JPH09153632A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPH09153632A JPH09153632A JP7313293A JP31329395A JPH09153632A JP H09153632 A JPH09153632 A JP H09153632A JP 7313293 A JP7313293 A JP 7313293A JP 31329395 A JP31329395 A JP 31329395A JP H09153632 A JPH09153632 A JP H09153632A
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- amorphous silicon
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パターンエッジでの暗電流を低く抑えること
ができ、特に低照度領域での変換効率の優れた光電変換
装置を提供すること。 【解決手段】 ｐ型もしくはｎ型の結晶シリコンから成
る基板１の一主面側に裏面電極層８を設けるとともに、
基板１の他主面上に、ｉ型の第１非晶質シリコン層２、
ｐ型もしくはｎ型で且つ第１非晶質シリコン層２より狭
い被着面積の第２非晶質シリコン層３、及び受光面電極
層４を順次積層させて成る。
ができ、特に低照度領域での変換効率の優れた光電変換
装置を提供すること。 【解決手段】 ｐ型もしくはｎ型の結晶シリコンから成
る基板１の一主面側に裏面電極層８を設けるとともに、
基板１の他主面上に、ｉ型の第１非晶質シリコン層２、
ｐ型もしくはｎ型で且つ第１非晶質シリコン層２より狭
い被着面積の第２非晶質シリコン層３、及び受光面電極
層４を順次積層させて成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光センサや太陽電
池等に用いられる光電変換装置に関し、特に結晶系シリ
コン層上に非晶質シリコン層を積層させた光電変換装置
に関する。
池等に用いられる光電変換装置に関し、特に結晶系シリ
コン層上に非晶質シリコン層を積層させた光電変換装置
に関する。
【０００２】
【従来技術とその問題点】従来より、結晶シリコン（多
結晶シリコンもしくは単結晶シリコン）から成る基板上
に非晶質シリコンを積層し、高い変換効率が得られるヘ
テロ接合太陽電池に関する研究が盛んに行われている。
結晶シリコンもしくは単結晶シリコン）から成る基板上
に非晶質シリコンを積層し、高い変換効率が得られるヘ
テロ接合太陽電池に関する研究が盛んに行われている。
【０００３】例えば、図４に示すように、結晶シリコン
基板５１の一主面（裏面）に、金−アンチモンから成る
金属膜５２を設け、この結晶シリコン５１の他の主面
（受光面）に非晶質のシリコンカーバイド膜５３を設
け、このシリコンカーバイド膜５３上に透明導電膜５４
を設け、素子分離等のために、結晶シリコン基板５１の
端部を混酸（フッ酸＋硝酸）によるメサエッチングでも
って除去させた光電変換装置Ｊが知られている（例え
ば、Jpn. J. Appl. Phys. 23 (1984) 515.を参照）。
基板５１の一主面（裏面）に、金−アンチモンから成る
金属膜５２を設け、この結晶シリコン５１の他の主面
（受光面）に非晶質のシリコンカーバイド膜５３を設
け、このシリコンカーバイド膜５３上に透明導電膜５４
を設け、素子分離等のために、結晶シリコン基板５１の
端部を混酸（フッ酸＋硝酸）によるメサエッチングでも
って除去させた光電変換装置Ｊが知られている（例え
ば、Jpn. J. Appl. Phys. 23 (1984) 515.を参照）。
【０００４】ところで、従来、結晶のシリコン基板の上
に非晶質シリコン層、透明電極層を順次積層させたよう
な光電変換装置において、混酸（フッ酸＋硝酸）による
エッチングでメサ構造を形成させようとすると、各層間
のエッチングレイトの相違により、透明電極層の張り出
しが生じ、結晶シリコンと透明電極層とが接触し、これ
により暗電流が増加して、特に低照度における電圧−電
流特性を向上させることができなかった。
に非晶質シリコン層、透明電極層を順次積層させたよう
な光電変換装置において、混酸（フッ酸＋硝酸）による
エッチングでメサ構造を形成させようとすると、各層間
のエッチングレイトの相違により、透明電極層の張り出
しが生じ、結晶シリコンと透明電極層とが接触し、これ
により暗電流が増加して、特に低照度における電圧−電
流特性を向上させることができなかった。
【０００５】また、このような透明電極層の張り出しが
生じない場合でも、従来の光電変換装置では透明電極層
と結晶シリコン表層との表面経由の距離が短く、パター
ンエッジで暗電流が生じやすい構造であったので、やは
り低照度において電圧−電流特性を向上させることがで
きなかった。
生じない場合でも、従来の光電変換装置では透明電極層
と結晶シリコン表層との表面経由の距離が短く、パター
ンエッジで暗電流が生じやすい構造であったので、やは
り低照度において電圧−電流特性を向上させることがで
きなかった。
【０００６】そこで、従来の光電変換装置の諸問題を解
消し、パターンエッジでの暗電流を極力抑えることがで
き、特に低照度における電圧−電流特性の優れた光電変
換装置を提供することを目的とする。
消し、パターンエッジでの暗電流を極力抑えることがで
き、特に低照度における電圧−電流特性の優れた光電変
換装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する光電
変換装置は、ｐ型もしくはｎ型の結晶シリコンから成る
基板の一主面側に裏面電極層を設けるとともに、基板の
他主面上に、ｉ型の第１非晶質シリコン層、ｐ型もしく
はｎ型で且つ第１非晶質シリコン層より狭い被着面積の
第２非晶質シリコン層、及び受光面電極層を順次積層さ
せて成る。
変換装置は、ｐ型もしくはｎ型の結晶シリコンから成る
基板の一主面側に裏面電極層を設けるとともに、基板の
他主面上に、ｉ型の第１非晶質シリコン層、ｐ型もしく
はｎ型で且つ第１非晶質シリコン層より狭い被着面積の
第２非晶質シリコン層、及び受光面電極層を順次積層さ
せて成る。
【０００８】また、第１非晶質シリコン層もしくは受光
面電極層の被着面積が基板の他主面の面積より狭いこと
を特徴とする。
面電極層の被着面積が基板の他主面の面積より狭いこと
を特徴とする。
【０００９】また、ｐ型もしくはｎ型の結晶シリコンか
ら成る基板の一主面側に裏面電極層を設けるとともに、
基板の他主面上に、基板の他主面の面積より狭い被着面
積の、複数層の非晶質シリコン層と受光面電極層とを順
次積層させて成る。
ら成る基板の一主面側に裏面電極層を設けるとともに、
基板の他主面上に、基板の他主面の面積より狭い被着面
積の、複数層の非晶質シリコン層と受光面電極層とを順
次積層させて成る。
【００１０】なお、ｐ型もしくはｎ型の非晶質シリコン
層は完全な非晶質でなくともよく、微結晶層であっても
よい。
層は完全な非晶質でなくともよく、微結晶層であっても
よい。
【００１１】
【作用】上記構成の光電変換装置によれば、非晶質シリ
コン層や透明電極層と結晶シリコンとの表面経由の距離
を長くすることができ、これにより各層のパターンエッ
ジ部分や半導体接合部での暗電流の発生を極力防止する
ことができ、特に低照度における電圧−電流特性を向上
させることができる。
コン層や透明電極層と結晶シリコンとの表面経由の距離
を長くすることができ、これにより各層のパターンエッ
ジ部分や半導体接合部での暗電流の発生を極力防止する
ことができ、特に低照度における電圧−電流特性を向上
させることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に係る実施例について図面
に基づき詳細に説明する。図１に示す光電変換装置Ｓ
は、照明灯が蛍光灯や白熱灯等の光の波長が種々のもの
であっても、変換効率を高く維持することが可能な太陽
電池であり、その理想的な基本構造は以下に示す通りで
ある。
に基づき詳細に説明する。図１に示す光電変換装置Ｓ
は、照明灯が蛍光灯や白熱灯等の光の波長が種々のもの
であっても、変換効率を高く維持することが可能な太陽
電池であり、その理想的な基本構造は以下に示す通りで
ある。
【００１３】図１に示すように、光電変換装置Ｓは、ｐ
型もしくはｎ型の結晶シリコンの基板１の一主面（裏
面）１ｂ側に裏面電極層８が設けられ、基板１の他主面
（受光面）１ａ上に、ｉ型の第１非晶質シリコン層２、
ｐ型もしくはｎ型で且つ基板１の他主面の面積より狭い
被着面積の第２非晶質シリコン層３、及び受光面電極層
４を順次積層させて成る。
型もしくはｎ型の結晶シリコンの基板１の一主面（裏
面）１ｂ側に裏面電極層８が設けられ、基板１の他主面
（受光面）１ａ上に、ｉ型の第１非晶質シリコン層２、
ｐ型もしくはｎ型で且つ基板１の他主面の面積より狭い
被着面積の第２非晶質シリコン層３、及び受光面電極層
４を順次積層させて成る。
【００１４】具体的には、導電型がｐ型の多結晶シリコ
ンから成る基板１の受光面１ａ側には、基板１の受光面
１ａのほぼ全面に導電型がｉ型の第１非晶質シリコン層
２が設けられ、この第１非晶質シリコン層２上には、周
縁部がパターニング除去され、被着面積が基板１の受光
面１ａの面積より狭く、導電型がｎ型の第２非晶質シリ
コン層３が設けられ、この第２非晶質シリコン層３上に
は、さらに周縁部がパターニングされたＩＴＯ（酸化イ
ンジウム・スズ）から成り、第２非晶質シリコン層３よ
り被着面積が狭い受光面電極層４が設けられ、この受光
面電極層４上には導電ペースト，導電ペースト＋半田，
もしくは金属膜などから成る出力の取り出し電極５が設
けられている。
ンから成る基板１の受光面１ａ側には、基板１の受光面
１ａのほぼ全面に導電型がｉ型の第１非晶質シリコン層
２が設けられ、この第１非晶質シリコン層２上には、周
縁部がパターニング除去され、被着面積が基板１の受光
面１ａの面積より狭く、導電型がｎ型の第２非晶質シリ
コン層３が設けられ、この第２非晶質シリコン層３上に
は、さらに周縁部がパターニングされたＩＴＯ（酸化イ
ンジウム・スズ）から成り、第２非晶質シリコン層３よ
り被着面積が狭い受光面電極層４が設けられ、この受光
面電極層４上には導電ペースト，導電ペースト＋半田，
もしくは金属膜などから成る出力の取り出し電極５が設
けられている。
【００１５】また、基板１の裏面１ｂ側には、基板１の
裏面１ｂのほぼ全面にｉ型の第３非晶質シリコン層６が
設けられ、この第３非晶質シリコン層６上には、周縁部
がパターニングされ、被着面積が基板１の裏面１ｂの面
積より狭く、導電型がｐ型の第４非晶質シリコン層７が
設けられ、この第４非晶質シリコン層７上には、周縁部
がパターニングされ、被着面積が第４非晶質シリコン層
７より狭いアルミニウムから成る裏面電極層８が設けら
れている。
裏面１ｂのほぼ全面にｉ型の第３非晶質シリコン層６が
設けられ、この第３非晶質シリコン層６上には、周縁部
がパターニングされ、被着面積が基板１の裏面１ｂの面
積より狭く、導電型がｐ型の第４非晶質シリコン層７が
設けられ、この第４非晶質シリコン層７上には、周縁部
がパターニングされ、被着面積が第４非晶質シリコン層
７より狭いアルミニウムから成る裏面電極層８が設けら
れている。
【００１６】次に、上記構成の光電変換装置Ｓの製造方
法について説明する。まず、基板１の受光面１ａ側を成
膜する。すなわち、プラズマＣＶＤ法により基板１の受
光面１ａのほぼ全面にｉ型の水素化非晶質シリコン層で
ある第１非晶質シリコン層２を厚さ20〜400 Å程度に成
膜する。そして、この第１非晶質シリコン層２の上面の
ほぼ全面に同様な方法にて、非晶質シリコン形成用ガス
に不純物ドープ用ガスであるホスフィン等を所定の比率
で混合して、厚さ30〜150 Å程度に成膜してｎ型の第２
非晶質シリコン層３を形成する。次いで、この第２非晶
質シリコン層３の上面のほぼ全面にスパッタ法によりＩ
ＴＯから成る受光面電極層４を厚さ700〜1000Å程度に
成膜する。
法について説明する。まず、基板１の受光面１ａ側を成
膜する。すなわち、プラズマＣＶＤ法により基板１の受
光面１ａのほぼ全面にｉ型の水素化非晶質シリコン層で
ある第１非晶質シリコン層２を厚さ20〜400 Å程度に成
膜する。そして、この第１非晶質シリコン層２の上面の
ほぼ全面に同様な方法にて、非晶質シリコン形成用ガス
に不純物ドープ用ガスであるホスフィン等を所定の比率
で混合して、厚さ30〜150 Å程度に成膜してｎ型の第２
非晶質シリコン層３を形成する。次いで、この第２非晶
質シリコン層３の上面のほぼ全面にスパッタ法によりＩ
ＴＯから成る受光面電極層４を厚さ700〜1000Å程度に
成膜する。
【００１７】また、基板１の裏面１ｂ側は、まず、基板
１の裏面１ｂのほぼ全面に、上記と同様にｉ型の水素化
非晶質シリコンを厚さ0 〜200 Å程度に成膜してｉ型の
第３非晶質シリコン層６を形成する。そして、この第３
非晶質シリコン層６の上面のほぼ全面に同様な方法に
て、非晶質シリコン形成用ガスに不純物ドープ用ガスで
あるジボランガス等を所定の比率で混合して、厚さ約0
〜200 Å程度にｐ型の第４非晶質シリコン層７を形成す
る。そして、この第４非晶質シリコン層７の上面のほぼ
全面に蒸着やスパッタ法等によりアルミニウムから成る
裏面電極層８を形成する。
１の裏面１ｂのほぼ全面に、上記と同様にｉ型の水素化
非晶質シリコンを厚さ0 〜200 Å程度に成膜してｉ型の
第３非晶質シリコン層６を形成する。そして、この第３
非晶質シリコン層６の上面のほぼ全面に同様な方法に
て、非晶質シリコン形成用ガスに不純物ドープ用ガスで
あるジボランガス等を所定の比率で混合して、厚さ約0
〜200 Å程度にｐ型の第４非晶質シリコン層７を形成す
る。そして、この第４非晶質シリコン層７の上面のほぼ
全面に蒸着やスパッタ法等によりアルミニウムから成る
裏面電極層８を形成する。
【００１８】次に、まず、受光面電極層４及び裏面電極
層８の所定領域をレジストで覆いマスクする。そして、
フッ酸，硝酸，及び水を混合させた混酸を用いて、第２
非晶質シリコン層３，受光面電極層４，第４非晶質シリ
コン層７，及び裏面電極層８の周縁部をエッチングす
る。ここで、第１非晶質シリコン層２及び第３非晶質シ
リコン層６はほとんどエッチングされない。ここで、エ
ッチングレイトを調節するために、混酸における硝酸の
量を多くしてエッチングレイトを下げたり、水の量を多
くしてエッチングレイトを下げたりする。さらに、受光
面電極層４及び裏面電極層８をエッチングする場合に
は、例えば塩酸もしくは臭化水素でもってエッチングす
る。
層８の所定領域をレジストで覆いマスクする。そして、
フッ酸，硝酸，及び水を混合させた混酸を用いて、第２
非晶質シリコン層３，受光面電極層４，第４非晶質シリ
コン層７，及び裏面電極層８の周縁部をエッチングす
る。ここで、第１非晶質シリコン層２及び第３非晶質シ
リコン層６はほとんどエッチングされない。ここで、エ
ッチングレイトを調節するために、混酸における硝酸の
量を多くしてエッチングレイトを下げたり、水の量を多
くしてエッチングレイトを下げたりする。さらに、受光
面電極層４及び裏面電極層８をエッチングする場合に
は、例えば塩酸もしくは臭化水素でもってエッチングす
る。
【００１９】そして、スクリーン印刷，半田ディップ，
もしくは蒸着法等により取り出し電極５を形成して、図
１に示す光電変換装置Ｓを作製することができる。な
お、基板１上に多数個の素子領域を作製している場合に
は、上記のようにして素子を作製した後に、素子どうし
を分離するためにレーザー，ダイシング，もしくはダイ
ヤモンドスクライブ等によりカッティングを行う。
もしくは蒸着法等により取り出し電極５を形成して、図
１に示す光電変換装置Ｓを作製することができる。な
お、基板１上に多数個の素子領域を作製している場合に
は、上記のようにして素子を作製した後に、素子どうし
を分離するためにレーザー，ダイシング，もしくはダイ
ヤモンドスクライブ等によりカッティングを行う。
【００２０】なおここで、基板１は単結晶シリコンでも
よく、基板１の導電型はｎ型でもよい（この場合には、
基板１の受光面側に設けるｎ型の非晶質シリコン層の代
わりに、ｐ型の非晶質シリコン層を設けるとよい。）。
また、第２非晶質シリコン層３や第４非晶質シリコン層
７は完全な非晶質でなくともよく、いわゆる微結晶層で
あってもよい。また、基板１の裏面側には裏面電極層だ
けを形成するようにしてもよい。また、透明導電層４は
酸化亜鉛（ＺｎＯ）等でもよい。また、第１非晶質シリ
コン層２及び／又は第３非晶質シリコン層６の周縁部を
パターニング除去するようにしてもよい。
よく、基板１の導電型はｎ型でもよい（この場合には、
基板１の受光面側に設けるｎ型の非晶質シリコン層の代
わりに、ｐ型の非晶質シリコン層を設けるとよい。）。
また、第２非晶質シリコン層３や第４非晶質シリコン層
７は完全な非晶質でなくともよく、いわゆる微結晶層で
あってもよい。また、基板１の裏面側には裏面電極層だ
けを形成するようにしてもよい。また、透明導電層４は
酸化亜鉛（ＺｎＯ）等でもよい。また、第１非晶質シリ
コン層２及び／又は第３非晶質シリコン層６の周縁部を
パターニング除去するようにしてもよい。
【００２１】なおまた、光電変換装置Ｓ全体の耐湿性等
の信頼性向上のために、裏面電極層８上には保護膜が形
成されるとより好適である。例えば、樹脂を周知の印刷
手法を用いて保護膜として形成し、さらに、例えば導電
性樹脂を周知の印刷手法を用いて取り出し電極部分が形
成される。また、この上に後工程の実装時の半田づけ性
を良好とするため、半田材料を形成しておくとよい。こ
れは、導電性樹脂表面が長時間放置によって酸化され、
後の実装時の半田づけ性に悪影響を及ぼす可能性を未然
に防ぐためである。
の信頼性向上のために、裏面電極層８上には保護膜が形
成されるとより好適である。例えば、樹脂を周知の印刷
手法を用いて保護膜として形成し、さらに、例えば導電
性樹脂を周知の印刷手法を用いて取り出し電極部分が形
成される。また、この上に後工程の実装時の半田づけ性
を良好とするため、半田材料を形成しておくとよい。こ
れは、導電性樹脂表面が長時間放置によって酸化され、
後の実装時の半田づけ性に悪影響を及ぼす可能性を未然
に防ぐためである。
【００２２】次に、上記光電変換装置Ｓの特性について
説明する。受光面積が約0.5 cm2 の場合の光電変換装置
Ｓの電圧−電流特性は、図２に実線で示す通りであっ
て、開放電圧は約0.4 Ｖであり、電圧−電流特性が非常
に良好であった。さらに、順バイアス0.3 Ｖにおける暗
電流も2 ×10-6Ａ／cm2 以下であった。このように、光
電変換装置Ｓでは特に半導体接合部における表面経由を
長くすることにより暗電流の発生を極力抑えることがで
き、低照度における電圧−電流特性を従来より大幅に向
上させることができた。
説明する。受光面積が約0.5 cm2 の場合の光電変換装置
Ｓの電圧−電流特性は、図２に実線で示す通りであっ
て、開放電圧は約0.4 Ｖであり、電圧−電流特性が非常
に良好であった。さらに、順バイアス0.3 Ｖにおける暗
電流も2 ×10-6Ａ／cm2 以下であった。このように、光
電変換装置Ｓでは特に半導体接合部における表面経由を
長くすることにより暗電流の発生を極力抑えることがで
き、低照度における電圧−電流特性を従来より大幅に向
上させることができた。
【００２３】一方、非晶質シリコン層や受光面電極層の
周縁部をエッチングしない、従来構造のものでは、図２
に破線で示す通りであり、開放電圧は約0.3 Ｖ程度、順
バイアス0.3 Ｖにおける暗電流も10-5Ａ／cm2 程度であ
った。
周縁部をエッチングしない、従来構造のものでは、図２
に破線で示す通りであり、開放電圧は約0.3 Ｖ程度、順
バイアス0.3 Ｖにおける暗電流も10-5Ａ／cm2 程度であ
った。
【００２４】次に、光電変換装置の他の実施例について
説明する。図３に示すように、ｐ型もしくはｎ型の多結
晶シリコンの基板３１の裏面に裏面電極層３４を設け、
ｐ型もしくはｎ型の多結晶シリコンの基板３１の受光面
側に、周縁部をパターニングして、被着面積が基板３１
の受光面より狭い、２層以上（ｉ型や他の導電型の層が
複数積層された層構成をなす）の非晶質シリコン層３２
を積層し、この非晶質シリコン層３２上に、周縁部をパ
ターニングして、被着面積が非晶質シリコン層３２より
狭い透明導電層３３を積層した構造の光電変換装置Ｓ３
としてもよい。なお、図３において基板３１の取り出し
電極等は省略している。また、図中Ｃ３はレーザーやダ
イシング等によりカッティングして素子分離を行う箇所
を示す。
説明する。図３に示すように、ｐ型もしくはｎ型の多結
晶シリコンの基板３１の裏面に裏面電極層３４を設け、
ｐ型もしくはｎ型の多結晶シリコンの基板３１の受光面
側に、周縁部をパターニングして、被着面積が基板３１
の受光面より狭い、２層以上（ｉ型や他の導電型の層が
複数積層された層構成をなす）の非晶質シリコン層３２
を積層し、この非晶質シリコン層３２上に、周縁部をパ
ターニングして、被着面積が非晶質シリコン層３２より
狭い透明導電層３３を積層した構造の光電変換装置Ｓ３
としてもよい。なお、図３において基板３１の取り出し
電極等は省略している。また、図中Ｃ３はレーザーやダ
イシング等によりカッティングして素子分離を行う箇所
を示す。
【００２５】このとき使用するエッチャントは、非晶質
シリコン層３２と透明導電層３３とが共にエッチングさ
れるエッチャント（例えば、混酸）を用い、共にエッチ
ングされるようにし、さらに、透明導電層３３のみエッ
チングされるように塩酸などのエッチャントを用いて透
明導電層３３のサイドエッチングするようにする。
シリコン層３２と透明導電層３３とが共にエッチングさ
れるエッチャント（例えば、混酸）を用い、共にエッチ
ングされるようにし、さらに、透明導電層３３のみエッ
チングされるように塩酸などのエッチャントを用いて透
明導電層３３のサイドエッチングするようにする。
【００２６】この実施例においても、上記実施例と同様
にパターンエッジ部や半導体接合部における暗電流の発
生を極力防止することができるので、低照度における電
圧−電流特性を良好にすることができる。
にパターンエッジ部や半導体接合部における暗電流の発
生を極力防止することができるので、低照度における電
圧−電流特性を良好にすることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
非晶質シリコン層や受光面電極層と結晶シリコン（単結
晶もしくは多結晶シリコン）層との表面経由の距離を長
くすることができるので、暗電流のパターンエッジ部分
での発生を極力防止することができ、特に低照度におい
て電圧−電流特性が良好となり、高効率の優れた太陽電
池や特性の優れた光センサなどの光電変換装置を提供す
ることができる。
非晶質シリコン層や受光面電極層と結晶シリコン（単結
晶もしくは多結晶シリコン）層との表面経由の距離を長
くすることができるので、暗電流のパターンエッジ部分
での発生を極力防止することができ、特に低照度におい
て電圧−電流特性が良好となり、高効率の優れた太陽電
池や特性の優れた光センサなどの光電変換装置を提供す
ることができる。
【図１】本発明に係る一実施例の光電変換装置の要部断
面図。
面図。
【図２】光電変換装置の電圧−電流特性を示す特性図。
【図３】本発明に係る他実施例の光電変換装置の要部断
面図。
面図。
【図４】従来の光電変換装置の一例を示す要部断面図。
１ ・・・ 基板 ２ ・・・ 第１非晶質シリコン層 ３ ・・・ 第２非晶質シリコン層 ４ ・・・ 受光面電極層 ８ ・・・ 裏面電極層 Ｓ ・・・ 光電変換装置
Claims (3)
- 【請求項１】 ｐ型もしくはｎ型の結晶シリコンから成
る基板の一主面側に裏面電極層を設けるとともに、前記
基板の他主面上に、ｉ型の第１非晶質シリコン層、ｐ型
もしくはｎ型で且つ前記第１非晶質シリコン層より狭い
被着面積の第２非晶質シリコン層、及び受光面電極層を
順次積層させて成る光電変換装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光電変換装置であっ
て、前記第１非晶質シリコン層もしくは前記受光面電極
層の被着面積が前記基板の他主面の面積より狭いことを
特徴とする光電変換装置。 - 【請求項３】 ｐ型もしくはｎ型の結晶シリコンから成
る基板の一主面側に裏面電極層を設けるとともに、前記
基板の他主面上に、前記基板の他主面の面積より狭い被
着面積の、複数層の非晶質シリコン層と受光面電極層と
を順次積層させて成る光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7313293A JPH09153632A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7313293A JPH09153632A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153632A true JPH09153632A (ja) | 1997-06-10 |
Family
ID=18039483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7313293A Pending JPH09153632A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09153632A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006222469A (ja) * | 2006-05-29 | 2006-08-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子 |
| US7781669B2 (en) | 2005-02-25 | 2010-08-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic cell |
| WO2020059204A1 (ja) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | 株式会社カネカ | 太陽電池セル、太陽電池デバイスおよび太陽電池モジュール |
| WO2020121694A1 (ja) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 株式会社カネカ | 太陽電池デバイスおよび太陽電池モジュール |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP7313293A patent/JPH09153632A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7781669B2 (en) | 2005-02-25 | 2010-08-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic cell |
| USRE45872E1 (en) | 2005-02-25 | 2016-01-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Photovoltaic cell |
| JP2006222469A (ja) * | 2006-05-29 | 2006-08-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子 |
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| WO2020121694A1 (ja) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 株式会社カネカ | 太陽電池デバイスおよび太陽電池モジュール |
| JPWO2020121694A1 (ja) * | 2018-12-12 | 2021-10-21 | 株式会社カネカ | 太陽電池デバイスおよび太陽電池モジュール |
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