第１のマスク層との界面
から剥離することにより、第２のマスク層上の薄膜層を
第２のマスク層と共に除去して所望パターンの薄膜層を
形成する方法で、除去を必要とする薄膜部を第２のマス
ク層と共に容易に除去し得る新規の方法である。
れた発明は、図６に示す薄膜太陽電池の模式図におい
て、フィルム基板１の材料とマスク層５の材料に好適な
材料を選定して剥離性を良好にすることと、図７に示す
ように、フィルム基板１上に、第１のマスク層６および
第２のマスク層７を順次積層した所定パターンの２層構
造のマスク層を形成した後、前記基板および第２のマス
ク層の両面上にまたがって所定パターンの薄膜層を形成
し、前記第２のマスク層を前記第１のマスク層との界面
から剥離することにより、第２のマスク層上の薄膜層を
第２のマスク層と共に除去して所望パターンの薄膜層を
形成する方法で、除去を必要とする薄膜部を第２のマス
ク層と共に容易に除去し得る新規の方法である。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記の方法
において、マスク層の基板からの剥離方法としては、粘
着性フィルムを薄膜層上面に貼り付け、この粘着性フィ
ルムを機械的に引き剥がすことにより、薄膜層およびマ
スク層を除去する方法が従来から採用されていた。この
方法の場合、量産性が悪くまた、時に剥離ミスが発生す
る問題があった。
において、マスク層の基板からの剥離方法としては、粘
着性フィルムを薄膜層上面に貼り付け、この粘着性フィ
ルムを機械的に引き剥がすことにより、薄膜層およびマ
スク層を除去する方法が従来から採用されていた。この
方法の場合、量産性が悪くまた、時に剥離ミスが発生す
る問題があった。
【００２１】この発明は、上記問題点に鑑みてなされた
もので、この発明の課題は、量産性と歩留りの向上、総
じて量産コストの低減を図ったリフトオフ方式のパター
ン状薄膜層の形成方法を提供することにある。
もので、この発明の課題は、量産性と歩留りの向上、総
じて量産コストの低減を図ったリフトオフ方式のパター
ン状薄膜層の形成方法を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明においては、電気絶縁性フィルム基板上
に、所定パターンのリフトオフ用マスク層を形成した
後、前記基板およびマスク層の両面上にまたがって所定
パターンの薄膜層を形成し、前記マスク層を前記基板と
の界面から剥離することにより、マスク層とその上の薄
膜層（以下、マスク層とその上の薄膜層を合わせて、リ
フトオフ層ともいう。）を除去して所望パターンの薄膜
層を形成するパターン状薄膜層の形成方法において、吸
引口と真空排気装置とを備えた真空吸引装置の前記吸引
口を、前記リフトオフ層上を走査させることにより、リ
フトオフ層を吸引して剥離することとする（請求項
１）。
に、この発明においては、電気絶縁性フィルム基板上
に、所定パターンのリフトオフ用マスク層を形成した
後、前記基板およびマスク層の両面上にまたがって所定
パターンの薄膜層を形成し、前記マスク層を前記基板と
の界面から剥離することにより、マスク層とその上の薄
膜層（以下、マスク層とその上の薄膜層を合わせて、リ
フトオフ層ともいう。）を除去して所望パターンの薄膜
層を形成するパターン状薄膜層の形成方法において、吸
引口と真空排気装置とを備えた真空吸引装置の前記吸引
口を、前記リフトオフ層上を走査させることにより、リ
フトオフ層を吸引して剥離することとする（請求項
１）。
【００２３】これにより、リフトオフ層が、ほぼ均一な
真空吸引力により、容易かつ安定的に除去できる。前記
吸引口は、一つに限定されるものではなく、必要に応じ
パターンに応じて複数個の吸引口から同時に真空吸引し
て一括剥離し、走査の回数を低減することができる。
真空吸引力により、容易かつ安定的に除去できる。前記
吸引口は、一つに限定されるものではなく、必要に応じ
パターンに応じて複数個の吸引口から同時に真空吸引し
て一括剥離し、走査の回数を低減することができる。
【００２４】また、上記請求項１の方法において、電気
絶縁性フィルム基板上に、第１のマスク層および第２の
マスク層を順次積層した所定パターンの２層構造のマス
ク層を形成した後、前記基板および第２のマスク層の両
面上にまたがって所定パターンの薄膜層を形成し、前記
第２のマスク層を前記第１のマスク層との界面から剥離
することにより、第２のマスク層上の薄膜層を第２のマ
スク層と共に除去して所望パターンの薄膜層を形成する
こととする（請求項２）。これにより、剥離はさらに容
易かつ安定的となる。
絶縁性フィルム基板上に、第１のマスク層および第２の
マスク層を順次積層した所定パターンの２層構造のマス
ク層を形成した後、前記基板および第２のマスク層の両
面上にまたがって所定パターンの薄膜層を形成し、前記
第２のマスク層を前記第１のマスク層との界面から剥離
することにより、第２のマスク層上の薄膜層を第２のマ
スク層と共に除去して所望パターンの薄膜層を形成する
こととする（請求項２）。これにより、剥離はさらに容
易かつ安定的となる。
【００２５】さらに、請求項３ないし５の発明によれ
ば、真空吸着に変えて、ホットメルト接着剤を用いて剥
離操作を容易にすることができる。まず、請求項３によ
れば、電気絶縁性フィルム基板上に、所定パターンのリ
フトオフ用マスク層を形成した後、前記基板およびマス
ク層の両面上にまたがって所定パターンの薄膜層を形成
し、前記マスク層を前記基板との界面から剥離すること
により、マスク層とその上の薄膜層（リフトオフ層）を
除去して所望パターンの薄膜層を形成するパターン状薄
膜層の形成方法において、前記リフトオフ層上にホット
メルト接着剤を所定の間隔でスポット状に滴下し、この
接着剤硬化後に、剥離用ブレード部材の先端部を前記ス
ポット状接着剤の側底部に当接して接着剤に剥離力を加
えることにより、リフトオフ層を接着剤と共に除去して
所望パターンの薄膜層を形成することとする。
ば、真空吸着に変えて、ホットメルト接着剤を用いて剥
離操作を容易にすることができる。まず、請求項３によ
れば、電気絶縁性フィルム基板上に、所定パターンのリ
フトオフ用マスク層を形成した後、前記基板およびマス
ク層の両面上にまたがって所定パターンの薄膜層を形成
し、前記マスク層を前記基板との界面から剥離すること
により、マスク層とその上の薄膜層（リフトオフ層）を
除去して所望パターンの薄膜層を形成するパターン状薄
膜層の形成方法において、前記リフトオフ層上にホット
メルト接着剤を所定の間隔でスポット状に滴下し、この
接着剤硬化後に、剥離用ブレード部材の先端部を前記ス
ポット状接着剤の側底部に当接して接着剤に剥離力を加
えることにより、リフトオフ層を接着剤と共に除去して
所望パターンの薄膜層を形成することとする。
【００２６】また、前記請求項３の方法において、搬送
ローラにより搬送されるフィルム基板に接着硬化したス
ポット状接着剤の側底部に剥離用ブレード部材の先端部
を当接して、搬送ローラの搬送力によりリフトオフ層を
接着剤と共に除去して所望パターンの薄膜層を形成する
こととする（請求項４）。
ローラにより搬送されるフィルム基板に接着硬化したス
ポット状接着剤の側底部に剥離用ブレード部材の先端部
を当接して、搬送ローラの搬送力によりリフトオフ層を
接着剤と共に除去して所望パターンの薄膜層を形成する
こととする（請求項４）。
【００２７】さらに、上記請求項３または４記載のリフ
トオフ層を接着剤と共に除去して所望パターンの薄膜層
を形成する方法において、電気絶縁性フィルム基板上
に、第１のマスク層および第２のマスク層を順次積層し
た所定パターンの２層構造のマスク層を形成した後、前
記基板および第２のマスク層の両面上にまたがって所定
パターンの薄膜層を形成し、前記第２のマスク層を前記
第１のマスク層との界面から剥離することにより、第２
のマスク層上の薄膜層を第２のマスク層と共に除去して
所望パターンの薄膜層を形成することとする（請求項
５）。
トオフ層を接着剤と共に除去して所望パターンの薄膜層
を形成する方法において、電気絶縁性フィルム基板上
に、第１のマスク層および第２のマスク層を順次積層し
た所定パターンの２層構造のマスク層を形成した後、前
記基板および第２のマスク層の両面上にまたがって所定
パターンの薄膜層を形成し、前記第２のマスク層を前記
第１のマスク層との界面から剥離することにより、第２
のマスク層上の薄膜層を第２のマスク層と共に除去して
所望パターンの薄膜層を形成することとする（請求項
５）。
【００２８】また、請求項６の発明は、薄膜太陽電池へ
の適用に関わるもので、前記請求項１ないし５記載のい
ずれかの方法において、薄膜層は、下部電極としての第
１電極層，光電変換層，透明電極層としての第２電極層
とを備えた光電変換素子が複数直列接続されてなる光電
変換装置用の薄膜層であることとする。特に、上記請求
項４の方法は、ロール搬送方式の薄膜太陽電池の量産方
法に好適である。
の適用に関わるもので、前記請求項１ないし５記載のい
ずれかの方法において、薄膜層は、下部電極としての第
１電極層，光電変換層，透明電極層としての第２電極層
とを備えた光電変換素子が複数直列接続されてなる光電
変換装置用の薄膜層であることとする。特に、上記請求
項４の方法は、ロール搬送方式の薄膜太陽電池の量産方
法に好適である。
【００２９】さらにまた、請求項７の発明によれば、請
求項２または５記載の方法において、薄膜層は、下部電
極としての第１電極層，光電変換層，透明電極層として
の第２電極層とを備えた光電変換素子が複数直列接続さ
れてなる光電変換装置用の薄膜層であって、第１のマス
ク層，第２のマスク層および第１電極層形成後に第２の
マスク層および第１電極層を第１のマスク層から剥離
し、その後第１のマスク層上に再度第２のマスク層（以
下、再マスク層という。）を形成し、さらに第１電極層
および前記再マスク層の両面上にまたがって光電変換層
および第２電極層を形成し、前記再マスク層を第１のマ
スク層との界面から剥離することにより，再マスク層上
の光電変換層および第２電極層を再マスク層と共に除去
して所望パターンの薄膜層を形成することとする。
求項２または５記載の方法において、薄膜層は、下部電
極としての第１電極層，光電変換層，透明電極層として
の第２電極層とを備えた光電変換素子が複数直列接続さ
れてなる光電変換装置用の薄膜層であって、第１のマス
ク層，第２のマスク層および第１電極層形成後に第２の
マスク層および第１電極層を第１のマスク層から剥離
し、その後第１のマスク層上に再度第２のマスク層（以
下、再マスク層という。）を形成し、さらに第１電極層
および前記再マスク層の両面上にまたがって光電変換層
および第２電極層を形成し、前記再マスク層を第１のマ
スク層との界面から剥離することにより，再マスク層上
の光電変換層および第２電極層を再マスク層と共に除去
して所望パターンの薄膜層を形成することとする。
【００３０】この方法によれば、各層の剥離を２回に分
けて剥離するので、剥離がより確実となりフィルム基板
上に残る剥離残り量を軽減でき、品質と歩留りが向上す
る。
けて剥離するので、剥離がより確実となりフィルム基板
上に残る剥離残り量を軽減でき、品質と歩留りが向上す
る。
【００３１】最後に、請求項８の発明によれば、前記請
求項７の方法において、再マスク層のパターン幅寸法
を、最初に形成する第２のマスク層のパターン幅寸法よ
り小とする。これにより、詳細は後述するが、防湿性の
高い光電変換層が第１電極層を覆うため、水分の侵入が
抑えられ、耐防湿性を有する信頼性の高い光電変換素子
が提供できる。
求項７の方法において、再マスク層のパターン幅寸法
を、最初に形成する第２のマスク層のパターン幅寸法よ
り小とする。これにより、詳細は後述するが、防湿性の
高い光電変換層が第１電極層を覆うため、水分の侵入が
抑えられ、耐防湿性を有する信頼性の高い光電変換素子
が提供できる。
【００３２】
【発明の実施の形態】図面に基づき、本発明の実施例に
ついて以下にのべる。
ついて以下にのべる。
【００３３】（実施例１）図１は、請求項１，２の発明
に関わる実施例を示す概念図である。吸引口２０を有す
る真空吸引装置２１により、吸引口２０をＡ矢印で示す
方向に走査させることにより、リフトオフ層１０をフィ
ルム基板１から剥離する。
に関わる実施例を示す概念図である。吸引口２０を有す
る真空吸引装置２１により、吸引口２０をＡ矢印で示す
方向に走査させることにより、リフトオフ層１０をフィ
ルム基板１から剥離する。
【００３４】上記方法に関わるショートピースによる剥
離実験例について、以下に述べる。厚さ５０μｍ，幅５
０ｍｍの絶縁性フィルム基板１上に、スクリーン印刷法
（版：ステンレスメッシュ ＃２００）を用いてシリコ
ーン樹脂からなる第１のマスク層（幅２．５ｍｍ）のパ
ターン（７．５ｍｍピッチのストライプ）を印刷し、９
０℃〜１００℃の恒温槽内にて３分加熱乾燥した。第１
のマスク層厚さは２〜３μｍとした。
離実験例について、以下に述べる。厚さ５０μｍ，幅５
０ｍｍの絶縁性フィルム基板１上に、スクリーン印刷法
（版：ステンレスメッシュ ＃２００）を用いてシリコ
ーン樹脂からなる第１のマスク層（幅２．５ｍｍ）のパ
ターン（７．５ｍｍピッチのストライプ）を印刷し、９
０℃〜１００℃の恒温槽内にて３分加熱乾燥した。第１
のマスク層厚さは２〜３μｍとした。
【００３５】前記第１のマスク層上に同じ版を用い、ポ
リイミドからなる第２のマスク層を印刷し、９０℃〜１
００℃の恒温槽内にて３分、１４０℃の恒温槽内にて２
分乾燥した。第２のマスク層の厚さは８〜１０μｍとし
た。
リイミドからなる第２のマスク層を印刷し、９０℃〜１
００℃の恒温槽内にて３分、１４０℃の恒温槽内にて２
分乾燥した。第２のマスク層の厚さは８〜１０μｍとし
た。
【００３６】上記２層のマスク層上に、第１電極層、光
電変換層、第２電極層を形成した。上記薄膜形成後、吸
引口形状が２ｍｍ×５ｍｍで、１０〜２０°傾斜させた
ガラス管を吸引口として、パターン部分に押し当て、２
０Torr以下の圧力でリフトオフ層（マスク層とその上の
薄膜）を吸引、剥離した。この方法により、テープ剥離
と同等のパターニングラインを容易に得ることができ
た。
電変換層、第２電極層を形成した。上記薄膜形成後、吸
引口形状が２ｍｍ×５ｍｍで、１０〜２０°傾斜させた
ガラス管を吸引口として、パターン部分に押し当て、２
０Torr以下の圧力でリフトオフ層（マスク層とその上の
薄膜）を吸引、剥離した。この方法により、テープ剥離
と同等のパターニングラインを容易に得ることができ
た。
【００３７】（実施例２）図２は、請求項３の発明に関
わる実施例を示す概念図である。
わる実施例を示す概念図である。
【００３８】リフトオフ層１０上にホットメルト接着剤
を所定の間隔でスポット状に滴下し、この接着剤硬化後
に、剥離用ブレード部材３１の先端部３２を前記スポッ
ト状接着剤３０の側底部に当接して接着剤に剥離力を加
えることにより、リフトオフ層１０を接着剤と共に除去
して所望パターンの薄膜層を形成する。
を所定の間隔でスポット状に滴下し、この接着剤硬化後
に、剥離用ブレード部材３１の先端部３２を前記スポッ
ト状接着剤３０の側底部に当接して接着剤に剥離力を加
えることにより、リフトオフ層１０を接着剤と共に除去
して所望パターンの薄膜層を形成する。
【００３９】上記方法に関わるショートピースによる剥
離実験例について、以下に述べる。第１のマスク層，第
２のマスク層および前記２層のマスク層上に、第１電極
層、光電変換層、第２電極層を形成する手順は、上記実
施例１と同一である。
離実験例について、以下に述べる。第１のマスク層，第
２のマスク層および前記２層のマスク層上に、第１電極
層、光電変換層、第２電極層を形成する手順は、上記実
施例１と同一である。
【００４０】上記薄膜形成後、リフトオフ層の上から２
液性エポキシ樹脂３〜５ｍｇを、１５ｍｍ間隔で滴下
し、滴下後１００℃の恒温槽内にて３０秒エポキシ樹脂
９を硬化させ、略円筒状の樹脂山スポットを形成した。
その後、図２に示すようにシリコンゴム製のブレード部
材３１にて第１のマスク層と第２のマスク層間を剥離
し、リフトオフ層１０を接着剤と共に除去して所望パタ
ーンの薄膜層を形成した。上記ホットメルト接着剤を用
いた剥離により、粘着テープを用いた剥離と同等のパタ
ーニングラインを容易に得ることができる。
液性エポキシ樹脂３〜５ｍｇを、１５ｍｍ間隔で滴下
し、滴下後１００℃の恒温槽内にて３０秒エポキシ樹脂
９を硬化させ、略円筒状の樹脂山スポットを形成した。
その後、図２に示すようにシリコンゴム製のブレード部
材３１にて第１のマスク層と第２のマスク層間を剥離
し、リフトオフ層１０を接着剤と共に除去して所望パタ
ーンの薄膜層を形成した。上記ホットメルト接着剤を用
いた剥離により、粘着テープを用いた剥離と同等のパタ
ーニングラインを容易に得ることができる。
【００４１】図３は、請求項４の発明に関わる実施例を
概念的に示す図で、図３（ｂ）に側面図を、図３（ａ）
に図３（ｂ）の矢印Ｐ方向からみた部分平面図を示す。
薄膜太陽電池の製造プロセスにおいては、一般に、その
基板を搬送ロールにより張力をかけながら搬送し、各種
の薄膜形成を行う。請求項４の発明は、このような製法
とのマッチングを考慮してなされた発明もので、図３の
搬送ローラ１１によりフィルム基板１が搬送される。搬
送ローラにより搬送されるフィルム基板１に接着硬化し
たスポット状接着剤３０の側底部に剥離用ブレード部材
３１の先端部３２を当接して、搬送ローラ１１の搬送力
によりリフトオフ層１０を接着剤と共に除去して所望パ
ターンの薄膜層を形成することができる。
概念的に示す図で、図３（ｂ）に側面図を、図３（ａ）
に図３（ｂ）の矢印Ｐ方向からみた部分平面図を示す。
薄膜太陽電池の製造プロセスにおいては、一般に、その
基板を搬送ロールにより張力をかけながら搬送し、各種
の薄膜形成を行う。請求項４の発明は、このような製法
とのマッチングを考慮してなされた発明もので、図３の
搬送ローラ１１によりフィルム基板１が搬送される。搬
送ローラにより搬送されるフィルム基板１に接着硬化し
たスポット状接着剤３０の側底部に剥離用ブレード部材
３１の先端部３２を当接して、搬送ローラ１１の搬送力
によりリフトオフ層１０を接着剤と共に除去して所望パ
ターンの薄膜層を形成することができる。
【００４２】（実施例３）図４は、請求項７の発明に関
わる実施例を概念的に示す図で、図４（ａ）は、第２の
マスク層７を形成後，第１電極層を形成した状態を示
し、図４（ｂ）は、再マスク層７０形成後，光電変換層
３および第２電極層４を形成した状態を示す。
わる実施例を概念的に示す図で、図４（ａ）は、第２の
マスク層７を形成後，第１電極層を形成した状態を示
し、図４（ｂ）は、再マスク層７０形成後，光電変換層
３および第２電極層４を形成した状態を示す。
【００４３】上記請求項７の発明に関わる実験例につい
て、以下に述べる。厚さ５０μｍの絶縁性フィルム基板
１上に、スクリーン印刷法（版：ステンレスメッシュ
＃２００）を用いて、第１のマスク層としてのシリコー
ン樹脂からなる所定のパターンを印刷し、９０℃〜１０
０℃の恒温槽内にて３分加熱乾燥した。第１のマスク層
の厚さは２〜３μｍ，幅は４００μｍとした。
て、以下に述べる。厚さ５０μｍの絶縁性フィルム基板
１上に、スクリーン印刷法（版：ステンレスメッシュ
＃２００）を用いて、第１のマスク層としてのシリコー
ン樹脂からなる所定のパターンを印刷し、９０℃〜１０
０℃の恒温槽内にて３分加熱乾燥した。第１のマスク層
の厚さは２〜３μｍ，幅は４００μｍとした。
【００４４】第１のマスク層６上に同じ版を用い、ポリ
イミドからなる第２のマスク層を印刷し、９０℃〜１０
０℃の恒温槽内にて３分、１４０℃の恒温槽内にて２分
乾燥した。第２のマスク層７の厚さは８〜１０μｍ，幅
は４００μｍとした。
イミドからなる第２のマスク層を印刷し、９０℃〜１０
０℃の恒温槽内にて３分、１４０℃の恒温槽内にて２分
乾燥した。第２のマスク層７の厚さは８〜１０μｍ，幅
は４００μｍとした。
【００４５】上記２層のマスク層上に、第１電極層２を
形成した後（図３（ａ））、真空吸引により第１のマス
ク層と第２のマスク層間で剥離した。
形成した後（図３（ａ））、真空吸引により第１のマス
ク層と第２のマスク層間で剥離した。
【００４６】続いて、第１のマスク層６上に再マスク層
７０としてのポリイミドからなる所定のパターンを印刷
し、９０℃〜１００℃の恒温槽内にて３分加熱乾燥し
た。再マスク層７０の厚さは２〜３μｍ，幅は４００μ
ｍとした。
７０としてのポリイミドからなる所定のパターンを印刷
し、９０℃〜１００℃の恒温槽内にて３分加熱乾燥し
た。再マスク層７０の厚さは２〜３μｍ，幅は４００μ
ｍとした。
【００４７】再マスク層７０上に、光電変換層３、第２
電極層４を積層した（図３（ｂ））。薄膜積層後、真空
吸引により再マスク層７０とその上の薄膜層を、第１の
マスク層から剥離除去した。このように２回に分けて剥
離を行うことにより、基板上に残る剥離残し量を減らす
ことができた。
電極層４を積層した（図３（ｂ））。薄膜積層後、真空
吸引により再マスク層７０とその上の薄膜層を、第１の
マスク層から剥離除去した。このように２回に分けて剥
離を行うことにより、基板上に残る剥離残し量を減らす
ことができた。
【００４８】（実施例４）図５は、請求項８の発明に関
わる実施例を概念的に示す図で、図５（ａ）は、第２の
マスク層７を形成後，第１電極層を形成した状態を示
し、図５（ｂ）は、再マスク層７０形成後，光電変換層
３および第２電極層４を形成した状態を示し、図５
（ｃ）は、リフトオフ完了後の部分拡大断面図を示す。
わる実施例を概念的に示す図で、図５（ａ）は、第２の
マスク層７を形成後，第１電極層を形成した状態を示
し、図５（ｂ）は、再マスク層７０形成後，光電変換層
３および第２電極層４を形成した状態を示し、図５
（ｃ）は、リフトオフ完了後の部分拡大断面図を示す。
【００４９】上記請求項８の発明に関わる実験例につい
て、以下に述べる。図５（ａ）の第２のマスク層７を形
成後，第１電極層を形成する手順を経て、図５（ｂ）の
再マスク層７０形成後，光電変換層３および第２電極層
４を形成する手順は、前記実施例３と略同様であるが、
異なる点は、図５（ｂ）における再マスク層７０の幅
を、実施例３における幅（４００μｍ）の半分の２００
μｍとした点である。
て、以下に述べる。図５（ａ）の第２のマスク層７を形
成後，第１電極層を形成する手順を経て、図５（ｂ）の
再マスク層７０形成後，光電変換層３および第２電極層
４を形成する手順は、前記実施例３と略同様であるが、
異なる点は、図５（ｂ）における再マスク層７０の幅
を、実施例３における幅（４００μｍ）の半分の２００
μｍとした点である。
【００５０】このようにすることにより、図５（ｃ）に
示すように、防湿性の高い光電変換層３が第１電極層２
を覆うため、水分の侵入が抑えられ、信頼性の高い光電
変換素子を提供できる。
示すように、防湿性の高い光電変換層３が第１電極層２
を覆うため、水分の侵入が抑えられ、信頼性の高い光電
変換素子を提供できる。
【００５１】
【発明の効果】この発明によれば、電気絶縁性フィルム
基板上に、所定パターンのリフトオフ用マスク層を形成
した後、前記基板およびマスク層の両面上にまたがって
所定パターンの薄膜層を形成し、前記マスク層を前記基
板との界面から剥離することにより、マスク層とその上
の薄膜層（リフトオフ層）を除去して所望パターンの薄
膜層を形成するパターン状薄膜層の形成方法において、
吸引口と真空排気装置とを備えた真空吸引装置の前記吸
引口を、前記リフトオフ層上を走査させることにより、
リフトオフ層を吸引して剥離することとするか、もしく
は、前記リフトオフ層上にホットメルト接着剤を所定の
間隔でスポット状に滴下し、この接着剤硬化後に、剥離
用ブレード部材の先端部を前記スポット状接着剤の側底
部に当接して接着剤に剥離力を加えることにより、リフ
トオフ層を接着剤と共に除去して所望パターンの薄膜層
を形成することとしたので、リフトオフ層が、真空吸引
力もしくは接着剤を介して容易かつ安定的に剥離でき、
量産性と歩留りの向上、総じて量産コストの低減を図っ
たリフトオフ方式のパターン状薄膜層の形成方法を提供
することができる。この発明は、太陽電池以外に、半導
体や感光体などの薄膜形成に広く適用できるが、特に、
光電変換装置の製造プロセスに適用した場合、製造プロ
セスの簡易化，低コスト化に寄与できる。
基板上に、所定パターンのリフトオフ用マスク層を形成
した後、前記基板およびマスク層の両面上にまたがって
所定パターンの薄膜層を形成し、前記マスク層を前記基
板との界面から剥離することにより、マスク層とその上
の薄膜層（リフトオフ層）を除去して所望パターンの薄
膜層を形成するパターン状薄膜層の形成方法において、
吸引口と真空排気装置とを備えた真空吸引装置の前記吸
引口を、前記リフトオフ層上を走査させることにより、
リフトオフ層を吸引して剥離することとするか、もしく
は、前記リフトオフ層上にホットメルト接着剤を所定の
間隔でスポット状に滴下し、この接着剤硬化後に、剥離
用ブレード部材の先端部を前記スポット状接着剤の側底
部に当接して接着剤に剥離力を加えることにより、リフ
トオフ層を接着剤と共に除去して所望パターンの薄膜層
を形成することとしたので、リフトオフ層が、真空吸引
力もしくは接着剤を介して容易かつ安定的に剥離でき、
量産性と歩留りの向上、総じて量産コストの低減を図っ
たリフトオフ方式のパターン状薄膜層の形成方法を提供
することができる。この発明は、太陽電池以外に、半導
体や感光体などの薄膜形成に広く適用できるが、特に、
光電変換装置の製造プロセスに適用した場合、製造プロ
セスの簡易化，低コスト化に寄与できる。
【図１】この発明の真空吸引方式の実施例の概念図
【図２】この発明の接着剤方式の実施例の概念図
【図３】この発明の搬送ローラを用いる接着剤方式の実
施例の概念図
施例の概念図
【図４】この発明の請求項７に関わる実施例の製造工程
を示す図
を示す図
【図５】この発明の請求項８に関わる実施例の製造工程
を示す図
を示す図
【図６】従来のマスク一層式パターン状薄膜層の形成方
法を概念的に説明する図
法を概念的に説明する図
【図７】従来のマスク二層式パターン状薄膜層の形成方
法を概念的に説明する図
法を概念的に説明する図
【図８】薄膜太陽電池の構成および製造方法を概念的に
説明する図
説明する図
１：フィルム基板、２：第１電極層、３：光電変換層、
４：第２電極層、６：第１のマスク層、７：第２のマス
ク層、１０：リフトオフ層、１１：搬送ローラ、２０：
吸引口、２１：真空吸引装置、３０：スポット状接着
剤、３１：ブレード部材、７０：再マスク層。
４：第２電極層、６：第１のマスク層、７：第２のマス
ク層、１０：リフトオフ層、１１：搬送ローラ、２０：
吸引口、２１：真空吸引装置、３０：スポット状接着
剤、３１：ブレード部材、７０：再マスク層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀 弥一郎 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 Ｆターム(参考） 5F051 EA09 EA10 EA11 EA15 EA20
Claims (8)
- 【請求項１】 電気絶縁性フィルム基板上に、所定パタ
ーンのリフトオフ用マスク層を形成した後、前記基板お
よびマスク層の両面上にまたがって所定パターンの薄膜
層を形成し、前記マスク層を前記基板との界面から剥離
することにより、マスク層とその上の薄膜層（リフトオ
フ層）を除去して所望パターンの薄膜層を形成するパタ
ーン状薄膜層の形成方法において、吸引口と真空排気装
置とを備えた真空吸引装置の前記吸引口を、前記リフト
オフ層上を走査させることにより、リフトオフ層を吸引
して剥離することを特徴とするパターン状薄膜層の形成
方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のリフトオフ層を吸引して
剥離するパターン状薄膜層の形成方法において、電気絶
縁性フィルム基板上に、第１のマスク層および第２のマ
スク層を順次積層した所定パターンの２層構造のマスク
層を形成した後、前記基板および第２のマスク層の両面
上にまたがって所定パターンの薄膜層を形成し、前記第
２のマスク層を前記第１のマスク層との界面から剥離す
ることにより、第２のマスク層上の薄膜層を第２のマス
ク層と共に除去して所望パターンの薄膜層を形成するこ
とを特徴とするパターン状薄膜層の形成方法。 - 【請求項３】 電気絶縁性フィルム基板上に、所定パタ
ーンのリフトオフ用マスク層を形成した後、前記基板お
よびマスク層の両面上にまたがって所定パターンの薄膜
層を形成し、前記マスク層を前記基板との界面から剥離
することにより、マスク層とその上の薄膜層（リフトオ
フ層）を除去して所望パターンの薄膜層を形成するパタ
ーン状薄膜層の形成方法において、前記リフトオフ層上
にホットメルト接着剤を所定の間隔でスポット状に滴下
し、この接着剤硬化後に、剥離用ブレード部材の先端部
を前記スポット状接着剤の側底部に当接して接着剤に剥
離力を加えることにより、リフトオフ層を接着剤と共に
除去して所望パターンの薄膜層を形成することを特徴と
するパターン状薄膜層の形成方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の方法において、搬送ロー
ラにより搬送されるフィルム基板に接着硬化したスポッ
ト状接着剤の側底部に剥離用ブレード部材の先端部を当
接して、搬送ローラの搬送力によりリフトオフ層を接着
剤と共に除去して所望パターンの薄膜層を形成すること
を特徴とするパターン状薄膜層の形成方法。 - 【請求項５】 請求項３または４記載のリフトオフ層を
接着剤と共に除去して所望パターンの薄膜層を形成する
方法において、電気絶縁性フィルム基板上に、第１のマ
スク層および第２のマスク層を順次積層した所定パター
ンの２層構造のマスク層を形成した後、前記基板および
第２のマスク層の両面上にまたがって所定パターンの薄
膜層を形成し、前記第２のマスク層を前記第１のマスク
層との界面から剥離することにより、第２のマスク層上
の薄膜層を第２のマスク層と共に除去して所望パターン
の薄膜層を形成することを特徴とするパターン状薄膜層
の形成方法。 - 【請求項６】 請求項１ないし５記載のいずれかの方法
において、薄膜層は、下部電極としての第１電極層，光
電変換層，透明電極層としての第２電極層とを備えた光
電変換素子が複数直列接続されてなる光電変換装置用の
薄膜層であることを特徴とするパターン状薄膜層の形成
方法。 - 【請求項７】 請求項２または５記載の方法において、
薄膜層は、下部電極としての第１電極層，光電変換層，
透明電極層としての第２電極層とを備えた光電変換素子
が複数直列接続されてなる光電変換装置用の薄膜層であ
って、第１のマスク層，第２のマスク層および第１電極
層形成後に第２のマスク層および第１電極層を第１のマ
スク層から剥離し、その後第１のマスク層上に再度第２
のマスク層（再マスク層）を形成し、さらに第１電極層
および前記再マスク層の両面上にまたがって光電変換層
および第２電極層を形成し、前記再マスク層を第１のマ
スク層との界面から剥離することにより，再マスク層上
の光電変換層および第２電極層を再マスク層と共に除去
して所望パターンの薄膜層を形成することを特徴とする
パターン状薄膜層の形成方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の方法において、再マスク
層のパターン幅寸法を、最初に形成する第２のマスク層
のパターン幅寸法より小としたことを特徴とするパター
ン状薄膜層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30826099A JP4086218B2 (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | パターン状薄膜層の形成方法 |
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|---|---|---|---|
| JP30826099A JP4086218B2 (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | パターン状薄膜層の形成方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001127318A true JP2001127318A (ja) | 2001-05-11 |
| JP4086218B2 JP4086218B2 (ja) | 2008-05-14 |
Family
ID=17978877
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|---|---|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019054142A (ja) * | 2017-09-15 | 2019-04-04 | 株式会社東芝 | 光電変換素子、その製造方法、およびその製造装置 |
Citations (8)
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