JP6714867B2 - 抵抗率測定方法 - Google Patents
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Description
なお、本発明において順バイアスとは、ショットキー接合を形成する半導体単結晶ウェーハと水銀電極の間に、電流が流れる方向に電圧を印加することである。
10を示す概略図である。半導体単結晶ウェーハ1として例えばシリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層が形成されてなるシリコンエピタキシャルウェーハの主表面に、収納容器12,13に収納された水銀31,32を下方から上方向に導くとともに接触させて水銀電極33,34となしてC−V測定して抵抗率を求める。シリコン以外の半導体単結晶ウェーハ1として、GaP、GaN、SiC等の化合物半導体単結晶ウェーハの抵抗率測定に適用できる。
W=Aε0εSi/C ・・・(1)
N(W)=2/(qε0εSiA2)×{d(C−2)/dV}−1・・・(2)
ここで、Aは電極面積、ε0は真空誘電率、εSiはSiの比誘電率、qは電子の電荷量である。
繰り返しのパターンについてより具体的に説明する。
例えば、同じ位置で図1の(工程a)〜(工程d)を繰り返すことができる。すなわち、水銀をウェーハ主表面に接触させてショットキー接合を形成し、順バイアス電圧印加、逆バイアス電圧印加、抵抗率演算を順に行い、その後水銀をウェーハ主表面から離し、次の測定のために、同じ位置に水銀をウェーハ主表面に再度接触させて上記手順を繰り返すことができる(図1の矢印(1)参照)。
また、(工程a)を行い、そのまま同じ位置で(工程b)(工程c)(工程d)を繰り返すことも可能である。すなわち、ショットキー接合を形成したままの状態で、順バイアス電圧印加、逆バイアス電圧印加、抵抗率演算を繰り返すことができる(図1の矢印(2)参照)。
さらには、(工程a)を行い、そのまま同じ位置で(工程b)(工程c)を繰り返してから(工程d)を行うことも可能である。すなわち、ショットキー接合を形成したまま、順バイアス電圧印加、逆バイアス電圧印加を繰り返し行い、最後にまとめて抵抗率演算を行うこともできる。(図1の矢印(3)参照)。
いずれにしろ、電荷の蓄積による抵抗率の漸増・漸減を抑制して測定することができる。
本発明の抵抗率測定方法を実施した。具体的には図1に示す(工程a)〜(工程d)を繰り返し行った。抵抗率約0.9ΩcmのP型シリコンエピタキシャル層1を図2に示す水銀プローバ10を用いて5回繰り返しC−V測定する際、毎回−1Vから−18Vまで1V間隔で絶対値を増加させながら順バイアスを印加した後に、逆バイアス電圧Vを1Vから+15Vまで1V間隔で増加させながら印加することにより抵抗率測定を行った。その結果、測定値の平均値で標準偏差σを割って求めるCV値(変動係数)は、0.03%であった。
実施例1で測定に用いた抵抗率約0.9ΩcmのP型シリコンエピタキシャル層1を、従来法のように、順バイアス電圧を印加せずに5回繰り返しC−V測定し抵抗率を求めた。その結果、CV値は、0.15%であった。
12、13…収納容器、 15、16…導管、
31、32…収納容器に収納された水銀、33、34…水銀電極、
35…半導体単結晶ウェーハ内に形成される空乏層、
41、42…収納容器を被覆する導電性ゴムシート、
43、44…導管を被覆する導電性ゴムシート、
51、52、53、54…アース線、 61、62、63…アース、
100…抵抗率を測定するためのC−V特性測定システム、 130…水銀プローバ、
140…LCRメータ、
150…PC(パーソナルコンピューター)、 161、162…測定ケーブル、
163…GPIBケーブル
Claims (2)
- 半導体単結晶ウェーハに水銀を接触させて水銀電極となす水銀電極形成工程と、
前記水銀電極に順バイアス電圧を印加する順バイアス電圧印加工程と、
前記水銀電極に逆バイアス電圧を印加して変化する前記半導体単結晶ウェーハの容量を測定するC−V測定工程と、
前記逆バイアス電圧と前記容量の関係から抵抗率を演算する抵抗率演算工程とを有すること
を特徴とする抵抗率測定方法。 - 前記順バイアス電圧の印加量は、前記半導体単結晶ウェーハの抵抗率が低いほど大きくすることを特徴とする請求項1に記載の抵抗率測定方法。
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