JP3081414B2 - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
光半導体装置の製造方法Info
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- JP3081414B2 JP3081414B2 JP05157130A JP15713093A JP3081414B2 JP 3081414 B2 JP3081414 B2 JP 3081414B2 JP 05157130 A JP05157130 A JP 05157130A JP 15713093 A JP15713093 A JP 15713093A JP 3081414 B2 JP3081414 B2 JP 3081414B2
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光起電力装置や光導電
装置のような光半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
装置のような光半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】光起電力装置に関して、従来の製造方法
は、例えば、特開平４−２１８９７６に開示されている
ように、基板の樹脂表面に、第１電極膜を略全面に形成
する工程と、これをレーザビーム等のエネルギ−ビ−ム
にて、電気的に分割する分割溝を形成する工程と、分割
溝に隣接し平行に、分割溝より近い順に導電部材と絶縁
部材とを第１電極膜上に配置する工程と、この後、樹脂
表面の略全面に半導体光活性層を形成する工程と、半導
体光活性層上の略全面に第２電極膜を形成する工程と、
この後、導電部材上に位置する第２電極膜に、エネルギ
ービームを照射して電気接続を行う工程と、絶縁部材上
にエネルギービームを照射して第２電極膜を分割する工
程により、各発電領域を直列接続する集積型光起電力装
置を得るものである。
は、例えば、特開平４−２１８９７６に開示されている
ように、基板の樹脂表面に、第１電極膜を略全面に形成
する工程と、これをレーザビーム等のエネルギ−ビ−ム
にて、電気的に分割する分割溝を形成する工程と、分割
溝に隣接し平行に、分割溝より近い順に導電部材と絶縁
部材とを第１電極膜上に配置する工程と、この後、樹脂
表面の略全面に半導体光活性層を形成する工程と、半導
体光活性層上の略全面に第２電極膜を形成する工程と、
この後、導電部材上に位置する第２電極膜に、エネルギ
ービームを照射して電気接続を行う工程と、絶縁部材上
にエネルギービームを照射して第２電極膜を分割する工
程により、各発電領域を直列接続する集積型光起電力装
置を得るものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の製造方法に
おいては、樹脂表面上に形成された第１電極膜に、エネ
ルギービームを照射し分割溝を形成すると、樹脂表面と
第１電極膜の密着力が弱いために、分割溝の周辺におい
て、第１電極膜の剥離が発生する。
おいては、樹脂表面上に形成された第１電極膜に、エネ
ルギービームを照射し分割溝を形成すると、樹脂表面と
第１電極膜の密着力が弱いために、分割溝の周辺におい
て、第１電極膜の剥離が発生する。
【０００４】また、樹脂表面と第１電極膜の密着力が弱
いために、分割溝の周辺の第１電極膜上には、エネルギ
ービーム照射部より飛散した第１電極膜の残りカスであ
る異物が付着する。この異物が、その後に形成される半
導体光活性層を貫通し、第２電極膜と第１電極膜間で短
絡するという問題点を有している。
いために、分割溝の周辺の第１電極膜上には、エネルギ
ービーム照射部より飛散した第１電極膜の残りカスであ
る異物が付着する。この異物が、その後に形成される半
導体光活性層を貫通し、第２電極膜と第１電極膜間で短
絡するという問題点を有している。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板の樹脂表
面上に、第１絶縁部材を配置する工程と、前記第１絶縁
部材を含んで前記樹脂表面上の略全面に第１電極膜を形
成する工程と、この第１電極膜の露出方向から前記第１
絶縁部材上にエネルギービームを照射して、照射部分の
前記第１電極膜を除去し、前記第１電極膜を電気的に分
割する分割溝を形成する工程と、を有することを特徴と
する。
面上に、第１絶縁部材を配置する工程と、前記第１絶縁
部材を含んで前記樹脂表面上の略全面に第１電極膜を形
成する工程と、この第１電極膜の露出方向から前記第１
絶縁部材上にエネルギービームを照射して、照射部分の
前記第１電極膜を除去し、前記第１電極膜を電気的に分
割する分割溝を形成する工程と、を有することを特徴と
する。
【０００６】また、上記工程の後、更に、前記分割溝に
この両側の前記第１電極膜上にまたがって第２絶縁部材
を配置する工程と、前記第１電極膜上に半導体光活性層
と第２電極膜を順次積層形成し、前記第１電極膜、前記
半導体光活性層及び前記第２電極膜の積層体からなる複
数の発電領域を形成すると共に、隣接する前記第１電極
膜及び前記第２電極膜を電気的に接続することによっ
て、複数の前記発電領域を電気接続する工程と、を有す
ることを特徴とする。
この両側の前記第１電極膜上にまたがって第２絶縁部材
を配置する工程と、前記第１電極膜上に半導体光活性層
と第２電極膜を順次積層形成し、前記第１電極膜、前記
半導体光活性層及び前記第２電極膜の積層体からなる複
数の発電領域を形成すると共に、隣接する前記第１電極
膜及び前記第２電極膜を電気的に接続することによっ
て、複数の前記発電領域を電気接続する工程と、を有す
ることを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明においては、絶縁部材上に形成された第
１電極膜の部分に、エネルギービームを照射し分割溝を
形成するため、分割溝の周辺において、第１電極膜が剥
離しないと共に、分割溝の周辺の第１電極膜上には、エ
ネルギービームの照射によって、除去された第１電極膜
の残りカスである異物が付着することがない。
１電極膜の部分に、エネルギービームを照射し分割溝を
形成するため、分割溝の周辺において、第１電極膜が剥
離しないと共に、分割溝の周辺の第１電極膜上には、エ
ネルギービームの照射によって、除去された第１電極膜
の残りカスである異物が付着することがない。
【０００８】また、分割溝にこの両側の第１電極膜上に
またがって第２絶縁部材を配置した後、第１電極膜上に
半導体光活性層と第２電極膜を積層形成しているので、
第１電極膜と第２電極膜が不所望に短絡することはな
い。
またがって第２絶縁部材を配置した後、第１電極膜上に
半導体光活性層と第２電極膜を積層形成しているので、
第１電極膜と第２電極膜が不所望に短絡することはな
い。
【０００９】
【実施例】図１〜４は、本発明の一実施例を説明する工
程別の断面図である。
程別の断面図である。
【００１０】１は、可撓性を有するステンレスや、アル
ミニウム等の金属シートと、この上に形成されたポリイ
ミド等の樹脂膜からなる長方形状の基板、または、ポリ
イミド等の樹脂からなるフィルムの長方形の基板であ
り、透光性でも、非透光性でもよい。ここで、後述する
半導体光活性層を形成できる耐熱性、絶縁性を有する基
板表面としては、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフ
タレ−ト樹脂、ポリエチレンナフタレ−ト樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアリレ−ト樹脂、ポ
リスルホン樹脂、フッ素樹脂、シリコ−ン樹脂、ポリパ
ラバン酸樹脂等が利用できる。この中で、特に、ポリイ
ミド樹脂は、これ以外のものに比べて、耐熱性、絶縁
性、可撓性で、優れた性質を有しているため、基板とし
て好適である。
ミニウム等の金属シートと、この上に形成されたポリイ
ミド等の樹脂膜からなる長方形状の基板、または、ポリ
イミド等の樹脂からなるフィルムの長方形の基板であ
り、透光性でも、非透光性でもよい。ここで、後述する
半導体光活性層を形成できる耐熱性、絶縁性を有する基
板表面としては、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフ
タレ−ト樹脂、ポリエチレンナフタレ−ト樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアリレ−ト樹脂、ポ
リスルホン樹脂、フッ素樹脂、シリコ−ン樹脂、ポリパ
ラバン酸樹脂等が利用できる。この中で、特に、ポリイ
ミド樹脂は、これ以外のものに比べて、耐熱性、絶縁
性、可撓性で、優れた性質を有しているため、基板とし
て好適である。
【００１１】図１の工程においては、基板１の樹脂表面
上の所望の位置に、帯状の第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃ
が配置される。これら第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃの右
側に隣接し平行に、帯状の導電部材３ｂ、３ｃが配置さ
れる。
上の所望の位置に、帯状の第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃ
が配置される。これら第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃの右
側に隣接し平行に、帯状の導電部材３ｂ、３ｃが配置さ
れる。
【００１２】これら第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃは、ポ
リイミド、または、フェノール系のバインダーを含んだ
二酸化シリコン等の無機材料の粉末（粒径約１．５〜７
μｍ）を含む絶縁ペーストで、スクリーン印刷法により
パタ−ニングされた後、２５０〜３００℃で焼成され、
高さ約１０〜５０μｍ、幅約０．４〜０．６ｍｍに形成
される。
リイミド、または、フェノール系のバインダーを含んだ
二酸化シリコン等の無機材料の粉末（粒径約１．５〜７
μｍ）を含む絶縁ペーストで、スクリーン印刷法により
パタ−ニングされた後、２５０〜３００℃で焼成され、
高さ約１０〜５０μｍ、幅約０．４〜０．６ｍｍに形成
される。
【００１３】また、導電部材３ｂ、３ｃは、ポリイミ
ド、または、フェノール系のバインダーを含んだ銀、ニ
ッケルまたはアルミニウム等の粉末（粒径約３〜７μ
ｍ）を含む金属ペーストで、スクリーン印刷法によりパ
タ−ニングされた後、２５０〜３００℃で焼成され、高
さ約１０〜５０μｍ、幅約０．４〜０．６ｍｍに形成さ
れる。
ド、または、フェノール系のバインダーを含んだ銀、ニ
ッケルまたはアルミニウム等の粉末（粒径約３〜７μ
ｍ）を含む金属ペーストで、スクリーン印刷法によりパ
タ−ニングされた後、２５０〜３００℃で焼成され、高
さ約１０〜５０μｍ、幅約０．４〜０．６ｍｍに形成さ
れる。
【００１４】図２の工程においては、基板１の樹脂表面
上の略全面に、約０．１〜１．０μｍの第１電極膜４が
形成される。この第１電極膜４としては、酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ
2）等の透明導電膜、あるいは、チタン、ニッケル、ア
ルミニウム等の金属膜のどちらでも良い。しかしなが
ら、金属膜を用いるとき、金属膜と樹脂表面の密着力
は、透明導電膜と樹脂表面の密着力より小さいために、
本発明における剥離防止対策が、特に、必要である。
上の略全面に、約０．１〜１．０μｍの第１電極膜４が
形成される。この第１電極膜４としては、酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ
2）等の透明導電膜、あるいは、チタン、ニッケル、ア
ルミニウム等の金属膜のどちらでも良い。しかしなが
ら、金属膜を用いるとき、金属膜と樹脂表面の密着力
は、透明導電膜と樹脂表面の密着力より小さいために、
本発明における剥離防止対策が、特に、必要である。
【００１５】この第１電極膜４の露出方向から第１絶縁
部材２ａｂ、２ｂｃ上にレーザビームや電子ビーム等の
第１エネルギービーム５を照射して、照射部分の第１電
極膜４を除去し、第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃに到達し
第１電極膜４を電気的に分割する分割溝６ａｂ、６ｂｃ
を形成することにより、第１電極膜４を発電領域７ａ、
７ｂ、７ｃに対応する第１電極膜４ａ、４ｂ、４ｃに分
割する。
部材２ａｂ、２ｂｃ上にレーザビームや電子ビーム等の
第１エネルギービーム５を照射して、照射部分の第１電
極膜４を除去し、第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃに到達し
第１電極膜４を電気的に分割する分割溝６ａｂ、６ｂｃ
を形成することにより、第１電極膜４を発電領域７ａ、
７ｂ、７ｃに対応する第１電極膜４ａ、４ｂ、４ｃに分
割する。
【００１６】この工程において、上記従来の技術で説明
したような分割溝６ａｂ、６ｂｃの周辺における第１電
極膜４の剥離は発生しない。これは、基板１の樹脂表面
と、樹脂からなるバインダーを含む第１絶縁部材２ａ
ｂ、２ｂｃは、樹脂成分を含んでいること等の理由によ
り、密着力が大きいこと、及び、第１絶縁部材２ａｂ、
２ｂｃは、粒径５〜７μｍの絶縁材料の粉末を有してい
るため、その表面は、膜厚０．１〜１．０μｍの第１電
極膜４に対して、凹凸状の粗面状態であるので、第１絶
縁部材２ａｂ、２ｂｃと第１電極膜４との密着力が大き
いことによると考えられる。
したような分割溝６ａｂ、６ｂｃの周辺における第１電
極膜４の剥離は発生しない。これは、基板１の樹脂表面
と、樹脂からなるバインダーを含む第１絶縁部材２ａ
ｂ、２ｂｃは、樹脂成分を含んでいること等の理由によ
り、密着力が大きいこと、及び、第１絶縁部材２ａｂ、
２ｂｃは、粒径５〜７μｍの絶縁材料の粉末を有してい
るため、その表面は、膜厚０．１〜１．０μｍの第１電
極膜４に対して、凹凸状の粗面状態であるので、第１絶
縁部材２ａｂ、２ｂｃと第１電極膜４との密着力が大き
いことによると考えられる。
【００１７】また、上記従来の技術で説明したような、
分割溝６ａｂ、６ｂｃの周辺における第１電極膜４の残
りカスである異物の付着は、発生せず、これは、前述の
ように第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃと第１電極膜４との
密着力が大きいことにより、エネルギービーム照射部の
第１電極膜４が飛散することなく容易に蒸発するためと
考えられる。従って、従来の技術で問題となっていた異
物による後述する第２電極１１と第１電極膜４間での短
絡を、防止することができる。
分割溝６ａｂ、６ｂｃの周辺における第１電極膜４の残
りカスである異物の付着は、発生せず、これは、前述の
ように第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃと第１電極膜４との
密着力が大きいことにより、エネルギービーム照射部の
第１電極膜４が飛散することなく容易に蒸発するためと
考えられる。従って、従来の技術で問題となっていた異
物による後述する第２電極１１と第１電極膜４間での短
絡を、防止することができる。
【００１８】図３の工程においては、分割溝６ａｂ、６
ｂｃにこれら各々の両側の第１電極膜４上にまたがっ
て、帯状の第２絶縁部材８ａｂ、８ｂｃを配置する。そ
して、導電部材３ｂ、３ｃの右側の第１電極膜４ｂ、４
ｃ上に、分割溝６ａｂ、６ｂｃと平行に、帯状の第３絶
縁部材９ｂ、９ｃを配置する。これら第２絶縁部材８ａ
ｂ、８ｂｃ、及び、第３絶縁部材９ｂ、９ｃは、上記の
第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃと、同材料である。
ｂｃにこれら各々の両側の第１電極膜４上にまたがっ
て、帯状の第２絶縁部材８ａｂ、８ｂｃを配置する。そ
して、導電部材３ｂ、３ｃの右側の第１電極膜４ｂ、４
ｃ上に、分割溝６ａｂ、６ｂｃと平行に、帯状の第３絶
縁部材９ｂ、９ｃを配置する。これら第２絶縁部材８ａ
ｂ、８ｂｃ、及び、第３絶縁部材９ｂ、９ｃは、上記の
第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃと、同材料である。
【００１９】その後、基板１の樹脂表面上の略全面に、
アモルファスシリコン、アモルファスシリコンカーバイ
ド、アモルファスシリコンゲルマニウム等をｐｎまたは
ｐｉｎに積層した半導体光活性層１０（厚さ約０．３〜
１μｍ）、及び、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム
錫（ＩＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）等の透明導電膜、あ
るいは、チタン、ニッケル、アルミニウム等の金属膜か
らなる第２電極膜１１（厚さ約０．１〜１．０μｍ）を
積層形成する。
アモルファスシリコン、アモルファスシリコンカーバイ
ド、アモルファスシリコンゲルマニウム等をｐｎまたは
ｐｉｎに積層した半導体光活性層１０（厚さ約０．３〜
１μｍ）、及び、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム
錫（ＩＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）等の透明導電膜、あ
るいは、チタン、ニッケル、アルミニウム等の金属膜か
らなる第２電極膜１１（厚さ約０．１〜１．０μｍ）を
積層形成する。
【００２０】ここで、基板１側より光が入射する場合
は、第１電極膜４が透明導電膜、また、第２電極膜１１
側より光が入射する場合には、第２電極膜１１が透明導
電膜である必要がある。
は、第１電極膜４が透明導電膜、また、第２電極膜１１
側より光が入射する場合には、第２電極膜１１が透明導
電膜である必要がある。
【００２１】また、ここで、第２絶縁部材８ａｂ、８ｂ
ｃを分割溝６ａｂ、６ｂｃにこれら各々の両側の第１電
極膜４上にまたがって配置することにより、その後に形
成される半導体光活性層１０上の第２電極膜１１が、第
１電極膜４と短絡することを防止している。前述のよう
に表面の凹凸の大きい第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃ上に
形成された第１電極膜４は、下地の凹凸状態を反映し
て、その表面は凹凸が大きく、仮に、この上に直接、半
導体光活性層１０及び第２電極膜１１を積層すると、第
１電極膜４表面の凸部が、半導体光活性層１０を貫通し
て、第２電極膜１１と短絡する可能性がある。そこで、
この上に第２絶縁部材８ａｂ、８ｂｃを形成することに
より、この短絡を防止している。
ｃを分割溝６ａｂ、６ｂｃにこれら各々の両側の第１電
極膜４上にまたがって配置することにより、その後に形
成される半導体光活性層１０上の第２電極膜１１が、第
１電極膜４と短絡することを防止している。前述のよう
に表面の凹凸の大きい第１絶縁部材２ａｂ、２ｂｃ上に
形成された第１電極膜４は、下地の凹凸状態を反映し
て、その表面は凹凸が大きく、仮に、この上に直接、半
導体光活性層１０及び第２電極膜１１を積層すると、第
１電極膜４表面の凸部が、半導体光活性層１０を貫通し
て、第２電極膜１１と短絡する可能性がある。そこで、
この上に第２絶縁部材８ａｂ、８ｂｃを形成することに
より、この短絡を防止している。
【００２２】図４の工程においては、第３絶縁部材９
ｂ、９ｃ上に第２電極膜８の露出方向から第２エネルギ
ービーム１２を照射して、第２電極膜１１を第２電極膜
１１ａ、１１ｂ、１１ｃに分割する。
ｂ、９ｃ上に第２電極膜８の露出方向から第２エネルギ
ービーム１２を照射して、第２電極膜１１を第２電極膜
１１ａ、１１ｂ、１１ｃに分割する。
【００２３】そして、導電部材３ｂ、３ｃ上に第２電極
膜１１の露出方向から第３エネルギービーム１３を照射
して、第２電極膜１１ａ、１１ｂ、第１電極膜４ｂ、４
ｃ、導電部材３ｂ、３ｃを各々溶融して電気接続するこ
とにより、発電領域７ａ〜７ｃが直列に接続される。
膜１１の露出方向から第３エネルギービーム１３を照射
して、第２電極膜１１ａ、１１ｂ、第１電極膜４ｂ、４
ｃ、導電部材３ｂ、３ｃを各々溶融して電気接続するこ
とにより、発電領域７ａ〜７ｃが直列に接続される。
【００２４】なお、本実施例においては、導電部材３
ｂ、３ｃを第１電極膜４ｂ、４ｃの下に配置したことに
より、半導体光活性層１０形成時の加熱、真空下におけ
る導電部材３ｂ、３ｃからのアウトガスを防止すること
ができる。また、アウトガスによる影響が小さいのな
ら、導電部材３ｂ、３ｃを第１電極膜４ｂ、４ｃ上に形
成しても良い。
ｂ、３ｃを第１電極膜４ｂ、４ｃの下に配置したことに
より、半導体光活性層１０形成時の加熱、真空下におけ
る導電部材３ｂ、３ｃからのアウトガスを防止すること
ができる。また、アウトガスによる影響が小さいのな
ら、導電部材３ｂ、３ｃを第１電極膜４ｂ、４ｃ上に形
成しても良い。
【００２５】
【発明の効果】本発明においては、基板の樹脂表面と絶
縁部材間及び絶縁部材と第１電極膜間の密着力が大きい
ことにより、絶縁部材上に形成された第１電極膜にエネ
ルギービームを照射し分割溝を形成しても、分割溝の周
辺において第１電極膜が剥離しないと共に、絶縁部材と
第１電極膜間の密着力が大きいことにより、分割溝の周
辺の第１電極膜上には、エネルギービームの照射によっ
て、除去された第１電極膜の残りカスである異物が付着
することがない。
縁部材間及び絶縁部材と第１電極膜間の密着力が大きい
ことにより、絶縁部材上に形成された第１電極膜にエネ
ルギービームを照射し分割溝を形成しても、分割溝の周
辺において第１電極膜が剥離しないと共に、絶縁部材と
第１電極膜間の密着力が大きいことにより、分割溝の周
辺の第１電極膜上には、エネルギービームの照射によっ
て、除去された第１電極膜の残りカスである異物が付着
することがない。
【００２６】また、分割溝にこの両側の第１電極膜上に
またがって第２絶縁部材を配置した後、第１電極膜上に
半導体光活性層と第２電極膜を積層形成しているので、
第１電極膜と第２電極膜が不所望に短絡することはな
い。
またがって第２絶縁部材を配置した後、第１電極膜上に
半導体光活性層と第２電極膜を積層形成しているので、
第１電極膜と第２電極膜が不所望に短絡することはな
い。
【図１】本発明の一実施例における第１工程を示す断面
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施例における第２工程を示す断面
図である。
図である。
【図３】本発明の一実施例における第３工程を示す断面
図である。
図である。
【図４】本発明の一実施例における第４工程を示す断面
図である。
図である。
１ 基板 ２ａｂ、２ｂｃ 第１絶縁部材 ３ｂ、３ｃ 導電部材 ４、４ａ、４ｂ、４ｃ 第１電極膜 ５ 第１エネルギービーム ６ａｂ、６ｂｃ 分割溝 ７ａ、７ｂ、７ｃ 発電領域 ８ａｂ、８ｂｃ 第２絶縁部材 ９ｂ、９ｃ 第３絶縁部材 １０ 半導体光活性層 １１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ 第２電極膜 １２ 第２エネルギービーム １３ 第３エネルギービーム
Claims (2)
- 【請求項１】 基板の樹脂表面上に、第１絶縁部材を配
置する工程と、前記第１絶縁部材を含んで前記樹脂表面
上の略全面に第１電極膜を形成する工程と、この第１電
極膜の露出方向から前記第１絶縁部材上にエネルギービ
ームを照射して、照射部分の前記第１電極膜を除去し、
前記第１電極膜を電気的に分割する分割溝を形成する工
程と、を有することを特徴とする光半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 請求項１の光半導体装置の製造方法は、
更に、前記分割溝にこの両側の前記第１電極膜上にまた
がって第２絶縁部材を配置する工程と、前記第１電極膜
上に半導体光活性層と第２電極膜を順次積層形成し、前
記第１電極膜、前記半導体光活性層及び前記第２電極膜
の積層体からなる複数の発電領域を形成すると共に、隣
接する前記第１電極膜及び前記第２電極膜を電気的に接
続することによって、複数の前記発電領域を電気接続す
る工程と、を有することを特徴とする光半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05157130A JP3081414B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05157130A JP3081414B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722636A JPH0722636A (ja) | 1995-01-24 |
| JP3081414B2 true JP3081414B2 (ja) | 2000-08-28 |
Family
ID=15642865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05157130A Expired - Fee Related JP3081414B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3081414B2 (ja) |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP05157130A patent/JP3081414B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0722636A (ja) | 1995-01-24 |
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