JPS6085573A - 光電変換装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、ＰＮまたはＰＩＮ接合を少なくとも１つ有
するアモルファス半導体を含む非単結晶半導体を透光性
絶縁基板上に設けた光電変換素子（単に素子ともいう）
を複数個電気的に直列接続し、高い電圧を発生させる光
電変換装置における第２の電極の構造に関する。

本発明の装置における素子の配置、大きさ、形状は設計
仕様によって決められる。しかし、本発明の内容を簡単
にするため、以下の詳細な説明においては、第１の素子
の下側（基板側）の第１の電極と、その右隣りに配置し
た第２の素子の第２の電極（半導体上即ち基板から離れ
た側）とを電気的に直列接続させた場合を基として記す
。

かかる構成において、第１の素子および第２の素子の第
２の電極を互いに分離するための第３の開溝は、Ｐまた
はＮ型の非単、結晶半導体層に密接して酸化インジュ−
ムまたは酸化ススを主成分とする導電膜（以下ＣＯとい
う）を設げ、該導電ｊｊ臭上にクロムまたは二・７ケル
を主成分とする金属膜（以下単にクロムまたは二・ノケ
ルという）を積層して構成せしめたことを特徴とする。

本発明は、半導体上に設けられた第２の電極用導体をレ
ーザ光を用いてスクライブせしめ、互いの電極に分離形
成せしめるものである。その際、１８００℃もの高温の
レーザ光の照射に対し、その下側の半導体特に水素化ア
モルファス半導体が多結晶化され、導電性になってしま
うことを防くため、ＣＯ上にクロムまたはニッケルを積
層してががるＬＳにより第３の開溝下の半導体と化合物
を作ったり、またこの半導体のレーザアニールによる多
結晶化を防いだものである。

本発明は光電変換装置としての裏面電極を、このＮ型半
導体層の電極との密接部を５ｉｘＣ１−×（０＜Ｘ〈１
）とし、これとＣＯとの間で酸化珪素絶縁物が発生して
しまうことを防くに加えて、このｃｏとその上面の金属
との界面で酸化アルミニュームの絶縁物が生成されてし
まうことを防くため、ｃｏに密接してクロムまたはニッ
ケルを積層させた２層構造、さらにまたは１００Å以下
の厚さのチタンとその上面に１００〜５００人の厚さの
銀と、さらにその上面に５００〜５０００人の厚さのク
ロムまたは二。

ケルとを積層させ４Ｎ構造としたものである。

即ち、従来はこのＣＯ上には単に光の反射性金属である
銀またはアルミニュームが用いられていた。

しかし銀はＧＯと密着性が悪く、容易にはがれてしまう
。アルミニュームはＣＯと界面で酸化反応して酸化アル
ミニューム絶縁物になってしまう。これらのことより、
ＣＯ上の各層の改良がめられていた。

本発明はかかる目的のため、ＬＳにより開溝を作る金属
としてＣＯ上にクロムまたはニッケルを主成分として用
いたものである。即ち、例えばＣＯ上にクロムを５００
〜５０００人の厚さに形成させた。するとＣＯとクロム
とはクロムが耐熱性（融点１８００℃、沸点２６６０℃
）を有し、かつ他材料との反応をおこしにくい材料であ
るため、界面酸化をしないことが実験的に判明した。さ
らにＣＯとのオーム接触の抵抗も低（、きわめて望まし
いものであった。

即ち、本発明において、ＣＯはレーザ光にて熱的には容
易に除去されるが、透光性であり熱吸収が低い。またク
ロムは照射されるレーザ光と殆ど同じ温度の融点を有し
、かつ照射光を十分に吸収する。このためこれらの双方
を相対的に組合せることにより、ＬＳのレーザ光の照射
された開溝部下の非単結晶半導体を熱により多結晶化さ
せることなく、この間溝部のＣＯとその上の金属を選択
的に除去することができた。

以下に図面に従って本発明の詳細を示す。

第１図−は本発明の製造工程をンＪ＜ず縦断面図である
。

図面において絶縁表面を有する透光性基板（１）例えば
ガラス板（例えば厚さ０．６〜２．２ｍｍ例えば１．２
ｍｍ　、長さ〔図面では左右方向）　６０ｃｍ、中２０
ｃｍ）を用いた。さらにこの上面に全面にわたって透光
１１導電膜例えばＩＴＯ（酸化インジューム酸化スズ混
合物、即ち酸化スズを酸化インジューム中に１０重量％
添加した肋）〈約１５００人）　＋５ｎＯＬ（２００〜
４００人）または弗素等のハロゲン元素が添加された酸
化スズを主成分とする透光性導電膜（１５００〜２００
０人）を真空蒸着法、ＬＰＣＶ　Ｄ法、プラズマＣＶＤ
法またはスプレー法により形成さ一已た。

この後、ＹＡＧレーザ加工機（日本レーザ盟　波長１．
０６μまたは０．５８μ）により出力１〜３Ｗ（焦点距
離４０ｍｍ）を加え、スポット径２０〜７０μφ代表的
には５０μφをマイクロコンピュータにより制御した。

さらにこの照射レーザ光を走査させて、スクライプライ
ンである第１の開溝（１３）を形成させ、各素子間領域
（３１）、＜１１）に第１の電極（２）を作製した。

この第１のＬＳにより形成された第１の開ｉ　（１３）
は、巾約５０μ長さ２０ｃｍ深さは第１のＣＴＦの電極
それぞれを完全に切断して電気的に分離した。

この後、この電極（２）、開！　（１３）の上面にプラ
ズマＣＶＤ法またはＬＰＣＶ　Ｄ法により光照射により
光起電力を発生させる非単結晶半導体層（３）を０．２
〜０．８μ代表的には０．５μの厚さに形成させた。

ソノ代表例はＰ型半導体（ＳｉｘＣｌ−ｘ　ｘ＝０．８
約１００人）−１型アモルファスまたはセミアモルファ
スのシリコン半導体（約０．５μ）−Ｎ型の微結晶（約
５００人）ををする半導体珪素さらにこの上にＳｉｘＣ
１−ｘ　ｘ＝０．９約５０人を積層させて一つのＰＩＮ
接合を有する非単結晶半導体、またはＰ型半導体（Ｓｉ
ｘＣ＋−ｘ）　−１型、Ｎ型、Ｐ型Ｓｔ半導体−Ｉ型５
ｉｘＧｅ　ｉ−ｘ半導体−Ｎ型Ｓｉ半導体よりなる２つ
のＰＩＮ接合と１つのＰＮ接合を有するクンデム型のＰ
１’ＮＰＩＮ、、、、、ＰＩＮ接合の半導体（３）であ
る。

かかる非単結晶半導体（３）を全面にわたって均一の膜
厚で形成させた。

さらに第１図（Ｂ）に示されるごとく、第１の開ｍ　（
１３）の左方向側（第１の素子側）にわたって第２の開
溝（１８）を第２のＬＳＩ稈により形成させた。

この図面では第１および第２の開溝（１３＞、＜　１８
　）の中心間を１００μずらしている。

かくして第２の開溝（１８）は第１の電極の側面（８）
、＜　９　）を露出させた。

さらにこの基板を希弗酸（４８％肝を１０倍の水で希釈
した１　／１０）ＩＦをここでは用いた）にて１０秒〜
１分代表的には３０秒エツチングした。これはＣＦ、の
マイクロ波を用い半導体表面にスパックがないプラズマ
気相エッチにより作製してもよい。すると半導体（３）
、ＣＴＦ　（２）がＬＳにより大気中の酸素と反応して
生成した低級多孔性酸化珪素を除去することかできた。

さらに加えて基板のガラスをも一部において除去し、深
さ方向に０．１〜５μ、横方向に０．１〜１０μ例えば
深さ０．３μ、横方向３μのサイドエッチをさせた。か
くして凹部（７）およびＣＴＦ　（３７）の底面（６）
を露呈せしめた。

第１図において、さらにこの上面に第２図（Ｃ）に示さ
れるごとく、裏面の第２の電極（４）および連結部（コ
ネクタ＞＜３０）を形成し、さらに第３のＬＳでの切断
分離用の第３の開溝（２０）を得た。

この第２の電極（４）は本発明の特長である導電性酸化
膜（ＣＯ＞＜４５）、＜４５’）をＰまたはＮ型の半導
体上に密接させて形成させた。その厚さは１００〜３０
００人の厚さに形成させた。

このＣＯとして、ここではＩＴＯ（Ｍ化インジューム酸
化スズを主成分とする混合物Ｘ４５）を形成した。この
ＣＯとして酸化インジュームまたは酸化スズを主成分と
して形成させることも可能である。

このＩＴＯは被膜形成の際きわめてまわりごみが起きや
すい。このためグループ（７）にも十分入り、ＣＴＦ　
（３７）の底面（６）と電気的によく連結させることが
可能となった。

これらは電子ビーム蒸着法またはＰＣＶＤ法を用いて半
導体層を劣化させないため、３ｏｏ℃以下の温度で形成
させた。

このＣＯであるＩＴＯは本発明においてはきわめて重要
である。その効果は、 〔１〕第２の電極の金Ｂ　（４６）、（４６’）が珪素
（３）と合金層にならず、半導体（３）中に異品拡散さ
れてしまい上下の電極間をショートさせてしまうことを
防いでいる。即ち１５０〜２００　’Ｃでの高温放置テ
ストにおける裏面電極−半導体界面での信頼性向上に役
立っている。

〔２〕本発明の第３の開溝（２ｏ）の形成の際、レーザ
光の１８００℃以上の高温、特にスクライブ領域（２０
）にてＬＳ用金属（４６）が半導体（３）内に侵入して
電極（３９）、＜３８）間テ＋７）ＩＪ−７電流が１０
−’Ａ／ｃｍ以上発生してしまうことを防ぐことができ
る。

このため第３の開溝形成による製造上の歩留りの低下を
防ぐことができる。

〔３〕半導体上のＰまたはＮ型半導体と相性のよいＣＯ
を形成することにより、即ちＮ型半導体に密接ｊ、７１
ＴＯまたば酸化インジュームを主成分とするＣＯを設け
て、この半導体、電極間の接触抵抗を下げ、、曲線因子
、変換効率の向上をはかることができる。

〔４〕強いまわりこみにより連結部（１２）における第
１の素子の第１の電極（３７）の底面とコンタクトを構
成し、互いに酸化物であるため、このコンタクト部にて
長期使用における界面での絶縁性が増加することがない
。即らちしアルミニューム等の金属とＣＴＦ　（３７）
とのコンタクトでは、金属がＣＴＦの酸素と長期間のう
ちに反応して絶縁性をこの界面で生じさせてしまうが、
このＣＯによる酸化物−酸化物コンタク１−はかかる絶
縁性がコンタクト界面に生ずることがなく、信頼性の向
上が大きい。

〔５〕入射光（１０）における半導体（３）内で吸収さ
れなかった長波長光の金属（４６）での反射を促し、特
にＩＴＯの厚さを５００〜１４００人好ましくは平均厚
さ１０５０人として６００〜ＢＯＯｎｍの長波長光の反
射を大きくさせ、変換効率の向上に有効である。

〔６〕コネクタをもこのＣＯが構成し、半導体特にＰＩ
Ｎ半導体のうちの敏感な活性■屓に隣接しているため、
金属がマイブレイトしてしまうことを防いでいる。

ＣＯ上の金属（４６）、＜４６’＞として検討したもの
は以下の通りである。

融点　沸点　熱伝導率 （”Ｃ）　（’Ｃ）　ｃａｌ　／　（ｃｍ、ｓｅｃ−ｄ
ｅｇ）Ｃｒ　１８００　２６６０　０−２ Ｎｉ　１４５５　３０７５　０．１９８Ｔｉ　１７２５
　３２６２　０．Ｏ５ Ａｇ　９６０．５　１９２７　０．９９８ＡＩ　６５８
．８　２２８０　０．４８７このことより明らかなよう
に、ＬＳ照射光の温度（１８００〜２２００℃）とほぼ
同じ融点を有し、かつ熱伝導度が大きすぎても小さすぎ
てもよくない。即ち、銀、アルミニュームは６００Å以
上となると横方向（膜方向）への伝導が大きすぎ、その
下の半導体と反応をしやすく、さらに熱のため半導体を
多結晶化してしまう。また第３の開溝は半導体層を容易
に貫いて第１の導電膜にまで到達してしまう。

他方、チタンは熱伝導率が小さく、融点がｉｔ＋＞ため
、２００Å以上の使用が不可能である。

このためＣＯ上の金属はクロムまたは二・ンケルカく優
れていることが判明した。実験的にも半導体層がＬＳに
て除去されず、理想的な金属であった。

このクロムまたはニッケルの低い光学的反射率を向上さ
せ、ひいては素子の変換効率を向上さ−Ｕ゛るため、Ｃ
Ｏとの間に反射を大きくする銀を５００Å以下の厚さに
、またチタンを銀とＧＯとの密着性向上用に介在させた
。しかし銀は熱伝導度が大きし）ため、５００Å以下で
なければならない。またチタンは耐熱性が大きすぎるた
め、１００Å以下でなければならなかった。即ち裏面電
極（３８）、＜３’ｌｌ）　４よ（１）　ＧＯ（１００
〜３０００人）　Ｃｒ　（３００〜５０００人）。

（２＞　にＯ（１００〜３０００人）　Ｎｉ　（３００
〜５０００人）、（３）　Ｃｏ　（１００〜１５００人
）　Ｔｉ　（＜１００　人例えば２〔人）　Ａｇ　（１
００〜５００人例えば２００　人）　ＣｒまたＮｉ　（
３００〜　５０００人イ列えば２０００人）がＬＳの加
工性において優れていた。

これらの裏面電極において、（１）のクロムを用いる場
合は、しＳにより同時にそのＦのＣＯも完全に除去させ
てしまうため、製造歩留りが大きい。

しかし外部接触用のハンダ付等ができない。他方（２）
のニッケルはＬＳによりその下のＣＯが一部残りやすい
ため、ＬＳＯ後塩酸塩酸面の残存するＣＯを除去させる
必要があった。（３）は先の反射に優れているが、４Ｎ
Ｍ造が面倒であるという欠点を有する。

次に本発明の第１図（Ｃ）においては、この第２の電極
を構成するＣＯ（４５）とコネクタ（３０）とが電気的
にショートしないよう、第３の開溝（２０）を第１の素
子領域（３１）にわたって設けた。即ち第１の素子の開
放電圧が発生する電極（３９）、（３８）間の電気的分
離をレーザ光（２０〜１００μφ代表的には５０μφ）
を第２の開溝（１８）より約１００μ離間せしめて形成
させた。即ち第３の開？＆（２０）の中心は第２の開講
（３０）の中心に比べて５０〜２００μ代表的には１０
０μの深さに第１の素子側にわたって設けている。

このＬＳにより半導体特に上面に密着する１００〜５０
０人の厚さのＮまたはＰ型の薄い半導体層をＬＳと同時
に、またはその後の化学エツチングにより少しえぐり出
しく４０）隣合った第１の素子（３１）、第２の素子（
１１）間の開溝部での残存導体または導電性半導体によ
るクロストーク（リーク電流）の発生を防止した。

さらにこの開溝（２０）下の半導体層を室温〜２００℃
の酸化雰囲気（ｌ〜１０日間の酸化）またはプラズマ酸
化雰囲気（１００〜２５０℃　１〜５時間）中で酸化し
て酸化珪素（３４）を１００〜１０００人の厚さに形成
して、２つの電極（３９）、＜３８）間のクロストーク
をより防いだ。

かくして第１図（Ｃ）に示されるごとく、複数の素子（
３１）、＜１１）を連結部（１２）で直接接続する光電
変換装置を作ることができた。

第１図（Ｄ）はさらに本発明を光電変換装置として完成
させんとしたものであり、即ちバンシヘイション膜とし
てプラズマ気相法により窒化珪素膜（２１）を５００〜
２０００人の厚さに均一に形成させ、湿気等の吸着によ
る各素子間のリーク電流の発生をさらに防いだ。

さらに外部引出し端子を周辺部（５）にて設けた。

これらにポリイミド、ポリアミド、カプトンまたはエポ
キシ等の有機樹脂（２２）を充填した。

かくして照射光（１０）により発生した光起電力は底面
コンタクトより矢印（３２）のごとく第１の素子の第１
の電極より第２の素子の第２の電極に流れ、直列接続を
させることができた。

その結果、この基板（６０ｃｍ　Ｘ　２０ｃｍ）におい
て各素子を中１４．３５ｍｍ連結部のＩＩ］１５０μ、
外部引出し電極部の中１０１１１１１１、周辺部４ｍｍ
により、実質的に５８０ｍｍ　Ｘ　１９２ｍｍ内に４０
段を有し、有効面積（１９２ｍｍ　ｘ１４．３５ｍｍ　
４０段１１０２　ｃｏ？即ち９１．８％）を得ることが
できた。

そして、セグメントが１０．８％（１，０５ｃｍ）の変
換効率を有する場合、パネルにて７．７％（理論的には
９．８％になるが、４０段連結の抵抗により実効変換効
率が低下したＸＡＭＩ　（１００ｍＷ　／ｃｎｌ）　）
にて、８、１Ｈの出力電力を有せしめることができた。

さらにこのパネルを１５０℃の高温放置テストを行うと
１０００時間を経て１０％以下例えばパネル数２０枚に
て最悪４％、Ｘ＝１．５％の低下しかみられなかった。

これは従来のマスク方式を用いて信頼性テスートを同一
条件にて行う時、１０時間で動作不能パネル数が１７枚
も発生してしまうことを考えると、驚異的な値であった
。

第２図は３回のＬＳＩ程での開溝を作る最も代表的なそ
れぞれの開溝の位置関係を示した縦断面図および平面図
（端部）である。

番号およびその工程は第２図と同様である。

第２図（Ａ）は第１の開溝（１３）、第１の素子（３１
）、第２の素子（１１入連結部（１２）を有している。

さらに第２の開溝（１８）は、第１の素子を構成すべき
半導体（３）の第１の電極（２）側にわたって設けられ
、これらいずれをも除去させている。

またサイドエッチによるグループ（７）が作製され、第
１の電極の底面（６）に第２の電極のＣＯを連結させて
いる。

この第３の開溝（２０）が、約６０μの深さに第１の素
子（３１）側にシフトしている。

このため、第３の開溝（２０）の右端部は、コネクタ部
（３０）の一部より若干（約１０μ）第１の素子（３１
）側にわたって設けられている。

さらに低温の長時間酸化により酸化物絶縁物（３４）を
形成し、第１および第２の素子（３Ｄ、＜１１）のそれ
ぞれの第２の電極（４）を互いに電気的に切断分離し、
且つこの電極間のリークをも１０−’Ａ／ｃｍ　（１ｃ
ｍ中あたり１０−’Ａのオーダーの意）以下に小さくす
ることができた。

第２図（Ｂ）は平面図を示し、またその端部（図面で下
側）において第１、第２、第３の開溝（１３＞、＜　１
８　＞、（２０）が設けられている。

さらに素子の端部（図面下側）は、第１の電極（２）を
（１３’）にて切断分離した。さらにこれを半導体（３
）、第２の電極（４）の材料で覆い、さらにこの第２の
電極用導体（４）を（１３’）よりも外端側にて第３の
開溝（５０）により分離した。

この縦断面図は第３図（Ａ）の端部に類似している。

この場合においてもこれら開溝（５０）を覆ってパンシ
ベイション膜を形成させている。

この図面において、第１、第２、第３の開溝中は７０〜
２０μを有し、連結部の中３５０〜８０μ代表的には２
００μを有せしめることができた。

以上のＹＡＧレーザのスポット径を技術思想において小
さくすることにより、この連結部に必要な面積をより小
さく、ひいては光電変換装置としての有効面積（実効効
率）をより向上させることができるという進歩性を有し
ている。

第３図は光電変換装置の外部引出し電極部を示したもの
である。

第３図（Ａ）は第１図に対応しているが、外部引出し電
極部（５）は外部引出し電極（４７）に接触するパッド
（４９）を有し、このパッド（４９）は第２の電極（上
側電極）（４）と連結している。この時電極（４７）の
加圧が強すぎてパッド（４９）がその下の半導体（３）
を突き抜は第１の電極（２）と接触しても（４９）と（
２）とがショートしないように開溝（１３’）が設けら
れている。

また外側部は第１の電極、半導体、第２の電極を同時に
一方のＬＳにてスフライフをした開溝（５０）で切断分
離されている。

さらに第３図（Ｂ）は下側の第１の電極（２）に連結し
た他のバンド（４８）が第２の電極材料により（１８′
）にて連結して設けられている。

さらにパッド（４８）は外部引出し電極（４６）と接触
しており、外部に電気的に連結している。

ここでも開溝（１８’）、（２０つ、（５０）によりパ
ッド（４８）は全く隣の光電変換装置と電気的に分離さ
れており、（１Ｂ’）にて第１の電極（２）と底面コン
タク１−を（６）にて構成させている。

つまり光電変換装置は有機樹脂モールド（２２）で電極
部（５）、＜４５）を除いて覆われており、耐湿性の向
上を図った。

またこのパネル例えば４０ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍまたは６
０ｃｍ　ｘ２０ｃｍ、　４０ｃｍ　Ｘ　１２０ｃｍを２
ケ、４ケまたは１ケをアルミサツシまたは炭素繊維枠内
に組み合わせることによりパッケージさせ、１２０ｃｍ
　Ｘ　４０ｃｍのＮＥＤＯ規格の大電力用のパネルを設
けることが可能である。

またこのＮ［！ＤＯ規格のパネルはシーフレックスによ
り弗素系保護膜を本発明の光電変換装置の反射である。

本発明において、基板は透光性絶縁基板のうち特にガラ
スを用いている。

しかしこの基板として可曲性有機樹脂またはアルミニュ
ーム、ステンレス等上に酸化アルミニューム、酸化珪素
または窒化珪素を０．１〜２μの厚さに形成した複合基
板を用いることは有効である。

特にこの複合基板を前記した実施例に適用すると、酸化
珪素または窒化珪素がこの上面のＣＴＦを損傷して基板
とＣＴＦとの混合物を作ってしまうことを防ぐ、いわゆ
るブロッキング効果を有して特に有効であった。

さらに本発明を以下に実施例を記してその詳細を補完す
る。

実施例１ 第１図の図面に従ってこの実施例を示す。

即ち透光性基板（１）として化学強化ガラス厚さ１．Ｉ
ｍｍ　、長さ６０ｃｍ、中２０ｃｍを用いた。

この上面に窒化珪素膜を０．１　μの厚さに塗付しブロ
ッキング層とした。

さらにその上にＣＴＦをＩＴ　０１６００人士５ｎＯＬ
３００人を電子ビーム蒸着法により作製した。

さらにこの後、第１の開溝をスポット径５０μ、出力１
−のＹＡＧレーザをマイクロコンピュータにより制御し
て３ｍ／分の走査速度にて作製した。

さらにパネルの端部をレーザ光出力ＩＷにて第１の電極
用半導体をガラス端より５ｍｒＬｌ内側で長方形に走査
し、パネルの枠との電気的短絡を防止した。

素子領域（３１）、＜　１１　）は１５ｍｍ中とした。

この後公知のＰＣＶＩ）法により第２図に示したＰＩＮ
接合を１つ有する非単結晶半導体を作製した。

その厚さは約０．５μであった。

かかる後、第１の開溝より１００μ第１の素子（３１）
をシフトさせて、スポット径５０μφにて出力１−にて
大気中でＬＳにより第２の開溝（１８）を第２図（Ｂ）
に示すごとく作製した。

さらにこの全体にＣＯとしてＩＴＯを電子ビーム蒸着法
により平均膜厚１０５０人に、さらにその上面にクロム
を１６００人の厚さに、さらにこの上面にニッケルを５
００人の厚さに電子ビーム蒸着法により作製して、第２
の電極（４５入コネクタ（３０）を構成せしめた。

さらに第３の開溝（２０）を同様に第３のＬＳをＹ／Ｉ
Ｇレーザを用い、ＩＷの出力５０μφにより第２の開溝
（１８）より１００μのわたり深さに第１の素子（３１
）側にシフトして形成させ、第２図（Ｃ）を得た。

この後、パンシヘイション股（２１）をＰＣＶＤ法によ
り窒化珪素膜を１０００人の厚さに２００℃の温度にて
作製した。

すると２０ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍのパネルに１５ｍｍ巾の
素子を４０段作ることができた。

パネルの実効効率としてＡＭｌ（１００ｍＷ　／　ｃｎ
ｑにて７．７％、出力８．抹を得ることができた。

を効面積は１１０２ｃＪ１！であり、パネル全体の９１
．８％を有効に利用することができた。

この実施例においては、第１図（Ｄ）に示すごとく、上
側の保護用有機樹脂（２２）を重合わせることにより、
有機樹脂シートの間に光電変換装置をはさむ構造とする
ことができ、可曲性を有し、きわめて安価で多量生産が
可能になった。

第１図〜第２図において、光入射は一ト例の透光性絶縁
基板よりとした。

しかし本発明はその光入射側を下側に限定することなく
、上側の電極をＩＴＯとして上側より光照射を行うこと
も可能であり、また基板もガラス基板ではなく可曲性基
板を用いることは可能である。

また本発明において、クロム上にニノゲル膜、その他の
金属の多１ｍ膜としてもよく、全屈全体としてその主成
分がクロムまたはニッケルであることが本発明の他の特
長である。さらにクロムまたはニッケル中に２０％以下
の範囲にて他の金属例えばＣｕ、Ｔｉ等を添加した、い
わゆるクロムまたはニッケルを主成分とする金属を用い
ることも有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光電変換装置の製造工程を示す縦断面
図である。 第２図は本発明の光電変換装置の縦断面図である。 第３図は本発明の他の光電変換装置の部分拡大をした縦
断面図である。 特許出願人 ２＋　１２　Ｊ ｒ９（） 抱ゼ ８ （Ａ）　（１３） 訛３因

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁表面を有する基板上に透光性導電膜の第１の電
   極と、該電極上のＰＮまたはＰＩＮ接合を少なくとも１
   つ有する非単結晶半導体と、該半導体上に第２の電極と
   を有する光電変換素子を複数個圧いに電気的に直列接続
   せしめて前記絶縁基板上に配設した光電変換装置におい
   て、第１の素子の前記第２の電極と第２の素子の前記第
   ２の電極は酸化インジュームまたは酸化スズを主成分と
   する導電膜とクロムまたはニッケルを主成分とする金属
   膜とによりなり、前記電極間の開溝により前記それぞれ
   の第２の電極は互いに電気的に分離して設けられたこと
   を特徴とする光電変換装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、ＰまたはＮ型の導
   電型の非単結晶半導体に密接した第１および第２の素子
   のそれぞれの第２の電極を分離する開溝下のＮまたはＰ
   型の半導体層は除去または酸化物絶縁物に変成されて設
   けられたことを特徴とする光電変換装置。 ３、特許請求の範囲第１項において、酸化インジューム
   を主成分とする導電膜は１００〜３０００人の平均厚さ
   を有し、さらにその上面のクロムまたはニッケルを主成
   分とする金属は５００〜５０００人の平均厚さを有する
   ことを特徴とする光電変換装置。 ４、特許請求の範囲第１項において、クロムまたはニッ
   ケルを主成分とする金属は酸化インジュームに密接して
   １００Å以下の平均厚さを有するチタンまたはその酸化
   物とその上面の５０〜５００人の厚さの銀またはアｌレ
   ミニュームとを有したことを特徴とする光電変換装置。