JPH10233517A - 光電変換装置およびその製造方法 - Google Patents
光電変換装置およびその製造方法Info
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- JPH10233517A JPH10233517A JP9037207A JP3720797A JPH10233517A JP H10233517 A JPH10233517 A JP H10233517A JP 9037207 A JP9037207 A JP 9037207A JP 3720797 A JP3720797 A JP 3720797A JP H10233517 A JPH10233517 A JP H10233517A
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】
【課題】周縁導電部、光電変換素子または裏面電極の間
の短絡の危険性の少ない、電極材のマイグレーションの
起こりにくい光電変換装置およびその製造方法を提供す
る。 【解決手段】絶縁性の基板１上の少なくとも片側に第１
電極層（電極ｌ１、・・）、光電変換層Ｐおよび第２電
極層（電極ｕ１、・・）が積層されてなり、個別化され
ている光電変換素子が複数直列接続されてなる光電変換
素子装置において、直接直列接続されていなくて、互い
に隣接している前記光電変換素子の電極間には、および
直列接続された光電変換素子と前記基板の周縁部にあ
り、これらの光電変換素子を囲む電極層または電極層と
光電変換層の積層の周縁導電部ｆとの間には、電極層お
よび光電変換層のいずれの層も存在しない分離線（ｇ
２、ｇ３）を１または複数介在させる。
の短絡の危険性の少ない、電極材のマイグレーションの
起こりにくい光電変換装置およびその製造方法を提供す
る。 【解決手段】絶縁性の基板１上の少なくとも片側に第１
電極層（電極ｌ１、・・）、光電変換層Ｐおよび第２電
極層（電極ｕ１、・・）が積層されてなり、個別化され
ている光電変換素子が複数直列接続されてなる光電変換
素子装置において、直接直列接続されていなくて、互い
に隣接している前記光電変換素子の電極間には、および
直列接続された光電変換素子と前記基板の周縁部にあ
り、これらの光電変換素子を囲む電極層または電極層と
光電変換層の積層の周縁導電部ｆとの間には、電極層お
よび光電変換層のいずれの層も存在しない分離線（ｇ
２、ｇ３）を１または複数介在させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の光電変換素
子が直列接続されてなる光電変換装置およびその製造方
法に関する。
子が直列接続されてなる光電変換装置およびその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】同一基板上に形成された複数の光電変換
素子が直列接続されてなる光電変換装置の代表例は薄膜
太陽電池である。薄膜太陽電池は、フレキシブルな絶縁
性基板に単一の第１電極、薄膜半導体層からなる光電変
換層および第２電極が積層されてなる光電変換素子（ま
たはセル）が複数形成されている。ある光電変換素子の
第１電極と隣接する光電変換素子の第２電極を電気的に
接続することを繰り返すことにより、最初の光電変換素
子の第１電極と最後の光電変換素子の第２電極とに必要
な電圧を出力させることができる。例えばインバータに
より交流化し商用電力源として交流１００V を得るため
には、１００V 以上が望ましく、実際には数１０個以上
の素子が直列接続される。
素子が直列接続されてなる光電変換装置の代表例は薄膜
太陽電池である。薄膜太陽電池は、フレキシブルな絶縁
性基板に単一の第１電極、薄膜半導体層からなる光電変
換層および第２電極が積層されてなる光電変換素子（ま
たはセル）が複数形成されている。ある光電変換素子の
第１電極と隣接する光電変換素子の第２電極を電気的に
接続することを繰り返すことにより、最初の光電変換素
子の第１電極と最後の光電変換素子の第２電極とに必要
な電圧を出力させることができる。例えばインバータに
より交流化し商用電力源として交流１００V を得るため
には、１００V 以上が望ましく、実際には数１０個以上
の素子が直列接続される。
【０００３】このような光電変換素子とその直列接続
は、電極層と光電変換層の成膜と各層のパターニングお
よびそれらの組み合わせ手順により形成される。少数の
光電変換素子を直列接続した薄膜太陽電池により従来技
術を説明する。図５は従来の直列接続の薄膜太陽電池を
示し（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡＡ断面
図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＢＢ断面図である。
この場合は、６個の光電変換素子が直列接続されてお
り、両端の電力取り出し電極ｏ１、ｏ２は基板１の１辺
で隣接している。従って、電圧差の大きい電極が隣接す
ることになる。
は、電極層と光電変換層の成膜と各層のパターニングお
よびそれらの組み合わせ手順により形成される。少数の
光電変換素子を直列接続した薄膜太陽電池により従来技
術を説明する。図５は従来の直列接続の薄膜太陽電池を
示し（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡＡ断面
図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＢＢ断面図である。
この場合は、６個の光電変換素子が直列接続されてお
り、両端の電力取り出し電極ｏ１、ｏ２は基板１の１辺
で隣接している。従って、電圧差の大きい電極が隣接す
ることになる。
【０００４】基板１に第１電極層を成膜し、レーザー加
工により個別の下電極ｌ１〜ｌ６をパターニングする。
以下、光電変換素子の基板側の電極を下電極、光電変換
層を挟んで下電極に対向する電極を上電極とする。レー
ザー加工によるパターニングとは、０．４mm程度の幅の
膜を直線状に除去し、個別の単一領域（電極）を形成す
ることである。以下、レーザ加工または他の加工方法に
より除去した線を分離線という。下電極ｌ１〜ｌ６は分
離線により囲まれる。またレーザー加工の特徴としてレ
ーザビームが基板の端部を通過しても、基板の端部では
電極層が除去しきれずに残留するので、基板の周縁は細
い電極層によって囲まれる。
工により個別の下電極ｌ１〜ｌ６をパターニングする。
以下、光電変換素子の基板側の電極を下電極、光電変換
層を挟んで下電極に対向する電極を上電極とする。レー
ザー加工によるパターニングとは、０．４mm程度の幅の
膜を直線状に除去し、個別の単一領域（電極）を形成す
ることである。以下、レーザ加工または他の加工方法に
より除去した線を分離線という。下電極ｌ１〜ｌ６は分
離線により囲まれる。またレーザー加工の特徴としてレ
ーザビームが基板の端部を通過しても、基板の端部では
電極層が除去しきれずに残留するので、基板の周縁は細
い電極層によって囲まれる。
【０００５】次に、a-Siからなる光電変換層ｐを成膜
し、レーザー加工により、次に成膜する第２電極層と下
電極との接続のための上記分離線と同様な直線状の孔ｇ
ｐを開ける。最後に第２電極層を成膜し、レーザー加工
により第１電極の形状を全体に直列接続方向に少しずら
した形状の個別の上電極ｕ１〜ｕ６および電力取り出し
電極ｏ１をパターニングする。基板周縁部には３層の細
い導電部が残る。この様な基板周縁部の導電部（単層、
積層共に）を周縁導電部ｆということにする。全ての薄
膜太陽電池素子を一括して囲う周縁、および２列の直列
接続薄膜太陽電池素子の隣接する境界には（周縁導電部
ｆの内側）分離線ｇ１がある。分離線ｇ１の内側には基
板表面の光電変換層ｐが残っている。
し、レーザー加工により、次に成膜する第２電極層と下
電極との接続のための上記分離線と同様な直線状の孔ｇ
ｐを開ける。最後に第２電極層を成膜し、レーザー加工
により第１電極の形状を全体に直列接続方向に少しずら
した形状の個別の上電極ｕ１〜ｕ６および電力取り出し
電極ｏ１をパターニングする。基板周縁部には３層の細
い導電部が残る。この様な基板周縁部の導電部（単層、
積層共に）を周縁導電部ｆということにする。全ての薄
膜太陽電池素子を一括して囲う周縁、および２列の直列
接続薄膜太陽電池素子の隣接する境界には（周縁導電部
ｆの内側）分離線ｇ１がある。分離線ｇ１の内側には基
板表面の光電変換層ｐが残っている。
【０００６】こうして、電力取り出し電極ｏ１−最初の
光電変換素子の下電極ｌ１、光電変換層ｐ、上電極ｕ１
−第２の光電変換素子の下電極ｌ２、・・−最後の光電
変換素子の下電極ｌ６、光電変換層ｐ、上電極ｕ６（電
力取り出し電極ｏ２でもある）なる直列接続が完成す
る。以上６直列で説明したが、実用上は数１０直列接続
以上が必要である。
光電変換素子の下電極ｌ１、光電変換層ｐ、上電極ｕ１
−第２の光電変換素子の下電極ｌ２、・・−最後の光電
変換素子の下電極ｌ６、光電変換層ｐ、上電極ｕ６（電
力取り出し電極ｏ２でもある）なる直列接続が完成す
る。以上６直列で説明したが、実用上は数１０直列接続
以上が必要である。
【０００７】図６は従来の電極を基板の両面に有する直
列接続の薄膜太陽電池を示し（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）における線ＡＢＣＤおよび線ＢＱＣに沿っての断
面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＥＥ断面図であ
る。フレキシブルな絶縁材料からなる基板１には第１電
極層、光電変換層および第２電極層が積層され（基板の
この面を表側とする）光電変換素子が形成され、基板の
反対側面（裏面）には第３電極層および第４電極層が積
層され、裏面電極が形成されている。
列接続の薄膜太陽電池を示し（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）における線ＡＢＣＤおよび線ＢＱＣに沿っての断
面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＥＥ断面図であ
る。フレキシブルな絶縁材料からなる基板１には第１電
極層、光電変換層および第２電極層が積層され（基板の
この面を表側とする）光電変換素子が形成され、基板の
反対側面（裏面）には第３電極層および第４電極層が積
層され、裏面電極が形成されている。
【０００８】先ず、接続孔ｈ１が開けられた基板１に第
１電極層その反対面に第３電極層を成膜する、接続孔ｈ
１の内壁で第１電極層と第３電極層とが重なり、導通す
る。第１電極層を所定の形状にレーザ加工して、下電極
ｌ１〜ｌ６を形成した後、集電孔ｈ２を開ける。次に、
a-Siからなる光電変換層の成膜とレーザ加工、第２電極
層の成膜（基板両端部と中央の２列の直列接続光電変換
素子の隣接する部分にはマスクを被せ、接続孔ｈ１に第
２電極層が成膜されないようにする）および第４電極層
の成膜（裏側全面）を行なう。集電孔ｈ２の内壁で第２
電極層と第４電極層とが重なり、導通する。次いで第２
電極層、および第３電極層と第４電極層の積層をレーザ
加工し、それぞれ上電極ｕ１〜ｕ６、電力取り出し電極
ｏ１、ｏ１および接続電極ｅ１２〜ｅ５６を形成する。
全ての薄膜太陽電池素子を一括して囲う周縁、および２
列の直列接続薄膜太陽電池素子の隣接する境界には（周
縁導電部ｆの内側）分離線ｇ１がある。分離線ｇ１の中
には基板表面の光電変換層ｐが残っている。裏側では、
全ての電極を一括して囲う周縁、および２列の直列接続
電極の隣接する境界には（周縁導電部ｆの内側）分離線
ｇ２がある。分離線ｇ２の中にはどの層も無い。
１電極層その反対面に第３電極層を成膜する、接続孔ｈ
１の内壁で第１電極層と第３電極層とが重なり、導通す
る。第１電極層を所定の形状にレーザ加工して、下電極
ｌ１〜ｌ６を形成した後、集電孔ｈ２を開ける。次に、
a-Siからなる光電変換層の成膜とレーザ加工、第２電極
層の成膜（基板両端部と中央の２列の直列接続光電変換
素子の隣接する部分にはマスクを被せ、接続孔ｈ１に第
２電極層が成膜されないようにする）および第４電極層
の成膜（裏側全面）を行なう。集電孔ｈ２の内壁で第２
電極層と第４電極層とが重なり、導通する。次いで第２
電極層、および第３電極層と第４電極層の積層をレーザ
加工し、それぞれ上電極ｕ１〜ｕ６、電力取り出し電極
ｏ１、ｏ１および接続電極ｅ１２〜ｅ５６を形成する。
全ての薄膜太陽電池素子を一括して囲う周縁、および２
列の直列接続薄膜太陽電池素子の隣接する境界には（周
縁導電部ｆの内側）分離線ｇ１がある。分離線ｇ１の中
には基板表面の光電変換層ｐが残っている。裏側では、
全ての電極を一括して囲う周縁、および２列の直列接続
電極の隣接する境界には（周縁導電部ｆの内側）分離線
ｇ２がある。分離線ｇ２の中にはどの層も無い。
【０００９】以上の工程の結果、裏側の電力取り出し電
極ｏ１−集電孔ｈ２−上電極ｕ１、光電変換層、下電極
ｌ１−接続孔ｈ１−接続電極ｅ１２−集電孔ｈ２−上電
極ｕ２、光電変換層、下電極ｌ２−・・・−接続電極ｅ
５６−集電孔ｈ２−上電極ｕ６、光電変換層、下電極ｌ
６−接続孔ｈ１−電力取り出し電極ｏ２の順の光電変換
素子の直列接続が完成する。
極ｏ１−集電孔ｈ２−上電極ｕ１、光電変換層、下電極
ｌ１−接続孔ｈ１−接続電極ｅ１２−集電孔ｈ２−上電
極ｕ２、光電変換層、下電極ｌ２−・・・−接続電極ｅ
５６−集電孔ｈ２−上電極ｕ６、光電変換層、下電極ｌ
６−接続孔ｈ１−電力取り出し電極ｏ２の順の光電変換
素子の直列接続が完成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上２種の薄膜太陽電
池を例として説明したが、いずれも基板周縁部に一体と
なっている周縁導電部ｆが残っている。また、これらの
光電変換装置は、同一基板上で複数の薄膜太陽電池を数
１０個直列接続するために、基板内部の電力取り出し電
極間には、数１０ないし１００Ｖ以上の電位差が生じて
いる。
池を例として説明したが、いずれも基板周縁部に一体と
なっている周縁導電部ｆが残っている。また、これらの
光電変換装置は、同一基板上で複数の薄膜太陽電池を数
１０個直列接続するために、基板内部の電力取り出し電
極間には、数１０ないし１００Ｖ以上の電位差が生じて
いる。
【００１１】いずれの場合にも、電力取り出し電極ｏ
１、ｏ２には、はんだ付けまたは導電テープの粘着等に
より外部リードが接続される。この接続工程の際に、分
離線およびその周辺の電極が損傷し、微細な破片が分離
線を跨ぎ、周縁導電部と電力取り出し電極間が電気的に
接続され、周縁導電部は電力取り出し電極と同電位にな
ることがあった。すなわち、周縁導電部と、他の電力取
り出し電極および光電変換素子の電極との間にはかなり
の高電圧差が生じ、周縁導電部と他の電力取り出し電極
および光電変換素子の電極とが短絡する危険性があっ
た。
１、ｏ２には、はんだ付けまたは導電テープの粘着等に
より外部リードが接続される。この接続工程の際に、分
離線およびその周辺の電極が損傷し、微細な破片が分離
線を跨ぎ、周縁導電部と電力取り出し電極間が電気的に
接続され、周縁導電部は電力取り出し電極と同電位にな
ることがあった。すなわち、周縁導電部と、他の電力取
り出し電極および光電変換素子の電極との間にはかなり
の高電圧差が生じ、周縁導電部と他の電力取り出し電極
および光電変換素子の電極とが短絡する危険性があっ
た。
【００１２】また、分離線にa-Si膜があると、これらの
間のa-Si膜には１００V を超える高電圧が印加される場
合もあり、薄膜半導体であるa-Si膜中にも電流が流れ、
光電変換効率が低下する場合があった。高湿度下では、
レーザ加工の不安定性により生じた分離線の幅の狭い部
分では銀電極にマイグレーションが起こりやすく、電極
間短絡の危険性があった。
間のa-Si膜には１００V を超える高電圧が印加される場
合もあり、薄膜半導体であるa-Si膜中にも電流が流れ、
光電変換効率が低下する場合があった。高湿度下では、
レーザ加工の不安定性により生じた分離線の幅の狭い部
分では銀電極にマイグレーションが起こりやすく、電極
間短絡の危険性があった。
【００１３】他の問題点として、レーザ加工の位置精度
が悪い場合がある。基板を挟んで同じ位置に有るべき分
離線の位置がずれ、隣接する電極の縁が基板を挟んで対
向すると、基板の耐圧以上の電圧が両電極に生じている
場合には基板の絶縁破壊がおこり光電変換装置が使用不
能になる。上記の問題点に鑑み、本発明の目的は、周縁
導電部と光電変換素子との間、光電変換素子間あるいは
裏面電極間の外部リード取り付け時の短絡の危険性の少
ない、また高湿度下での電極材のマイグレーションの起
こりにくい光電変換装置およびその製造方法を提供する
ことにある。
が悪い場合がある。基板を挟んで同じ位置に有るべき分
離線の位置がずれ、隣接する電極の縁が基板を挟んで対
向すると、基板の耐圧以上の電圧が両電極に生じている
場合には基板の絶縁破壊がおこり光電変換装置が使用不
能になる。上記の問題点に鑑み、本発明の目的は、周縁
導電部と光電変換素子との間、光電変換素子間あるいは
裏面電極間の外部リード取り付け時の短絡の危険性の少
ない、また高湿度下での電極材のマイグレーションの起
こりにくい光電変換装置およびその製造方法を提供する
ことにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、絶縁性の基板上の少なくとも片側に第１電極層、
光電変換層および第２電極層が積層されてなり、個別化
されている光電変換素子が複数直列接続されてなる光電
変換素子装置において、直接直列接続されていなくて、
互いに隣接している前記光電変換素子の電極間には、お
よび直列接続された光電変換素子と前記基板の周縁部に
あり、これらの光電変換素子を囲む電極層または電極層
と光電変換層の積層の周縁導電部との間には、電極層お
よび光電変換層のいずれの層も存在しない分離線が１ま
たは複数介在していることとする。
めに、絶縁性の基板上の少なくとも片側に第１電極層、
光電変換層および第２電極層が積層されてなり、個別化
されている光電変換素子が複数直列接続されてなる光電
変換素子装置において、直接直列接続されていなくて、
互いに隣接している前記光電変換素子の電極間には、お
よび直列接続された光電変換素子と前記基板の周縁部に
あり、これらの光電変換素子を囲む電極層または電極層
と光電変換層の積層の周縁導電部との間には、電極層お
よび光電変換層のいずれの層も存在しない分離線が１ま
たは複数介在していることとする。
【００１５】前記光電変換素子が形成されている基板面
と反対側の基板面に光電変換素子の直列接続用の電極ま
たは電力取り出し用電極である裏面電極が形成されてお
り、直接直列接続されていなくて、互いに隣接している
前記裏面電極間には、および直列接続された裏面電極と
前記基板の周縁部にあり、これらの裏面電極を囲む電極
層の周縁導電部との間には、裏面電極層が存在しない分
離線が１または複数介在していると良い。
と反対側の基板面に光電変換素子の直列接続用の電極ま
たは電力取り出し用電極である裏面電極が形成されてお
り、直接直列接続されていなくて、互いに隣接している
前記裏面電極間には、および直列接続された裏面電極と
前記基板の周縁部にあり、これらの裏面電極を囲む電極
層の周縁導電部との間には、裏面電極層が存在しない分
離線が１または複数介在していると良い。
【００１６】前記分離線の幅(mm)の合計は、光電変換素
子の全直列接続の両端に発生する光発生電圧をＶ（V)と
して、Ｖ／４００（mm) 以上であると良い。上記の光電
変換装置の製造方法において、前記分離線は第１電極
層、光電変換層または第２電極層の少なくともいずれか
の層をレーザ加工により除去されると良い。
子の全直列接続の両端に発生する光発生電圧をＶ（V)と
して、Ｖ／４００（mm) 以上であると良い。上記の光電
変換装置の製造方法において、前記分離線は第１電極
層、光電変換層または第２電極層の少なくともいずれか
の層をレーザ加工により除去されると良い。
【００１７】前記分離線は第１電極層、光電変換層また
は第２電極層の少なくともいずれかの層をリフトオフに
より除去されると良い。
は第２電極層の少なくともいずれかの層をリフトオフに
より除去されると良い。
【００１８】
【発明の実施の形態】上記のように、従来よりも幅の広
い、電極層および光電変換層のいずれの層も存在しない
１ないし複数の分離線が隣接する電極間を隔てるので、
外部リード取り付け時の損傷により生ずる電極層の破片
は分離線を跨ぐことはなく、また、電極間を電極材のマ
イグレーションも起こらない。従って、外部リード取り
付け時の短絡や長期放置後の短絡も起こらないことが期
待できる。 実施例１ 図１は本発明に係る電極を基板の両面に有する直列接続
の薄膜太陽電池を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）における線ＡＢＣＤおよび線ＢＱＣに沿っての断
面図であり、（ｃ）（ａ）におけるＥＥ断面図である。
い、電極層および光電変換層のいずれの層も存在しない
１ないし複数の分離線が隣接する電極間を隔てるので、
外部リード取り付け時の損傷により生ずる電極層の破片
は分離線を跨ぐことはなく、また、電極間を電極材のマ
イグレーションも起こらない。従って、外部リード取り
付け時の短絡や長期放置後の短絡も起こらないことが期
待できる。 実施例１ 図１は本発明に係る電極を基板の両面に有する直列接続
の薄膜太陽電池を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）における線ＡＢＣＤおよび線ＢＱＣに沿っての断
面図であり、（ｃ）（ａ）におけるＥＥ断面図である。
【００１９】本実施例では、基板１として耐熱性樹脂で
ある厚さ５０μm のポリイミドシートを用いた。先ず、
基板１にパンチを用いて、接続孔ｈ１を開け、基板１の
片側（表側とする）に第１電極層として、スパッタによ
り銀を０．１μm 成膜し、これと反対の面（裏側とす
る）には、第３電極層として、同じく銀電極を０．２μ
m 成膜した。接続孔ｈ１の内壁で第１電極層と第３電極
層とは重なり、導通する。成膜後、表側では、レーザ加
工を行い、下電極ｌ１ないしｌ６の隣接部は１本の分離
線ｇ２，２列の直列接続の光電変換素子間および周縁導
電部ｆとの分離のためには２本の分離線ｇ２を形成し
た。レーザ加工はダブルビームを用いて分離線１本の幅
を０．４mmとした。
ある厚さ５０μm のポリイミドシートを用いた。先ず、
基板１にパンチを用いて、接続孔ｈ１を開け、基板１の
片側（表側とする）に第１電極層として、スパッタによ
り銀を０．１μm 成膜し、これと反対の面（裏側とす
る）には、第３電極層として、同じく銀電極を０．２μ
m 成膜した。接続孔ｈ１の内壁で第１電極層と第３電極
層とは重なり、導通する。成膜後、表側では、レーザ加
工を行い、下電極ｌ１ないしｌ６の隣接部は１本の分離
線ｇ２，２列の直列接続の光電変換素子間および周縁導
電部ｆとの分離のためには２本の分離線ｇ２を形成し
た。レーザ加工はダブルビームを用いて分離線１本の幅
を０．４mmとした。
【００２０】再度パンチを用いて、集電孔ｈ２を開けた
後、表側に、光電変換層としてa-Si層をプラズマＣＶＤ
により成膜した。マスクを用いて幅Ｗ２の成膜とし、レ
ーザ加工により２列素子の間だけに第１電極層と同じ分
離線を形成した。さらに第２電極層として表側にＩＴＯ
層を０．０７μm 成膜した。但し、２つの素子列の間と
これに平行な基板の両側端部にはマスクを掛け接続孔ｈ
１には成膜しないようにし、素子部のみに成膜した。次
いで裏側全面に第４電極層として銀電極を０．２μm 成
膜した。第４電極層の成膜により、集電孔ｈ２の内壁で
第２電極層と第４電極層とが重なり、導通する。表側で
は、レーザ加工により下電極と同じパターンの分離線を
入れ、個別の第２電極とを形成し、裏側では、第３電極
層と第４電極層とを同時にレーザ加工し接続電極ｅ１２
ないしｅ５６、および電力取り出し電極ｏ１、ｏ２を個
別化し、基板１の周縁部では表側の分離線ｇ３と重なる
ように分離線ｇ２を形成し、隣接電極間には１本の分離
線を形成した。
後、表側に、光電変換層としてa-Si層をプラズマＣＶＤ
により成膜した。マスクを用いて幅Ｗ２の成膜とし、レ
ーザ加工により２列素子の間だけに第１電極層と同じ分
離線を形成した。さらに第２電極層として表側にＩＴＯ
層を０．０７μm 成膜した。但し、２つの素子列の間と
これに平行な基板の両側端部にはマスクを掛け接続孔ｈ
１には成膜しないようにし、素子部のみに成膜した。次
いで裏側全面に第４電極層として銀電極を０．２μm 成
膜した。第４電極層の成膜により、集電孔ｈ２の内壁で
第２電極層と第４電極層とが重なり、導通する。表側で
は、レーザ加工により下電極と同じパターンの分離線を
入れ、個別の第２電極とを形成し、裏側では、第３電極
層と第４電極層とを同時にレーザ加工し接続電極ｅ１２
ないしｅ５６、および電力取り出し電極ｏ１、ｏ２を個
別化し、基板１の周縁部では表側の分離線ｇ３と重なる
ように分離線ｇ２を形成し、隣接電極間には１本の分離
線を形成した。
【００２１】全ての薄膜太陽電池素子を一括して囲う周
縁、および２列の直列接続薄膜太陽電池素子の隣接する
境界には（周縁導電部ｆの内側）分離線ｇ３がある。分
離線ｇ３の中にはどの層も無い。裏側では、全ての電極
を一括して囲う周縁、および２列の直列接続電極の隣接
する境界には（周縁導電部ｆの内側）分離線ｇ２があ
る。分離線ｇ２の中にはどの層も無い。
縁、および２列の直列接続薄膜太陽電池素子の隣接する
境界には（周縁導電部ｆの内側）分離線ｇ３がある。分
離線ｇ３の中にはどの層も無い。裏側では、全ての電極
を一括して囲う周縁、および２列の直列接続電極の隣接
する境界には（周縁導電部ｆの内側）分離線ｇ２があ
る。分離線ｇ２の中にはどの層も無い。
【００２２】こうして、電力取り出し電極ｏ１−集電孔
ｈ２−上電極ｕ１、光電変換層、下電極ｌ１−接続孔ｈ
１−接続電極ｅ１２−上電極ｕ２、光電変換層、下電極
ｌ２−接続電極ｅ２３−・・・−上電極ｕ６、光電変換
層、下電極ｌ６−接続孔ｈ１−電力取り出し電極ｏ２な
る直列接続が完成する。このように、少なくとも、１個
の光電変換素子の光発生電圧以上の電圧差が生ずる領域
（電極と光電変換層）の境界を２本の分離線ｇ３によっ
て隔てるようにしたので、電力取り出し電極ｏ１、ｏ２
へのリード接続工程時にどちらかの電極から生じた破片
は２本の分離線を同時に接続してしまう確率は極めて小
さく、両電極の短絡または周縁導電部ｆと電力取り出し
電極との短絡することはなくなった。
ｈ２−上電極ｕ１、光電変換層、下電極ｌ１−接続孔ｈ
１−接続電極ｅ１２−上電極ｕ２、光電変換層、下電極
ｌ２−接続電極ｅ２３−・・・−上電極ｕ６、光電変換
層、下電極ｌ６−接続孔ｈ１−電力取り出し電極ｏ２な
る直列接続が完成する。このように、少なくとも、１個
の光電変換素子の光発生電圧以上の電圧差が生ずる領域
（電極と光電変換層）の境界を２本の分離線ｇ３によっ
て隔てるようにしたので、電力取り出し電極ｏ１、ｏ２
へのリード接続工程時にどちらかの電極から生じた破片
は２本の分離線を同時に接続してしまう確率は極めて小
さく、両電極の短絡または周縁導電部ｆと電力取り出し
電極との短絡することはなくなった。
【００２３】また、別途、基板表面に沿って電極材料
（銀）のマイグレーションの起こる臨界電界が４００V/
mm程度であることが推定できたので、分離線の幅が０．
４mmの場合、レーザ加工の不安定性から局所的に０．２
５mmの場所でも、１００V 程度までは電極材料のマイグ
レーションは起こらない。必要電圧に応じて分離線の幅
を広くすることは可能である。
（銀）のマイグレーションの起こる臨界電界が４００V/
mm程度であることが推定できたので、分離線の幅が０．
４mmの場合、レーザ加工の不安定性から局所的に０．２
５mmの場所でも、１００V 程度までは電極材料のマイグ
レーションは起こらない。必要電圧に応じて分離線の幅
を広くすることは可能である。
【００２４】また、分離線ｇ３にはa-Si層を残さなかっ
たので、発生電力がa-Si層を通じてリークすることもな
くなくなり、光電変換効率の低下は生じなくなった。 実施例２ 本実施例は、電極の個別化や分離線の形成を、レーザ加
工によらず、マスク成膜とマスク剥離によるリフトオフ
によった場合である。
たので、発生電力がa-Si層を通じてリークすることもな
くなくなり、光電変換効率の低下は生じなくなった。 実施例２ 本実施例は、電極の個別化や分離線の形成を、レーザ加
工によらず、マスク成膜とマスク剥離によるリフトオフ
によった場合である。
【００２５】図２は本発明に係る電極を基板の両面に有
する他の直列接続の薄膜太陽電池を示し、（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）における線ＡＢＣＤおよび線ＢＱＣ
に沿っての断面図であり、（ｃ）（ａ）におけるＥＥ断
面図である。基板１として耐熱性樹脂であるポリイミド
シートを用いた。先ず、基板１の両面にポリイミドシー
トマスクを接着し、直列接続光電変換素子群の周縁部と
直列接続素子列の隣接境界に分離線には、電極層と光電
変換層が成膜されないようにした。レーザ加工の場合と
は異なり、分離線の幅（マスク幅）をあまり細くするこ
とは任意とすることができまた形状の自由度もある。分
離線の幅は銀電極のマイグレーションの防止とマスク位
置設定精度を考慮して１mmとした。
する他の直列接続の薄膜太陽電池を示し、（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）における線ＡＢＣＤおよび線ＢＱＣ
に沿っての断面図であり、（ｃ）（ａ）におけるＥＥ断
面図である。基板１として耐熱性樹脂であるポリイミド
シートを用いた。先ず、基板１の両面にポリイミドシー
トマスクを接着し、直列接続光電変換素子群の周縁部と
直列接続素子列の隣接境界に分離線には、電極層と光電
変換層が成膜されないようにした。レーザ加工の場合と
は異なり、分離線の幅（マスク幅）をあまり細くするこ
とは任意とすることができまた形状の自由度もある。分
離線の幅は銀電極のマイグレーションの防止とマスク位
置設定精度を考慮して１mmとした。
【００２６】次に、基板１にパンチを用いて、接続孔ｈ
１を開け、基板１の片側（表側とする）に第１電極層と
して、スパッタにより銀を０．１μm 成膜し、これと反
対の面（裏側とする）には、第３電極層として、同じく
銀電極を０．２μm 成膜した。接続孔ｈ１の内壁で第１
電極層と第３電極層とは重なり導通する。再度パンチを
用いて、集電孔ｈ２を開け、第１電極層側に、光電変換
層としてa-Si層をプラズマＣＶＤにより成膜した。但
し、２つの素子列の間とこれに平行な基板の両側端部に
はマスクを掛け素子部のみに成膜した。さらに第２電極
層としてＩＴＯ層を０．０７μm 成膜した。
１を開け、基板１の片側（表側とする）に第１電極層と
して、スパッタにより銀を０．１μm 成膜し、これと反
対の面（裏側とする）には、第３電極層として、同じく
銀電極を０．２μm 成膜した。接続孔ｈ１の内壁で第１
電極層と第３電極層とは重なり導通する。再度パンチを
用いて、集電孔ｈ２を開け、第１電極層側に、光電変換
層としてa-Si層をプラズマＣＶＤにより成膜した。但
し、２つの素子列の間とこれに平行な基板の両側端部に
はマスクを掛け素子部のみに成膜した。さらに第２電極
層としてＩＴＯ層を０．０７μm 成膜した。
【００２７】最後に、マスクを剥離し、マスク上の積層
膜を除去し、太陽電池の直列接続と電力取り出し電極、
分離線等をパターニングした。実施例１と同様の直列接
続された薄膜太陽電池を作製した。このように、少なく
とも、１個の光電変換素子の光発生電圧以上が現れる領
域は幅広の分離線ｇ４によって隔てられるようにしたの
で、電力取り出し電極ｏ１、ｏ２へのリード接続工程時
に電力取り出し電極が損傷して生じた破片が分離線を跨
いで両電極間を短絡することはなくなった。
膜を除去し、太陽電池の直列接続と電力取り出し電極、
分離線等をパターニングした。実施例１と同様の直列接
続された薄膜太陽電池を作製した。このように、少なく
とも、１個の光電変換素子の光発生電圧以上が現れる領
域は幅広の分離線ｇ４によって隔てられるようにしたの
で、電力取り出し電極ｏ１、ｏ２へのリード接続工程時
に電力取り出し電極が損傷して生じた破片が分離線を跨
いで両電極間を短絡することはなくなった。
【００２８】また、マスクフィルムを用いたリフトオフ
パターニングを行うと、膜形成時に起こる、基板の寸法
変化による基板両面のパターンズレがなくなり、パター
ンずれに伴う表裏電極の重なりは生じないので、表裏電
極間のマイグレーションによる短絡は起こらなくなっ
た。 実施例３ 図３は本発明に係る単純な直列接続の薄膜太陽電池を示
し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ
Ａ断面図である。
パターニングを行うと、膜形成時に起こる、基板の寸法
変化による基板両面のパターンズレがなくなり、パター
ンずれに伴う表裏電極の重なりは生じないので、表裏電
極間のマイグレーションによる短絡は起こらなくなっ
た。 実施例３ 図３は本発明に係る単純な直列接続の薄膜太陽電池を示
し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ
Ａ断面図である。
【００２９】本実施例では、厚さ５０μm のポリエチレ
ンナフタレート（以下にＰＥＮと記す）を基板１とし
た。この基板１上に、スパッタにより酸化インジウム膜
（以下にＩＴ０と記す）を０．１μm 形成し、レーザ加
工によりパターニングし、個別の下電極ｌ１〜ｌ３とし
た。また、基板周縁部には二重に分離線を入れた。次
に、プラズマＣＶＤにより、光電変換層としてa-Si層を
成膜し、レーザ加工により個別の光電変換層と下電極の
分離線に重なる分離線をパターニングした。最後に第２
電極層として銀を０．２μm 形成し、同じく、レーザ加
工によりパターニングし、個別の上電極ｕ１〜ｕ３、電
力取り出し電極ｏ１および下電極の分離線に重なる分離
線をパターニングした。上電極ｕ３は電力取り出し電極
ｏ２でもある。こうして隣接する下電極と上電極の１辺
が重なることによって薄膜太陽電池素子が直列接続さ
れ、同時に電力取り出し電極ｏ１、と周縁導電部ｆおよ
び分離線ｇ３が形成される。分離線ｇ３の中にはどの層
も無い。
ンナフタレート（以下にＰＥＮと記す）を基板１とし
た。この基板１上に、スパッタにより酸化インジウム膜
（以下にＩＴ０と記す）を０．１μm 形成し、レーザ加
工によりパターニングし、個別の下電極ｌ１〜ｌ３とし
た。また、基板周縁部には二重に分離線を入れた。次
に、プラズマＣＶＤにより、光電変換層としてa-Si層を
成膜し、レーザ加工により個別の光電変換層と下電極の
分離線に重なる分離線をパターニングした。最後に第２
電極層として銀を０．２μm 形成し、同じく、レーザ加
工によりパターニングし、個別の上電極ｕ１〜ｕ３、電
力取り出し電極ｏ１および下電極の分離線に重なる分離
線をパターニングした。上電極ｕ３は電力取り出し電極
ｏ２でもある。こうして隣接する下電極と上電極の１辺
が重なることによって薄膜太陽電池素子が直列接続さ
れ、同時に電力取り出し電極ｏ１、と周縁導電部ｆおよ
び分離線ｇ３が形成される。分離線ｇ３の中にはどの層
も無い。
【００３０】このように、少なくとも、１個の光電変換
素子の光発生電圧以上の電圧差が生ずる領域（電極と光
電変換層）の境界を２本の分離線によって隔てるように
したので、電力取り出し電極ｏ１、ｏ２へのリード接続
工程時にどちらかの電極から生じた破片は２本の分離線
を同時に接続してしまう確率は極めて小さく、両電極の
短絡または周縁導電部ｆと電力取り出し電極とが短絡す
ることはなくなった。
素子の光発生電圧以上の電圧差が生ずる領域（電極と光
電変換層）の境界を２本の分離線によって隔てるように
したので、電力取り出し電極ｏ１、ｏ２へのリード接続
工程時にどちらかの電極から生じた破片は２本の分離線
を同時に接続してしまう確率は極めて小さく、両電極の
短絡または周縁導電部ｆと電力取り出し電極とが短絡す
ることはなくなった。
【００３１】また、分離線の中にはa-Si層を残さなかっ
たので、発生電力がa-Si層を通じてリークすることもな
くなくなり、光電変換効率の低下は生じなくなった。ま
た、高い光発生電圧が１本の分離線に印加されることは
無くなり、高電圧薄膜太陽電池装置で問題となってい
た、高電圧下における電極材料のマイグレーションがな
くなった。 実施例４ 図４は本発明に係る往復直列接続の薄膜太陽電池を示
し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ
Ａ断面図である。
たので、発生電力がa-Si層を通じてリークすることもな
くなくなり、光電変換効率の低下は生じなくなった。ま
た、高い光発生電圧が１本の分離線に印加されることは
無くなり、高電圧薄膜太陽電池装置で問題となってい
た、高電圧下における電極材料のマイグレーションがな
くなった。 実施例４ 図４は本発明に係る往復直列接続の薄膜太陽電池を示
し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ
Ａ断面図である。
【００３２】本実施例では発明では、基板にガラスを用
い、このガラス基板１上に、第１電極層として、熱ＣＶ
Ｄにより酸化錫膜（以下にSnO2と記す）を０．６μm 成
膜し、レーザ加工により個別の第１電極ｌ１ないしｌ６
および基板１周縁部の２本の分離線と２列の直列接続さ
れた光電変換素子の境界に２本の分離線をパターニング
した。以下、実施例３と同じ工程に従って、往復直列接
続の薄膜太陽電池を作製した。
い、このガラス基板１上に、第１電極層として、熱ＣＶ
Ｄにより酸化錫膜（以下にSnO2と記す）を０．６μm 成
膜し、レーザ加工により個別の第１電極ｌ１ないしｌ６
および基板１周縁部の２本の分離線と２列の直列接続さ
れた光電変換素子の境界に２本の分離線をパターニング
した。以下、実施例３と同じ工程に従って、往復直列接
続の薄膜太陽電池を作製した。
【００３３】実施例３と同様に、高電圧差の生ずる電極
間または周縁導電部と電極間が短絡することはなくなっ
た。このように、少なくとも、１個の光電変換素子の光
発生電圧以上の電圧差が生ずる領域（電極と光電変換
層）の境界を２本の分離線によって隔てるようにしたの
で、電力取り出し電極ｏ１、ｏ２へのリード接続工程時
にどちらかの電極から生じた破片は２本の分離線を同時
に接続してしまう確率は極めて小さく、両電極の短絡ま
たは周縁導電部ｆと電力取り出し電極との短絡すること
はなくなった。
間または周縁導電部と電極間が短絡することはなくなっ
た。このように、少なくとも、１個の光電変換素子の光
発生電圧以上の電圧差が生ずる領域（電極と光電変換
層）の境界を２本の分離線によって隔てるようにしたの
で、電力取り出し電極ｏ１、ｏ２へのリード接続工程時
にどちらかの電極から生じた破片は２本の分離線を同時
に接続してしまう確率は極めて小さく、両電極の短絡ま
たは周縁導電部ｆと電力取り出し電極との短絡すること
はなくなった。
【００３４】また、分離線にはa-Si層を残さなかったの
で、発生電力がa-Si層を通じてリークすることもなくな
くなり、光電変換効率の低下は生じなくなった。また、
高い光発生電圧が１本の分離線に印加されることは無く
なり、高電圧薄膜太陽電池装置で問題となっていた、高
電圧下における電極材料のマイグレーションは起こらな
くなった。
で、発生電力がa-Si層を通じてリークすることもなくな
くなり、光電変換効率の低下は生じなくなった。また、
高い光発生電圧が１本の分離線に印加されることは無く
なり、高電圧薄膜太陽電池装置で問題となっていた、高
電圧下における電極材料のマイグレーションは起こらな
くなった。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、絶縁性の基板上の少な
くとも片側表面に第１電極層、光電変換層および第２電
極層が積層されてなる、個別化されている光電変換素子
が複数直列接続されてなる光電変換素子装置において、
光電変換素子１個の最大光発生電圧を越える電圧差の生
じ得る互いに隣接している光電変換素子の電極の間に
は、または製造工程の都合上残された電極層または光電
変換層が連結されてなる周縁導電部と前記光電変換素子
の電極との間には、電極層および光電変換層のいずれの
層も存在しない所定の幅の分離線を介在させ、また前記
光電変換素子が形成されている基板表面と反対側の基板
表面に光電変換素子の直列接続用の電極または電力取り
出し用電極である裏面電極が形成されて要る場合も、同
様に分離線を介在させたため、電力取り出し電極へのリ
ード接続工程時に電極から生じた破片は２本の分離線を
同時に接続してしまう確率は極めて小さく、両電極の短
絡または周縁導電部ｆと電力取り出し電極との短絡する
ことはなくなる。
くとも片側表面に第１電極層、光電変換層および第２電
極層が積層されてなる、個別化されている光電変換素子
が複数直列接続されてなる光電変換素子装置において、
光電変換素子１個の最大光発生電圧を越える電圧差の生
じ得る互いに隣接している光電変換素子の電極の間に
は、または製造工程の都合上残された電極層または光電
変換層が連結されてなる周縁導電部と前記光電変換素子
の電極との間には、電極層および光電変換層のいずれの
層も存在しない所定の幅の分離線を介在させ、また前記
光電変換素子が形成されている基板表面と反対側の基板
表面に光電変換素子の直列接続用の電極または電力取り
出し用電極である裏面電極が形成されて要る場合も、同
様に分離線を介在させたため、電力取り出し電極へのリ
ード接続工程時に電極から生じた破片は２本の分離線を
同時に接続してしまう確率は極めて小さく、両電極の短
絡または周縁導電部ｆと電力取り出し電極との短絡する
ことはなくなる。
【００３６】また、分離線の中にa-Si層を残さなかった
ので、発生電力がa-Si層を通じてリークすることもなく
なくなり、光電変換効率の低下は生じなくなる。また、
分離線の幅(mm)の合計を、前記光電変換素子の直列接続
の両端に発生する最大光発生電圧をＶ（V)として、Ｖ／
４００（mm) 以上としたため、分離線を挟む電極材料の
マイレーションは起こらず、電極間の短絡は起こらな
い。
ので、発生電力がa-Si層を通じてリークすることもなく
なくなり、光電変換効率の低下は生じなくなる。また、
分離線の幅(mm)の合計を、前記光電変換素子の直列接続
の両端に発生する最大光発生電圧をＶ（V)として、Ｖ／
４００（mm) 以上としたため、分離線を挟む電極材料の
マイレーションは起こらず、電極間の短絡は起こらな
い。
【図１】本発明に係る電極を基板の両面に有する直列接
続の薄膜太陽電池を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）における線ＡＢＣＤおよび線ＢＱＣに沿っての断
面図であり、（ｃ）（ａ）におけるＥＥ断面図
続の薄膜太陽電池を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）における線ＡＢＣＤおよび線ＢＱＣに沿っての断
面図であり、（ｃ）（ａ）におけるＥＥ断面図
【図２】本発明に係る電極を基板の両面に有する他の直
列接続の薄膜太陽電池を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）
は（ａ）における線ＡＢＣＤおよび線ＢＱＣに沿っての
断面図であり、（ｃ）（ａ）におけるＥＥ断面図
列接続の薄膜太陽電池を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）
は（ａ）における線ＡＢＣＤおよび線ＢＱＣに沿っての
断面図であり、（ｃ）（ａ）におけるＥＥ断面図
【図３】本発明に係る単純な直列接続の薄膜太陽電池を
示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）における
ＡＡ断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢＢ断面図
示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）における
ＡＡ断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢＢ断面図
【図４】本発明に係る往復直列接続の薄膜太陽電池を示
し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ
Ａ断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢＢ断面図
し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ
Ａ断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢＢ断面図
【図５】従来の直列接続の薄膜太陽電池を示し（ａ）は
平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡＡ断面図であり、
（ｃ）は（ａ）におけるＢＢ断面図
平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡＡ断面図であり、
（ｃ）は（ａ）におけるＢＢ断面図
【図６】従来の電極を基板の両面に有する直列接続の薄
膜太陽電池を示し（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）にお
ける線ＡＢＣＤおよび線ＢＱＣに沿っての断面図であ
り、（ｃ）は（ａ）におけるＥＥ断面図
膜太陽電池を示し（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）にお
ける線ＡＢＣＤおよび線ＢＱＣに沿っての断面図であ
り、（ｃ）は（ａ）におけるＥＥ断面図
１ 基板 ｌ１…ｌ６ 第１電極 ｕ１…ｕ６ 第２電極 ｏ１ 電力取り出し電極 ｏ２ 電力取り出し電極 ｇ１…ｇ３ 分離線 ｈ１ 接続孔 ｈ２ 集電孔 ｆ 周縁導電部
Claims (5)
- 【請求項１】絶縁性の基板上の少なくとも片側に第１電
極層、光電変換層および第２電極層が積層されてなり、
個別化されている光電変換素子が複数直列接続されてな
る光電変換素子装置において、直接直列接続されていな
くて、互いに隣接している前記光電変換素子の電極間に
は、および直列接続された光電変換素子と前記基板の周
縁部にあり、これらの光電変換素子を囲む電極層または
電極層と光電変換層の積層の周縁導電部との間には、電
極層および光電変換層のいずれの層も存在しない分離線
が１または複数介在していることを特徴とする光電変換
装置。 - 【請求項２】前記光電変換素子が形成されている基板面
と反対側の基板面に光電変換素子の直列接続用の電極ま
たは電力取り出し用電極である裏面電極が形成されてお
り、直接直列接続されていなくて、互いに隣接している
前記裏面電極間には、および直列接続された裏面電極と
前記基板の周縁部にあり、これらの裏面電極を囲む電極
層の周縁導電部との間には、裏面電極層が存在しない分
離線が１または複数介在していることを特徴とする請求
項１に記載の光電変換装置。 - 【請求項３】前記分離線の幅(mm)の合計は、光電変換素
子の全直列接続の両端に発生する光発生電圧をＶ（V)と
して、Ｖ／４００（mm) 以上であることを特徴とする請
求項１または２に記載の光電変換装置。 - 【請求項４】請求項１ないし３に記載の光電変換装置の
製造方法において、前記分離線は第１電極層、光電変換
層または第２電極層の少なくともいずれかの層をレーザ
加工により除去することを特徴とする光電変換装置の製
造方法。 - 【請求項５】請求項１ないし３に記載の光電変換装置の
製造方法において、前記分離線は第１電極層、光電変換
層または第２電極層の少なくともいずれかの層をリフト
オフにより除去することを特徴とする光電変換装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03720797A JP3449155B2 (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 光電変換装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03720797A JP3449155B2 (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 光電変換装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10233517A true JPH10233517A (ja) | 1998-09-02 |
| JP3449155B2 JP3449155B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=12491151
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03720797A Expired - Lifetime JP3449155B2 (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 光電変換装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3449155B2 (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000101108A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
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