JPS6086875A - 半導体装置作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は基板上の非単結晶半導体上に導電性酸化物と
その膜上にマグネトロンスパッタ法を用いてクロムを主
成分とする金属膜を形成せしめ、この被膜にレーザ光を
照射して、半導体に損傷をさせることなくまたは５００
Å以下の深さにしか損傷させることなく選択的に除去し
て開溝を形成することを目的とする。

この発明は、ＰＮまたはＰＩＮ接合を少なくとも１つ有
するアモルファス半導体を含む非単結晶半導体を透光性
絶縁基板上に設けた光電変換素子（単に素子ともいう）
を複数個電気的に直列接続し、高い電圧を発生させる光
電変換装置における第２の電極の構造に関する。

この発明は、マスクレス、プロセスであってレーザスク
ライブ方式（以下ＬＳという）を用い２つの素子を連結
する連結部の構造に関する。

本発明の装置における素子の配置、大きさ、形状は設計
仕様によって決められる。しかし、本発明の内容を簡単
にするため、以下の詳細な説明においては、第１の素子
の下側（基板側）の第１の電極と、その右隣りに配置し
た第２の素子の第２の電極（半導体上即ち基板から離れ
た側）とを電気的に直列接続させた場合を基として記す
。

かかる構成において、第１の素子および第２の素子の第
２の電極を互いに分離するための第３の開溝は、Ｐまた
はＮ型の非単結晶半導体層に密接して酸化インジューム
または酸化スズを主成分とする導電膜（以下ＣＯという
）を設け、該導電膜上にクロムを主成分とする金属膜（
以下単にクロムという）を積層して構成せしめたことを
特徴とする。

本発明は、半導体上に設けられた第２の電極用導体をレ
ーザ光を用いてスクライブせしめ、互いの電極に分離形
成せしめるものである。その際、１８００℃もの高温の
レーザ光の照射に対し、その下側の非単結晶半導体特に
水素化アモルファス半導体が多結晶化され、導電性にな
ってしまうことを防ぐため、昇華性のＣＯ上に昇華性の
クロムを積層してかかるＬＳにより第３の開溝下の半導
体と化合物を作ったり、またこの半導体のレーザアニー
ルによる多結晶化を防いだものである。

従来はこのＣＯ上には単に光の反射性金属である銀また
はアルミニュームが用いられていた。しかし、これらは
昇華性の金属でなく、かつ熱伝導率が大きいため、ＬＳ
を行う得る材料としては不適当であることが判明した。

さらに銀はＣＯと密着性が悪く、容易にはがれてしまう
。アルミニュームはＣＯと界面で酸化反応して酸化アル
ミニューム絶縁物になってしまう。これらのことより、
ＣＯ上の各層の改良がめられていた。

本発明はかかる目的のため、ＬＳ間で開溝が作られる金
属をクロムまたはニッケルを主成分としたものである。

即ち、例えばＣＯ上にクロムを５００〜５０００人の厚
さに形成させた。するとＣＯとクロムとはクロムが耐熱
性（融点１８００℃、沸点２６６０℃）かつ昇華性を有
し、かつ他材料との反応をおこしにくい材料であるため
、界面酸化をしないことが実験的に判明した。さらにそ
のシート抵抗も、従来より公知の電子ビーム法では１０
〜３０Ω／口（厚さ２０００人）しか得られなかった。

これをマグネトロンスパッタ法を用いると、０．７〜３
Ω／口（厚さ２０００人）と約１／１０にすることがで
きた。加えてクロムのオーム接触性もよく、きわめて望
ましいものであった。

以下に図面に従って本発明の詳細を示す。

第１図は本発明の製造工程を示す縦断面図である。

図面において絶縁表面を有する透光性基板（１）例えば
ガラス板（例えば厚さ０６６〜２．２ｗｍ例えば１．２
１１１１　、長さ〔図面では左右方向１６０ｃｍ、巾２
０ｃｍ）を用いた。さらにこの上面に全面にわたって透
光性導電膜例えばＩＴＯ（酸化インジェーム酸化スズ混
合物、即ち酸化スズを酸化インジェーム中に１０重量％
添加した膜）（約１５００人）　＋５ｎＯｚ（２００〜
４００人）または弗素等のハロゲン元素が添加された酸
化スズを主成分とする透光性導電膜（１５００〜２００
０人）を真空蒸着法、ＬＰＣＶ　Ｄ法、プラズマＣＶＤ
法またはスプレー法により形成させた。

この後、ＹＡＧレーザ加工機（日本レーザ製　波長１．
０６μまたは０．５３μ）により出力０．１〜３Ｗ（焦
点距１１４０ｔｓａｘ　）を加え、スポット径２０〜１
０ｐφ代表的には５０μφをマイクロコンピュータによ
り制御した。さらにこの照射レーザ光を走査させ、スク
ライブラインである第１の開溝（１３）を形成させて、
各素子間領域（３１）、（１１）に第１の電極（２）を
作製した。

この第１のＬＳにより形成された第１の開溝（１３）は
、巾約５０μ長さ２０ｃ−深さは第１のＣＴＦの電極そ
れぞれを完全に切断して電気的に分離した。

この後、この電極（２入開溝（１３）の上面にプラズマ
ＣＶＤ法またはＬＰＣＶ　Ｄ法により光照射により光起
電力を発生させる非単結晶半導体層（３）を０．２〜０
．８μ代表的には０．５μの厚さに形成させた。

その代表例はＰ型半導体（ＳｉｘＣ１−ｘｘ−０，８約
１００人）−１型アモルフブスまたはセミアモルファス
のシリコン半導体（約０．５μ）−Ｎ型の微結晶（約５
００人）を有する半導体珪素さらにこの上に５ｉｘｃ１
−ｘＸ−０，９約５０人を積層させて一つのＰＩＮ接合
を有する非単結晶半導体、またはＰ型半導体（ＳｉｘＣ
１−ｘ）　−Ｉ型、Ｎ型、Ｐ型Ｓｉ半導体−Ｉ型５ｉｘ
Ｇｅ　Ｉ−Ｘ半導体−Ｎ型Ｓｉ半導体よりなる２つのＰ
ＩＮ接合と１つのＰＮ接合を有するタンデム型のＰＩＮ
ＦＩＮ、、、、、ＰＩＮ接合の半導体（３）である。

かかる非単結晶半導体（３）を全面にわたって均一の膜
厚で形成させた。

さらに第１図（Ｂ）に示されるごとく、第１の開溝（１
３）の左方向側（第１の素子側）にわたって第２の開ｊ
ｌｉ　（１Ｂ）を第２のＬＳＩ程により形成させた。

この図面では第１および第２の開溝（１３＞、＜　１８
　）の中心間を１００μずらしている。

か（して第２の開溝（１８）は第１の電極の側面（８＞
、＜　９　’）または／および上面を露出させた。

第１図において、さらにこの上面に第２図（Ｃ）に示さ
れるごとく、裏面の第２の電極（４）および連結部（コ
ネクタＸ３０）を形成し、さらに第３のＬＳでの切断分
離用の第３の開溝（２０）を得た。

この第２の電極（４）は本発明の特長である導電性酸化
膜（ＣＯ）（４５）、＜４５つをＰまたはＮ型の半導体
上に密接させて形成させた。その厚さは１００〜３００
０人の厚さに形成させた。

このＣＯとして、Ｎ型半導体層上にここではＩＴＯ（酸
化インジューム酸化スズを主成分とする混合物）（４５
）を形成した。このＣＯとして酸化インジエームまたは
酸化スズを主成分として形成させることも可能である。

このＩＴＯは被膜形成の際きわめてまわりごみが起きや
すい。このためグループ（７）にも十分入り、ＣＴＦ　
（３７）の底面（６）と電気的によく連結させることが
可能となった。

これらは酸素が添加されたりアクティブスパッタ法を用
いて半導体層を劣化させないため、２００℃以下の温度
で形成させた。

このＣＯであるＩＴＯは本発明においてはきわめて重要
である。その効果は、 〔１〕第２の電極の金属（４Ｂ＞、（４Ｂ’）が珪素（
３）と合金層にならず、半導体（３）中に異常拡散され
てしまい上下の電極間をショートさせてしまうことを防
いでいる。即ち１５０〜２００℃での高温放置テストに
おける裏面電極−半導体界面での信頼性向上に役立って
いる。

〔２〕本発明の第３の開溝（２０）の形成の際、レーザ
光の１８００℃以上の高温、特にスクライブ領域（２０
）にてＬＳ用金属（４６）が半導体（３）内に侵入して
電極（３９）、＜３８）間でのリーク電流が１０−Ａ／
ｃ＋ｍ以上発生してしまうことを防ぐことができる。

このため第３の開溝形成による製造上の歩留りの低下を
防ぐことができる。

〔３〕半導体上のＰまたはＮ型半導体と相性のよいＣＯ
を形成することにより、即ちＮ型半導体に密接してＩＴ
ＯまたＰ型半導体層上には酸化インジェームを主成分と
するＣＯを設けて、この半導体、電極間の接触抵抗を下
げ、曲線因子、変換効率の向上をはかることができる。

〔４〕強いまわりこみにより連結部（１２）における第
１の素子の第１の電極（３７）の側面または側面と上面
とコンタクトを構成し、互いに酸化物であるため、この
コンタクト部にて長期使用における界面での絶縁性が増
加することがない、Ｉｐちもしアルミニューム等の金属
とＣＴＦ　（３７）とのコンタクトでは、金属がＣＴＰ
の酸素と長期間のうちに反応して絶縁性をこの界面で住
じさせてしまうが、このＣＯによる酸化物−酸化物コン
タクトはかかる絶縁性がコンタクト界面に生ずることが
なく、信頼性の向上が大きい。

〔５）入射光（１０）における半導体（３）、内で吸収
されなかった長波長光の反射用金属（４Ｂ）での反射を
促し、特にＩＴＯの厚さを９００〜１４００人好ましく
は平均厚さ１０５０人として６００〜ｂ星光の反射を大
きくさせ、変換効率の向上に有効である。

〔６〕コネクタをもこのＣｏが構成し、半導体特にＰＩ
Ｎ半導体のうちの敏感な活性１層に隣接しているため、
金属がマイブレイトしてしまうことを防いでいる。

このためＣＯ上の金属はクロムが優れていることが判明
した。実験的にも半導体層をもＬＳにて除去されず、理
想的な金属であった。

このクロムの低い光学的反射率を向上させ、ひいては素
子の変換効率を向上させるため、クロム中に銅または銀
を０．１〜５０重景％、例えば２．０〜１０重量％添加
した。即ち裏面電極は （１）　ＣＯ（１００〜３０００人）　Ｃｒ　（３００
〜５０００人）、（２）ＣＯ（１００〜３０００人）　
Ｃｒ−Ｃｕ　（２，５％）（３００〜５０００人入 （３）　ＣＯ（１００〜１５００人）　Ｃｒ−Ａｇ　（
２，５％）Ｃｒ　（３００〜５０００人） がＬＳの加工性において優れていた。

次に本発明においては、この第２の電極を構成するｃｏ
　（４５）とコネクタ（３０）とが電気的にシロートし
ないために、第３の開溝（２０）をその下の半導体が損
傷しないよう、または５００Å以下の深さにしか損傷し
ないようにして、第１の素子領域（３１）にわたって設
けた。即ち、本発明のＣＯとその上面のクロムの多層膜
とすることにより、レーザ光照射の際、このそれぞれの
成分が相互作用して気化、飛散するため、その下のアモ
ルファスシリコンを含む非単結晶半導体を多結晶化させ
たり、また除去したりすることがな（、レーザ照射がさ
れる対称電極としては理想的であることが実験的に判明
した。

この工程の結果、第１の素子の開放電圧が発生する電極
（３９＞、＜３８）間の電気的分離をレーザ光（２０〜
１００μφ代表的には５０μφ）を第２の開溝（１８）
より約１００μ離間せしめて形成させた。即ち第３の開
溝（２０）の中心は第２の開溝（３０）の中心に比べて
５０〜２００μ代表的には１００μの深さに第１の素子
側にわたって設けている。かくのごとく第２の電極（４
）を第３のＬＳのレーザ光を上方より照射して切断分離
してＭｌｋ　（２０）を形成した場合を示している。

さらにこの開＃　（２０）下の半導体層を室温〜２００
℃の酸化雰囲気（１〜ｌｄ日間の酸化）またはプラズマ
酸化雰囲気（１００〜２５０℃１〜５時間）中で酸化し
て酸化珪素（３４）を１００〜１０００人の厚さに形成
して、２つの電極（３９λ（３８）間のクロストークを
より防いだ。

かくして第１図（Ｃ）に示される。ごとく、複数の素子
（３１）、＜１１）を連結部（１２）で直接接続する光
電変換装置を作ることができた。

第１図（Ｄ＞はさらに本発明を充電変換装置として完成
させんとしたものであり、即ちバフシベイション膜とし
てプラズマ気相法により窒化珪素膜（２１）を５００〜
２０００　Ａの厚さに均一に形成させ、湿気等の吸着に
よる各素子間のリーク電流の発生をさらに防いだ。

さらに外部引出し端子を周辺部（５）にて設けた。

これらにポリイミド、ポリアミド、カプトンまたはエポ
キシ等の有機樹脂（２２）を充填した。

かくして照射光（１Ｇ）により発生した光起電力は底面
コンタクトより矢印（３２）のごとく第１の素子の第１
の電極より第２の素子の第２の電極に流れ、直列接続を
させることができた。

その結果、この基板（６０ｃ＋ｍ　Ｘ　２０ｃｍ）にお
いて各素子を巾１４．３５ａ＋ｍ連繕部の中１５０μ、
外部引出し電極部の中１０＋ｗｍ、周辺部４ｍａ＋によ
り、実質的に５８０−蒙Ｘ　１９２ｍｍ内に４０段を有
し、有効面積（１９２＋ｕ＋　ｘ１４．３５−一４０段
１１０２　ｃｄ即ち９１．８％）を得ることができた。

そして、セグメントが１０．８％（１，０５ｃｍ）の変
換効率を有する場合、パネルにて７．７％（理論的には
９．８％になるが、４０段連結の抵抗により実効変換効
率が低下した）（＾Ｍｌ　（１００ｔＷ／ａＪ）　）に
て、８、１Ｈの出力電力を有せしめることができた。

さらにこのパネルを１５０℃の高温放置テストを行うと
１０００時間を経て１０％以下例えばパネル数２０枚に
て最悪４％、Ｘ＝１．５％の低下しかみられなかった。

これは従来のマスク方式を用いて信頼性テストを同一条
件にて行う時、１０時間で動作不能パネル数が１７枚も
発生してしまうことを考えると、驚異的な値であワた。

第２図は３回のＬＳＩ程ての開溝を作る最も代表的なそ
れぞれの開溝の位置関係を示した縦断面図および平面図
（端部）である。

番号およびその工程は第２図と同様である。

第２．図（Ａ）は第１の開溝（１３）、第１の素子（３
１）、第２の素子（１１入連結部（１２）を有している
。

さらに第２の開溝（１８）は、第１の素子を構成すべき
半導体（３）の第１の電極（２）側にわたって設けられ
、これらいずれをも除去させている。

またサイドエッチによるグループ（７）が作製され、第
１の電極の底面（６）に第２の電極のｃ。

を連結させている。

この第３の開溝（２０）が、約６０μの深さに第１の素
子（３１）側にシフトしている。

このため、第３の開溝（２０）の右端部は、コネクタ部
（３０）の一部より若干（約１０μ）第１の素子（３１
）側にわたって設けられている。

さらに低温の長時間酸化により酸化物絶縁物（３４）を
形成し、第１および第２の素子（３１）、＜　１１　）
のそれぞれの第２の電極（４）を互いに電気的に切断分
離し、且つこの電極間のリークをも１０”’Ａ／ｃ＋ｎ
　（１ｃｍ中あたり１０−’Ａのオーダーの意）以下に
小さくすることができた。

第２図（Ｂ）は平面図を示し、またその端部（図面で下
側）において第１、第２、第３の開溝（１３）、＜１８
）、＜２０）が設けられている。

さらに素子の端部（図面下側）は、第１の電極（２）を
（１３’＞にて切断分離した。さらにこれを半導体（３
入第２の電極（４）の材料で覆い、さらにこの第２の電
極用導体（４）を（１３つよりも外端側にて第３の開溝
（５０）により分離した。

この縦断面図は第３図（Ａ）の端部に類似している。

この場合においてもこれら開溝（５０）を覆ってバンシ
ベイシヲン膜を形成させている。

この図面において、第１、第２、第３の開溝中は７０〜
２０μを有し、連結部の中３５０〜８０μ代表的には２
００μを有せしめることができた。

以上のＹＡＧレーザのスポット径を技術思想において小
さくすることにより、この連結部に必要な面積をより小
さく、ひいては光電変換装置としての有効面積（実効効
率）をより向上させることができるという進歩性を有し
ている。

第３図は光電変換装置の外部引出し電極部を示したもの
である。

第３図（Ａ）は第１図に対応しているが、外部引出し電
極部（５）は外部引出し電極（４７）に接触するパッド
（４９）を有し、このパッド（４９）は第２の電極（上
側電極）（４）と連結している。この時電極（４７）の
加圧が強すぎてバンド（４９）がその下の半導体（３）
を突き抜は第１の電極（２）と接触しても（４９）と（
２）とがショートしないよう暢開溝（１３’）が設けら
れている。

また外側部は第１の電極、半導体、第２の電極を同時に
一方のＬＳにてスクライブをした開溝（５０）で切断分
離されている。

さらに第３図（Ｂ）は下側の第１の電極（２）に連結し
た他のパッド（４８）が第２の電極材料により（１Ｂ’
）にて連結して設けられている。

さらにパッド（４８）は外部引出し電極（４６）と接触
しており、外部に電気的に連結している。

ここでも開溝（１８’）、（２０”）、（５０）により
パッド（４８）は全く隣の光電変換装置と電気的に分離
されており、（１８りにて第１の電極（２）と底面コン
タクトを（６）にて構成させている。

つまり光電変換装置は有機樹脂モールド（２２）で電極
部（５）、＜４５）を除いて覆われており、耐湿性の向
上を図った。

またこのパネル例えば４０ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍまたは６
０ｃｍ　ｘ２０ｃｍ、　４０ｃｍ　Ｘ　１２０ｃｍを２
ケ、４ケまたは１ケをアルミサツシまたは炭素繊維枠内
に組み合わせることによりパンケージさせ、１２０ｃｍ
　Ｘ　４０ｃｍ＋のＮＨＤＯ規格の大電力用のパネルを
設けることが可能である。

またこのＮｌ！ＤＯ規格のパネルはシーフレックスによ
り弗素系保護膜を本発明の光電変換装置の反射面倒（図
面では上側）にはりあわせて合わせ、風圧、雨等に対し
機械強度の増加を図ることも有効である。

本発明において、基板は透光性絶縁基板のうち特にガラ
スを用いている。

しかしこの基板として可曲性有機樹脂またはアルミニュ
ーム、ステンレス等の薄膜上に有機樹脂、酸化アルミニ
ューム、酸化珪素または窒化珪素をＯ０１〜２μの厚さ
に形成した複合基板を用いることは有効である。

さらに本発明を以下に実施例を記してその詳細を補完す
る。

実施例１ 第１図の・図面に従ってこの実施例を示す。

即ち透光性基板（１）として化学強化ガラス厚さ１１ｍ
＋＋＊　、長さ６０ｃｍ、　１１１２０ｃｍを用いた。

この上面に窒化珪素膜を０．１μの厚さに塗付しブロッ
キング層とした。

さらにその上にＣＴＦをＩＴ　０１６００人士５ｎＯＬ
３００人を電子ビーム蒸着法により作製した。

さらにこの後、第１の開溝をスポット径５０μ、出力１
−のＹＡＧレーザをマイクロコンピュータにより制御し
て３ｍ／分の走査速度にて作製した。

さらにパネルの端部をレーザ光出力１ｆＩにて第１の電
極用半導体をガラス端より５１１ＩＩＩ＋内側で長方形
に走査し、パネルの枠との電気的短絡を防止した。

素子領域（３１）、＜　１１　）は１５ｓ＋ｍ巾とした
。

この後公知のＰＣＶＤ法により第２図に示したＰＩＮ接
合を１つ有する非単結晶半導体を作製した。

その厚さは約０．５μであった。

かかる後、第１の開溝より１００μ第１の素子（３１）
をシフトさせて、スポット径５０．ｕφにて出力１−に
て大気中でＬＳにより第２の開溝（１８）を第２図（Ｂ
）に示すごとく作製した。

さらにこの全体にＣＯとしてＩＴＯをリアクテイブスバ
ンタ法により平均膜厚１０５０人に、さらにその上面に
クロムを１０００〜１５００人の厚さにマクネトロンス
バンタ法により作製して、第２の電極（４５）、コネク
タ（３０）を構成せしめた。

マグネトロンＤＣスバンタＣｒ膜特性 到達　Ａｒガス導入　ＤＣＰｏｗｅｒ　基板　スパッタ
真空度　時の真空度　Ｖｌ　温度　少時間（ｔｏｒｒ）
　（ｔｏｒｒ）　（Ｖ）　（ＡＸ’ｔ：）　（ｓｅｃ、
）１　６ｘｌ□’　１ｘｌＯ−３４７０１１００１３０
（１８０）２　１ＸＩＯ−５＃＃Ｉ　Ｒ，７１３０（１
２０）３’　７Ｘ１０−　５Ｘ１０−３　３９５　１．
１９　”　１２０　（１２Ｇ）（但し基板ターゲット間
距離７５ｍｍ）膜特性 Ｒｓｈｅｅｔ　（Ω／口）　Ｔｈ１ｃｋｎｅｓｓ　（人
）１　０．９９〜１．１５　１１００ ２　０．９８〜１．１５　１５００ ３　３．０６〜４．５１　１０００ さらに第３の開溝（２０）を同様に第３のＬＳｔ−ＹＡ
Ｇレーザを用い、ＩＷの出力５０μφにより第２の開溝
（１８）より１００μのわたり深さに第１の素子（３１
）側にシフトして形成させ、第２図（Ｃ）を得た。

この後、パッシベイション膜（２１）をＰＣＶＤ法によ
り窒化珪素膜を１０００人の厚さに２００℃の温度にて
作製した。

すると２０ｃｓ　Ｘ　６０ｃｍのパネルに１５ｍｍ巾の
素子を４０段作ることができた。

パネルの実効効率として八Ｍｌ　（１０軸Ｗ／ｄ）にて
７．９％、出力８．７１１を得ることができた。

有効面積は１１０２−であり、パネル全体の９１．８％
を有効に利用するこ工ができた。

この実施例においては、第１図（Ｄ）に示すごとく、上
側の保護用有機樹脂（２２）を重合わせることにより、
有機樹脂シートの間に光電変換装置をはさむ構造とする
ことができ、可曲性を有し、きわめて安価で多量生産が
可能になった。

第１図〜第２図において、光入射は下側の透光性絶縁基
板よりとした。

しかし本発明はその光入射側を下側に限定することなく
、上側の電極をＩＴＯとして上側より光照射を行うこと
も可能であり、また基板もガラス基板ではなく可曲性基
板を用いることは可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光電変換装置の製造工程を示す縦断面
図である。 第２図は本発明の光電変換装置の縦断面図である。 第３図は本発明の他の光電変換装置の部分拡大をした縦
断面図である。 特許出願人 ｖ、２■ （Ａ） （？） 茗９■

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上の非単結晶半導体上に酸化物導電膜と該導電
   股上にクロムを主成分とする金属膜とをマグネトロンス
   パッタ法にて形成する工程と、前記導電膜および金属膜
   とにレーザ光を照射して選択的に除去することにより開
   溝を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装
   置作製方法。 ２、絶縁表面を有する基板上の導電膜に第１の開溝を形
   成して複数の電極領域を形成する工程と、該第１の開溝
   および前記電極領域上にＰＮまたはＰＩＮ接合を少なく
   とも１つ有する非単結晶半導体を形成する工程と、前記
   第１の素子の前記半導体を選択的に除去して前記第１の
   素子の第１の電極を露呈せしめる第２の開溝を形成する
   工程及、前記半導体上および前記第２の開溝の第１の電
   極に酸化物導電膜と該導電膜上にクロムを主成分とする
   金属膜をマグネトロンスパッタ法にて積層して第２の導
   電＋１Ｊを形成して前記第１の素子の第１の電極と前記
   第２の素子の第２の電極とを連結せしめる工程と、前記
   第２の導電膜にレーザ光を照射して除去して作られた第
   ３の開溝により前記第１の素子および第２の素子のそれ
   ぞれの第２の電極を形成せしめることを特徴とする半導
   体装置作製方法。