JPS5996783A - 光電変換装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、ＰＩＮまたはＰＮ接合を少なくとも１つ有
するアモルファス半導体を含む非単結晶半導体を絶縁表
面を有する基板上に設けられた光電変換素子（単に素子
ともいう）を複数個電気的に直列接続して、高い電圧の
発生が可能な光電変換装置における外部引出し電極の構
造に関する。

この発明は、複数の素子間の連結に必要な面積を従来の
マスク合わせ方式の１／ｌＯ〜１　／１００にするため
、レーザスクライブ（以下ＬＳという）方式を用いたこ
とを特徴とする。

この発明はＬＳ方式により、外部引出し電極部を何等の
マスクを用いることなしに製造するだめの構造を示す。

この発明はこの外部引出し電極においても、その光電変
換素子とまったく同一工程即ち余分の工程を用いること
なしに製造したものである。

さらに本発明においては、２つの外部引出し電極部にお
いて、もしこの電極部と外部接続体とが連結する面をず
れても第２の電極と同一材料により成就し、加えてこの
電極部への連結のための加圧圧力が強すぎて、その下の
半導体を貫通し、さらにその下の第１の電極と同一導電
材料と接触しても実用上何等問題ないようにこの電極部
の構造を設けたことを特徴としている。

この発明は、連結部での電気的接合を第１の素子の一第
１の電極を構成する透光性導電膜（ＣＴＦという）の側
面に第２の素子の第２の電極を延在して密接せしめたこ
とを特徴としている。

このため第１および第２の素子の半導体を分離する開講
は、第１の素子の第１の電極位置上に渡って設け、製造
上の冗長度（余裕度）を与えることを特徴としている。

この発明は第１の外部引出し電極部において、その隣に
位置する素子（第１の素子）の第２の電極から延在した
同一材料で導体のバンドを設けるとともに、この下の電
極部に位置する半導体とその下の第１の導電膜は第１の
素子の第１の電極と電気的に開溝により離間させている
。この開溝により導電性ゴム銀棒の圧力が第２の導電膜
のパッドに強くかかり、これとその下の第１の導電膜と
がショートしても第１の素子の特性を劣化または破損さ
せることがない。

またこの発明の第２の外部引出し電極部において、第２
の導電膜によるバ・ノドはその隣Ｇこ作製する光電変換
素子の第１の電極とその側面番こおし）で電気的に連結
して設けられるとともに、この隣の素子の第２の電極と
電気的に開溝により離間して設けることにより、素子の
第２の導電膜と同一導電材料により、第２の外部引出し
電極部を設けている。

かくすることにより、第２の電極部における導電性ゴム
電極（外部）の接触のための加圧圧力力（強く、その下
の０．５μの厚さしかな、い半導体を貫き、第１の導電
膜とパ・）１がショートしても実用上まったく支障がな
いという特長を有する。

即ちこの発明はマスクレスのＬＳ方式であって、信頼性
において特に劣化しやすい外部引出し電極部での連結を
より確実に行うことを可能にした光電変換装置に関する
。

従来、マスク合わせ方式において、その連結部は５〜１
ｍｍのｌ】を必要としていたが、これをその１／１０〜
１／１００の３５０〜３０μ好ましくは２００〜．５０
μとすることにより、この連結部を１０〜５０段必要と
するハイブリッド方式において、光電変換装置として用
いられる全パネルの光起電力発生用の面積（有効面積ま
たは実効面積という）が、従来の７５〜５０％より９７
〜９０％にまで高められ、実効変換効率を１０〜２０％
も実質的に向上せしめたことを特徴とする。

この発明ではレーザビームスクライブ方式を用いること
により、合わせヤークを基準としてこのスクライブされ
るアドレスを予めコンピュータ（マイクロ・コンピュー
タ）のメモリに記憶させておくことにより、従来より知
られたマスク合わせ方式で必要なマスクのずれ、そり、
合わせ精度に対する製造歩留りの低下等のすべての製造
での価格増、歩留り減の原因を一気に排除せしめたこと
を特徴とする。

従来、光電変換装置（以下単に装置という）即ち同一基
板上に複数の素子を配置し、それを集積化またはハイブ
リ・７ド化した装置はその実施例が多く知られている。

例えば特開昭５５−４９９４、特開昭５５−１２４２７
４さらに本発明人の出願になる特願昭５４−−９００９
７　／９００９８／９００９９　　（昭和５４．７．１
６　）が知られている。

例えば本発明人の出願になる特許願は、半導体を５ｉｘ
Ｃ１−）＜−Ｓｉのへテロ接合とし、単に他のアモルフ
ァス・シリコン半導体を用いる場合と異ならせており、
さらにこの半導体とし、て、アモルファス構造以外に微
結晶構造を含む水素またはハロゲン元素が添加されたＰ
ＮまたはＰＩＮ接合を少なくとも１つ有する非単結晶半
導体を集積化またはハイブリッド化したものであるとい
う特徴を有する。

しかしこれら従来の発明においては、第１図にその縦断
面図を示すが、すべてマスク合わせ方式であり、合わせ
精度が不十分でまた連結部に大きな面積を必要としてい
た。

例えば金属マスクを用いた場合、直接選択的に導電層ま
たは半導体層を作製する方式においては、この選択性を
与えたマスクが被膜形成中に０．５〜３ｍｍずれてしま
う場合がある。さらにこのマスク上に被膜成分が形成さ
れるため、マスクが汚染され、またマスクがそって形成
される被膜の周端部が明瞭でなくなり、隣合った電極間
のクロストーク（リーク電流）の発生の要因となる等多
くの欠点を有するものであった。

さらに従来公知のスクリーン印刷法等は、基板上に全体
的に形成された導体または半導体を独立に選択的にマス
クを用いてエツチング除去する方法である。しかしかか
る方法においては、スクリーン印刷用のマスクの位置合
わせの工程、レジストのコーティング工程、ヘーク固化
工程、導体または半導体のエツチング除去、レジストの
除去工程等きわめて工程に時間がかかり、そのため製造
価格の上昇が免れ得なかった。

しかし本発明の光電変換装置特に薄膜型の光電変換装置
にあっては、それぞれの薄膜層である電極用導電層、ま
た半導体層はともにそれぞれ５００人〜１μであり、レ
ーザスクライブ方式を用いることにより、まったくマス
ク合わせを必要としないで作製することが可能となった
。

その結果、従来のマスク合わせ工程のかわりに本発明に
おいては、マスクをまったく用いないためスクライブ工
程というが、このスクライブ工程がマイクロ・コンピュ
ータを併用することによりきわめて簡単かつ高精度であ
り、装置の製造コストの低下をもたらした。そのため５
００円／Ｗの製造も可能となり、その製造規模の拡大に
より１００〜２００円／Ｗも可能となるというきわめて
画期的な光電変換装置を提供することによる。

さらに本発明においてはこのレーザスクライブ工程を用
いるに加えて、そのスクライブラインの合わせ精度に冗
長（余裕）２度をもな、せたことが重要である。そのた
め隣合っ゛た素子間の第１の電極（下側）と他の素子の
第２の電極（上側電極）とが第２の電極より延在したリ
ードにより第１の電極とその側面において電気的に連結
させることにより、スクライブラインの開講の位置に冗
長度を持たせることができた。

以下に図面に従って従来例および本発明の構造を記す。

第１図は従来より知られたマスク合わせ方式の光電変換
装置の縦断面図である。

図面において透光性基板（例えばガラス板〉（１）上に
第１の電極を構成する透光性導電膜（ＣＴＦと略記する
）を第１のマスク合わせ工程により選択的に形成させる
。さらに半導体層（３）を第２のマスク合わせ工程によ
り同様に選択的に形成させる。さらに第３のマスク合わ
せ工程により第２の電極（４）が設けられている。

第１図において素子（１１＞、＜　３１　）との間に連
結部（１２）を有し、連結部においてはＣＴＦの一方の
側面（１６）を半導体層（３）が覆い、他方のＣＴＦの
表面（１４）を半導体層（３）が覆わないようにするた
め、ＣＴＦの間（１３）は１〜５ｍｍ例え％１３ｍｍの
隙間を必要とする。さらに第１の電極（３７）と第２の
電極（３８）の第２の電極がマスクのぼけで発生するひ
ろがりをも含めてショートしてはいけないため、１〜５
ｍｍ例えば３ｍｍの間隙（６）を必要とする。これら３
つのマスクには全くのセルファライン性がないため、連
結ｉ　（１２）におし）では１〜３ｍｍ代表的には４ｍ
ｒｒｌを必要としてしまう。さらにこれを１ｍｍ以下と
するとそのマスク合わせ精度はきわめて厳密であり、歩
留りが極端に低下してしまう。この連結部（１２）の間
隙を５ｍｍ以上とすると、例えば２０ｃｍ　Ｘ　６０ｃ
ｔｒｌに中１５ｍｍ　（２０ｃｍ　Ｘ　１５ｍｍ）の素
子、端部５ｍｍを作製せんとすると、２０段の直接接続
ができるのみである。またこの連結部の間隙を３ｍｍと
しても３３段であり、連結部では全部で延べｌ０ｃｍ　
（２００ｃｎ！の面積）の損失になり、その結果有効面
積は周辺部を考慮すると７５％にとどまってしまってい
た。

本発明はかかる工程の複雑さを郷除し、有効面積が８６
〜９７％例えば９２％社まで高めることができるという
きわめて画期的な光電変換装置を提供することにある。

以下に図面に従ってその実施例の詳細を示す。

第２図は本発明の製造工程を示す縦断面図である。

図面において絶縁表面を有する基板例えば透光性基板（
１）即ちガラス板（例えば厚さ１．２　ｍｍ、長さく図
面では左右方向）　６０ｃｍ、中２０ｃｍ）を用いた。

さらにこの上面に全面にわたって透光性導電Ｂ臭例えば
ＩＴＯ（約１５００人）　＋　５ｎ０２（２００〜４０
０　人）またはハロゲン元素が添加された酸化スズを主
成分とする透光性導電膜（１５００〜２０００人）を真
空蒸着法、ＬＰ　ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法またはス
プレー法により形成させた。この後この基板の下側また
は上側より、ＹＡＧ　レーザ加工機（日本レーザ製）に
より出力５〜８Ｗを加え、スポット径３０〜７ｏμφ代
表的には５０μφをマイクロ・コンピュータを制御して
照射し、その走査によりスクライブライン周間ｉ　（１
３）を形成させ、各素子間に第１の電極（２）を作製し
た。

スクライビングにより形成された開溝（１３）は巾約５
０μ長さ２０ｃｔｒｌ深さは第１の電極それぞれを完全
に切断分離した。このため図面において明らがなごとく
、基板（１）の一部を挾る（凹部を形成する）こともあ
った。かくして第１の素子（３１）および第２の素子（
１１）を構成する巾は１０〜２０ｍｍとした。

以上のレーザスクライブ方式により、第１の電極を構成
するＣＴＦ　　（２）を切断分離して開溝を形成した。

この後この上面にプラズマＣＶＤ法またはＬＰ　ＣＶＤ
法によりＰＮまたはＰＩＮ接合を有する非単結晶半導体
層（３）を０．２〜１．０μ代表的には０．４〜０６５
μの厚さに形成させた。その代表例はＰ型半導体（Ｓｉ
ｘＣ１−ｘ　　ｘ　＝０．８５０〜１５０人）−１型ア
モルファスまたはセミアモルファスのシリコン半導体（
０，４〜０．５μ）−Ｎ型の微結晶（１００〜２００人
）を有する半導体よりなる１つのＰＩＮ接合を有する非
単結晶半導体、またはＰ型半導体（Ｓ　ｉ　ｘ　Ｃ＋−
ｘ　）−Ｉ型Ｓｔ半導体、゛ＮＮ型ｔ半導体、尺型Ｓｉ
半導体−Ｉ型５ｉｘＧｅ　Ｉ−ｘ半導体−ＮやＳｉ半導
体よりなる２つのＰＩＮ接合と１つのＰＮ接合を有する
タンデム型のＰＩＮＰＩＮ・・・・ＰＩＮ接合の半導体
（３）としてもよい。

かかる非単結晶半導体（３）を全面にわたって均一の膜
厚で形成させた。さらに第２図（Ｂ）に示されるごと（
、第１の開溝（１３）の左側に第２の開溝（１８）を５
０μの巾に１００〜５００μの距離をわたらせて第２の
レーザスクライブ方式により形成させた。このレーザは
ガラス（１）の下方向またばこの基板の上方のいずれか
らも行ってよい。

かくして第２の開ｍ　（１８）は第１の電極の側面（８
＞、＜　９　＞を鯰出させた。この第２の開溝により形
成された第１の電極の右側の側面（９）の存在は第１の
電極（３７）の側面（１６）より左側の第１の素子の第
１の電極位置上にわたって設けられていることが特徴で
ある。そして第２図（１３）に示されるごとく、第１の
電極（３１）の内部に入ってしまうことにより、第１の
電極の側面を（８）、（９）と露出せしめている。かく
することにより第１の素子の第１の電極（３７）の一部
が第２の開溝の右側に残存している。かかる残存領域が
ない場合、レーザ光の高熱（〜２０００℃）によりＣＴ
Ｆ　　（２）よりもはるかに加工されやすいため、第１
の開溝（１３）に充填された半導体が吹き飛んでしまう
。　　　゛そのため第１および第２の素子の第１の電極
間のアイソレイションが不可能になる。このことより第
、２図（Ｂ）に示すごとく、第２の開溝が第１の電極の
内部に入って設けられていることはきわめて重要である
。この（９）の部分に残存するＣＴＦは５０〜５００μ
の巾を有せしめた。

このレーザ光が５〜ＩＯＷで多少強すぎてこのＣＴＦ（
３７）の深さ方向のすべてを除去してしまむ１、その結
果側面（８）に第２図（Ｃ）で第２の電極（３８）を密
接させても実用上何等問題はない。即ちレーザ光の出力
パルスの強さに余裕を与えることができることが本発明
の工業７的応用の際きわめて重要である。

第２図において、さらにこの上面に第２図（Ｃ）に示さ
れるごとく、裏面の第２の電、極（４）を形成し、さら
に第３のレーザスクライブ法の切断分離用の第３の開溝
（２０）、を設けた。

この第２の電極（４）は透光性導電膜を７００〜１４０
０人の厚さにＩＴＯ（酸化インジュームスズ）Ｇこより
形成し、さらにその上面に反射性金属の銀を３００〜３
０００人の厚さに形成した。さら番こその上面にアルミ
ニュームまたはアルミニュームと二・ノケルとの２層膜
を形成させた。例えハＩＴＯヲ１０５０人、金兄を１０
００人、さらに二・ノケルを１５００人の３層構造とし
た。この（Ｔｏと銀は裏面側での入射光（１０）の反射
を促し、６００〜８００ｎｍの長波長光を有効に光電変
換させるためのものである。さらにニッケルは外部引出
し電極（２３）との密着性を向上させるためのものであ
る。これらは電子ビーム蒸着法またはプラズマＣＶＤ法
を用いて半導体層を劣化させない３００℃以下の温度で
形成させた。

このＩＴＯは半導体（３）と裏面電極（４）との化学反
応による信頼性低下の防止、即ち信頼性の向上にも役立
っている。

かくのごとき裏面電極をレーザ光を上方より照射して第
２の電極を切断分離して第３の開溝（２０）（中５０μ
）を形成した場合を示している。このレーザ光は半導体
特に上面に密接するＮまたはＰ型の半導体層を少しえぐ
りだしく４０）隣合った第１の素子（３１入第２の素子
（１１）間の開溝部での残存金属または導電性半導体に
よるクロストーク（リーク電流）の発生を防止した。

特にこの半導体（３）がＰ型半導体層（４２）、ｌ型半
導体層（４３）、　Ｎ型半導体層り４４）と例えば１つ
のＰＩＮ接合を有し、このＮ型半導体層が微結晶または
多結晶構造を有する場合、１〜２００＜０ｃｍ）”と高
い電気伝導度を持つ。このためＮ型導電性半導体層をえ
くり出して除去し、凹部に真性半導体を設けてリーク電
流発生を防止すること番よきわめて重要であった。この
えぐりだしはｌ型半導体層を越え、第１の電極用のＣＴ
Ｆにまで達成しなむ）ことが好ましい。本発明はレーザ
光により開溝形成を第２の電極のみでなく、その下側の
０．２μ以上あるｌ型半導体層の厚さ分の余裕を開溝部
（２０）の形成の作業工程にもたせることが、工業上重
要である。

かくして第２図（Ｃ）、に示されるごとく、複数の素子
（３１）、（１１）を連結部で直列接続する光電変換装
置を作ることができた。

第２図（Ｄ）はさらに本発明を光電変換装置として完成
させんとしたものであり、即ちノイ・ノシベイション膜
としてプラズマ気相法により窒化珪素膜（２１）を５０
０〜２０００人の厚さに形成させ、各素子間のリーク電
流の発生を防いだ。さらに外部引き出し端子（２３）を
周辺部（５）にて設けた。これらにポリイミド、ポリア
ミド、カプトンまた※まエポキシ等の有機樹脂（２２）
を充填した。

かくして照射光（１０）に対し、この実施例のごとき基
板（６０ｃｍ　Ｘ　２０ｃｍ）において各素子を中１４
．３５ｍｍ、連結部の中１５０μ、外部引出し電極部の
巾１０ｍｍ、周辺部４ｍｍにより、有効面積（１９２ｍ
ｍｘ１４．３５ｍｍ　Ｘ　４０段　１１０２ｃＪ即ち９
１．８％）を得ることができた。その結果、セグメント
が１０．６％の変換効率を有する場合、パネルにて９．
７％（Ａ旧　（１００ｍＷ　／ｃＪ））にて１１．６Ｈ
の出力電力を有せしめること力くできた。

これは従来のマスク合わせ方式で行った場合の５５％（
４０段の場合）に比べてきわめて著しし）効果である。

さらに金属マスクをまったく用Ｇ１なもまため、大面積
パネルの製造工程において何等の工業上の支障がなく、
大電力発生用の大面積低価格大量生産用にきわめて通し
ている。

以上の実施例において明らかなように、本発明により第
２の電極を形成するためのレーザスクライブ法での切断
分離により、第２の電極下のＮまたはＰ型半導体層をも
同時に除去したため、この２つの電極間のリーク電流を
１０−ヨｍＡ／ｃｍより１０−’Ａ／ｃｍにまで下げる
ことができた。このため一般民生用においては、第２図
（Ｄ）の窒化珪素膜コーティング（２１）を省略するこ
とも可能となった。

さらにまた連結部に関しては、第１の電極の側面で隣の
素子の第２の電極と連結を行うため、この連結部（コン
タクト部）の必要面積を従来方法に比べて１／１０以下
に十分少なくさせ得るため、ひいてはパネルの有効面積
の向上ζ、役立つことができた。

以上のＹＡＧレーザのスポット層をその出力３〜５Ｗ（
３０μ〉、５〜８Ｗ（５０μ）で用いた場合であるが、
さらにそのスポット径を技術思想において小さくするこ
とにより、この連結部をより小さく、ひいては光電変換
装置としての有効面積をより向上させることができると
いう進歩性を有している。

第３図は電卓用等の大きなパネルより小さな光電変換装
置を同時に多量製造せんとした時の本発明の外部引出し
電極部を拡大して示したものである。

第３図（Ａ）は第１の外部引出し電極部の構造を示し、
第２薗に対応しているが、外部引出し電極部（５）は導
電性ゴム電極（４７）に接触するパッド（４９）を有し
、このパッド（４９）はその隣に位置する光電変換素子
の第２の電極（上側電極）（４）と連結している。この
時、電極（４７）の加圧が強すぎてパッド（４９）がそ
の下の半導体を突き抜け、第１の導電Ｍ　（５３）とシ
ョートしても、このパッドとその隣の素子の第１の電極
（２）とショートしないように開溝（１３’）をＬＳに
より設けている。即ちこの開ｍ　（１３’）により電気
的に外部引出し電極部（５）の第１の導電膜（５３）と
その隣に位置している素子の第１の電極（２）とを電気
的に離間させ、この開溝に半導体を充填させている。ま
た電極部（５）の外側部は開溝（１８’）、（２０’）
で切断分離されている。

さらに第３図（Ｂ）は第２の外部引出し電極部の構造を
示している。この第２の電極部は隣の光電変換素子の下
側の第１の電極（２）の側面（３５）にバンド（４８）
が第２の導電性材料により（１８つにて連結して設けら
れている。さらにバ・ノド（４８）は導電性ゴム電極（
４６）と加圧接触しており、外部に電気的に連結してい
る。ここでも開溝（１８″）、（１Ｂ”’ｌ、（２０″
′）、（２０つによりパッド（４Ｂ）はまったく他の光
電変換素子と電気的に分離させている。

その結果、このゴム電極のＷ力が強すぎても、パッドと
その下の半導体を突き抜けて第１の導電膜（５４）とシ
ョー１しても、隣の素子の特性を何等劣化させない。即
ち本拠明の電極はこのバ・ノドを確実に連結することに
より、信頼性の向上を図ることができるという特長を有
す。

かかる外部引出し電極構造を有せしめることにより、こ
の装置間のガラス切断を後工程により行うことにより、
１つのパネルで合わせ用のマスクをまったく用いること
なしに多数の光電変換装置を作ることができるという特
徴を有する。

例えば２０ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍのパネルにて６ｃｍ　Ｘ
ｌ、５ｃｍの光電変換装置（電卓用）を作らんとすると
、一度に１３０個の電卓用太陽電池を作ることができる
ことがわかる。つまり光電変換装置は有機樹脂モールド
（２２）で電極部（５）、＜４５）を除いて覆われでお
り、この後小電力用太陽電池を作る場合番ま力゛ラス切
りで切断すればよい。またさらにこのノぐネル例えば４
０ｃｍ　Ｘ　２０ｃｍまたは６０ｃｍ　Ｘ　２０ｃｍを
６ケまた番よ４ヶ直列にアルミサツシ枠内に組み合わせ
ることによりパッケージされ、１２０ｃｍ　Ｘ　４０ｃ
ｍのＮＥＤＯ規格の大電力用のパネルを設けることが可
能である。

またこのＮＥＤＯ規格のパネルはシーフレ・ノクスＧこ
より他のガラス板を本発明の光電変換装置の反対面側（
図面では上側）にはりあわせて合わせ力゛ラスとし、そ
の間に光電変換装置を配置し、風圧、雨等に対し機械強
度の増加を図ることも有効である。

第２図〜第３図において光入射は下側の力゛ラス板より
とした。しかし本発明はその光の人身寸（ｉｌｌを下側
に限定するものではない。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の光電変換装置の縦断面図である。 第２図は本発明の光電変換装置の製造工程を示す縦断面
図である。 第３図は本発明の他の光電変換装置の外部引出し電極部
分を拡大して示した縦断面図である。 特許出願人 ”ｉ＋　　　　　　１２−　　　　Ｉ＋東 − （Ｄ） （８） 名、ｌ（２１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁表面を有する基板上に第１の導電膜の第１の電
   極と、該電極上にＰＮまたはＰＩＮ接合を少なくとも１
   つ有する非単結晶半導体と、該半導体上に第２の導電膜
   の第２の電極とを有する光電変換素子を複数個互いに電
   気的に直列接続せしめて、前記基板上に、配設した光電
   変換装置における前記基板上の第１の導電膜と、該導電
   膜上の前記非単結晶半導体と、該半導体上の前記第２の
   導電膜とを有する外部引出し電極部において、該電極部
   の前記第２の導電パッドは、隣に位置する前記素子の前
   記第２の電極から延在して設けられるとともに、前記外
   部引出し電極部における前記第１の導電膜は、隣に位置
   する前記第１の素子の前記第１の導電膜と開溝により電
   気的に離間して設けられたことを特徴とする光電変換装
   置。 ２、絶縁表面を有する基板上に第１の導電膜の第１の電
   極と、該電極上にＰＮまたはＰＩＮ接合を少なくとも１
   つ有する非単結晶半導体と、該半導体上に第２の導電膜
   の第２の電極とを有する光電変換素子を複数個互いに電
   気的に直列接続せしめて、前記基板上に配設した光電変
   換装置における前記基板上の第１の導電膜と、該導電膜
   上の前記非単結晶半導体と、該半導体上の前記第２の導
   電膜゛ゝとを有する外部引出し電極部において、該電極
   部の第２の導電膜は、隣に位置する前記素子の前記第２
   の電極と開溝により電気的に離間しているとともに、前
   記第１の電極の側面において電気的に連結して導電バン
   ドが設けられたことを特徴とする光電変換装置。