JPS60124880A - 光電変換半導体装置作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は非単結晶半導体を用いたレーザ加工法による
光電変換装置に関する。

この発明は基板上の非単結晶半導体上に導電性酸化物と
その膜上にＡＩ＋Ａｇ＋Ｃｕ＋Ｍｇ４ｉまたはＣｒを主
成分とする単層または多層の金属導電膜とよりなる第２
の導電膜と、さらにその膜−にに絶縁膜との積層膜を形
成せしめ、この積層膜にレーザ光を照（２） 射して、半導体を損傷させることなくまたは１０００Å
以下の深さにしか１０傷または酸化、絶縁化さ−けるこ
となく、選択的に積１一般を除去して１５０μ以下のｌ
］好ましくは２０〜７０メ！の中の開溝を形成する（以
下レーザ・スクライブ即ちＬＳという）ことを目的とす
る。

この発明は、ＰＮまたはＰＩＮ接合を少なくとも１つ有
するアモルファス半導体を含む非単結晶半導体を透光性
絶縁基板−にに設ＬＪた光電変換素子（単に素子ともい
う）を複数個電気的に直列接続し、高い電圧を発生させ
る光電変換装置におりる第２の電極の構造に関する。

本発明の装置における素子の配置、大きさ、形状は設計
仕様によって決められる。しかし、本発明の内容を簡単
にするため、以下の詳細な説明においては、第１の素子
の下側（基板側）の第１の電極と、その右隣りに配置し
た第２の素子の第２の電極（半導体上即ち基板から離れ
た側）とを電気的に直列接続さセた場合を基として記す
。

かかる構成において、第１の素子および第２の（３） 素子の第２の電極を第２の導電膜を分離して形成するた
めの第３の開講は、ＮまたはＰ型の非単結晶半導体層に
密接して酸化インジュ−ムまたは酸化スズを主成分とす
る導電膜（以下ＣＯという）を設け、該導電膜上に導電
性金属とさらに絶縁膜とを積層させた積層膜に形成せし
めたことを特徴とする。

本発明は、半導体上に設けられた第２の電極用導電膜を
レーザ光を用いてスクライブせしめ、互いの電極に分離
形成せしめるものである。その際、１８００°Ｃもの高
温のレーザ光の照射に対し、その下側の半導体特に水素
化アモルファス半導体が多結晶化され、導電性になって
しまうことを防くため、ＣＯ上に単層または多゛層の導
電性金属とこの金属上に絶縁膜を積層して、かかる１、
Ｓにより第３の開溝下の半導体と化合物を作ったり、ま
たこの半導体のレーザアニールによる多結晶化を防いだ
ものである。

加えてこの導電性金属として、ＡＩ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇ
、Ｔｉ。

Ｃｒを用い、この裏面電極（第２の電極）のシート（４
） 抵抗を０．５Ω／口以下としたことを特徴としている。

本発明では光電変換装置としての裏面電極で、この裏面
において入射光を反射させることが変換効率の向上に有
効であった。

このためＣＯに密接して反射率の高い１０００〜２００
０人の厚さのアルミニュームとした２層構造または０〜
５０人の厚さのチタンとその上面に１００〜５００人の
厚さの銀と、さらにその上面に５００〜５０００人の厚
さのアルミニュームとを積層させ４層構造としたもので
ある。

かかる２Ｎまたは４Ｎ構造は基板側から入射した光の裏
面での長波長光の反射を大きくし、変換効率の向上に役
立たせることができる。さらに電気伝導度をシート抵抗
を０．５Ω／口以下として向上させるとともに、金属自
体が柔らかいため半導体に歪スＩ・レスを与えることが
ないという特長を有する。しかしもっとも重要なマスク
レスのレーザ加工の実施に関しては、このＣＯおよび導
電性金属のみの積層膜ではこの導電膜のみまたはこの導
（５） 電膜とその下の半導体のみを選択的に除去して開講を形
成することがきわめて微妙であり、工業的には不十分で
あった。本発明はこれらの特長を考えつつ、マスクレス
のレーザ加工を加工に量産性のマージンを有して実効す
るため、この導体上に絶縁物を形成した積層体とし、Ｌ
Ｓの際のレーザ照射光の熱を外部に放散することを防い
だものである。即ちこの導電膜」二に絶縁膜例えば窒化
珪素、炭化珪素、酸化珪素（Ｓｉｎ、　５ｉ０２　＞、
弗化マグネシューム、酸化アルミニュームまたは酸化ジ
ルコニュームを３００〜５０００人の厚さに形成した。

特にレーザ光に対し昇華性を有すＳｉＯがその下側に形
成されるＣＯ，金属と同じ電子ビーム蒸着法で作製し得
るため好ましかった。

本発明は導電性金属としてさらにそのＬＳの操作スピー
ドを向上さセるため、導電膜金属を＾Ｉ＋ＣｒまたはＴ
ｉ十八へ＋ＡＩ＋ｃｒ　としてクロムを１００〜３００
０人好ましくは３００〜１０００人の厚さに導電性金属
と絶縁膜との間に介在させ、レーザ光の反射を少なくさ
せ効率よく導体を昇温させた。

（６） ＣＯは半導体と導電性金属との長期間使用での反応によ
る劣化を防ぎ、入射光の反射を助長しつつかつ昇華性を
有する。しかしＣＯは透光性のためレーザ光の吸収が小
さい。またへ１等の導電性金属は電気伝導度が大きく、
シート抵抗として０．５Ω／口以下をつくることができ
た。また基板側からの入射光の反射に優れている。しか
し昇華性ではなく、レーザ光の吸収エネルギの平面方向
、外方向への熱伝導度、熱放散が大きく、ＬＳ部での昇
温を妨げやすい。

加えて照射レーザ光の反射率が大きい。

ＳｉＯ等の絶縁膜は照射されるレーザ光の反射防止膜で
あり、導電膜の昇温のための熱エネルギを外部（外方向
）に放散してしまうことを防ぐことができる。さらにク
ロムをサンドウィンチすると、反射率がＡＩ、Ａｇより
はるかに小さく、レーザ光の熱エネルギの効率よい吸収
を絶縁膜と相まって実力かすることができる。

以上のことより本発明の光電変換装置の裏面電極として
のＣＯ−導電性金属−絶縁物の構造は、そ（７） れぞれの機能を有するためにきわめて有効な積層膜構造
である。

このためこれらの各膜を組合せることにより、ＬＳのレ
ーザ光の照射された領域において開溝ｌ］を１５０μ以
下とし、加えてこの開溝部下の非単結晶半導体を熱によ
りアニールして多結晶化させる等により凹凸を１０００
Å以下として、この開溝下の半導体と導電膜下の半導体
とを概略同一平面とすることができた。そして、変換効
率を向」ニさせつつこの開溝部のＣＯとその」二の金属
を選択的に除去して複数の電極をマスクを用いることな
く作製することができた。

以下に図面に従って本発明の詳細を示す。

第１図は本発明の製造工程を示す縦断面図である。

図面において絶縁表面を有する透光性基板（１）例えば
ガラス板、有機樹脂または有機樹脂」二に絶縁膜がコー
ティングされた可曲性基板（例えば１．２ｍｍ５　Ｍさ
〔図面では左右方向）　６０ｃｍ、中２０ｃｍ　）を用
いた。さらにこの上面に全面にわたって、透光（８） 性導電膜例えばＩＴＯ（酸化インジューム酸化スズ混合
物、即ち酸化スズを酸化インジューム中に１０重量％添
加した膜）（約１５００人）　＋ＳｎＯ□（２００〜５
００人）または弗素等のハロゲン元素が添加された酸化
スズを主成分とする透光性導電１１ｆｆ　（１５００〜
２００００人）を真空蒸着法、ＬＩＩＣＶＩ）法、プラ
ズマＣＶＤ法またはスプレー法により形成させた。

この後、ＹＡＧＬ−−ザ加工機（日本レーザ製　波長１
．０６μまたは０．５８μ）または窒素レーザ加工機（
日本レーザ製　波長３３７ｎｍ　）により出力０．３〜
３Ｗ（焦点距ＡＩＭ４５ｍｍ）を加え、スポット径２０
〜７０μφ代表的には５０μφをマイクロコンピュータ
により制御した。さらにこの照射レーザ光を走査させて
、スクライブラインである第１の開＃　（１３）を形成
させ、各素子間領域（３１）、＜ＩＩ）に第１の電極（
２）を作製した。

この第１のＬＳにより形成された第１の開ａ（１３）は
、巾約５０μ長さ２０ｃｍ深さは第１０ＣＴＦの電極そ
れぞれを完全に切断して電気的に分離した。

この後、この電極（２）、開講（１３）の上面にプ（９
） ラズマＣνＤ法または１、ｌ’ｃＶ　Ｄ法、光ＣＶＩＩ
法またはこれらを組み合わせた方法により、光照射によ
り光起電力を発生させる非単結晶半導体Ｍ（３）を０．
２〜０．９μ代表的には０．７μの厚さに形成さセた。

その代表例はＰ型半導体（Ｓｉｘ自−Ｘ　Ｘ＝０．８約
１００人）−Ｉ型アモルファスまたはセミアモルファス
のシリコン半導体（約０．７μ＞−Ｎ型の微結晶（約５
００人）を有する半導体珪素ざらにこの」二に５ｊｘＣ
１−×ｘ＝０．９約５０人を積層させて一つのｐｉＮ接
合を有する非単結晶半導体、またはＰ型半導体（Ｓｉｘ
Ｃ＋−ｘ）　−Ｔ型、Ｎ型、Ｐ型Ｓｉ半導体−Ｉ型５ｉ
ｘＧｅ　ｌ−Ｘ半導体−Ｎ型Ｓｔ半導体よりなる２つの
ＰＩＮ接合と１つのＰＮ接合を有するタンデム型のＰＩ
ＮＰＩＮ、、、、、ＰＩＮ接合の半導体（３）である。

かかる非単結晶半導体（３）を全面にわたって均一の膜
厚また裏面で全反射をするように基板および半導体裏面
をテクスチャー構造として形成させた。

さらに第１図（Ｂ）に示されるごとく、第１の開溝（１
３）の左方向側（第１の素子側）にわたっ（１０） て第２の開講（１８）を１００〜２０μの＋ｐに第２の
ＬＳＩ程により形成さ一ロた。

この図面では第１および第２の開溝（１３＞、＜　１８
　）の中心間を１００μずらしでいる。

かくして第２の開講（１８）は第１の電極の側面（８）
、／　９　）を露出させた。さらに同様に０〜５μの巾
に第１の電極の上節１部（７）もＣＩ）操作スピ−１’
により作製することができた。

第１図において、さらにこの上面に第１図（Ｃ）に示さ
れるごとく、裏面の積層膜（４）および連結部（コネク
タ＞＜３０）を形成し、さらに第３の１．５での切断分
離用の第３の開溝（２０）を１５０μ以下の中好ましく
は２０〜７０μの中に第２の導電膜とその上の絶縁膜と
を除去して作製して得た。

この第２の電極（４）は本発明の特長である導電性酸化
Ｈ￥（Ｃｏ）＜４５）、＜４５’）をＰまたはＮ型の半
導体」二に密接さセで形成させた。その厚さは１００〜
３０００人の厚さに形成させた。

このＣＯとして、ここではＮ型半導体層と密接してＩＴ
Ｏ（酸化インジューム酸化ススを主成分とず（１１） る混合物）〈４５）、＜４５’）を形成した。このＣＯ
としてＮ型半導体」二に酸化インジュームまたはＰ型半
導体」二に密接して酸化スズを主成分として形成させる
ことも可能である。

これらは電子ビーム蒸着法またはｐｃｖｎ法を用いて半
導体層を劣化さセないため、３００°Ｃ以下の温度で形
成させた。

ｃｏ　（４５）　Ｊ二の金属（４６）、＜４６’）とし
て同様の電子ビーム蒸着法により検討したものは以下の
通りである。

八Ｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｔｉ＋Ｃｒを１乍製した。そ
れらは１）　八ｌ　（１０００〜５０００人）２）八］
　（１０００〜５０００人）　−Ｃｒ　（１００−３０
００人）３）Ｔｉ（０〜　５０゛人）　−八ｇ　（１０
０〜１０００人）　−ＡＩ　（１０００〜５０００人） ４）Ｔｉ（０〜　５０人）−八ｇ　（１００〜１０００
人）−八Ｉ　（１００（］−５００ＯＡ）　−Ｃｒ　（
１００〜３０００人）として積層させた。このＡＩの代
わりに同様に反射率の高いＭｇまたはＡｇを用いてもよ
い。また０、７〜２μの長波長光の反射を促すため、Ｃ
ｕをＡＩの代わ（１２） りに用いることは有効である。一般の太陽光、螢光灯光
に対しては前記１）２）が低価格とすることができ実用
的であった。

さらにこの」二面に、本発明の特長である絶縁膜（４７
）を酸化珪素（ＳｉＯまたはＳｉｎ、）、窒化珪素（Ｓ
Ｉ３Ｎ４）またはＳｊｌ　Ｎ４−、（（０＜　ｘ　＜　
４　）、炭化珪素（Ｓｉ０１−ｘ　（０≦ｘ＜１））、
弗化マグネシューム（ＭｇＦｚ　）、酸化ジルコニュー
ム（ＺｒＯ２）またば酸化アルミニューム（Ａ１．０３
　）を電子ヒーム蒸着法またはプラズマ気相法により積
層した。

かかる積層膜の構造とすることにより、本発明のＩ、Ｓ
では１０００Å以下（一般的には２００　Å以下）の深
さにしか損傷または酸化絶縁化（３４）　Ｌないように
して、さらにこの上表面（６）はその隣の導電膜（４５
）、＜４５’）下の半導体の上表面（１４）と概略同一
平面とすることができた。

即ち、従来この開講は半導体表面すべてをえぐり、半導
体の厚さほどの凹部を作ってしまった。

するとここでは半導体がないため、残留応力がこの第３
の開溝近傍に集中してしまいクランクを誘（１３） 発し信頼性の低下を促した。

しかし本発明のごとく、開ｆｉ　（２０）下に半導体が
そのまま残存し、同一表面を形成する場合はかかる応力
集中がおきず、半導体全体に均一に生せしめることがで
き、結果として高信頼性を促すことができた。

本発明のＬＳによる開溝で導電膜下の半導体表面（１４
）と開ｉ　（２０）の表面（６）とが概略同一平坦面を
有し得るわけとして以下のように考えられる。即ち、昇
華性のＣＯとその上面のアルミニュームまたはＡｌ−Ｃ
ｒ等の導電膜と絶縁膜との多Ｎ膜とすることにより、レ
ーザ光照射の際、この光エネルギによりＣＯが昇華温度
よりも高くなり、この熱が十分導電膜内に蓄えられ、は
じけるようにして気化、飛散される。その結果、この気
化により気化熱を奪うため、その下のアモルファスシリ
コンを含む非単結晶半導体をレーザアニールで多結晶化
させたりまた除去して凹部を作ったりすることがなく、
レーザ照射がされる対象電極として本発明の積層膜は理
想的であることが実験的に判明しく１４） た。

この工程の結果、第１の素子の開放電圧が発生ずる第２
の電極（３９）、＜　３８　）間の電気的分離の第３の
開ｍ　（２０）をし〜ザ光　（光径２０〜１００μφ代
表的には５０μφ）により２０〜１５０μ代表的には５
０〜８０μ中の開溝を形成させた。

光電変換装置の開溝中としては、広ずぎると有効利用面
積が減少し、また２０μ以下ではアイソレイションが不
十分となる。このため２０〜１５０μがｂ−ｒましい開
溝中であった。しかし本発明のごとき絶縁膜をコーティ
ングせず、例えばＣ０−Ｃｒとすると、レーザ光が５０
μφの光径でも、１５０〜２００　μＩ１１の幅広とな
ってしまった。そのため本発明の絶縁膜でコートして」
二からレーザ光を照射することはレーザ光の光径とほぼ
同しｌ］の開溝を作ることができるため、きわめて集中
性、制御性に優れていた。

かくのごとく積Ｉｍ膜（４）を第３のＬＳのレーザ光を
」一方より照射して切断分離して開ｍ　（２０）を形成
した場合を示している。

（１５） かくして第１図（Ｃ）に示されるごとく、複数の素子（
３］）、＜１１＞を連結部（１２）で直接接続する光電
変換装置を作ることができた。

第１図（Ｄ）はさらに本発明を光電変換装置として完成
させんとしたものであり、即ち、絶縁膜（４７）を除去
し、導電膜全体にパンシヘイション膜としてプラズマ気
相法により窒化珪素膜（２１）を５００〜２０００人の
厚さに均一に形成させ、湿気等の吸着による各素子間の
リーク電流の発生をさらに防いだ。

さらに外部引出し端子を周辺部（５）にて設ｉ）また。

これらにポリイミド、ポリアミド、カプトンまたはエポ
キシ等の有機樹脂（２２）を充填した。

この後これら全体を希弗酸に浸漬し、パッド領域（５）
の絶縁膜を溶去した。

かくして照射光（１０）により発生した光起電力はコン
タクト（３０）の第１の素子の第１の電極より第２の素
子の第２の電極に流れ、直列接続をさせることができた
。

（１６） その結果、この基板（６０ｃｍ　Ｘ　２０ｃｍ）におい
て各素子を１月４．３５ｍｍ連結部の中１５０μ、外部
引出し電極部の中１０ｍｍ、周辺部４ｍｍにより、実質
的に５８０ｍｍ　Ｘ　１９２ｍｍ内に４０段を有し、有
効面積（１９２ｎ＋ｍ　Ｘ１４．３５ｍｍ　４０段１１
０２　ｃｎｔ即ち９１．８％）を得ることができた。

そして、セグメントが１０．５％（１，０５ｃｍ）の変
換効率を有する場合、パネルにて７．１％（理論的には
７．５％になるが、４０段連結の抵抗により実効変換効
率が低下した）〈へ旧　（１００ｍＷ　／ｃ艷〕）にて
、６．１籾の出力電力を有せしめることができた。

さらにこのパネルで１５０℃の高温放置テストを行うと
１０００時間を経て１０％以下例えばパネル数２０枚に
て最悪４％、Ｘ＝１．５％の低下しかみられなかった。

これは従来のマスク方式を用いて信頼性テストを同一条
件にて行う時、１０時間で動作不能パネル数が１７枚も
発生してしまうことを考えると、驚異的な値であった。

第２図は光電変換装置の外部引出し電極部を示（１７） したものである。

第２図（Ａ）は第１図に対応しているが、外部引出し電
極部（５）は外部引出し電極（５７）に接触するバンド
（４９）を有し、このパラＦ　（４９）は第２の電極（
上側電極＞　＜４５　）、＜　４６　）と連結している
。

この時電極（５７）の加圧が強すぎてパッド（４９）が
その下の半導体（３）を突き抜け、第１の電極（２）と
接触しても隣の素子の第１の電極とがショートしないよ
うに開溝（１３’）が設けられている。

また外側部は第１の電極、半導体、第２の電極を同時に
一方のＬＳにてスクライブをした開講（５０）で切断分
離されている。

さらに第２図（Ｂ）は下側の第１の電極（２）に（８’
）（７’）連結した他のパッド（４８）が第２の電極材
料により（１８りにて連結して設けられている。

さらにパッド（４８）は外部引出し電極（５８）と接触
しており、外部に電気的に連結している。

ここでも開溝（１８’）、（２０”）、（５０）により
パッド（４８）は全（隣の光電変換装置と電気的に分（
１８） 離されており、（８′）にて第１の電極（２）と側面コ
ンタクトを構成させている。また開ａ（２０’りはその
表面（６）と他の半導体の表面（１４）とが概略同一平
面を有していた。

つまり光電変換装置は有機樹脂モールド（２２）で電極
部（５人（４５）を除いて覆われており、耐湿性の向上
を図った。またこのモールド　（２２）をマスクとして
パソＦ　（５）、＜５５）上の絶縁物がエツチングされ
、絶縁物はあるモールド材下にのみ残存されている。

またこのパネル例えば４０ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍまたは６
０ｃ、ｍｘ２０ｃｍ、　４０ｃｍ　Ｘ　１２０ｃｍを２
ケ、４ケまたは１ケをアルミサツシまたは炭素繊維枠内
に組み合わせることによりパッケージさせ、１２０ｃｍ
　Ｘ　４０ｃｍのＮＥＴＩＯ規格の大電力用のパネルを
設けることが可能である。

またごのＮｌ１ＤＯ規格のパネルはシーフレックスによ
り弗素系保護膜を本発明の光電変換装置の反射面側（図
面では上側）にはりあわせて合わせ、風圧、雨等に対し
ｌ’ｌＡ械強度の増加を図ることも有効である。

（１９） さらに本発明を以下に実施例を記してその詳細を補完す
る。

実施例１ 第１図の図面に従ってこの実施例を示す。

即ち透光性基板（１）として透光性有機樹脂の住友ベー
クライト社製のスミライ目】００　厚さ１００μ、また
ば透光性ガラス厚さ１．１ｍｍ、長さ６０ｃｍ、　ｒｌ
〕２０ｃｍを用いた。

この」二面に窒化珪素膜を０．１　μの厚さにＰＣＶＤ
法で作製しブロッキング層とした。

さらニソノ上にＣＴＦをｒＴＯ１６００人士５ｎＯ２３
００人を電子ビーム蒸着法により作製した。

さらにこの後、第１の開溝をスボソＨｉ５ｏμ、出力Ｉ
ＫのＹＡＧレーザをマイクロコンピュータにより制御し
て１２０ｃｍ　／分の走査速度にて作製した。

さらにパネルの端部をレーザ光出力ＩＷにて第１の電極
用半導体をガラス端より５ｍｍ内側で長方形に走査し、
パネルの枠との電気的短絡を防止した。

素子領域（３１）、＜１１）は１５ｍｍ中とした。

この後公知のＰＣＶＤ法により第２図に示したＰＩＮ（
２０） 接合を１つ有する非単結晶半導体を作製した。

その厚さは約０．７μであった。

かかる後、第１の開溝より１００μ第１の素子（３１）
をシフトさせて、スポット径５０μφにて６０ｃｍ／分
の操作スピー１−出力Ｉｋにて大気中でＬＳにより第２
の開溝（１８）を第２図（Ｂ）に示すごと（作製した。

さらにこの全体にＣＯとしてＩＴＯを電子ビーム蒸着法
により平均膜厚１０５０人に、さらにその上面にアルミ
ニューム（２０００人）およびクロムを５００人の厚さ
に電子ビーム蒸着法により作製して、第２の電極（４５
）、コネクタ（３０）を構成せしめた。

さらにＳｊＯを電子ヒーム蒸着法により１２００人の厚
さに積層して積層体とした。

さらに第３の開溝（２０）を同様に第３のＬＳをＹＡＧ
レーザを用い、ＩＷの出力５０μφ、操作スピード９０
ｃｍ／分で形成させた。すると開溝中６０μを有しその
表面（６）と半導体表面（１４）とは概略同一平面とな
り、絶縁物領域（３４）を１０００Å以下（実際はＯ〜
３００μと推定される）形成させることが（２１） できた。かくして第２図（Ｃ）を得た。

この後、不要の絶縁膜（４７）を希弗酸で除去しパッシ
ベイション膜（２１）をＰＣＶＤ法により窒化珪素膜を
１０００人の厚さに２００　’Ｃの温度にて作製した。

すると２０ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍのパネルに１５ｍｍ巾の
素子を４０段作ることができた。

パネルの実効効率としてＡ旧　（ｌｏｏｍＷ／　ｃ＋ｄ
）にて７．３％、出力５．９Ｗを得ることができた。

有効面積は１１０２ｃＪであり、パネル全体の９１．８
％を有効に利用することができた。

この実施例においては、第１図（Ｄ）に示すごとく、上
側の保護用有機樹脂（２２）を重合わせることにより、
有機樹脂シートの間に光電変換装置をはさむ構造とする
ことができ、可曲性を有し、きわめて安価で多量生産が
可能になった。

第１図〜第２図において、光入射は下側の透光性絶縁基
板よりとした。

しかし本発明はその光入射側を下側に限定することなく
、上側の電極をＩＴＯとして上側より光照射を行うこと
も可能であり、また基板もガラス基（２２） 板ではなく可曲性基板を用いることは可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光電変換装置の製造工程を示す縦断面
図である。 第２図は本発明の他の光電変換装置の部分拡大をした縦
断面図である。 峙許出願人 （２３） （Ａ） Ｃ１１） 翠２■

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁表面を有する基板上の第１の導電膜と、該導電
   膜上の非単結晶半導体と、該非半導体上の第２の導電膜
   とを有する光電変換半導体装置において、前記第２の導
   電膜は酸化物導電膜と、該導電膜上のアルミニューム、
   銀、銅、マグネシュ−ム、チタンまたはクロムを主成分
   とする単層または多層の金属導電膜とよりなり、さらに
   前記第２の導電股上の絶縁膜とよりなる積層順に設けら
   れた開溝下の半導体上の表面は前記第２の導電膜が形成
   されている前記半導体の主表面と１０００Å以下の凹凸
   を有する概略同一平面を構成するとともに、前記開溝の
   ｒｊｊは１５０μ以下であることを特徴とする光電変換
   半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、金属導電膜はアル
   ミニューム、銀、マグネシュ−ム、銅（１） の単層膜またはアルミモユームークロム、銀−アルミニ
   ューム、銀−アルミニエ−ム−クロム、チタン−銀−ア
   ルミニューム、チタン−銀−アルミニューム−クロムの
   多層の金属導電膜より選ばれてなることを特徴とする光
   電変換半導体装置。 ３、特許請求の範囲第１項において、金属導電膜−Ｆの
   絶縁膜は一酸化珪素、弗化マグネシューム、酸化アルミ
   ニニーム、酸化ジルコニューム、二酸化珪素、窒化珪素
   または炭化珪素より選ばれたことを特徴とする光電変換
   半導体装置。