JPS6095980A

JPS6095980A - 光電変換装置

Info

Publication number: JPS6095980A
Application number: JP58204443A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1983-10-31
Filing date: 1983-10-31
Publication date: 1985-05-29

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】この発明は、ＰＮまたはＰＩＮ接合を少なくとも１つ有
するアモルファス半導体を含む非単結晶半導体を透光性
絶縁基板上に設けた光電変換素子（単に素子ともいう）
を複数個電気的に直列接続し、高い電圧を発生させる光
電変換装置における第２の電極の構造に関する。

本発明の装置における素子の配置、大きさ、形状は設計
仕様によって決められる。しかし、本発明の内容を簡単
にするため、以下の詳細な説明においては、第１の素子
の下側（基板側）の第１の電極と、その右隣りに配置し
た第２の素子の第２の電極（半導体上即ち基板から離れ
た側）とを電気的に直列接続させた場合を基として記す
。

かかる構成において、第１の素子および第２の素子の第
２の電極を互いに分離するための第３の開溝は、Ｐまた
はＮ型の非単結晶半導体層に密接して酸化インジューム
または酸化スズを主成分とする導電膜（以下ＧＯという
）を設け、該導電膜」。

にクロムを主成分とする金属膜（以下単にクロムという
）を積層して構成せしめたことを特徴とＪる。

本発明は、半導体上に設けられた第２の電極用導体をレ
ーザ光を用いてスクライブせしめ、互いの電極に分離形
成せしめるものである。その際、１８００℃もの高温の
レーザ光の照射に対し、その］・側の半導体特に水素化
アモルファス半導体が多結晶化され、導電性になってし
まうことを防ぐため、ＣＯ上にクロムを積層してかかる
ＬＳにより第３の開溝下の半導体と化合物を作ったり、
またこの半導体のレーザアニールによる多結晶化を防い
だものである。

本発明は光電変換装置としての裏面電極を、このＮ型半
導体層の電極との密接部を５ｉｘＣＩ−ｘ　（０＜ｘ〈
１）とし、これとＣＯとの間で酸化珪素絶縁物が発生し
てしまうことを防ぐに加えて、このＣＯとその上面の金
属との界面で酸化アルミニュームの、絶縁物が生成され
てしまうことを防くため、ＣＯに密接してクロムを積層
させた２層構造、さらにまたは１００Å以下の厚さのチ
タンとその上面に１００〜５００人の厚さの銀と、さら
にその上面に５００〜５０００人の厚さのクロムを積層
させ４７ｉｆ構造としたものである。

即ち、従来はこのＣＯ上には単に光の反射性金属である
銀またはアルミニュームが用いられていた。

しかし銀はＣＯと密着性が悪く、容易にはがれてしまう
。アルミニュームはＣＯと界面で酸化反応して酸化アル
ミニューム絶縁物になってしまう、これらのことより、
ＣＯ上の各層の改良がめられていた。

本発明はかかる目的のため、ＬＳにより開溝を作る金属
としてＣＯ上にクロムを主成分として用いたものである
。即ち、例えばＣＯ上にクロムを５００〜５０００　Ａ
の厚さに形成させた。するとＣＯとクロムとはクロムが
耐熱性（融点１８００℃、沸点２６６０℃）を有し、か
つ他材料との反応をおこしにくい材料であるため、界面
酸化をしないことが実験的に判明した。さらにＣＯとの
オーム接触の抵抗も低く、きわめて望ましいものであっ
た。

即ち、本発明において、ＣＯはレーザ光に゛ζ熱的には
容易に除去されるが、透光性であり熱吸収が低い、また
クロムは照射されるレーザ光と殆ど同じ温度の融点を有
し、かつ照射光を十分に吸収する。このためこれらの双
方を相対的に組合せることにより、ＬＳのレーザ光の照
射された開溝部下の非単結晶半導体を熱により多結晶化
させることなく、この開溝部のＣＯとその上の金属を選
択的に除去することができた。

以下に図面に従って本発明の詳細を示す。

第１図は本発明の製造工程を示す縦断面図である。

図面において絶縁表面を有する透光性基板（１）例えば
ガラス板（例えば厚さ０．６〜２．２＋＋ｖ例えば１．
２ＩＩＩＩ１１、長さく図面では左右方向）　６０ｃｍ
、中２０ｃｍ）または透光性有機樹脂（例えば厚さ１０
０μ　住良ベークライト社製スミラードＦＳ　−１３０
０）を用いた。

さらにこの上面に全面にわたって透光性導電膜例えばＩ
ＴＯ（酸化インジェーム酸化スズ混合物、即ち酸化スズ
を酸化インジューム中に１０Ｍ量％添加した膜）（約１
５００人）　＋ＳｎＯ，（２００〜４００人）または弗
素等のハロゲン元素が添加された酸化スズを主成分とす
る透光性導電膜（１５００〜２０００人）を真空蒸着法
、ＬＰＣＶ　Ｄ法、プラズマＣＶＤ法またはスプレー法
により形成させた。

この後、ＷＡＧレーザ加工機（日本レーザ製　波長１．
０６μまたは０．５８μ）により出力１〜３Ｗ（焦点距
離４０ｍｍ）を加え、スポット径２０〜７０μφ代表的
には５０μφをマイクロコンピュータにより制御した。

さらにこの照射レーザ光を走査させて、スクライブライ
ンである第１の開溝（１３）を形成させ、各素子間領域
（３１）、＜　１１　）に第１の電極（２）を作製した
。

この第１のＬＳにより形成された第１の開溝（１３）は
、巾約５０μ長さ２０ｃｍ深さは第１のＣＴＦの電極そ
れぞれを完全に切断して電気的に分離した。

この後、この電極（２）、開溝（１３）の上面にプラズ
マＣＶＤ法またはＬＰＣＶ　Ｄ法により光照射により光
起電力を発生させる非単結晶半導体層（３）を０．２〜
０．８μ代表的には０．５μの厚さに形成させた。

その代表例はＰ型半導体（５３χＣ欧　ｘ　＝０．８約
１００人）−１型アモルファスまたはセミアモルフブス
のシリコン半導体（約０．５μ）−Ｎ型の微結晶（約５
００人）を有する半導体珪素さらにこの土に５ｉｘＣ１
ｘ　ｘ　＝０．９約５０人を積層させて一つのｒ’ＩＮ
翰企を有する非単結晶半導体、またはＰ型半導体（５１
χＣ欣）−１型、Ｎ型、Ｐ型Ｓ１半導体−１型５ｉｘＧ
ｅ　ｌ−ｘ半導体−Ｎ型Ｓｉ半導体よりなる２つのＰＩ
Ｎ接合と１つのＰＮ接合を有するタンデム型のＰＩＮＰ
ＩＮ、、、、、ＰｆＮ接合の半導体（３）である。

かかる非単結晶半導体（３）を全面にわたって均一の膜
厚で形成させた。

さらに第１図（Ｂ）に示されるごとく、第１の開溝（１
３）の左方向側（第１の素Ｆ　（＋１１１　）にわたっ
て第２の開講（１８）を第２のＬＳＩ程により形成させ
た。

この図面では第１および第２の開溝（１３）、＜　１８
　）の中心間を１００μずらしている。

かくして第２の開ｉ１Ｂ　（１Ｂ）は第１の電極の側面
（８）、（９）を露出させた。

さらにこの基板を希弗酸（４８％肝を１０倍の水で希釈
した１　／ｌ０ＩＩＦをここでは用いた）にて１０秒〜
１分代表的には３０秒エツチングした。これはＣｒ＞の
マイクロ波を用い半導体表面にスパッタがないプラズマ
気相エッチにより作製してもよい。すると半導体（３）
、ＣＴＦ　（２）がしＳにより大気中の酸素と反応して
生成した低級多孔性酸化珪素を除去することができた。

かくすると、開溝の底部（７）に基板表面を露呈させ、
加えてＬＳの際、ＣＴＦの方が半導体に比ベスクライブ
されにくいため、ＣＴＦの主端部（６）を横方向に０．
１〜５μ露呈させることができた。その結果、第２の電
極とは側面（８）または側面（８）と上端部（６）とを
コンタクトすることができた。

第１図において、さらにこの上面に第２図（Ｃ）に示さ
れるごとく、裏面の第２の電極（４）おＪ、び連結部（
コネクタＸ３０）を形成し、さらに第３のＬＳでの切断
分離用の第３の開溝（２０）を得た。

この第２の電極（４）は本発明の特長である導電性酸化
膜（Ｃｏ）＜４５＞、＜４５’）をＰまたはＮ型の半導
体上に密接させて形成させた。その厚さは１００〜３０
００人の厚さに形成させた。

このＣＯとして、ここではＩＴＯ（酸化インジエーム酸
化スズを主成分とする混合物Ｘ４５）を形成した。この
ＣＯとして酸化インジュームまたは酸化スズを主成分と
して形成させることも可能である。

このＩＴＯは被膜形成の際きわめてまわりごみが起きや
すい、このため側面（８）にも十分入り、ＣＴＦ　（３
７）の側面（８）と電気的によく連結させることが可能
となった。

これらは電子ビーム蒸着法またはｐｃｖｏ法を用いて半
導体層を劣化させないため、３００℃以下の温度で形成
させた。

このＣＯであるＩＴＯは本発明においケはきわめて重要
である。その効果は、（１）第２の、電極の全屈（４Ｇ＞、（４６’）が珪素
（３）と合金層にならず、半導体（３）中に異常拡散さ
れてしまい上下の電極間をショートさせてしまうことを
防いでいる。即ち１５０〜２００℃での晶温放置テスト
における裏面電極−半導体界面での信頼性向上に役立っ
ている。

（２〕本発明の第３の開溝（２０）の形成の際、レーザ
光の１８００℃以上の高温、特にスクライブ領域（２０
）にてＬＳ用金属（４６）が半導体（３）内に侵入して
電極（３９）、（３Ｂ）間でのリーク電流が１０−’Ａ
／Ｃ−以上発生してしまうことを防ぐことができる。

このため第３の開溝形成による製造上の歩留りの低下を
防ぐことができる。

〔３〕半導体上のＰまたはＮ型半導体と相性のよいＣＯ
を形成することにより、即ちＮ型半導体に密接してＩＴ
Ｏまたは酸化インジュームを主成分とするＣＯを設けて
、この半導体、電極間の接触抵抗を下げ、曲線因子、変
換効率の向上をはかることができる。

〔４〕強いまわりこみにより連結部（１２）における第
１の素子の第１の電極（３７）の側面とコンタクトを構
成し、互いに酸化物であるため、このｍｌンタクト部に
て長期使用における界面での絶縁性が増加することがな
い、即ちもしアルミニュー１１等の金属とＣＴＦ　（３
７）とのコンタクトでは、金属がＣＴＦの酸素と長期間
のうちに反応して絶縁性をこの界面で生じさせてしまう
が、このＣＯによる酸化物−酸化物コンタクトはかかる
絶縁性がコンタクト界面に生ずることがなく、信頼性の
向上が大きい。

〔５〕入射光（ｌＯ）における半導体（３）内で吸収さ
れなかった長波長光の金属（４６）での反射を促し、特
にＩＴＯの厚さを５００〜１４００人好ましくは平均厚
さ１０５０人として６００〜８００ｎｍの長波長光の反
射を大きくさせ、変換効率の向上に有効である。

〔６〕コネクタをもこのＣＯが構成し、半導体特にＰＩ
Ｎ半導体のうちの敏感な活性１層に隣接しているため、
金属がマイブレイトしてしまうことを防いでいる。

ＣＯ上の金属（４６）、＜４６’）として検討したもの
は以下の通りである。

融点　沸点　熱伝導率（ｔ）　（’Ｃ）　ｃａｌ　／　（ｃｍ　ｓｅｃ　ｄｅ
ｇ）Ｃｒ　１８００　２６６０　” Ｔｉ　１７２５　３２６２　”ＳＡｇ　９６０．５　１９２７　０．９９８＾１　６５Ｂ
、８　２２８０　０．４８７このことより明らかなよう
に、ＬＳ照射光の温度（１８００〜２２００℃）とほぼ
同じ融点を有し、かつ熱伝導度が大きすぎても小さすぎ
てもよくない、即ち、銀、アルミニュームは６００Å以
上となると横方向（膜方向）への伝導が大きすぎ、その
下の半導体と反応をしやすく、さらに熱のため半導体を
多結晶化してしまう、また第３の開溝は半導体Ｊｊｉを
容易に貫いて第１の導電膜にまで到達し−ζしよう。

他方、チタンは熱伝導率が小さく、融点が高いため、１
００Å以上の使用が不可能である。

このためＣＯ上の金属はクロムが優れていることが判明
した。実験的にもこの下にＣＴＦが形成されている場合
において、半導体層がＬＳにて除去されず、理想的な金
属であった。

このクロムの低い光学的反射率を向上させ、ひいては素
子の変換効率を向上させるため、ＣＯとの間に反射を大
きくする銀を５００Å以下好ましくは１００〜３００人
の平均厚さに、またチタンを銀とＣＯとの密着性向上用
Ｃ５〜３０人の厚さ）に介在させた。しかし銀は熱伝導
度が大きいため、５００Å以下でなければならない、ま
たチタンは耐熱性が大きすぎるため、１００Å以下でな
ければならなかった。即ち裏面電極（３８）、（３９）
は（１）　ＧＯ（１００〜３０００人）　Ｃｒ　（３０
０〜５０００人）。

（２）　ＧＯ（１００〜１５００人）　Ｔｉ　（＜１０
０人例えば２０人）、Ａｇ　（１００〜５００人例えば
２００人）　Ｃｒ　（３００〜５０００人例えば２００
０人）がＬＳの加工性において優れていた。

これらの裏面電極において、（１）のクロムを用いる場
合は、耐酸化性において優れており、高信頼性を有せし
めることができた。しかし裏面での反射率が低いという
欠点を有する。（２）は光の反射に優れているが、４層
製造が面倒であるという欠点を有する。

なお裏面電極としてＣＴＰを形成させることなくクロム
のみとすると、レーザ加工によってその下側の半導体層
をも加工して多結晶化してしまうため、クロムの下はＣ
Ｏが１００〜３０００人の厚さのＣＴＦが形成されてい
ることはきわめて重要である。

次に本発明の第１図（Ｃ）においては、この第２の電極
を構成するＣＯ（４５）とコネクタ（３０）とが電気的
にシせ−トシないよう、第３の開溝（２０）を第１の素
子領域（３１）にわたって設けた。即ち第１の素子の開
放電圧が発生する電極（３９）、＜３８）間の電気的分
離をレーザ光（２０〜１００μφ代表的には５０μφ）
を第２の開溝（１Ｂ）より約１００μ離間せしめて形成
させた。即ち第３の開ｉｓ　（２０）の中心は第２の開
ＩＩｓ　（３０）の中心に比べて５０〜２００μ代表的
には１００μの深さに第１の素子側にわたって設けてい
る。

このＬＳにより半導体特に上面に密着するＩｏｏ〜−、
、５００人の厚さのＮまたはＰ型の薄い半導体層をＬＳ
、°　と同時に、またはその後の化学エンチングにより
少しえぐり出しく４０）隣合った第１の素子（３１）。

第２の素子（１１）間の開溝部での残存導体または導電
性半導体によるクロストーク（リーク電流）の発生を防
止した。

さらにこの開溝（２０）下の半導体層を室温〜２００℃
の酸化雰囲気（１〜ｌＯ日間の酸化）またはプラズマ酸
化雰囲気（１００〜２５０℃　１〜５時間）中で酸化し
て酸化珪素（３４）を１００〜１０００人の厚さに形成
して、２つの電極（３９）、＜　３８　）間のクロスＩ
・−りをより防いだ。

かくして第１図（Ｃ）に示されるごとく、複数の素子（
３１）、＜　１１　）を連結部（１２）で直接接続する
光電変換装置を作ることができた。

ｆｆｉｌＦｇＪ（Ｄ）はさらに本発明を光電変換装置と
して完成させんとしたものであり、ＩＩＪちパ・／シベ
イション膜としてプラズマ気相法により窒化珪素膜（２
１）を５００〜２０００人の厚さに均一に形成させ、湿
気等の吸着による各素子間のリーク電流の発生をさらに
防いだ。

さらに外部引出し端子を周辺部（５）にて設けた。

これらにポリイミド、ポリアミド、カプトンまたはエポ
キシ等の有機樹脂（２２）を充填した。

か（して照射光（１０）により発生した光起電力は底面
コンタクトより矢印（３２）のごとく第１の素子の第１
の電極より第２の素子の第２の電極に流れ、直列接続を
させることができた。

その結果、この基板（６０ｃｍ　Ｘ　２０ｃｍ）におい
て各素子を中１４．３５ａ＋ｍ連結部の中１５０μ、外
部引出し電極部の中１０麟蒙、周辺部４＋ｍｓにより、
実質的に５８０鋼鋼Ｘ　１９２ｍｍ内に４０段を有し、
有効面積（１９２ｍｍ　ｘ１４．３５ｔａｍ　４０段１
１０２　ｃｄ即ち９１．８％）を得ることができた。

そして、セグメントが１０．８％（１，０５ｃ＋ｎ）の
変換効率を有する場合、パネルにて７．７％（理論的に
は９．８％になるが、４０段連結の抵抗により実効変換
効率が低下したＸＡＭＩ　（１００ｄ　／ＣＩＪ）　）
　（Ｚ”Ｃ１８，１−の出力電力を有せしめることがで
きた。

さらにこのパネルを１５０℃の高温放置テストを行うと
１０００時間を経て１０％以下例えばパネル数２０枚に
て最悪４％、Ｘ＝１．５％の低下しかみられなかった。

これは従来のマスク方式を用いて信頼性テストを同一条
件にて行う時、１０時間で動作不能パネル数！Ｊ＜１７
枚も発生してしまうことを考えると、驚異的な値であっ
た。

第２図は３回のＬＳＩ程での開溝を作る最も代表的なそ
れぞれの開溝の位置関係を示した縦断面図および平面図
（端部）である。

番号およびその工程は第２図と同様である。

第２図（Ａ）は第１の開溝（１３）、第１の素子（３１
）、第２の素子（１１）、連結部（１２）を有している
。

さらに第２の開溝（１８）は、第１の素子を構成すべき
半導体（３）の第１の電極（２）側にわたって設けられ
、これらいずれをも除去させている。

また、ＬＳにより糸の側面（８）および上端部（６）が
作製され、第１の電極の底面（６）に第２の電極のＣＯ
を連結させている。

この第３の開溝（２０）が、約６０μの深さに第１の素
子（３１）側にシフトしている。

このため、第３の開溝（２０）の右端部は、コネクタ部
（３０）の一部より若干（約ｌθμ）第１の素子（３１
）側にわたって設けられている。

さらに低温の長時間酸化により酸化物絶縁物（３４）を
形成し、第１および第２の素ｊｆ（３１）、（Ｈ）のそ
れぞれの１５２の電極（４）を互いに電気的に切断分離
し、且つこ４電極間のリークをも１０−’へ／ｃｍ　（
１ｃｍ中あたり１６−１へのオーダーの意）以下に小さ
くすることができた。

第２図（Ｂ）は平面図を示し、またその端部（図面で下
側）において第１、第２、第３の開溝（１３）、＜１８
＞、＜２０）が設けられている。

さらに素子の端部（図面下側）は、第１の電極（２）を
（１３’）にて切断分離した。さらにこれを半導体（３
入第２の電極（４）の材料で覆い、さらにこの第２の電
極用導体（４）を（１３’）よりも外端側にて第３の開
ｊｌｌ　（５０）により分離した。

この縦断面図は第３図（Ａ）の端部にＩｆｆ　（ＩＩし
ている。

この場合においてもこれら開ｍ　（５０）を覆ってパッ
シベイション膜を形成させている。

この図面において、第１、第２、第３の開溝中は７０〜
２０μを有し、連結部の中３５０〜８０μ代表的には２
００μを有せしめることができた。

以上のＹＡＧレーザのスポット径を技術思想において小
さくすることにより、この連結部に必要な面積をより小
さく、ひいては光電変換装置としての有効面積（実効効
率）をより向上させることができるという進歩性を有し
ている。

第３図は光電変換装置の外部引出し電極部を示したもの
である。

第３図（Ａ）は第１図に対応しているが、外部引出し電
極部（５）は外部引出し電極（４７）に接触するパッド
（４９）を有し、このパッド（４９）は第２の電極（上
側電極）（４）と連結している。この時電極（４７）の
加圧が強すぎてパッド（４９）がその下の半導体（３）
を突き抜は第１の電極（２）と接触しても（４９）　と
（２）とがショートしないように開溝（１３’）が設け
られている。

また外側部は第１の電極、半導体、第２の電極を同時に
一方のＬＳにてスクライブをした開溝（５０）で切断分
離されている。

さらに第３図（Ｂ、）は下側の第１の電極（２）に連結
した他のパッド（４８）が第２の電極材料により（１８
’）にて連結して設けられている。

さらにパッド（４８）は外部引出し電極（４６）と接触
しており、外部に電気的に連結している。

ここでも開溝（１８’）、（２０つ、（５０）によりパ
ッド（４８）は全く隣の光電変換装置と電気的に分離さ
れており、（１８’）にて第１の電極（２）と側面コン
タクトを（８）にて構成させている。

つまり光電変換装置は有機樹脂モールド（２２）で電極
部（５）、（４５）を除いて覆われており、耐温性の向
上を図った。

またこのパネル例えば４０ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍまたは６
０ｃｍ　Ｘ２０ｃｍ、　４０ｃｎ＋　ｘ　１２０ｃ＋ｍ
を２ケ、４ケまたは１ケを）′ルミサツシまたは炭素繊
維枠内に組み合わせるごとによりパッケージさせ、１２
０ｃ顛Ｘ　４０ｃｍのＮＥＤＯ規格の大電力用のパネル
を設けること□が可能である。

またこのＮｌ！ＤＯ規格のパネルはシーフレックスによ
り弗素系保護膜を本発明の光電変換装置の反射面側（図
面では上側）にはりあわせて合わせ、風圧、雨等に対し
機械強度の増加を図ることも有効である。

本発明において、基板は透光性絶縁基鈑のうら特にガラ
スを用いている。

しかしこの基板として透光性可曲性有機樹脂を用いるこ
とは有効である。

特にこの複合基板を前記した実施例に適用すると、酸化
珪素または窒化珪素がこの上面のＣＴＦを損傷して基板
とＣＴＦとの混合物を作ってしまうことを防ぐ、いわゆ
るブロッキング効果を有して特に有効であった。

さらに本発明を以下に実施例を記してその詳細を補完す
る。

実施例１第１図の図面に従ってこの実施例を示す。

即ち透光性基板（１）として化学強化ガラス厚さ１．１
ｍｍ　、長さ６０ｃｍ、中２０ｃＩ１１を用いた。

この上面に窒化珪素膜を０．１　μの厚さに塗イリしブ
ロンキング層とした。

さらにその上にＣＴＦをＩＴＯ１６００人＋Ｓｎ０．３
００人を電子ビーム蒸着法により作製した。

さらにこの後、第１の開溝をスポット径５０μ、出力ｔ
ｗのＹＡＧレーザをマイクロコンピユータにより制御し
て３ＩＩｌＺ分の走査速度にて作製した。

さらにパネルの端部をレーザ先出ノ月Ｗにて第１の電極
用半導体をガラス端より５ｍｍ内側で長方形に走査し、
パネルの枠との電気的短絡を防止した。

素子領域（３１＞、＜　１１　）は１５ＩＩＩＩＩｌ巾
とした。

この後公知のＰＣＶＤ法により第１図に示したＰＩＮ接
合を１つ有する非単結晶半導体を作製した。

その厚さは約０．５μであった。

かかる後、第１の開溝より１００μ第１の素子（３１）
をシフトさせて、スポット径５０μφにて出力１−にて
大気中でＬＳにより第２の開溝（１８）を第２図（Ｂ）
に示すごとく作製した。

さらにこの全体にＣＯとしてＩＴＯを電子ビーム蒸着法
により平均膜厚１０５０人に、さらにその上面にクロム
を１６００人の厚さに作製し、第２の電極（４５）。

コネクタ（３０）を構成せしめた。

さらに第３の開溝（２０）を同様に第３のＬＳをＹＡＧ
レーザを用い、ＩＷの出力５０μφにより第２の開溝（
１８）より１００μのわたり深さに第１ｏ）素子（３１
）側にシフトして形成させ、第２図（Ｃ）を得た。

この後、パンシベイションＩＩＩ（２１）をＩＩ　ＣＶ
　Ｄ　法により窒化珪素膜を１０００人の厚さに２００
℃の温度にて作製した。

すると２０ｃｍ　Ｘ　６Ｑｃｍのパネルに１５ｍｍｄｌ
の素子を４０段作ることができた。

パネルの実効効率としてＡＭＩ　（１００ｍＷ／ｃＪ）
にて７．７％、出力８．１賛を得ることができた。

有効面積は１１０２−であり、パネル全体の９１．８％
を有効に利用することができた。

この実施例においては、第１図（Ｄ）に示すごとく、上
側の保護用有機樹脂（２２）を重合わせることにより、
有機樹脂シートの間に充電変換装置をはさむ構造とする
ことができ、可曲性を有し、きわめて安価で多量生産が
可能になった。

第１図〜第２図において、光入射は下側の透光性絶縁基
板よりとした。

しかし本発明はその光入射側を下側に限定することなく
、上側の電極をＩＴＯとし゛Ｃ上側より光照射を行うこ
とも可能ｔあり、また基板もガラス基°を大きくするＣ
ｕ等の不純物を添加することはＦ地の半導体までのスク
ライブをさせないため、避ける必要があった。他方、熱
導電率を下げるＴｉ等の金属は２０％まで添加しても下
地半導体に損傷を与えることなくＬＳが可能であったこ
とを付記する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光電変換装置の製造工程を示す縦断面
図である。第２図は本発明の光電変換装置の縦断面図である。第３図は本発明の他の光電変換装置の部分拡大をした縦
断面図である。特許出願人１１〃　力ｌ−一〜−）ｒ−＾−）（Ａ）　”　）

Claims

【特許請求の範囲】１、絶縁表面を有する基板上に透光性導電膜の第１の電
極と、該電極上のＰＮまたはＰＩＮ接合を少なくとも１
つ有する非単結晶半導体と、該半導体上に第２の電極と
を有する光電変換素子を複数個互いに電気的に直列接続
せしめて前記絶縁基板上に配設した光電変換装置におい
て、第１の素子の前記第２の電極と第２０）素子の前記
第２の電極は酸化インジュームまたは酸化スズを主成分
とする導電膜とクロノ、を主成分とする金属膜とよりな
り、前記電極間の開溝により前記それぞれの第２の電極
は互いに電気的に分離して設けられたことを特徴とする
光電変換装置。２、特許請求の範囲第１項において、ＰまたはＮ型の導
電型の非単結晶半導体に密接した第１および第２の素子
のそれぞれの第２の電極を分離する開溝下のＮまたはＰ
型の半導体層は除去または酸化物絶縁物に変成されて設
けられたことを特徴とする光電変換装置。３、特許請求の範囲第１項において、酸化インジューム
を主成分とする導電膜は１００〜３０００人の平均厚さ
を有し、さらにその上面のクロムを主成分とする金属は
５００〜５０００人の平均厚さを有することを特徴とす
る光電変換装置。４、特許請求の範囲第１項において、クロムを主成分と
する金属は酸化インジュームに密接して１００Ａ以下の
平均厚さを有するチタンまたはその酸化物とその上面の
５０〜５００人の厚さの銀またはアルミニュームとを有
したことを特徴とする光電変換装置。