JPH10294483A - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
光電変換装置の製造方法Info
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- JPH10294483A JPH10294483A JP9104128A JP10412897A JPH10294483A JP H10294483 A JPH10294483 A JP H10294483A JP 9104128 A JP9104128 A JP 9104128A JP 10412897 A JP10412897 A JP 10412897A JP H10294483 A JPH10294483 A JP H10294483A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
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Abstract
(57)【要約】
【課題】絶縁性基板上に、下部電極層、半導体層、上部
電極層を積層した光電変換装置において、高付着強度
と、低抵抗とを両立させた下部電極層をもつ光電変換装
置の製造方法を提供する。 【解決手段】絶縁性基板１２上に、ＤＣスパッタ法によ
り、アルミニウム電極層１３を形成した後、基板温度３
５０℃で、高温銀電極層１４ａ、基板温度２００で低温
銀電極層１４ｂを堆積する。高温成膜により、絶縁性基
板１２との付着強度を確保し、低温成膜により、低抵
抗、高反射率を実現することができる。
電極層を積層した光電変換装置において、高付着強度
と、低抵抗とを両立させた下部電極層をもつ光電変換装
置の製造方法を提供する。 【解決手段】絶縁性基板１２上に、ＤＣスパッタ法によ
り、アルミニウム電極層１３を形成した後、基板温度３
５０℃で、高温銀電極層１４ａ、基板温度２００で低温
銀電極層１４ｂを堆積する。高温成膜により、絶縁性基
板１２との付着強度を確保し、低温成膜により、低抵
抗、高反射率を実現することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁性基板上に、
光電変換層とそれを挟む電極層が積層されてなる太陽電
池等の光電変換層装置の製造方法に関する。
光電変換層とそれを挟む電極層が積層されてなる太陽電
池等の光電変換層装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池はクリーンなエネルギーとして
注目されており、その技術の進歩はめざましいものがあ
る。特に、アモルファス（非晶質）シリコンを主材料と
した光電変換層は大面積の成膜が容易で低価格であるた
め、それを用いた薄膜太陽電池に対する期待は大きい。
従来の薄膜太陽電池にはガラス基板が用いられていた
が、厚型で重く、割れやすい欠点があり、また、屋外の
屋根などへの適用時の作業性の改善等のため、薄型、軽
量化の要望が強くなっている。これらの要望に対して可
撓性のあるプラスチックフィルムあるいは箔状金属フィ
ルムを基板に用いた可撓性薄膜太陽電池の実用化が進み
つつある。
注目されており、その技術の進歩はめざましいものがあ
る。特に、アモルファス（非晶質）シリコンを主材料と
した光電変換層は大面積の成膜が容易で低価格であるた
め、それを用いた薄膜太陽電池に対する期待は大きい。
従来の薄膜太陽電池にはガラス基板が用いられていた
が、厚型で重く、割れやすい欠点があり、また、屋外の
屋根などへの適用時の作業性の改善等のため、薄型、軽
量化の要望が強くなっている。これらの要望に対して可
撓性のあるプラスチックフィルムあるいは箔状金属フィ
ルムを基板に用いた可撓性薄膜太陽電池の実用化が進み
つつある。
【０００３】図５はそのような薄膜太陽電池１の断面構
造図を概念的に示し、フィルム基板２上に、下部電極層
として、例えばアルミニウム電極層３と、銀電極層４を
形成する。次に、光電変換層となるアモルファスシリコ
ンなどの半導体層５を形成した後、インジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）など上部電極層となる透明電極層６を積層す
る。ここで、アルミニウム電極層３は、表面での光の散
乱を高めてその散乱光を利用して高効率化を図るため
に、表面に細かい凹凸をもつテクスチャー構造としてい
る。また、下部電極層がアルミニウム電極層３だけでは
抵抗が高く、反射率の低いものになるため、その上に、
アルミニウムより抵抗が約１／２で、反射率も１０〜２
０％高い銀電極層４を重ねて、電気抵抗を下げるととも
に反射率を高めている。
造図を概念的に示し、フィルム基板２上に、下部電極層
として、例えばアルミニウム電極層３と、銀電極層４を
形成する。次に、光電変換層となるアモルファスシリコ
ンなどの半導体層５を形成した後、インジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）など上部電極層となる透明電極層６を積層す
る。ここで、アルミニウム電極層３は、表面での光の散
乱を高めてその散乱光を利用して高効率化を図るため
に、表面に細かい凹凸をもつテクスチャー構造としてい
る。また、下部電極層がアルミニウム電極層３だけでは
抵抗が高く、反射率の低いものになるため、その上に、
アルミニウムより抵抗が約１／２で、反射率も１０〜２
０％高い銀電極層４を重ねて、電気抵抗を下げるととも
に反射率を高めている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような薄膜太陽
電池において、下部電極層として望ましい性質として
は、光を吸収しやすくするための凹凸があること、表面
層の反射率が高いこと、そして抵抗が低いことがあげら
れる。銀は高反射率、低抵抗の金属材料であり、下部電
極層に適する材料として用いられてきた。しかし、プラ
スチックの絶縁性基板を用いる場合、銀電極層を直接形
成して、基板との強い付着力を得、なおかつ成膜時の凝
集を利用して凹凸を作るためには、成膜時の基板温度を
高くする必要がある。一方、成膜温度を高くすると抵抗
の増加と反射率の低下、そして熱応力や歪みの問題が生
じやすく、良好な構造を得ることが難しい。
電池において、下部電極層として望ましい性質として
は、光を吸収しやすくするための凹凸があること、表面
層の反射率が高いこと、そして抵抗が低いことがあげら
れる。銀は高反射率、低抵抗の金属材料であり、下部電
極層に適する材料として用いられてきた。しかし、プラ
スチックの絶縁性基板を用いる場合、銀電極層を直接形
成して、基板との強い付着力を得、なおかつ成膜時の凝
集を利用して凹凸を作るためには、成膜時の基板温度を
高くする必要がある。一方、成膜温度を高くすると抵抗
の増加と反射率の低下、そして熱応力や歪みの問題が生
じやすく、良好な構造を得ることが難しい。
【０００５】これを解決する方法の一つとして、図５の
ように下部電極層として、アルミニウムと銀との二層に
する方法が考えられた。図６は、下部電極層の拡大断面
図である。絶縁性基板２上に、アルミニウム電極層３が
形成され、その上に銀電極層４が形成されている。アル
ミニウム電極層３の表面には、成膜時の凝集によるテク
スチャー構造の高さ数１０ｎｍ、間隔が３００ｎｍ程度
の凹凸が見られる。このように、低融点であるアルミニ
ウムは、凹凸は作りやすい反面、前述のように反射率、
抵抗の点で劣っている。そのため、図６のようにアルミ
ニウム電極層４で凹凸を作り、その上に銀電極層５を製
膜して、高い反射率と低抵抗を同時に実現しようとして
いる。しかし、この場合にも次のような問題がある。
ように下部電極層として、アルミニウムと銀との二層に
する方法が考えられた。図６は、下部電極層の拡大断面
図である。絶縁性基板２上に、アルミニウム電極層３が
形成され、その上に銀電極層４が形成されている。アル
ミニウム電極層３の表面には、成膜時の凝集によるテク
スチャー構造の高さ数１０ｎｍ、間隔が３００ｎｍ程度
の凹凸が見られる。このように、低融点であるアルミニ
ウムは、凹凸は作りやすい反面、前述のように反射率、
抵抗の点で劣っている。そのため、図６のようにアルミ
ニウム電極層４で凹凸を作り、その上に銀電極層５を製
膜して、高い反射率と低抵抗を同時に実現しようとして
いる。しかし、この場合にも次のような問題がある。
【０００６】図３は、アルミニウムと銀との二層膜をア
ルミニウム、銀の順に成膜した際の、銀の成膜時の基板
温度を変えて調べた、その界面の付着強度の基板温度依
存性を示す特性図である。この図に見られるように、銀
電極層の成膜時の基板温度が高い程、アルミニウムと銀
との付着強度が大きい。逆に、成膜時の温度が低いと、
付着強度が小さく、剥離が生じ易いことになる。
ルミニウム、銀の順に成膜した際の、銀の成膜時の基板
温度を変えて調べた、その界面の付着強度の基板温度依
存性を示す特性図である。この図に見られるように、銀
電極層の成膜時の基板温度が高い程、アルミニウムと銀
との付着強度が大きい。逆に、成膜時の温度が低いと、
付着強度が小さく、剥離が生じ易いことになる。
【０００７】また、図４は、図３の場合と同様に作製し
た試料の、シート抵抗の成膜時温度基板依存性を示す特
性図である。この図に見られるように、銀電極層の成膜
時の基板温度が高いと、特に２５０℃を越えると高抵抗
化している。これは、アルミニウムと銀とが合金化した
ためと考えられる。また、この２５０℃を越えた領域で
は、低反射率化していることもわかった。これは、合金
化だけでなく、アルミニウムが再結晶化することによ
り、表面の凹凸の構造が失われている可能性もある。
た試料の、シート抵抗の成膜時温度基板依存性を示す特
性図である。この図に見られるように、銀電極層の成膜
時の基板温度が高いと、特に２５０℃を越えると高抵抗
化している。これは、アルミニウムと銀とが合金化した
ためと考えられる。また、この２５０℃を越えた領域で
は、低反射率化していることもわかった。これは、合金
化だけでなく、アルミニウムが再結晶化することによ
り、表面の凹凸の構造が失われている可能性もある。
【０００８】図３、図４から、従来の製造方法ではアル
ミニウム電極層上に銀電極層を有する光電変換装置にお
いて、大きな付着強度と低抵抗とを同時に成立させるこ
とは困難なことがわかる。以上の問題に鑑み本発明の目
的は、良好なテクスチャー構造を保ち、強い付着強度
と、高い反射率と、低い抵抗とを同時に実現した電極を
もつ太陽電池の製造方法を提供することにある。
ミニウム電極層上に銀電極層を有する光電変換装置にお
いて、大きな付着強度と低抵抗とを同時に成立させるこ
とは困難なことがわかる。以上の問題に鑑み本発明の目
的は、良好なテクスチャー構造を保ち、強い付着強度
と、高い反射率と、低い抵抗とを同時に実現した電極を
もつ太陽電池の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明は、絶縁性基板の一面上に、下部電極層、光電
変換層である半導体層および上部電極層を順に成膜する
工程を備えた光電変換装置の製造方法において、下部電
極層の形成を、高温で成膜する第一段階と、それより低
温で成膜する第二段階との少なくとも二段階によりおこ
なうものとする。例えば、少なくとも下部電極層の一部
が銀であり、第一段階を３００℃〜４００℃の基板温度
でおこない、第二段階を２５０℃以下の基板温度でおこ
なうものである。
め本発明は、絶縁性基板の一面上に、下部電極層、光電
変換層である半導体層および上部電極層を順に成膜する
工程を備えた光電変換装置の製造方法において、下部電
極層の形成を、高温で成膜する第一段階と、それより低
温で成膜する第二段階との少なくとも二段階によりおこ
なうものとする。例えば、少なくとも下部電極層の一部
が銀であり、第一段階を３００℃〜４００℃の基板温度
でおこない、第二段階を２５０℃以下の基板温度でおこ
なうものである。
【００１０】そのようにすれば、第一段階の高温成膜
で、付着強度が強くしかも散乱が大きい電極が得られ、
第二段階の低温成膜で、高い反射率と低抵抗の電極が得
られる。特に、下部電極層の基板側にアルミニウム層を
設けることがよい。アルミニウムは低融点金属なので、
銀より低温で凝集による良好なテクスチャー構造が形成
できる。
で、付着強度が強くしかも散乱が大きい電極が得られ、
第二段階の低温成膜で、高い反射率と低抵抗の電極が得
られる。特に、下部電極層の基板側にアルミニウム層を
設けることがよい。アルミニウムは低融点金属なので、
銀より低温で凝集による良好なテクスチャー構造が形成
できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、実施例をもとに本発明の実
施の形態について説明する。 ［実施例１］図１は、本発明にかかる実施例の薄膜太陽
電池１１の部分断面図である。厚さ５０μｍのポリイミ
ド樹脂を可撓性の絶縁性基板１２とした。その絶縁性基
板１２上に、ＤＣスパッタリング法により、アルミニウ
ム電極層１３を厚さ８０ｎｍ成膜した。ＤＣスパッタリ
ングの条件としては、基板温度は３５０℃、アルゴン添
加の減圧状態（０．５Ｐａ）、電力は３ｋＷとした。こ
の第一電極層３の形成時に良好なテクスチャー構造を形
成できた。
施の形態について説明する。 ［実施例１］図１は、本発明にかかる実施例の薄膜太陽
電池１１の部分断面図である。厚さ５０μｍのポリイミ
ド樹脂を可撓性の絶縁性基板１２とした。その絶縁性基
板１２上に、ＤＣスパッタリング法により、アルミニウ
ム電極層１３を厚さ８０ｎｍ成膜した。ＤＣスパッタリ
ングの条件としては、基板温度は３５０℃、アルゴン添
加の減圧状態（０．５Ｐａ）、電力は３ｋＷとした。こ
の第一電極層３の形成時に良好なテクスチャー構造を形
成できた。
【００１２】次に、同じくＤＣスパッタリング法によ
り、先ず、基板温度３５０℃、電力は１ｋＷで、高温銀
電極層１４ａを５０ｎｍ成膜した後、基板温度を２００
℃に下げ、電力２ｋＷで、低温銀電極層１４ｂを２００
ｎｍ成膜した。この後、光電変換層となる半導体層１５
を形成した。本実施例では通常のグロー放電分解法によ
り堆積される水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：
Ｈ）系の材料を用いてｎ−ｉ−ｐ接合を形成した。その
上に上部電極層である透明電極層１６を形成する。本実
施例ではスパッタ法によるＩＴＯの例を示した。ＺｎＯ
などの酸化物導電膜を用いることもできる。
り、先ず、基板温度３５０℃、電力は１ｋＷで、高温銀
電極層１４ａを５０ｎｍ成膜した後、基板温度を２００
℃に下げ、電力２ｋＷで、低温銀電極層１４ｂを２００
ｎｍ成膜した。この後、光電変換層となる半導体層１５
を形成した。本実施例では通常のグロー放電分解法によ
り堆積される水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：
Ｈ）系の材料を用いてｎ−ｉ−ｐ接合を形成した。その
上に上部電極層である透明電極層１６を形成する。本実
施例ではスパッタ法によるＩＴＯの例を示した。ＺｎＯ
などの酸化物導電膜を用いることもできる。
【００１３】このような製造方法によった結果、アルミ
ニウム電極層１３と銀電極層１４との間の付着強度は、
３０ＭＰａ以上であり、規格の１８ＭＰａを十分に満足
した。また、低温銀電極層１４ｂの成膜温度は２００℃
としたので、合金化は抑制され、抵抗の増大は観察され
ず、高い反射率の銀電極層１４が実現できた。例えば、
反射光を積分した散乱光反射率で、約２０％の向上が見
られた。これは、アルミニウムの再結晶も無く、アルミ
ニウム電極層１３表面のテクスチャー構造も良く保たれ
たことも意味している。
ニウム電極層１３と銀電極層１４との間の付着強度は、
３０ＭＰａ以上であり、規格の１８ＭＰａを十分に満足
した。また、低温銀電極層１４ｂの成膜温度は２００℃
としたので、合金化は抑制され、抵抗の増大は観察され
ず、高い反射率の銀電極層１４が実現できた。例えば、
反射光を積分した散乱光反射率で、約２０％の向上が見
られた。これは、アルミニウムの再結晶も無く、アルミ
ニウム電極層１３表面のテクスチャー構造も良く保たれ
たことも意味している。
【００１４】この例では、絶縁性基板１２としてはポリ
イミド樹脂フィルムを用いたが、アラミド、ポリエーテ
ルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、
ポリアミドなどのプラスチックフィルムを用いてもよ
い。膜厚は実施例では５０μｍとしたが、この厚さに限
定されるものではない。また、ガラス等の非可とう性の
絶縁性基板に用いることも出来る。更に、ＤＣスパッタ
リング法で成膜したが、ＲＦスパッタリング法を用いる
こともできる。
イミド樹脂フィルムを用いたが、アラミド、ポリエーテ
ルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、
ポリアミドなどのプラスチックフィルムを用いてもよ
い。膜厚は実施例では５０μｍとしたが、この厚さに限
定されるものではない。また、ガラス等の非可とう性の
絶縁性基板に用いることも出来る。更に、ＤＣスパッタ
リング法で成膜したが、ＲＦスパッタリング法を用いる
こともできる。
【００１５】［実施例２］図２は、本発明にかかる別の
実施例の薄膜太陽電池２１の部分断面図である。実施例
１と同じく、厚さ５０μｍのポリイミド樹脂を可撓性の
絶縁性基板２２とした。その絶縁性基板２２上に、ＤＣ
スパッタリング法により、先ず、高温銀電極層２４ａを
厚さ１５０ｎｍ成膜した。ＤＣスパッタリングの条件と
しては、基板温度は３５０℃、アルゴン添加の減圧状態
（０．５Ｐａ）、電力は２ｋＷとした。
実施例の薄膜太陽電池２１の部分断面図である。実施例
１と同じく、厚さ５０μｍのポリイミド樹脂を可撓性の
絶縁性基板２２とした。その絶縁性基板２２上に、ＤＣ
スパッタリング法により、先ず、高温銀電極層２４ａを
厚さ１５０ｎｍ成膜した。ＤＣスパッタリングの条件と
しては、基板温度は３５０℃、アルゴン添加の減圧状態
（０．５Ｐａ）、電力は２ｋＷとした。
【００１６】次に、基板温度を２００℃に下げ、電力１
ｋＷで、低温銀電極層２４ｂを厚さ５０ｎｍ成膜した。
この後、光電変換層となる半導体層２５を形成し、その
上にスパッタ法により上部電極層であるＩＴＯの透明電
極層２６を形成した。このような製造方法によった結
果、高温銀電極層２４ａの形成時に良好なテクスチャー
構造を形成すると同時に、絶縁性基板２２との付着強度
を確保した。付着強度は、４０ＭＰａ以上であり、規格
の２０ＭＰａを十分に満足した。また、成膜温度が２０
０℃の低温銀電極層２４ｂの形成によって、銀電極層２
４全体の低抵抗化を図り、反射率の高い表面が得られ
た。表面のテクスチャー構造も良く保たれていた。
ｋＷで、低温銀電極層２４ｂを厚さ５０ｎｍ成膜した。
この後、光電変換層となる半導体層２５を形成し、その
上にスパッタ法により上部電極層であるＩＴＯの透明電
極層２６を形成した。このような製造方法によった結
果、高温銀電極層２４ａの形成時に良好なテクスチャー
構造を形成すると同時に、絶縁性基板２２との付着強度
を確保した。付着強度は、４０ＭＰａ以上であり、規格
の２０ＭＰａを十分に満足した。また、成膜温度が２０
０℃の低温銀電極層２４ｂの形成によって、銀電極層２
４全体の低抵抗化を図り、反射率の高い表面が得られ
た。表面のテクスチャー構造も良く保たれていた。
【００１７】すなわち、絶縁性基板２２上に直接銀電極
層２４を設けた場合でも、付着強度の大きい、しかも低
抵抗で反射率の高い下部電極層が実現できた。絶縁性基
板としては、先に述べた各種のプラスチックフィルムや
ガラス等を用いることができる。また、スパッタ法もＲ
Ｆスパッタ法でもよい。
層２４を設けた場合でも、付着強度の大きい、しかも低
抵抗で反射率の高い下部電極層が実現できた。絶縁性基
板としては、先に述べた各種のプラスチックフィルムや
ガラス等を用いることができる。また、スパッタ法もＲ
Ｆスパッタ法でもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、絶
縁性基板上に積層された光電変換装置の製造方法におい
て、下部電極層の形成を、高温で成膜する第一段階と、
それより低温で成膜する第二段階との少なくとも二段階
によりおこなうことによって、強い付着強度と、高い反
射率と、低い抵抗とを同時に実現し、しかも良好なテク
スチャー構造を保った電極をもつ光電変換装置とした。
これにより、光電変換装置の高効率化、高信頼化を図る
ことができる。
縁性基板上に積層された光電変換装置の製造方法におい
て、下部電極層の形成を、高温で成膜する第一段階と、
それより低温で成膜する第二段階との少なくとも二段階
によりおこなうことによって、強い付着強度と、高い反
射率と、低い抵抗とを同時に実現し、しかも良好なテク
スチャー構造を保った電極をもつ光電変換装置とした。
これにより、光電変換装置の高効率化、高信頼化を図る
ことができる。
【図１】本発明の一実施例の薄膜太陽電池の部分斜視図
【図２】本発明の別の実施例の薄膜太陽電池の部分斜視
図
図
【図３】アルミニウム層と銀層間の付着強度の成膜時基
板温度依存性を示す特性図
板温度依存性を示す特性図
【図４】アルミニウム層と銀層とを積層した層の抵抗の
成膜時基板温度依存性を示す特性図
成膜時基板温度依存性を示す特性図
【図５】従来の薄膜太陽電池の部分断面図
【図６】薄膜太陽電池の下部電極層付近の拡大断面図
１、１１、２１ 薄膜太陽電池 ２、１２、２２ 絶縁性基板 ３、１３ アルミニウム電極層 ４、１４、２４ 銀電極層 ５、１５、２５ 半導体層 ６、１６、２６ 透明電極層 １４ａ、２４ａ 高温銀電極層 １４ｂ、２４ｂ 低温銀電極層
Claims (3)
- 【請求項１】絶縁性基板の一面上に、下部電極層、光電
変換層である半導体層および上部電極層を順に成膜する
工程を備えた光電変換装置の製造方法において、 下部電極層の形成を、高温で成膜する第一段階と、それ
より低温で成膜する第二段階との少なくとも二段階によ
りおこなうことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 【請求項２】少なくとも下部電極層の一部が銀であり、
第一段階を３００℃〜４００℃の基板温度でおこない、
第二段階を２５０℃以下の基板温度でおこなうことを特
徴とする請求項１記載の光電変換装置の製造方法。 - 【請求項３】下部電極層の基板側にアルミニウム層を設
けることを特徴とする請求項１または２に記載の光電変
換装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9104128A JPH10294483A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 光電変換装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9104128A JPH10294483A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 光電変換装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294483A true JPH10294483A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=14372487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9104128A Pending JPH10294483A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 光電変換装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10294483A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007080997A1 (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 銀導電膜およびその製造法 |
| WO2011077963A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
| JP2011210941A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Toppan Forms Co Ltd | 太陽電池 |
-
1997
- 1997-04-22 JP JP9104128A patent/JPH10294483A/ja active Pending
Cited By (4)
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