JPH10163512A - 薄膜光電変換素子 - Google Patents
薄膜光電変換素子Info
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- JPH10163512A JPH10163512A JP8322501A JP32250196A JPH10163512A JP H10163512 A JPH10163512 A JP H10163512A JP 8322501 A JP8322501 A JP 8322501A JP 32250196 A JP32250196 A JP 32250196A JP H10163512 A JPH10163512 A JP H10163512A
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- zinc oxide
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】
【課題】少なくとも一つのｐｎ接合、またはｐｉｎ接合
を持つ薄膜光電変換素子において、高温、高湿サイクル
試験等における金属電極の剥離を防止する。 【解決手段】ポリイミドの基板１上に、銀電極２、酸化
インジウム亜鉛層（ＺｎX1ＩｎY ＯZ ただしＸ１＋Ｙ
＝１、Ｚは必ずしも１ではない）３、酸化亜鉛層４、ｎ
型ａ−Ｓｉ層６、ノンドープａ−Ｓｉ層７、ｐ型ａ−Ｓ
ｉ層８、透明電極９を積層し、銀電極２および透明電極
９上に、それぞれ取り出し電極５、グリッド電極１０を
形成する。
を持つ薄膜光電変換素子において、高温、高湿サイクル
試験等における金属電極の剥離を防止する。 【解決手段】ポリイミドの基板１上に、銀電極２、酸化
インジウム亜鉛層（ＺｎX1ＩｎY ＯZ ただしＸ１＋Ｙ
＝１、Ｚは必ずしも１ではない）３、酸化亜鉛層４、ｎ
型ａ−Ｓｉ層６、ノンドープａ−Ｓｉ層７、ｐ型ａ−Ｓ
ｉ層８、透明電極９を積層し、銀電極２および透明電極
９上に、それぞれ取り出し電極５、グリッド電極１０を
形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体接合を利用
して光を電気エネルギーに変換する光電変換素子に関す
る。
して光を電気エネルギーに変換する光電変換素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来知られている光電変換素子の例を図
６、図７に示す。図６は、ステンレス基板４１上に銀電
極２、酸化亜鉛（ＺｎX2Ｏ但しＸ２は必ずしも１でな
い）層４、ｎ型非晶質シリコン層（以下ａ−Ｓｉ層と記
す）６とノンドープａ−Ｓｉ層７およびｐ型ａ−Ｓｉ層
８からなるｐ−ｉ−ｎ接合を持つ半導体層、透明電極
９、グリッド電極１０を順に積重ねた構成のものであ
り、また図７は、ガラス基板１１に透明電極９、ｐ−ｉ
−ｎ接合を構成するｐ型、ノンドープ、ｎ型ａ−Ｓｉ層
８、７、６、酸化亜鉛層４、銀電極２を順に積層した構
成のものである。ただし、この図では、光が入射する側
を上にしているので、ガラス基板１１が上になってい
る。ａ−Ｓｉ層と銀電極との間に、酸化亜鉛層を挟んだ
構成は、光の反射率を高めるためであり、例えば Baner
jee, A. らの報告[Conf. Record of the 23rd IEEE Pho
tovoltaic Specialists Conf. -1993 , p.795] にも記
載されている。
６、図７に示す。図６は、ステンレス基板４１上に銀電
極２、酸化亜鉛（ＺｎX2Ｏ但しＸ２は必ずしも１でな
い）層４、ｎ型非晶質シリコン層（以下ａ−Ｓｉ層と記
す）６とノンドープａ−Ｓｉ層７およびｐ型ａ−Ｓｉ層
８からなるｐ−ｉ−ｎ接合を持つ半導体層、透明電極
９、グリッド電極１０を順に積重ねた構成のものであ
り、また図７は、ガラス基板１１に透明電極９、ｐ−ｉ
−ｎ接合を構成するｐ型、ノンドープ、ｎ型ａ−Ｓｉ層
８、７、６、酸化亜鉛層４、銀電極２を順に積層した構
成のものである。ただし、この図では、光が入射する側
を上にしているので、ガラス基板１１が上になってい
る。ａ−Ｓｉ層と銀電極との間に、酸化亜鉛層を挟んだ
構成は、光の反射率を高めるためであり、例えば Baner
jee, A. らの報告[Conf. Record of the 23rd IEEE Pho
tovoltaic Specialists Conf. -1993 , p.795] にも記
載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これらの構成に共通の
課題は、金属電極と酸化亜鉛層との界面の剥離の防止で
ある。特に、初期的には、剥離が観察されない場合で
も、ヒートサイクルや高温高湿サイクル等の、熱、湿度
履歴により、金属電極と酸化亜鉛層との界面の接着力が
低下して、金属電極の剥離が観察されることがある。
課題は、金属電極と酸化亜鉛層との界面の剥離の防止で
ある。特に、初期的には、剥離が観察されない場合で
も、ヒートサイクルや高温高湿サイクル等の、熱、湿度
履歴により、金属電極と酸化亜鉛層との界面の接着力が
低下して、金属電極の剥離が観察されることがある。
【０００４】以上の問題に鑑み本発明の目的は、金属電
極の半導体層との間の接着強度を高め、特に熱、湿度履
歴を経た後でも金属電極が剥離しない薄膜光電変換素子
を提供することにある。
極の半導体層との間の接着強度を高め、特に熱、湿度履
歴を経た後でも金属電極が剥離しない薄膜光電変換素子
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
本発明は、少なくとも一つのｐｎ接合を持つ薄膜光電変
換素子において、光電変換層である半導体層の光の入射
する側と反対側の電極構造を、半導体層側から酸化イン
ジウム亜鉛層（ＺｎX1ＩｎY ＯZ ただしＸ１＋Ｙ＝
１、Ｚは必ずしも１ではない）、金属電極とするものと
する。
本発明は、少なくとも一つのｐｎ接合を持つ薄膜光電変
換素子において、光電変換層である半導体層の光の入射
する側と反対側の電極構造を、半導体層側から酸化イン
ジウム亜鉛層（ＺｎX1ＩｎY ＯZ ただしＸ１＋Ｙ＝
１、Ｚは必ずしも１ではない）、金属電極とするものと
する。
【０００６】そのようにすれば、酸化インジウム亜鉛層
と金属電極界面の接着力が向上して剥離を防止できる。
または、半導体層側から酸化亜鉛層（ＺｎX2ＯただしＸ
２は必ずしも１でない）、酸化インジウム亜鉛層、金属
電極としても、酸化錫層（ＳｎX3Ｏ2 ただしＸ３は必ず
しも１でない）、酸化インジウム亜鉛層、金属電極とし
てもよい。
と金属電極界面の接着力が向上して剥離を防止できる。
または、半導体層側から酸化亜鉛層（ＺｎX2ＯただしＸ
２は必ずしも１でない）、酸化インジウム亜鉛層、金属
電極としても、酸化錫層（ＳｎX3Ｏ2 ただしＸ３は必ず
しも１でない）、酸化インジウム亜鉛層、金属電極とし
てもよい。
【０００７】そのようにすれば、酸化インジウム亜鉛と
金属電極界面の接着力が向上して剥離を防止できるだけ
でなく、酸化亜鉛層や酸化錫層が障壁となって、酸化イ
ンジウム亜鉛から半導体層への不純物の拡散が防止でき
る。特に、半導体層が中間に高抵抗のｉ層を含むｐｉｎ
構造であるものがよい。ｐｉｎ構造であれば、ｉ層中で
のキャリアの拡散長が長く、光電変換の効率向上に寄与
する。
金属電極界面の接着力が向上して剥離を防止できるだけ
でなく、酸化亜鉛層や酸化錫層が障壁となって、酸化イ
ンジウム亜鉛から半導体層への不純物の拡散が防止でき
る。特に、半導体層が中間に高抵抗のｉ層を含むｐｉｎ
構造であるものがよい。ｐｉｎ構造であれば、ｉ層中で
のキャリアの拡散長が長く、光電変換の効率向上に寄与
する。
【０００８】更に、金属電極の表面形状を凹凸化するも
のとする。金属電極表面を凹凸化すると、応力が緩和さ
れるとともに、接着面積が増え、付着力が高められる。
尚、本発明における酸化インジウム亜鉛層、酸化亜鉛
層、酸化錫層は、上記のとおり、化学量論比からずれた
組成のものも含む。
のとする。金属電極表面を凹凸化すると、応力が緩和さ
れるとともに、接着面積が増え、付着力が高められる。
尚、本発明における酸化インジウム亜鉛層、酸化亜鉛
層、酸化錫層は、上記のとおり、化学量論比からずれた
組成のものも含む。
【０００９】
［実施例１］図１は、本発明第一の実施例の薄膜光電変
換素子の断面図である。絶縁性のプラスチックフィルム
であるポリイミドの基板１上に、スパッタリング法によ
り銀電極２を形成し、その銀電極２上にスパッタリング
法により、酸化インジウム亜鉛層（ＺｎX1ＩｎY ＯZ
但し、Ｘ１＋Ｙ＝１、Ｚは必ずしも１とは限らない。）
３を形成し、その酸化インジウム亜鉛層３上に同じくス
パッタリング法または蒸着法により酸化亜鉛層（ＺｎX2
Ｏ）４を形成する。酸化インジウム亜鉛層３の形成に用
いたターゲットは、酸化亜鉛粉末と、酸化インジウムの
粉末とを混合したものである。
換素子の断面図である。絶縁性のプラスチックフィルム
であるポリイミドの基板１上に、スパッタリング法によ
り銀電極２を形成し、その銀電極２上にスパッタリング
法により、酸化インジウム亜鉛層（ＺｎX1ＩｎY ＯZ
但し、Ｘ１＋Ｙ＝１、Ｚは必ずしも１とは限らない。）
３を形成し、その酸化インジウム亜鉛層３上に同じくス
パッタリング法または蒸着法により酸化亜鉛層（ＺｎX2
Ｏ）４を形成する。酸化インジウム亜鉛層３の形成に用
いたターゲットは、酸化亜鉛粉末と、酸化インジウムの
粉末とを混合したものである。
【００１０】これを基板としてプラズマＣＶＤ法により
ｎ型ａ−Ｓｉ層６、ノンドープａ−Ｓｉ層７、ｐ型ａ−
Ｓｉ層８を順次形成し、そのａ−Ｓｉ層の上に酸化イン
ジウム錫（ＩＴＯ）からなる透明電極９を形成し、最後
に銀のスパッタリングにより取り出し電極５およびグリ
ッド電極１０を形成する。酸化亜鉛層４は、酸化インジ
ウム亜鉛層３上に２２０℃以上の高温でｎ型、ノンドー
プ、ｐ型のａ−Ｓｉ層６、７、８を形成する場合に、ａ
−Ｓｉ層への不純物の拡散を防止するために挿入する。
ｎ型ａ−Ｓｉ層６、ノンドープａ−Ｓｉ層７、ｐ型ａ−
Ｓｉ層８を順次形成し、そのａ−Ｓｉ層の上に酸化イン
ジウム錫（ＩＴＯ）からなる透明電極９を形成し、最後
に銀のスパッタリングにより取り出し電極５およびグリ
ッド電極１０を形成する。酸化亜鉛層４は、酸化インジ
ウム亜鉛層３上に２２０℃以上の高温でｎ型、ノンドー
プ、ｐ型のａ−Ｓｉ層６、７、８を形成する場合に、ａ
−Ｓｉ層への不純物の拡散を防止するために挿入する。
【００１１】図２は、実施例１の薄膜光電変換素子にお
ける付着力の向上効果を示すグラフである。試料はポリ
イミドフィルム基板１上に、銀電極２を約１００ｎｍ堆
積し、その上に酸化インジウム亜鉛層３を５０ｎｍ堆積
し、その上にａ−Ｓｉ層６、７、８を堆積したものであ
る。酸化インジウム亜鉛層３の形成に用いたターゲット
は、酸化亜鉛粉末と、酸化インジウムの粉末とを混合し
たものであり、グラフの横軸は、この混合物中のインジ
ウムの含有比率Ｙ／（Ｘ１＋Ｙ）を表している。スパッ
タリングには、アルゴンと酸素との混合ガスを用い、基
板温度は２００℃とした。試料を接着材で治具に固定
し、セバスチャン試験法で評価をおこなった。試験片の
接合面積は０．５ｃｍ2 とした。
ける付着力の向上効果を示すグラフである。試料はポリ
イミドフィルム基板１上に、銀電極２を約１００ｎｍ堆
積し、その上に酸化インジウム亜鉛層３を５０ｎｍ堆積
し、その上にａ−Ｓｉ層６、７、８を堆積したものであ
る。酸化インジウム亜鉛層３の形成に用いたターゲット
は、酸化亜鉛粉末と、酸化インジウムの粉末とを混合し
たものであり、グラフの横軸は、この混合物中のインジ
ウムの含有比率Ｙ／（Ｘ１＋Ｙ）を表している。スパッ
タリングには、アルゴンと酸素との混合ガスを用い、基
板温度は２００℃とした。試料を接着材で治具に固定
し、セバスチャン試験法で評価をおこなった。試験片の
接合面積は０．５ｃｍ2 とした。
【００１２】この接着力の向上効果は、Ｙが０．１〜
０．９の範囲で顕著であり、酸化亜鉛のみの比較試料に
比べで、最大で約３倍近い付着力の向上が観測された。
この試験で破壊した試料は、いずれも銀電極と酸化イン
ジウム亜鉛層との界面で剥がれていた。酸化インジウム
亜鉛層３の厚さを変える実験もおこなったが、接着力は
膜厚が５ｎｍ以上で顕著な増大が観測された。
０．９の範囲で顕著であり、酸化亜鉛のみの比較試料に
比べで、最大で約３倍近い付着力の向上が観測された。
この試験で破壊した試料は、いずれも銀電極と酸化イン
ジウム亜鉛層との界面で剥がれていた。酸化インジウム
亜鉛層３の厚さを変える実験もおこなったが、接着力は
膜厚が５ｎｍ以上で顕著な増大が観測された。
【００１３】このように、酸化インジウム亜鉛層３を挿
入することにより、同時に十分な導電率をもち、問題無
いことがわかった。また、初期の接着力が増大するだけ
でなく、ヒートサイクルや高温高湿サイクル等の、熱、
湿度履歴を経た後でも、剥離等を生じることが無かっ
た。また、接着力の向上以外にも酸化インジウム亜鉛層
の挿入により、短絡光電流が増加する効果が観察され
た。この効果は、銀電極２上に酸化亜鉛層や酸化インジ
ウム層を形成した場合の反射率向上による電流増加分よ
りも増加分が多いことがわかり、裏面側の銀電極２での
散乱による光閉じ込め効果が大きくなっているものと考
えられる。
入することにより、同時に十分な導電率をもち、問題無
いことがわかった。また、初期の接着力が増大するだけ
でなく、ヒートサイクルや高温高湿サイクル等の、熱、
湿度履歴を経た後でも、剥離等を生じることが無かっ
た。また、接着力の向上以外にも酸化インジウム亜鉛層
の挿入により、短絡光電流が増加する効果が観察され
た。この効果は、銀電極２上に酸化亜鉛層や酸化インジ
ウム層を形成した場合の反射率向上による電流増加分よ
りも増加分が多いことがわかり、裏面側の銀電極２での
散乱による光閉じ込め効果が大きくなっているものと考
えられる。
【００１４】短絡光電流増加効果も酸化インジウム亜鉛
の組成に依存して変化する。この実施例では、やはり、
Ｙが０．１〜０．９の範囲で効果が確認された。また、
短絡光電流の増加効果については、１〜２０００ｎｍま
では膜厚による反射率の影響によりピーク値が存在す
る。しかし、吸収ロスが存在しても、電流増加効果は十
分に観測される。吸収ロスはまた、酸化インジウム亜鉛
層３の形成方法にも依存する。
の組成に依存して変化する。この実施例では、やはり、
Ｙが０．１〜０．９の範囲で効果が確認された。また、
短絡光電流の増加効果については、１〜２０００ｎｍま
では膜厚による反射率の影響によりピーク値が存在す
る。しかし、吸収ロスが存在しても、電流増加効果は十
分に観測される。吸収ロスはまた、酸化インジウム亜鉛
層３の形成方法にも依存する。
【００１５】本実施例では、基板１として絶縁性のポリ
イミドを使用したが、他にアラミド、ポリエーテルサル
フォン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥ
Ｎ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのプ
ラスチックフィルム、或いはガラスやステンレス、アル
ミニウム等の金属基板を使用することもできる。また、
酸化インジウム亜鉛層３とａ−Ｓｉ層６との間に不純物
拡散防止のため酸化亜鉛層４を挟んだが、これは酸化錫
層でもよい。 ［実施例２］図２は、この発明の別の実施例を示す。図
１との違いは、酸化亜鉛層４を形成していない点であ
る。従って、酸化インジウム亜鉛層３とａ−Ｓｉ層６と
が接している。このため、成膜時の不純物拡散を小さく
抑えるために、ｎ型のａ−Ｓｉ層として酸素を含んだａ
−ＳｉＯX ：Ｈを用いて不純物の拡散を防いでいる。
イミドを使用したが、他にアラミド、ポリエーテルサル
フォン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥ
Ｎ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのプ
ラスチックフィルム、或いはガラスやステンレス、アル
ミニウム等の金属基板を使用することもできる。また、
酸化インジウム亜鉛層３とａ−Ｓｉ層６との間に不純物
拡散防止のため酸化亜鉛層４を挟んだが、これは酸化錫
層でもよい。 ［実施例２］図２は、この発明の別の実施例を示す。図
１との違いは、酸化亜鉛層４を形成していない点であ
る。従って、酸化インジウム亜鉛層３とａ−Ｓｉ層６と
が接している。このため、成膜時の不純物拡散を小さく
抑えるために、ｎ型のａ−Ｓｉ層として酸素を含んだａ
−ＳｉＯX ：Ｈを用いて不純物の拡散を防いでいる。
【００１６】この例でも、酸化インジウム亜鉛層３を用
いることにより十分な導電率を得、かつ銀電極２との接
着性を確保できた。また、短絡光電流の増加も観察され
た。特に、図１、２で示された実施例では、基板１上に
銀電極２を形成している。この銀電極２を高温で形成す
ると、銀電極２の表面形状が数十ｎｍ〜数百ｎｍの粗さ
に凹凸化して接着力が増した。 更に他の酸化亜鉛層の
み、酸化インジウム層のみの場合に比較して、短絡光電
流の増加効果も大きくなった。
いることにより十分な導電率を得、かつ銀電極２との接
着性を確保できた。また、短絡光電流の増加も観察され
た。特に、図１、２で示された実施例では、基板１上に
銀電極２を形成している。この銀電極２を高温で形成す
ると、銀電極２の表面形状が数十ｎｍ〜数百ｎｍの粗さ
に凹凸化して接着力が増した。 更に他の酸化亜鉛層の
み、酸化インジウム層のみの場合に比較して、短絡光電
流の増加効果も大きくなった。
【００１７】また、同様の効果が、アルミニウム、ニツ
ケル、クロム等の電極を用いた場合でも観察された。 ［実施例３］図３は、本発明第三の実施例の薄膜光電変
換素子の断面図である。この例では、ガラス基板１１上
に透明電極９、ｐｉｎ接合を形成するａ−Ｓｉ層８、
７、６を順次形成し、その後に、酸化亜鉛層４を介して
酸化インジウム亜鉛層３、銀電極２を形成している。
ケル、クロム等の電極を用いた場合でも観察された。 ［実施例３］図３は、本発明第三の実施例の薄膜光電変
換素子の断面図である。この例では、ガラス基板１１上
に透明電極９、ｐｉｎ接合を形成するａ−Ｓｉ層８、
７、６を順次形成し、その後に、酸化亜鉛層４を介して
酸化インジウム亜鉛層３、銀電極２を形成している。
【００１８】この例でも、酸化インジウム亜鉛層３を用
いることにより十分な導電率を得ながら銀電極２との接
着性を確保できた。電極としては、アルミニウム、ニッ
ケル、クロム等の金属でもよいことは実施例１と同様で
ある。 ［実施例４］この実施例では、実施例３の薄膜光電変換
素子の酸化亜鉛層を削除した例であり、酸化インジウム
亜鉛層３がａ−Ｓｉ層６と接している。
いることにより十分な導電率を得ながら銀電極２との接
着性を確保できた。電極としては、アルミニウム、ニッ
ケル、クロム等の金属でもよいことは実施例１と同様で
ある。 ［実施例４］この実施例では、実施例３の薄膜光電変換
素子の酸化亜鉛層を削除した例であり、酸化インジウム
亜鉛層３がａ−Ｓｉ層６と接している。
【００１９】実施例３では、酸化インジウム亜鉛層３を
ａ−Ｓｉ層８、７、６を形成した後に成膜するため、酸
化インジウム亜鉛層３を高温で形成しない場合は、不純
物拡散の防止のための酸化亜鉛層を形成する必要が無
く、削除できる。これまでの実施例では、半導体層がａ
−Ｓｉ層である場合について記述したが、この発明は微
結晶シリコンや、その他の薄膜系半導体材料にも適用可
能である。
ａ−Ｓｉ層８、７、６を形成した後に成膜するため、酸
化インジウム亜鉛層３を高温で形成しない場合は、不純
物拡散の防止のための酸化亜鉛層を形成する必要が無
く、削除できる。これまでの実施例では、半導体層がａ
−Ｓｉ層である場合について記述したが、この発明は微
結晶シリコンや、その他の薄膜系半導体材料にも適用可
能である。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、少
なくとも一つのｐｎ接合を持つ薄膜光電変換素子におい
て、光電変換層である半導体層の光の入射する側でない
側の電極構造を、半導体層側から酸化インジウム亜鉛層
（ＺｎX1ＩｎY ＯZ ただしＸ１＋Ｙ＝１、Ｚは必ずし
も１ではない）、金属電極とすることにより、薄膜素子
の付着力を向上させ、その信頼性を高めることができ
る。更に、短絡光電流を大幅に増加させて、薄膜光電変
換素子の変換効率を向上させるという効果も得られる。
なくとも一つのｐｎ接合を持つ薄膜光電変換素子におい
て、光電変換層である半導体層の光の入射する側でない
側の電極構造を、半導体層側から酸化インジウム亜鉛層
（ＺｎX1ＩｎY ＯZ ただしＸ１＋Ｙ＝１、Ｚは必ずし
も１ではない）、金属電極とすることにより、薄膜素子
の付着力を向上させ、その信頼性を高めることができ
る。更に、短絡光電流を大幅に増加させて、薄膜光電変
換素子の変換効率を向上させるという効果も得られる。
【図１】本発明第一の実施例の薄膜光電変換素子の断面
図
図
【図２】本発明のよる酸化インジウム亜鉛層の挿入によ
り電極付着力の向上効果を示す特性図
り電極付着力の向上効果を示す特性図
【図３】本発明第二の実施例の薄膜光電変換素子の断面
図
図
【図４】本発明第三の実施例の薄膜光電変換素子の断面
図
図
【図５】本発明第四の実施例の薄膜光電変換素子の断面
図
図
【図６】従来の薄膜光電変換素子の断面図
【図７】従来の別の薄膜光電変換素子の断面図
１ 基板 ２ 銀電極 ３ 酸化インジウム亜鉛層 ４ 酸化亜鉛層 ５ 取り出し電極 ６ ｎ型ａ−Ｓｉ層 ７ ノンドープａ−Ｓｉ層 ８ ｐ型ａ−Ｓｉ層 ９ 透明電極 １０ グリッド電極 １１ ガラス基板 ４１ ステンレススチール基板
Claims (5)
- 【請求項１】少なくとも一つのｐｎ接合を持つ薄膜光電
変換素子において、光電変換層である半導体層の光の入
射する側と反対側の電極構造を、半導体層側から酸化イ
ンジウム亜鉛層（ＺｎX1ＩｎY ＯZ ただしＸ１＋Ｙ＝
１、Ｚは必ずしも１ではない）、金属電極とすることを
特徴とする薄膜光電変換素子。 - 【請求項２】少なくとも一つのｐｎ接合を持つ薄膜光電
変換素子において、光電変換層である半導体層の光の入
射する側と反対側の電極構造を、半導体層側側から酸化
亜鉛（ＺｎX2Ｏ ただしＸ２は必ずしも１ではない）、
酸化インジウム亜鉛（ＺｎX1ＩｎY ＯZ ただしＸ１＋Ｙ
＝１、Ｚは必ずしも１ではない）、金属電極とすること
を特徴とする薄膜光電変換素子。 - 【請求項３】少なくとも一つのｐｎ接合を持つ薄膜光電
変換素子において、光電変換層である半導体層の光の入
射する側と反対側の電極構造を、半導体層側から酸化錫
（ＳｎX3Ｏ2 ただしＸ３は必ずしも１ではない）、酸化
インジウム亜鉛（ＺｎX1ＩｎY ＯZ ただしＸ１＋Ｙ＝
１、Ｚは必ずしも１ではない）、金属電極とすることを
特徴とする薄膜光電変換素子。 - 【請求項４】半導体層が中間に高抵抗のｉ層を含むｐｉ
ｎ構造であることを特徴とする請求項１ないし３のいず
れかに記載の薄膜光電変換素子。 - 【請求項５】金属電極を凹凸表面形状をもつ銀電極とす
ることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載
の薄膜光電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32250196A JP3687236B2 (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | 薄膜光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32250196A JP3687236B2 (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | 薄膜光電変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163512A true JPH10163512A (ja) | 1998-06-19 |
| JP3687236B2 JP3687236B2 (ja) | 2005-08-24 |
Family
ID=18144360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32250196A Expired - Fee Related JP3687236B2 (ja) | 1996-12-03 | 1996-12-03 | 薄膜光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3687236B2 (ja) |
Cited By (2)
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| JP2008258517A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Toppan Printing Co Ltd | テクスチャー形成板およびその製造方法、並びに、それを用いた透明電極付き基板、太陽電池および太陽電池モジュール |
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1996
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