JPS6085574A

JPS6085574A - 半導体装置作製方法

Info

Publication number: JPS6085574A
Application number: JP58194877A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; Kenji Ito; 健二伊藤; Satsuki Watabe; 渡部　五月; Susumu Nagayama; 永山　進
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1983-10-18
Filing date: 1983-10-18
Publication date: 1985-05-15
Also published as: JPH0558269B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】この発明は基板上の非単結晶半導体上に導電性酸化物と
その膜上にクロムまたはニッケルを主成分とする金属膜
を形成せしめ、この被膜にレーザ光を照射して、半導体
に損傷をさせることなく、または５００Å以下の深さに
しか損傷させることなく選択的に除去して開溝を形成す
ることを目的とする。

この発明は、ＰＮまたはＰＩＮ接合を少なくとも１つ有
するアモルファス半導体を含む非単結晶半導体を透光性
絶縁基板上に設けた光電変換素子（単に素子ともいう）
を複数（１１ｉ！電気的に直列接続し、高い電圧を発生
させる光電変換装置における第２の電極の構造に関する
。

この発明は、マスクレス、プロセスであってレーザスク
ライブ方式（以下ＬＳという）を用い２つの素子を連結
する連結部の構造に関する。

本発明の装置における素子の配置、大きさ、形状は設計
仕様によって決められる。しかし、本発明の内容を簡単
にするため、以下の詳細な説明においては、第１の素子
の下側（基板側）の第１の電極と、その右隣りに配置し
た第２の素子の第２の電極（半導体上即ち基板から離れ
た側）とを電気的に直列接続させた場合を基として記す
。

かかる構成において、第１の素子および第２の素子の第
２の電極を互いに分離するための第３の開溝は、Ｐまた
はＮ型の非単結晶半導体層に密接して酸化インジューム
または酸化スズを主成分とする導電膜（以下ＣＯという
）を設け、該導電膜上にクロムまたはニッケルを主成分
とする金属膜（以下単にクロムまたはニッケルという）
を積層して構成せしめたことを特徴とする。

本発明は、半導体上に設けられた第２の電極用導体をレ
ーザ光を用いてスクライブせしめ、互いの電極に分離形
成せしめるものである。その際、１８００℃もの高温の
レーザ光の照射に対し、その下側の半導体特に水素化ア
モルファス半導体が多結晶化され、導電性になってしま
うことを防くため、ＣＯ上にクロムまたはニッケルを積
層してががるＬＳにより第３の開溝下の半導体と化合物
を作ったり、またこの半導体のレーザアニールによる多
結晶化を防いだものである。

本発明は光電変換装置としての裏面電極を、このＮ型半
導体層の電極との密接部を５ｊｘＣ＋−ｘ　（０＜ｘ〈
１）とし、これとｃｏとの間で酸化珪素絶縁物が発生し
てしまうことを防ぐに加えて、このｃｏとその上面の金
属との界面で酸化アルミニラニームの絶縁物が生成され
てしまうことを防ぐため、ＣＯに密接してクロムまたは
ニッケルを積層させた２層構造、さらにまたは１００Å
以下の厚さのチタンとその上面に１００〜５００人の厚
さの銀と、さらにその上面に５００〜５０００人の厚さ
のクロムとを積層させ４層構造としたものである。

即ら、従来はこのＣＯ上には単に光の反射性金属である
銀またはアルミニュームが用いられていた。

しかし銀はＣＯと密着性が悪く、容易にはがれてしまう
。アルミニュームはｃｏと界面で酸化反応して酸化アル
ミニューム絶縁物になってしまう。これらのことより、
ＣＯ上の各層の改良がめられていた。

本発明はかかる目的のため、ＬＳ間で開溝が作られる金
属をクロムまたはニッケルを主成分としたものである。

即ち、例えばＣＯ上にクロムを５ｏｏ〜５０００人の厚
さに形成させた。するとｃｏとクロムとはクロムが耐熱
性（融点１８００”Ｃ１沸点２６６０’Ｃ）を有し、か
つ他材料との反応をおこしにくい材料であるため、界面
酸化をしないことが実験的に判明した。さらにｃｏとの
オーム接触の抵抗も低く、きわめて望ましいものであっ
た。。

即ち、本発明において、ｃｏはレーザ光にて熱的には容
易に除去されるが、透光性であり熱吸収が低い。またク
ロムは照射されるレーザ光と殆ど同じ温度の融点を有し
、かつ照射光を十分に吸収する。このためこれらの双方
を相対的に組合せることにより、ＬＳのレーザ光の照射
された開溝部下の非単結晶半導体を熱により多結晶化さ
せることなく、この開溝部のＣＯとその上の金属を選択
的に除去することができた。

以下に図面に従って本発明の詳細を示す。

第１図は本発明の製造工程をボす縦断面図である。

図面において絶縁表面を有する透光性基板（１）例えば
ガラス板（例えば厚さ０．６〜２．２１Ｔｕ＋＋例えば
１．２ｍｍ　、長さ〔図面では左右方向）　６０ｃｍ、
中２０ｃｍ　）を用いた。さらにこの上面に全面にわた
って透光性導電膜例えばＩＴＯ（酸化インシューム酸化
スズ混合物、即ち酸化スズを酸化インジューム中に１０
重量％添加した膜）（約１５００人）　＋ＳｎＯ，（２
００〜４００人）または弗素等のハロゲン元素が添加さ
れた酸化スズを主成分とする透光性導電膜（１５００〜
２０００人）を真空蒸着法、ＬＰＣＶ　Ｄ法、プラズマ
ＣＶＤ法またはスプレー法により形成させた。

この後、ＹＡＧレーザ加工機（日本レーザ製　波長１．
０６μまたは０，５８μ）により出力１〜３Ｗ（焦点距
離４０ｍｎ＋）を加え、スポット径２０〜７０μφ代表
的には５０μφをマイクロコンピュータにより制御した
。さらにこの照射レーザ光を走査させて、スクライブラ
インである第１の開溝（１３）を形成させ、各素子間領
域（３１）、＜　１１　）に第１の電極（２）を作製し
た。

この第１のＬＳにより形成された第１の開溝（１３）は
、巾約５０μ長さ２０ｃｍ深さは第１のＣＴＦの電極そ
れぞれを完全に切断して電気的に分離した。

この後、この電極（２）、開ｓ　（１３）の上面にプラ
ズマＣＶＤ法またはＬＰＣＶ　Ｄ法により光照射により
光起電力を発生させる非単結晶半導体Ｍ（３）を０．２
〜０．８μ代表的には０．５μの厚さに形成させた。

その代表例はＰ型半導体（Ｓｉｘｆ；＋−ｘ　ｘ＝０．
８約１００人）−Ｉ型アモルフブスまたはセミアモルフ
ァスのシリコン半導体（約０，５μ）−Ｎ型の微結晶（
約５００人）を有する半導体珪素ざらにこの上に５ｉｘ
Ｃ＋−ｘ　ｘ＝０．９約５０人をｆ前層させて一つのＰ
ＩＮ接合を有する非単結晶半導体、またはＰ型半導体（
ＳｉｘＣｌ−ｘ）　−Ｉ型、Ｎ型、Ｐ型Ｓｉ半導体−Ｉ
型５ｉｘＧｅ　＋−ｘ半導体−Ｎ型３１半導体よりなる
２つのＰＩＮ接合と１つのＰＮ接合を有するクンデム型
のＰＩＮＦＩＮ、、、、、ＰＩＮ接合の半導体（３）で
ある。

かかる非単結晶半導体（３）を全面にわたって均一の膜
厚で形成させた。

さらに第１図（Ｂ）に示されるごとく、第１の開溝（１
３）の左方向側（第１の素子側）にわたって第２の開ａ
（１８）を第２のＬＳＩ程により形成させた。

この図面では第１および第２の開＋４”ｔ　（１３）ｐ
（１８）の中心間を１００μずらしている。

かくして第２の開溝（１８）は第１の電極の１１！ＩＪ
面（８＞、＜　９　）を露出させた。

さらにこの基板を希弗酸（４８％ＨＦを１０倍の水で希
釈した１　／ｌ０ＩＩＦをここでは用いた）にて１０秒
〜１分代表的には３０秒エツチングした。これはＣ１７
のマイクロ波を用い半導体表面にスパツクがないプラズ
マ気相エッチにより作製してもよい。すると半導体（３
）、ＣＴＦ　（２）がＬＳにより大気中の酸素と反応し
て生成した低級多孔性酸化珪素を除去することができた
。さらに加えて基板のガラスをも一部において除去し、
深さ方向に０．１〜５μ、横方向に０．１〜１０μ例え
ば深さ０．３μ、横方向３μのザイＦエッチをさせた。

かくして凹部（７）およびＣＴＦ　（３７）の底面（６
）を露呈せしめた。

第１図において、さらにこの上面に第２図（Ｃ）に示さ
れるごとく、裏面の第２の電極（４）および連結部（コ
ネクタ）（３０）を形成し、さらに第３のＬＳでの切断
分離用の第３の開溝（２０）を得た。

この第２の電極（４）は本発明の特長である導電性酸化
１！Ｘ’　（ＣＯＸ４５）、（４５’）をＰまたはＮ型
の半導体上に密接させて形成させた。その厚さは１０〇
二３０００人の厚さに形成させた。

このＣＯとして、ここではＩＴＯ（Ｍ化インシューム酸
化スズを主成分とする混合物Ｘ４５）を形成した。この
ＣＯとして酸化インジュームまたは酸化スズを主成分と
して形成させることも可能である。

このＩＴＯは′ｍｌ１５ｉｌ形成の際きわめてまわりご
みが起きやすい。このためグループ（７）にも十分入り
、ＣＴＦ　（３７）の底面（６）と電気的によく連結さ
せることが可能となった。

これらは電子ヒーム蒸着法またはｐｃｖａ法を用いて半
導体層を劣化させないため、３００℃以下の温度で形成
させた。

このＣＯであるＩＴＯは本発明においてはきわめて重要
である。その効果は、〔１〕第２の電極の金属（４６）、（４６’）が珪素く
３）と合金層にならず、半導体（３）中に界雷拡散され
てしまい上下の電極間をショートさせてしまうことを防
いでいる。即ち１５０〜２００℃での高温放置テストに
おける裏面電極−半導体界面での信頼性向上に役立って
いる。

〔２〕本発明の第３の開溝（２０）の形成の際、し−ザ
光の１８００℃以上の高温、特にスクライブ領域′（２
０）にてＬＳ用金属（４６）が半導体（３）内に侵入し
て電極（３９）、（３８）間でのリーク電流が１０−’
Ａ／ｃｍ以上発生してしまうことを防くことができる。

このため第３の開溝形成による製造上の歩留りの低下を
防ぐことができる。

〔３〕半導体上のＰまたはＮ型半導体と相性のよいＣＯ
を形成することにより、即ちＮ型半導体に密接してＩＴ
Ｏまたは酸化インジュームを主成分とするＣＯを設けて
、この半導体、電極間の接触抵抗を下げ、曲線因子、変
換効率の向上をはかることができる。

〔４〕強いまわりこみにより連結部（１２）における第
１の素子の第１の電極（３７）の底面とコンタクトを構
成し、互いに酸化物であるため、このコンタクト部にて
長期使用における界面での絶縁性が増加することがない
。即ちもしアルミニューム等の金属とＣＴＦ　（３７）
とのコンタクトでは、金属がＣＴＦの酸素と長期間のう
ちに反応して絶縁性をこの界面で生じさせてしまうが、
このｃｏによる酸化物−酸化物コンタクトはかかる絶縁
性がコンタクト界面に生ずることがなく、信頼性の向上
が大きい。

〔５〕入射光（１０）における半導体（３）内で吸収さ
れなかった長波長光の反射用金属（４６）での反射を促
し、特にＩＴＯの厚さを９００〜１４００人好ましくは
平均厚さ１０５０人として６００〜８００ｎｍの長波長
光の反射を大きくさせ、変換効率の向上に有効である。

〔６〕コネクタをもこのＣＯが構成し、半導体特に１”
ＩＮ半導体のうらの敏感な活性１層に隣接しているため
、金属がマイブレイトしてしまうことを防いでいる。

ＣＯ上の金属として検討したものは以下の通りである。

融点　沸点　熱伝導率（℃）　（”Ｃ）　ｃａｌ　／　（ｃｍ−ｓｅｃｌｄｅ
ｇ）Ｃｒ　１８００　２６ｅＯＯ，２Ｎｉ　１４５５　３０７５　０．１９８Ｔｉ　１７２５
　３２６２　０．０５八ｇ　９６０．５　１９２７　０．９９８八１　６５８
．８　２２８０　０．４８７このことより明らかなよう
に、ＬＳ照射光の温度（１８００〜２２００℃）とけば
同じ融点を有し、かつ熱伝導度が大きずぎても小さすぎ
てもよくない。即ち、銀、アルミニュームは６００Å以
上となると横方向（膜方向）への伝導が大きすぎ、その
下の半導体と反応をしやすく、さらに熱のため半導体を
多結晶化してしまう。また開溝は半導体層を容易に貫い
て第１の導電膜にまで到達してしまう。

他方、チタンは熱伝導率が小さく、融点が高いため、２
００Å以上の使用が不可能である。

このためＣＯ上の金属はクロムまたはニッケルが優れて
いることが判明した。実験的にも半導体層をもＬＳにて
除去されず、理想的な金属であった。

このクロムまたはニッケルの低い光学的反射率を向上さ
せ、ひいては素子の変換効率を向上させるため、ＣＯと
の間に反射を大きくする銀を５００Å以下の厚さに、ま
たチタンを銀とＣＯとの密着性向上用に介在させた。し
かし銀は熱伝導度が大きいため、５００Å以下でなけれ
ばならない。またチタンは耐熱性が大きすぎるため、１
００Å以下でなければならなかった。即ち裏面電極は（１）　ｃｏ　（１００〜３０００人）Ｃｒ（３００〜
５０００人）、（２）　ＣＯ（１００〜３０００人）　
Ｎｉ　（３００〜５０００人入（３）　Ｃｏ　（１００
〜１５００人）　Ｔｉ　（＜１００　人）　Ａｇ　（１
００〜５００　人）　ＣｒまたはＮｉ　（３００−５０
００人）がＬＳの加工性において優れていた。

これらの裏面電極において、（１）のクロムを用いる場
合は、ＬＳにより同時にその下のＣＯも完全に除去させ
てしまうため、製造歩留りが大きい。

しかし外部接触用のハンダイｊ等ができない。他力（２
）のニッケルばＬＳによりその下のＣＯが一部残りやす
いため、ＬＳの後塩酸で表面の残存するＣＯを除去させ
る必要があった。（３）は先の反射に優れているが、４
Ｎ製造が面倒であるという欠点を有する。

次に本発明においては、この第２の電極を構成するＣＯ
（４５）とコネクタ（３０）とが電気的にンヨ−トしな
いために、第３の開溝（２０）をその下の半導体が損傷
しないよう、または５００Å以下の深さにしか損傷しな
いようにして、第１の素子領域（３１）にわたって設け
た。即ち、本発明のＣＯとその上面のクロムまたはニッ
ケルの多層膜とすることにより、レーザ光照射の際、こ
のそれぞれの成分が相互作用して気化、飛散するため、
その下のアモルファスシリコンを含む非単結晶半導体を
多結晶化させたり、また除去したりすることがなく、レ
ーザ照射がされる対称電極としては理想的であることが
実験的に判明した。

この工程の結果、第１の素子の開放電圧が発生する電極
（３９）、＜３８）間の電気的分離をレーザ光（２０〜
１００μφ代表的には５０μφ）を第２の開溝（１８）
より約１００μＭ凹せしめて形成させた。即ち第３の開
溝（２０）の中心は第２の開溝（３０）の中心に比べて
５０〜２００μ代表的にはｌＯＯμの深さに第１の素子
側にわたって設けている。かくのごとく第２の電極（４
）を第３のＬＳのレーザ光を上方より照射して切断分離
して開溝（２ｏ）を形成した場合を示している。

さらにこの開’Ｉｌｌ　（２０）下の半導体層を室温〜
２００℃の酸化雰囲気（１〜１０口間の酸化）またはプ
ラズマ酸化雰囲気（１００〜２５０℃　１〜５時間）中
で酸化して酸化珪素（３４）を１００〜１０００人の厚
さに形成して、２つの電極（３９）、＜３８）間のクロ
スト−りをより防いだ。

カくシて第１図（Ｃ）に示されるごとく、複数の素子（
３１）、（１１）を連結部（１２）で直接接続する光電
変換装置を作ることができた。

第１図（Ｄ）はさらに本発明を光電変換装置として完成
させんとしたものであり、即らパッシベイション膜とし
てプラズマ気相法により窒化珪素Ｈ’Ａ　（２１）を５
００〜２０００人の厚さに均一に形成さセ、湿気等の吸
着による各素子間のリーク電流の発生をさらに防いだ。

さらに外部引出し端子を周辺部（５）にて設けた。

これらにポリイミド、ポリアミド、カプトンまたはエポ
キシ等の有機樹脂（２２）を充填した。

か（して照射光（１０）により発生した光起電力は底面
コンタクトより矢印（３２）のごとく第１の素子の第１
の電極より第２の素子の第２の電極に流れ、直列接続を
させることができた。

その結果、この基板（６０ｃｍ　Ｘ　２０ｃｍ）におい
て各素子を中１４．３５ｍｍ連結部の１１５０μ、外部
引出し電極部の巾１０ｎ＋ｍ、周辺部４ｍｔｎにより、
実質的に５８０ｍｍ　Ｘ　１９２ｍｍ内に４０段を有し
、有効面積（１９２ｍｍ　Ｘ１４．３５ｍｍ　４０段ｎ
ｏ２ｃ＋ａ即ち９１．８％）を得ることができた。

そして、セグメントが１０．８％（１，０５ｃｍ）の変
換効率を有する場合、パネルにて７．７％（理論的には
９．８％になるが、４０段連結の抵抗により実効変換効
率が低下した〉（八Ｍｌ　（１００ｍＷ　／ａａ）　）
　ニテ、８、抹の出力電力を有せしめることができた。

さらにこのパネルを１５０°Ｃの高温放置テストを行う
と１０００時間を経て１０％以下例えばパネル数２０枚
にて最悪４％、Ｘ＝１．５％の低下しかみられなかった
。

これば従来のマスク方式を用いて信頼性テストを同一条
件にて行う時、１０時間で動作不能パネル数が１７枚も
発生してしまうことを考えると、驚異的な値であった。

第２図は３回のＬＳＩ程での開溝を作る最も代表的なそ
れぞれの開溝の位置関係を示した縦Ｗ１面図および平面
図（端部）である。

番号およびその工程は第２図と同様である。

第２図（Ａ）は第１の開Ｒ（１涯第１の素子（３１＞、
第２の素子（１１）、連結部（１２）を有している。

さらに第２の開溝（１８）は、第１の素子を構成すべき
半導体（３）の第１の電極（２）側にわたって設けられ
、これらいずれをも除去させている。

またザイドエソチによるグループ（７）が作製され、第
１の電極の底面（６）に第２の電極のＣＯを連結させて
いる。

この第３の開溝（２０）が、約６０μの深さに第１の素
子（３１）側にシフトしている。

このため、第３の開１ｌｌｓ　（２０）の右端部は、コ
ネクク部（３０）の一部より若干（約１０μ）第１の素
子（３１）側にわたって設けられている。

さらに低温の長時間酸化により酸化物絶縁物（３４）を
形成し、第１および第２の素子（３１）、（１１）のそ
れぞれの第２の電極（４）を互いに電気的に切断分離し
、且つこの電極間のリークをも１０−’Ａ／ｃｍ（Ｉｃ
ｍ中あたり１０−Ａのオーダーの意）以下に小さくする
ことができた。

第２図（Ｂ）は平面図を示し、またその端部（図面で下
側）において第１、第２、第３の開溝（１３）、＜　１
８　）、（２０）が設けられている。

さらに素子の端部（図面下側）は、第１の電極（２）を
（１３’）にて切断分離した。さらにこれを半導体（３
）、第２の電極（４）の材料で覆い、さらにこの第２の
電極用導体（４）を（１３’）よりも外端側にて第３の
開溝（５０）により分離した。

この縦断面図は第３図（Ａ）の端部に類似している。

この場合においてもこれら開溝（５０）を覆ってパッシ
ベイション膜を形成させている。

この図面において、第１、第２、第３の開溝中は７０＝
２０μを有し、連結部の１１日５０〜８０μ代表的には
２００　μを有せしめることができた。

以上のＹＡＧレーザのスポット径を技術思想において小
さくすることにより、この連結部に必要な面積をより小
さく、ひいては光電変換装置としての有効面積（実効効
率）をより向上させることができるという進歩性を有し
ている。

第３図は光電変換装置の外部引出し電極部を示したもの
である。

第３図（Ａ）は第１図に対応しているが、外部引出し電
極部（５）は外部引出し電極（４７）に接触するパッド
（４９）を有し、このパッド（４９）は第２の電極（上
側電極）〈４）と連結している。この時電極（４７）の
加圧が強すぎてパット　（４９）がその下の半導体（３
）を突き抜は第１の電極（２）と接触しても（４９）と
（２）とがショートしないように開溝（１３’）が設け
られている。

また外側部は第１の電極、半導体、第２の電極を同時に
一方のＬＳにてスクライブをした開溝（５０）で切断分
離されている。

さらに第３図（Ｂ）は下側の第１の電極（２）に連結し
た他のパッド（４８）が第２の電極材料により（１８’
）にて連結して設けられている。

さらにパッド（４日）は外部引出し電極（４６）と接触
しており、外部に電気的に連結している。

ここでも開溝（１８’＞、（２０’″＞、（５０）によ
りパッド（４８）は全く隣の光電変換装置と電気的に分
離されており、（１８’）にて第１の電極（２）と底面
コンタクトを（６）にて構成させている。

つまり光電変換装置は有機樹脂モールド（２２）で電極
部（５）、（４５）を除いて覆われており、耐湿性の向
上を図った。

またこのパネル例えば４０ｃｍ　Ｘ　ＥｌｉＯｃｍまた
は６０ｃｍ　ｘ２０ｃｍ、　４０ｃｍ　Ｘ　１２０ｃｍ
を２ケ、４ケまたは１ケをアルミザノシまたは炭素繊維
枠内に組み合わせることによりパ、７ケージさせ、１２
０ｃｍ　Ｘ　４０ｃｍのＮＥＤＯ規格の大電力用のパネ
ルを設けることが可能である。

またこのＮＥＤＯ規格のパネルはシーフレックスにより
弗素系保護膜を本発明の光電変換装置の反射面側（図面
では上側）にはりあわせて合わせ、風圧、雨等に対し機
械強度の増加を図ることも有効である。

本発明において、基板は透光性絶縁基板のうち特にガラ
スを用いている。

しかしこの基板として可曲性有機樹脂またはアルミニュ
ーム、ステンレス等上に酸化アルミニューム、酸化珪素
または窒化珪素を０．１〜２μの厚さに形成した複合基
板を用いることば有９）ノである。

特にこの複合基板を前記した実施例に適用すると、酸化
珪素または窒化珪素がこの上面のＣＴＦを損傷して基板
とＣＴＦとの混合物を作ってしまうことを防く、いわゆ
るブロッキング効果を有して特に有効であった。

さらに本発明を以下に実施例を記してその詳細を補完す
る。

実施例１第１図の図面に従ってこの実施例を示す。

即ち透光性基板（１）として化学強化ガラス厚さ１．１
ｍｍ　、長さ６０ｃｍ、ｒｌ１２０ｃｍを用いた。

この上面に窒化珪素膜を０．１　μの厚さに塗付しブロ
ッキング層とした。

さらにその上にＣＴＦをＩＴ　Ｏ１６００人＋５ｎ０１
３００人を電子ビーム蒸着法により作製した。

さらにこの後、第１の開溝をスポット径５０μ、出力１
讐のＹＡＧレーザをマイクロコンピュータにより制御し
て３ｍ／分の走査速度にて作製した。

さらにパネルの端部をレーザ光出力ＩＷにて第１の￥ｉ
極用半導体をガラス端より５ｍｍ内側で長方形に走査し
、パネルの枠との電気的短絡を防止した。

素子領域（３１）、＜　１１　）は１５ｍｍ巾とした。

この後公知のＰＣＶＤ法により第２図に示したＰＩＮ接
合を１つ有する非単結晶半導体を作製した。

その厚さは約０．５μであった。

かかる後、第１の開溝より１００μ第１の素子（３１）
をシフトさせて、スボソ１−径５０μφにて出力ＩＷに
て大気中でＬＳにより第２の開！　（１８）を第２図（
Ｂ）に示すごとく作製した。

さらにこの全体にＣＯとしてＩＴＯを電子ビーム蒸着法
により平均膜厚１０５０人に、さらにその上面にクロム
を１６００人の厚さに電子ビーム蒸着法により作製して
、第２の電極（４５）、コネクタ（３０）を構成せしめ
た。

さらに第３の開溝（２０）を同様に第３のＬＳを冒Ｇレ
ーザを用い、ＩＷの出力５０μφにより第２の開溝（１
８）より１００μのわたり深さに第１の素子（３１）側
にシフトして形成させ、第２図（Ｃ）を得た。

この後、バッジヘイジョンＨ’Ａ　（２１）をＰＣＶＤ
法により窒化珪素膜を１０００人の厚さに２００°Ｃ（
７）温度にて作製した。

すると２０ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍのパネルに１５ｍｍｒｌ
Ｊの素子を４０段作ることができた。

パネルの実効効率としてＡＭＩ　（１００ｍＷ　／　ｃ
Ｊ）にて７．７％、出力８．１Ｗを得ることができた。

有効面積は１１０２．ｆｆｌであり、パネル全体の９Ｌ
、８％を有効に利用することができた。

この実施例においては、第１図（Ｄ）に示すごとく、上
側の保護用有機樹脂（２２）を重合わせることにより、
有機樹脂シー１−の間に光電変換装置をはさむ構造とす
ることができ、可曲性を有し、きわめて安価で多量生産
が可能になった。

第１図〜第２図において、光入射は下側の透光性絶縁基
板よりとした。

しかし本発明はその光入射側を下側に限定することなく
、上側の電極をＩＴＯとして上側より光照射を行うこと
も可能であり、また基板もガラス基板ではなく可曲性基
板を用いることは可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光電変換装置の製造工程を示す縦断面
図である。第２図は本発明の光電変換装置の縦断面図である。第３図は本発明の他の光電変換装置の部分拡大をした縦
断面図である。特許出願人３ＪＬ２−１．ｌ茗２（２）（Ａ）（ρ）菓厘幻

Claims

【特許請求の範囲】 ■、基板上の非単結晶半導体上に酸化物導電膜と該導電
膜上にクロムまたはニッケルを主成分とする金属膜とを
形成する工程と、前記導電膜および金属膜とにレーザ光
を照射して選択的に除去して開溝を形成する工程とを有
することを特徴とする半導体装置作製方法。２、絶縁表面を有する基板上の導電膜に第１の開講を形
成して複数の電極領域を形成する工程と、該第１の開溝
および前記電極領域上にＩＩＮまたはＰＩＮ接合を少な
くとも１つ有する非単結晶半導体を形成する工程と、前
記第１の素子の前記半導体を選択的に除去して前記第１
の素子の第１の電極を露呈せしめる第２の開溝を形成す
る工程と、前記半導体上および前記第２の開溝の第１の
電極に酸化物導電膜と該導電膜上にクロムまたはニッケ
ルを主成分とする金属膜との第２の導電膜を形成して前
記第１の素子の第１の電極と前記第２の素子の第２の電
極とを連結せしめる工程と、前記第２の導電膜にレーザ
光を照射して除去して作られた第３の開溝により前記第
１の素子および第２の素子のそれぞれの第２の電極を形
成せしめることを特徴とする半導体装置作製方法。３、特許請求の範囲第１項または第２項において、開溝
下の半導体の少なくともＰまたはＮ型半導体下は酸化し
て酸化珪素絶縁物に変成させたことを特徴とする半導体
装置作製・方法。