JPH1012903A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPH1012903A JPH1012903A JP8166248A JP16624896A JPH1012903A JP H1012903 A JPH1012903 A JP H1012903A JP 8166248 A JP8166248 A JP 8166248A JP 16624896 A JP16624896 A JP 16624896A JP H1012903 A JPH1012903 A JP H1012903A
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- amorphous silicon
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のヘテロ接合タイプの光電変換装置の諸
問題を解消し、結晶質シリコンと導電ペーストとの界面
での特性を向上させ良好な変換効率を有する優れた光電
変換装置を提供すること。 【解決手段】 ｐ型もしくはｎ型の結晶質シリコンから
成る基板１の一主面上に、基板１とｐｎ接合もしくはｐ
ｉｎ接合を構成する結晶質もしくは非晶質シリコン層
２，３、及び受光面電極層４を順次積層させるととも
に、基板１の他主面（裏面）上に基板と同一導電型もし
くはｉ型の非晶質シリコン層（６，７）、及び導電ペー
スト８を順次積層させて成る。
問題を解消し、結晶質シリコンと導電ペーストとの界面
での特性を向上させ良好な変換効率を有する優れた光電
変換装置を提供すること。 【解決手段】 ｐ型もしくはｎ型の結晶質シリコンから
成る基板１の一主面上に、基板１とｐｎ接合もしくはｐ
ｉｎ接合を構成する結晶質もしくは非晶質シリコン層
２，３、及び受光面電極層４を順次積層させるととも
に、基板１の他主面（裏面）上に基板と同一導電型もし
くはｉ型の非晶質シリコン層（６，７）、及び導電ペー
スト８を順次積層させて成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光センサや太陽電
池等に用いられる光電変換装置に関し、特に単結晶や多
結晶の結晶質シリコンを基板とした光電変換装置におい
て、光の入射側と反対側に導電ペーストを設けた光電変
換装置に関する。
池等に用いられる光電変換装置に関し、特に単結晶や多
結晶の結晶質シリコンを基板とした光電変換装置におい
て、光の入射側と反対側に導電ペーストを設けた光電変
換装置に関する。
【０００２】
【従来技術とその問題点】従来より、結晶質シリコン
（多結晶もしくは単結晶シリコン）から成る基板上に非
晶質シリコンを積層し、高い変換効率が得られるヘテロ
接合太陽電池に関する研究が盛んに行われている。
（多結晶もしくは単結晶シリコン）から成る基板上に非
晶質シリコンを積層し、高い変換効率が得られるヘテロ
接合太陽電池に関する研究が盛んに行われている。
【０００３】例えば、図２に示すように、高品質の太陽
電池を提供するために、まず、ｐ型の多結晶シリコン１
１の受光面上にｎ型のアモルファスシリコン層１２、透
明な受光面電極層１３をプラズマＣＶＤ法等で積層し、
次いで多結晶シリコン１１の裏面にアルミペーストや銅
ペースト等の導電ペースト層１４をスクリーン印刷等に
より形成して作製した太陽電池Ｊが知られている。
電池を提供するために、まず、ｐ型の多結晶シリコン１
１の受光面上にｎ型のアモルファスシリコン層１２、透
明な受光面電極層１３をプラズマＣＶＤ法等で積層し、
次いで多結晶シリコン１１の裏面にアルミペーストや銅
ペースト等の導電ペースト層１４をスクリーン印刷等に
より形成して作製した太陽電池Ｊが知られている。
【０００４】しかしながら、このような太陽電池の場
合、結晶質シリコンの裏面に直にアルミペーストが設け
られているため、結晶質シリコンとアルミペーストとの
界面で生じるキャリアの再結合が起こりやすいことが考
えられ、変換効率が低下することがある。さらに、光活
性層として使用する結晶質シリコンとアルミペーストと
ではオーミックコンタクト特性が悪いという問題を有し
ている。
合、結晶質シリコンの裏面に直にアルミペーストが設け
られているため、結晶質シリコンとアルミペーストとの
界面で生じるキャリアの再結合が起こりやすいことが考
えられ、変換効率が低下することがある。さらに、光活
性層として使用する結晶質シリコンとアルミペーストと
ではオーミックコンタクト特性が悪いという問題を有し
ている。
【０００５】また、結晶質シリコンの裏面にアルミペー
ストを印刷法により、塗布形成し所定温度で焼成して高
効率の太陽電池を得るようにしたものも知られている
（例えば、特開平4-261069号公報等を参照）。ところ
が、このような太陽電池の場合は、例えば２００℃程度
以下の低温処理を行うことができず、工程も煩雑となり
問題である。
ストを印刷法により、塗布形成し所定温度で焼成して高
効率の太陽電池を得るようにしたものも知られている
（例えば、特開平4-261069号公報等を参照）。ところ
が、このような太陽電池の場合は、例えば２００℃程度
以下の低温処理を行うことができず、工程も煩雑となり
問題である。
【０００６】そこで、上述した従来のヘテロ接合タイプ
の光電変換装置の諸問題を解消し、結晶質シリコンと導
電ペーストとの界面での特性を向上させて良好な変換効
率を有するとともに、製造も非常に簡便な優れた光電変
換装置を提供することを目的とする。
の光電変換装置の諸問題を解消し、結晶質シリコンと導
電ペーストとの界面での特性を向上させて良好な変換効
率を有するとともに、製造も非常に簡便な優れた光電変
換装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する光電
変換装置は、ｐ型もしくはｎ型の結晶質シリコンから成
る基板の一主面上に、該基板とｐｎ接合もしくはｐｉｎ
接合を構成する結晶質もしくは非晶質シリコン層、及び
受光面電極層を順次積層させるとともに、基板の他主面
（裏面）上に基板と同一導電型もしくはｉ型の非晶質シ
リコン層、及び導電ペーストを順次積層させて成る。
変換装置は、ｐ型もしくはｎ型の結晶質シリコンから成
る基板の一主面上に、該基板とｐｎ接合もしくはｐｉｎ
接合を構成する結晶質もしくは非晶質シリコン層、及び
受光面電極層を順次積層させるとともに、基板の他主面
（裏面）上に基板と同一導電型もしくはｉ型の非晶質シ
リコン層、及び導電ペーストを順次積層させて成る。
【０００８】また、ｐ型もしくはｎ型の結晶質シリコン
から成る基板の一主面上に、該基板とｐｎ接合もしくは
ｐｉｎ接合をなすシリコン層、及び受光面電極層を順次
積層させるとともに、基板の他主面上に基板と同一導電
型及びｉ型を含む複数層の非晶質シリコン層、及び導電
ペースト層を順次積層させて成る。
から成る基板の一主面上に、該基板とｐｎ接合もしくは
ｐｉｎ接合をなすシリコン層、及び受光面電極層を順次
積層させるとともに、基板の他主面上に基板と同一導電
型及びｉ型を含む複数層の非晶質シリコン層、及び導電
ペースト層を順次積層させて成る。
【０００９】ここで、基板の裏面上に直接設ける非晶質
シリコン層は、基板の導電型が例えばｐ型ならばｐ，ｐ
+ ，もしくはｐ++等（基板の導電型が例えばｎ型ならば
ｎ，ｎ+ ，もしくはｎ++等）の導電型とし、特に基板よ
り導電率が高いものとすると、基板と導電ペースト界面
で生じるキャリアの再結合をより低減させることができ
る。さらに、基板と導電ペーストとの間のオーミックコ
ンタクト特性もより向上させることができる。
シリコン層は、基板の導電型が例えばｐ型ならばｐ，ｐ
+ ，もしくはｐ++等（基板の導電型が例えばｎ型ならば
ｎ，ｎ+ ，もしくはｎ++等）の導電型とし、特に基板よ
り導電率が高いものとすると、基板と導電ペースト界面
で生じるキャリアの再結合をより低減させることができ
る。さらに、基板と導電ペーストとの間のオーミックコ
ンタクト特性もより向上させることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に係る実施の形態について
図面に基づき詳細に説明する。図１に示す光電変換装置
Ｓは、照明灯が蛍光灯や白熱灯等の光の波長が種々のも
のであっても、変換効率を高く維持することが可能な太
陽電池もしくは光センサであり、その基本構造は以下に
示す通りである。
図面に基づき詳細に説明する。図１に示す光電変換装置
Ｓは、照明灯が蛍光灯や白熱灯等の光の波長が種々のも
のであっても、変換効率を高く維持することが可能な太
陽電池もしくは光センサであり、その基本構造は以下に
示す通りである。
【００１１】光電変換装置Ｓは、ｐ型もしくはｎ型の単
結晶もしくは多結晶から成る結晶質シリコンの基板１の
一主面である受光面１ａ上に、ｐｎ接合もしくはｐｉｎ
接合をなすシリコン層２，３、ｉ型の第１非晶質シリコ
ン層２、ｐ型もしくはｎ型で且つ基板１の他主面の面積
より狭い被着面積の第２非晶質シリコン層３、及び受光
面電極層４を順次積層させ、基板１の他主面である裏面
１ｂには基板１と同一導電型もしくはｉ型の非晶質シリ
コン層、又は基板１と同一導電型及びｉ型を含む複数層
の非晶質シリコン層６，７、導電ペースト層８を順次積
層させて成る。
結晶もしくは多結晶から成る結晶質シリコンの基板１の
一主面である受光面１ａ上に、ｐｎ接合もしくはｐｉｎ
接合をなすシリコン層２，３、ｉ型の第１非晶質シリコ
ン層２、ｐ型もしくはｎ型で且つ基板１の他主面の面積
より狭い被着面積の第２非晶質シリコン層３、及び受光
面電極層４を順次積層させ、基板１の他主面である裏面
１ｂには基板１と同一導電型もしくはｉ型の非晶質シリ
コン層、又は基板１と同一導電型及びｉ型を含む複数層
の非晶質シリコン層６，７、導電ペースト層８を順次積
層させて成る。
【００１２】ここで、例えば導電型がｐ型の多結晶シリ
コンから成る基板１の受光面１ａ側には、基板１の受光
面１ａのほぼ全面に、導電型がｉ型の第１非晶質シリコ
ン層２が設けられ、この第１非晶質シリコン層２上に
は、周縁部がパターニング除去され、被着面積が基板１
の受光面１ａの面積より狭く、導電型がｎ型の第２非晶
質シリコン層３が設けられ、この第２非晶質シリコン層
３上には、さらに周縁部がパターニングされたＩＴＯ
（酸化インジウム・スズ）から成り、第２非晶質シリコ
ン層３より被着面積が狭い受光面電極層４が設けられ、
この受光面電極層４上には導電ペースト，導電ペースト
と半田，もしくは金属膜などから成る出力の取り出し電
極５が設けられている。
コンから成る基板１の受光面１ａ側には、基板１の受光
面１ａのほぼ全面に、導電型がｉ型の第１非晶質シリコ
ン層２が設けられ、この第１非晶質シリコン層２上に
は、周縁部がパターニング除去され、被着面積が基板１
の受光面１ａの面積より狭く、導電型がｎ型の第２非晶
質シリコン層３が設けられ、この第２非晶質シリコン層
３上には、さらに周縁部がパターニングされたＩＴＯ
（酸化インジウム・スズ）から成り、第２非晶質シリコ
ン層３より被着面積が狭い受光面電極層４が設けられ、
この受光面電極層４上には導電ペースト，導電ペースト
と半田，もしくは金属膜などから成る出力の取り出し電
極５が設けられている。
【００１３】また、基板１の裏面１ｂ側には、基板１の
裏面１ｂのほぼ全面にｉ型の第３非晶質シリコン層６が
設けられ、この第３非晶質シリコン層６上には、周縁部
がパターニングされ、被着面積が基板１の裏面１ｂの面
積より狭く、導電型がｐ＋型の第４非晶質シリコン層７
が設けられ、この第４非晶質シリコン層７上には、周縁
部がパターニングされ、被着面積が第４非晶質シリコン
層７より狭い領域に主成分がＣｕ，樹脂等からなる導電
ペースト８が設けられる。
裏面１ｂのほぼ全面にｉ型の第３非晶質シリコン層６が
設けられ、この第３非晶質シリコン層６上には、周縁部
がパターニングされ、被着面積が基板１の裏面１ｂの面
積より狭く、導電型がｐ＋型の第４非晶質シリコン層７
が設けられ、この第４非晶質シリコン層７上には、周縁
部がパターニングされ、被着面積が第４非晶質シリコン
層７より狭い領域に主成分がＣｕ，樹脂等からなる導電
ペースト８が設けられる。
【００１４】次に、上記構成の光電変換装置Ｓの製造方
法について説明する。まず、基板１の受光面１ａ側を成
膜する。すなわち、プラズマＣＶＤ法により基板１の受
光面１ａのほぼ全面にｉ型の水素化非晶質シリコン層で
ある第１非晶質シリコン層２を厚さ20〜400 Å程度に成
膜する。そして、この第１非晶質シリコン層２の上面の
ほぼ全面に同様な方法にて、非晶質シリコン形成用ガス
に不純物ドープ用ガスであるホスフィン等を所定の比率
で混合して、厚さ30〜150 Å程度に成膜してｎ型の第２
非晶質シリコン層３を形成する。次いで、この第２非晶
質シリコン層３の上面のほぼ全面にスパッタ法によりＩ
ＴＯから成る受光面電極層４を厚さ700〜1000Å程度に
成膜する。
法について説明する。まず、基板１の受光面１ａ側を成
膜する。すなわち、プラズマＣＶＤ法により基板１の受
光面１ａのほぼ全面にｉ型の水素化非晶質シリコン層で
ある第１非晶質シリコン層２を厚さ20〜400 Å程度に成
膜する。そして、この第１非晶質シリコン層２の上面の
ほぼ全面に同様な方法にて、非晶質シリコン形成用ガス
に不純物ドープ用ガスであるホスフィン等を所定の比率
で混合して、厚さ30〜150 Å程度に成膜してｎ型の第２
非晶質シリコン層３を形成する。次いで、この第２非晶
質シリコン層３の上面のほぼ全面にスパッタ法によりＩ
ＴＯから成る受光面電極層４を厚さ700〜1000Å程度に
成膜する。
【００１５】また、基板１の裏面１ｂ側は、まず、基板
１の裏面１ｂのほぼ全面に、上記と同様にｉ型の水素化
非晶質シリコンを厚さ0 〜200 Å程度に成膜してｉ型の
第３非晶質シリコン層６を形成する。そして、この第３
非晶質シリコン層６の上面のほぼ全面に同様な方法に
て、非晶質シリコン形成用ガスに不純物ドープ用ガスで
あるジボランガス等を所定の比率で混合して、厚さ約50
〜1000Å程度に基板１より導電率の高いｐ＋型の第４非
晶質シリコン層７を形成する。ここで、基板１の裏面１
ｂ側に設ける非晶質シリコン層のトータルの厚みは約50
〜1000Å程度とするのが好適である。
１の裏面１ｂのほぼ全面に、上記と同様にｉ型の水素化
非晶質シリコンを厚さ0 〜200 Å程度に成膜してｉ型の
第３非晶質シリコン層６を形成する。そして、この第３
非晶質シリコン層６の上面のほぼ全面に同様な方法に
て、非晶質シリコン形成用ガスに不純物ドープ用ガスで
あるジボランガス等を所定の比率で混合して、厚さ約50
〜1000Å程度に基板１より導電率の高いｐ＋型の第４非
晶質シリコン層７を形成する。ここで、基板１の裏面１
ｂ側に設ける非晶質シリコン層のトータルの厚みは約50
〜1000Å程度とするのが好適である。
【００１６】次に、まず、受光面電極層４の所定領域を
レジストで覆いマスクする。そして、フッ酸，硝酸，及
び水を混合させた混酸を用いて、第２非晶質シリコン層
３，受光面電極層４，第４非晶質シリコン層７，及び導
電ペースト層８の周縁部をエッチングする。ここで、エ
ッチングレイトを調節するために、混酸における硝酸の
量を多くしてエッチングレイトを下げたり、水の量を多
くしてエッチングレイトを下げたりする。これにより、
第１非晶質シリコン層２及び第３非晶質シリコン層６は
ほとんどエッチングされないようにすることができる。
さらに、受光面電極層４をエッチングする場合には、例
えば塩酸もしくは臭化水素でもってエッチングする。
レジストで覆いマスクする。そして、フッ酸，硝酸，及
び水を混合させた混酸を用いて、第２非晶質シリコン層
３，受光面電極層４，第４非晶質シリコン層７，及び導
電ペースト層８の周縁部をエッチングする。ここで、エ
ッチングレイトを調節するために、混酸における硝酸の
量を多くしてエッチングレイトを下げたり、水の量を多
くしてエッチングレイトを下げたりする。これにより、
第１非晶質シリコン層２及び第３非晶質シリコン層６は
ほとんどエッチングされないようにすることができる。
さらに、受光面電極層４をエッチングする場合には、例
えば塩酸もしくは臭化水素でもってエッチングする。
【００１７】そして、非晶質シリコン層７の上面のほぼ
全面にスクリーン印刷法によりＣｕを主成分とする導電
ペースト層８を形成する。さらに、スクリーン印刷，半
田ディップ，もしくは蒸着法等により取り出し電極５を
形成して、図１に示す光電変換装置Ｓを作製することが
できる。なお、基板１上に多数個の素子領域を作製して
いる場合には、上記のようにして素子を作製した後に、
素子どうしを分離するためにレーザー，ダイシング，も
しくはダイヤモンドスクライブ等によりカッティングを
行う。
全面にスクリーン印刷法によりＣｕを主成分とする導電
ペースト層８を形成する。さらに、スクリーン印刷，半
田ディップ，もしくは蒸着法等により取り出し電極５を
形成して、図１に示す光電変換装置Ｓを作製することが
できる。なお、基板１上に多数個の素子領域を作製して
いる場合には、上記のようにして素子を作製した後に、
素子どうしを分離するためにレーザー，ダイシング，も
しくはダイヤモンドスクライブ等によりカッティングを
行う。
【００１８】このように、結晶質の基板１の裏面と導電
ペースト層８との間に第３，第４非晶質シリコン層６，
７を介在させたので、非晶質シリコン層と結晶質の基板
１との界面欠陥準位が減り、また、基板１側に望ましい
バンドベンディングが形成されるため、基板１と導電ペ
ースト層８との界面で生じるキャリアの再結合を低減さ
せることができ、さらに基板１と導電ペースト層８との
オーミックコンタクト特性を向上させることが可能とな
る。
ペースト層８との間に第３，第４非晶質シリコン層６，
７を介在させたので、非晶質シリコン層と結晶質の基板
１との界面欠陥準位が減り、また、基板１側に望ましい
バンドベンディングが形成されるため、基板１と導電ペ
ースト層８との界面で生じるキャリアの再結合を低減さ
せることができ、さらに基板１と導電ペースト層８との
オーミックコンタクト特性を向上させることが可能とな
る。
【００１９】なおここで、基板１は単結晶シリコンでも
よく、基板１の導電型はｎ型でもよい（この場合には、
基板１の受光面側に設けるｎ型の非晶質シリコン層の代
わりに、ｐ型の非晶質シリコン層を設けるとよい。）。
また、第２非晶質シリコン層３や第４非晶質シリコン層
７は完全な非晶質でなくともよく、いわゆる微結晶層で
あってもよい。また、基板１の裏面側には一層の非晶質
シリコン層、導電ペースト層を順次積層するようにして
もよい。また、透明導電層４は酸化亜鉛（ＺｎＯ）等で
もよい。また、第１非晶質シリコン層２及び／又は第３
非晶質シリコン層６の周縁部をパターニング除去するよ
うにしてもよい。また、導電ペースト層８はＣｕペース
ト以外にＡｇ，Ａｌ，Ｉｎ，もしくはＮｉ等を主成分と
する導電ペーストを使用してもよい。
よく、基板１の導電型はｎ型でもよい（この場合には、
基板１の受光面側に設けるｎ型の非晶質シリコン層の代
わりに、ｐ型の非晶質シリコン層を設けるとよい。）。
また、第２非晶質シリコン層３や第４非晶質シリコン層
７は完全な非晶質でなくともよく、いわゆる微結晶層で
あってもよい。また、基板１の裏面側には一層の非晶質
シリコン層、導電ペースト層を順次積層するようにして
もよい。また、透明導電層４は酸化亜鉛（ＺｎＯ）等で
もよい。また、第１非晶質シリコン層２及び／又は第３
非晶質シリコン層６の周縁部をパターニング除去するよ
うにしてもよい。また、導電ペースト層８はＣｕペース
ト以外にＡｇ，Ａｌ，Ｉｎ，もしくはＮｉ等を主成分と
する導電ペーストを使用してもよい。
【００２０】なおまた、光電変換装置Ｓ全体の耐湿性等
の信頼性向上のために、導電ペースト層８上には保護膜
が形成されるとより好適である。例えば、樹脂を周知の
印刷手法を用いて保護膜として形成し、さらに、例えば
導電性樹脂を周知の印刷手法を用いて取り出し電極部分
が形成される。また、この上に後工程の実装時の半田づ
け性を良好とするため、半田材料を形成しておくとよ
い。これは、導電性樹脂表面が長時間放置によって酸化
され、後の実装時の半田づけ性に悪影響を及ぼす可能性
を未然に防ぐためである。
の信頼性向上のために、導電ペースト層８上には保護膜
が形成されるとより好適である。例えば、樹脂を周知の
印刷手法を用いて保護膜として形成し、さらに、例えば
導電性樹脂を周知の印刷手法を用いて取り出し電極部分
が形成される。また、この上に後工程の実装時の半田づ
け性を良好とするため、半田材料を形成しておくとよ
い。これは、導電性樹脂表面が長時間放置によって酸化
され、後の実装時の半田づけ性に悪影響を及ぼす可能性
を未然に防ぐためである。
【００２１】
【実施例】次に、代表的な実施例について説明する。ｐ
型の結晶質シリコンから成る基板の一主面上に、ｉ型の
第１非晶質シリコン層を厚さ約100 Åに成膜し、さらに
この上にｎ型の第２非晶質シリコン層を厚さ約70Åに成
膜し、次いでこの上にＩＴＯから成る受光面電極層を約
750 Åに成膜した。また、基板の裏面にｐ＋型の第３非
晶質シリコン層を約200 Åに成膜し、この上にＣｕ（80
重量％程度),ポリエステル系樹脂(10 重量％程度),溶剤
(8重量％程度) を主成分とする導電ペースト層を形成し
た。なお、成膜は上記と同様な方法で行い、導電ペース
ト層は図１に示すごとく段状となるようにエッチングを
施した後にスクリーン印刷法により形成した。
型の結晶質シリコンから成る基板の一主面上に、ｉ型の
第１非晶質シリコン層を厚さ約100 Åに成膜し、さらに
この上にｎ型の第２非晶質シリコン層を厚さ約70Åに成
膜し、次いでこの上にＩＴＯから成る受光面電極層を約
750 Åに成膜した。また、基板の裏面にｐ＋型の第３非
晶質シリコン層を約200 Åに成膜し、この上にＣｕ（80
重量％程度),ポリエステル系樹脂(10 重量％程度),溶剤
(8重量％程度) を主成分とする導電ペースト層を形成し
た。なお、成膜は上記と同様な方法で行い、導電ペース
ト層は図１に示すごとく段状となるようにエッチングを
施した後にスクリーン印刷法により形成した。
【００２２】このようにして作製した光電変換装置につ
いて、蛍光灯200 ルクス下で特性を測定したところ、受
光面積が約0.5 cm2 の場合の開放電圧は0.4 Ｖ程度であ
り、電圧−電流特性が非常に良好であった。さらに、順
バイアス0.3 Ｖにおける暗電流も2 ×10-6Ａ／cm2 以下
の良好な特性値が得られた。
いて、蛍光灯200 ルクス下で特性を測定したところ、受
光面積が約0.5 cm2 の場合の開放電圧は0.4 Ｖ程度であ
り、電圧−電流特性が非常に良好であった。さらに、順
バイアス0.3 Ｖにおける暗電流も2 ×10-6Ａ／cm2 以下
の良好な特性値が得られた。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光電変換
装置によれば、結晶質シリコンの基板と導電ペースト層
との間に基板より導電率が高い非晶質シリコン層を介在
させたので、非晶質シリコン層を介在させない場合に基
板と導電ペースト界面で生じるキャリアの再結合を低減
させることができ、さらに、オーミックコンタクト特性
もより向上させることができ、特性の優れた太陽電池や
光センサ等の光電変換装置を提供できる。
装置によれば、結晶質シリコンの基板と導電ペースト層
との間に基板より導電率が高い非晶質シリコン層を介在
させたので、非晶質シリコン層を介在させない場合に基
板と導電ペースト界面で生じるキャリアの再結合を低減
させることができ、さらに、オーミックコンタクト特性
もより向上させることができ、特性の優れた太陽電池や
光センサ等の光電変換装置を提供できる。
【００２４】また、電極として用いる導電ペースト層の
形成は、従来の電極層の形成に必要であった高真空装置
を不要とでき、製造を容易とすることができる。
形成は、従来の電極層の形成に必要であった高真空装置
を不要とでき、製造を容易とすることができる。
【図１】本発明に係る一実施例の光電変換装置の要部断
面図。
面図。
【図２】従来の光電変換装置の一例を示す要部断面図。
１ ・・・ 基板 ２ ・・・ 第１非晶質シリコン層 ３ ・・・ 第２非晶質シリコン層 ４ ・・・ 受光面電極層 ６ ・・・ 第３非晶質シリコン層 ７ ・・・ 第４非晶質シリコン層 ８ ・・・ 導電ペースト層 Ｓ ・・・ 光電変換装置
Claims (2)
- 【請求項１】 ｐ型もしくはｎ型の結晶質シリコンから
成る基板の一主面上に、該基板とｐｎ接合もしくはｐｉ
ｎ接合をなすシリコン層、及び受光面電極層を順次積層
させるとともに、前記基板の他主面上に基板と同一導電
型もしくはｉ型の非晶質シリコン層、及び導電ペースト
層を順次積層させてなる光電変換装置。 - 【請求項２】 ｐ型もしくはｎ型の結晶質シリコンから
成る基板の一主面上に、該基板とｐｎ接合もしくはｐｉ
ｎ接合をなすシリコン層、及び受光面電極層を順次積層
させるとともに、前記基板の他主面上に基板と同一導電
型及びｉ型を含む複数層の非晶質シリコン層、及び導電
ペースト層を順次積層させて成る光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8166248A JPH1012903A (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8166248A JPH1012903A (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012903A true JPH1012903A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15827869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8166248A Pending JPH1012903A (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012903A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1996
- 1996-06-26 JP JP8166248A patent/JPH1012903A/ja active Pending
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