JP2012227216A - ウェーハの電気特性測定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】裏面側にポリシリコン膜2を形成したシリコンウェーハ1の電気特性測定方法において、前記シリコンウェーハ1の表面側には、陽極となる金属を蒸着させ、裏面側には、前記ポリシリコン膜の表面上に金属ペースト5を塗布した後に、該金属ペースト5を乾燥させ、該乾燥させた金属ペースト5を介して陰極4に接触させ、前記陽極及び陰極4の間に電圧をかけることによりC−V特性を測定する。
【選択図】図1
Description
また特許文献2には、ウェーハ主表面の空乏層容量リアクタンスが直列抵抗の15倍以上になる条件で、C−V法によってウェーハのC−V特性を測定する方法が記載されている。
このポリバックシールとは、650℃程度のCVD法でシリコンウェーハ裏面に形成される、厚さ0.1μm〜2.0μm程度のポリシリコン膜のことであり、該ポリシリコン膜中のポリシリコンの粒界、またはシリコンウェーハとポリシリコン膜との界面等に、前記シリコンウェーハ中の各種重金属不純物をゲッタリングさせるためのゲッタリングシンクとなるものである。
このため、裏面側にポリシリコン膜が形成されたシリコンウェーハを用いて、同一条件でエピタキシャルシリコンウェーハの製造を行っていても、C−Vプロファイルのばらつきによって、製造されるエピタキシャルシリコンウェーハの抵抗率の測定値が安定しない等の問題があった。
また、通常のC−V法による電気特性測定を行う準備段階として、ウェーハの裏面側に形成されたポリシリコン膜の表面上に金属ペーストを塗布するだけで良いため、非常に容易に実施でき、その効果を得ることができる。
このように、銀ペーストは導電性が高く安価であり、耐湿性に優れるため、本発明において、ポリシリコン膜の表面上に形成する金属ペーストとしては好適である。
また、通常のC−V法による電気特性測定を行う準備段階として、ポリシリコン膜の表面上に金属ペーストを塗布するだけで良いため、非常に容易に実施することができ、その効果を得ることができる。
プローブ14にはキャパシタンスメータ15とパルス電圧発生器16が接続されており、キャパシタンスメータ15とパルス電圧発生器16は制御用コンピュータ17に接続されている。そしてパルス電圧発生器16で階段状に変化する電圧を発生させて、電圧をショットキー電極12に接触するプローブ14を通してウェーハ11に印加することにより、キャパシタンスメータ15で空乏層容量(キャパシタンス)を測定することができる。
このとき、前記シリコンウェーハ1としては特には限定されず、例えばエピタキシャルシリコンウェーハとすることができる。また、金属電極3の材質としては、金やアルミニウム等を用いることができる。
直径が200mmであって、裏面側に、ポリバックシールとして厚さ1.0μmのポリシリコン膜が形成されたエピタキシャルシリコンウェーハ(エピ膜厚:5μm、エピ抵抗率:0.78Ωcm)を用意した。そして、ポリシリコン膜の表面上に厚さ10μmの金属ペースト(Agペースト)を塗布し、その後室温で60分間自然乾燥させた。このようにして、ウェーハ裏面側に形成されたポリシリコン膜の表面上にAgペーストが塗布されたエピタキシャルシリコンウェーハをフッ酸(HF)処理し、ウェーハ表面上の酸化膜等を除去した後、前記エピタキシャルシリコンウェーハの表面側に金(Au)を蒸着させて、金属電極を形成した。
このときのC−Vプロファイル結果を図2(a)に示す。図2(a)より、ウェーハ表面側の抵抗率は高くなることなく、C−Vプロファイルも安定していることが確認された。
エピタキシャルシリコンウェーハの裏面側に形成されたポリシリコン膜の表面上に金属ペーストを塗布しなかったこと以外は実施例と同様にして、エピタキシャルシリコンウェーハの抵抗率測定を計10回実施した。
このときのC−Vプロファイル結果を図2(b)に示す。図2(b)より、ウェーハ表面側の抵抗率が高くなっており、C−Vプロファイルがばらついてしまっていることが確認された。
(最大値−最小値)/(最大値+最小値)×100[%]
5…金属ペースト、 10…C−V特性測定装置、 11…測定対象ウェーハ、
12…ショットキー電極、 13…ステージ、 14…プローブ、
15…キャパシタンスメータ、 16…パルス電圧発生器、
17…制御用コンピュータ、 18…シールドボックス、 19…真空ポンプ、
20…真空吸着穴。
Claims (3)
- 裏面側にポリシリコン膜を形成したシリコンウェーハの電気特性測定方法において、前記シリコンウェーハの表面側には、陽極となる金属を蒸着させ、裏面側には、前記ポリシリコン膜の表面上に金属ペーストを塗布した後に、該金属ペーストを乾燥させ、該乾燥させた金属ペーストを介して陰極に接触させ、前記陽極及び陰極の間に電圧をかけることによりC−V特性を測定することを特徴とするウェーハの電気特性測定方法。
- 前記シリコンウェーハとして、表面にエピタキシャル層を形成したエピタキシャルシリコンウェーハとすることを特徴とする請求項1に記載のウェーハの電気特性測定方法。
- 前記金属ペーストを銀ペーストとすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のウェーハの電気特性測定方法。
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