CN107256837A - 基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法 - Google Patents
基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107256837A CN107256837A CN201710591157.XA CN201710591157A CN107256837A CN 107256837 A CN107256837 A CN 107256837A CN 201710591157 A CN201710591157 A CN 201710591157A CN 107256837 A CN107256837 A CN 107256837A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- epitaxial wafer
- super
- sealing
- sealed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 122
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 65
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 49
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 13
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 53
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 10
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical class CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006701 autoxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000686 essence Substances 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：对基于超级背封衬底的外延片的多晶背封层进行处理，露出二氧化硅背封层，所述处理的位置包含测量位置；将处理后的所述外延片在纯水中进行第一清洗；将经过所述第一清洗的所述外延片在氢氟酸溶液中漂洗；将漂洗后的所述外延片在纯水中进行第二清洗；将经过所述第二清洗的所述外延片在预设温度的双氧水溶液中煮预设时间；再将所述外延片在纯水中进行第三清洗；再通过氮气将所述外延片吹干；最后使用汞探针电容电压法测量装置测量所述外延片。本发明能够使测量结果准确。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法。
背景技术
在硅外延工艺中，需要在衬底背面覆盖一层背封层。通常是在衬底背面覆盖一层二氧化硅（LTO）作为背封层，超级背封（Super Sealing）衬底为一种新型的在LTO背封层表面再覆盖一层多晶硅（POLY）的具有双层背封结构的衬底。
在测量硅外延电阻率时，通常采用汞探针电容电压法（HG-CV），通过背表面导通（Back-Surface-Return-Contact）的结构测量硅外延片的电阻率。这种方法要求外延片的衬底能够与HG-CV设备的真空金属吸盘紧密接触产生导通电阻。以LTO作为背封层的硅外延片在通过HG-CV测量电阻率前背封层已经用氢氟酸溶液去除，以保证电阻率测量结果的准确性。由于基于 Super Sealing衬底的硅外延片背封层难以通过常规的使用氢氟酸溶液腐蚀的方法去除，在使用HG-CV测量电阻率时，导致电阻率测量结果不准确。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法，以解决现有技术中使用HG-CV方法测量超级背封衬底的外延片电阻率时，测量结果不准确的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：
一种基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法，包括以下步骤：
对基于超级背封衬底的外延片的多晶背封层进行处理，露出二氧化硅背封层，所述处理的位置包含测量位置；
将处理后的所述基于超级背封衬底的外延片在纯水中进行第一清洗；
将经过所述第一清洗的所述基于超级背封衬底的外延片在氢氟酸溶液中漂洗；
将漂洗后的所述基于超级背封衬底的外延片在纯水中进行第二清洗；
将经过所述第二清洗的所述基于超级背封衬底的外延片在预设温度的双氧水溶液中煮预设时间；
将在双氧水溶液中煮预设时间后的所述基于超级背封衬底的外延片在纯水中进行第三清洗；
通过氮气将经过所述第三清洗后的所述基于超级背封衬底的外延片吹干；
使用汞探针电容电压法测量装置测量吹干后的所述基于超级背封衬底的外延片。
可选的，所述使用汞探针电容电压法测量装置测量吹干后的所述基于超级背封衬底的外延片之前，所述方法还包括：
所述汞探针电容电压法测量装置包括金属真空吸盘，所述金属真空吸盘与所述基于超级背封衬底的外延片接触，在所述金属真空吸盘上与所述测量位置对应的位置滴加异丙醇。
可选的，所述在所述金属真空吸盘上与所述测量位置对应的位置滴加异丙醇，具体包括：
使用滴定管在所述金属真空吸盘上与所述测量位置对应的位置滴加2滴异丙酮。
可选的，所述对基于超级背封衬底的外延片的多晶背封层进行处理，具体包括：
将划伤模具覆盖在所述基于超级背封衬底的外延片的背封层表面，所述划伤模具设有划伤开口；
使用划伤工具通过所述划伤开口划伤所述基于超级背封衬底的外延片的背封层表面，划伤多晶背封层。
可选的，所述划伤模具包括：基板，所述基板的尺寸不小于所述基于超级背封衬底的外延片的尺寸，所述基板上与所述基板中轴线垂直方向等间隔设有多个预设宽度的划伤开口，所述划伤开口贯穿所述基板。
可选的，所述划伤模包括：基板，所述基板的尺寸不小于所述基于超级背封衬底的外延片的尺寸，所述基板上与所述测量位置对应的位置设有划伤开口。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于：本发明实施例通过对超级背封衬底的外延片的背封层进行处理破坏绝缘的POLY背封层，再通过氢氟酸溶液去除LTO背封层，最后使用汞探针电容电压法测量装置测量基于超级背封衬底的外延片，使测量结果准确。
附图说明
图1是本发明实施例提供的基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法的实现流程图；
图2是本发明实施例提供的一种划伤模具的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的另一种划伤模具的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的Hg-CV测量基于超级背封衬底的外延片的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下对照附图并结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参考图1，图1是本发明实施例提供的基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法的实现流程图，包括以下步骤：
步骤S101，对基于超级背封衬底的外延片的多晶背封层进行处理，露出二氧化硅背封层，所述处理的位置包含测量位置。
在本发明实施例中，对基于超级背封衬底的外延片的多晶背封层进行机械划伤，露出二氧化硅背封层，划伤的位置包含测量位置；
可选的，将划伤模具覆盖在所述基于超级背封衬底的外延片的背封层表面，所述划伤模具设有划伤开口；使用划伤工具通过所述划伤开口划伤所述基于超级背封衬底的外延片的背封层表面，划伤多晶背封层。
在本发明实施例中，将划伤模具覆盖在基于超级背封衬底的外延片的背封层表面，使用划伤笔通过划伤开口将基于超级背封衬底的外延片划伤。所述划伤笔为笔尖为金刚石的金刚石笔，金刚石笔尖为锥形。通过划伤模具的划伤开口对基于超级背封衬底的外延片进行划伤，能够提高划伤效率和划伤准确率。
进一步的，请参考图2，图2是本发明实施例提供的一种划伤模具的结构示意图。所述划伤模包括：基板201，所述基板201的尺寸不小于所述基于超级背封衬底的外延片的尺寸，所述基板201上与所述基板201中轴线垂直方向等间隔设有多个预设宽度的划伤开口202，所述划伤开口202贯穿所述基板。
在本发明实施例中，在划伤模具的基板201上与所述基板中轴线垂直方向均匀设置多个划伤开口202，例如，在基板201上与所述基板201中轴线垂直方向每间隔5毫米设置间距为3毫米宽的划伤开口202。通过划伤开口202对基于超级背封衬底的外延片进行均匀划伤，以保证每个测量位置的导通电阻相同，确保了测量的准确性。
进一步的，请参考图3，图3是本发明实施例提供的另一种划伤模具的结构示意图，可选的，所述划伤模包括：基板301，所述基板301的尺寸不小于所述基于超级背封衬底的外延片的尺寸，所述基板301上与所述测量位置对应的位置设有划伤开口。
在本发明实施例中，通过在划伤模具的基板301上与所述测量位置对应的位置设有划伤开口302，在划伤基于超级背封衬底的外延片时，只需要划伤测量位置即可，操作简便。
步骤S102，将处理后的所述基于超级背封衬底的外延片在纯水中进行第一清洗。
在本发明实施例中，将划伤后的基于超级背封衬底的外延片用纯水冲洗2分钟，去除划伤产生的粉末。
步骤S103，将经过所述第一清洗的所述基于超级背封衬底的外延片在氢氟酸溶液中漂洗。
在本发明实施例中，将冲洗后的基于超级背封衬底的外延片在10:1的氢氟酸溶液中漂洗10秒，去除表面自然氧化的氧化层和LTO背封层。
步骤S104，将漂洗后的所述基于超级背封衬底的外延片在纯水中进行第二清洗。
在本发明实施例中，将在氢氟酸溶液中漂洗后的基于超级背封衬底的外延片在纯水中清洗10分钟，去除残留的氢氟酸溶液。
步骤S105，将经过所述第二清洗的所述基于超级背封衬底的外延片在预设温度的双氧水溶液中煮预设时间。
在本发明实施例中，经清洗后的基于超级背封衬底的外延片在温度为70°C 到90°C的双氧水溶液中煮10分钟，在基于超级背封衬底的外延片表面形成氧化层。
步骤S106，将在双氧水溶液中煮预设时间后的所述基于超级背封衬底的外延片在纯水中进行第三清洗。
在本发明实施例中，将经双氧水溶液处理后的超级背封衬底的外延片在纯水中清洗10分钟，去除残留的双氧水溶液。
步骤S107，通过氮气将经过所述第三清洗后的所述基于超级背封衬底的外延片吹干。
步骤S108，使用汞探针电容电压法测量装置测量吹干后的所述基于超级背封衬底的外延片。
在本发明实施例中，基于超级背封衬底的外延片从下至上依次为背封层（附图未显示）、衬底层402、外延层403，将吹干后的基于超级背封衬底的外延片放到Hg-CV装置的金属真空吸盘401上，具有背封层的一面与金属真空吸盘401接触。其测量原理为：以N型掺杂为例，经过双氧水溶液处理后的超级背封衬底的外延片的正表面经化学反应生长一层氧化膜404，形成绝缘层，相当于一个PN结。测量时在氧化膜404的上方直接接触汞电极405，这样在PN结的交界面就形成空间电荷区。同时，破坏基于超级背封衬底的外延片的POLY背封层和LTO背封层，露出衬底层402，金属真空吸盘401与衬底层402接触的位置形成欧姆接触，这时在金属汞和超级背封衬底的外延片背面上施加外加变化的电压时，则PN结空间电荷也随着发生变化，即电容效应，称为势垒电容，再通过计算空间电荷的数量换算成电阻率，从而获得超级背封衬底的外延片电阻率。
可选的，在使用汞探针电容电压法测量装置测量所述基于超级背封衬底的外延片之前，所述方法还包括：所述汞探针电容电压法测量装置包括金属真空吸盘，所述金属真空吸盘与所述基于超级背封衬底的外延片接触，在所述金属真空吸盘上与所述测量位置对应的位置滴加异丙醇。。
可选的，使用滴定管在所述金属真空吸盘上与所述测量位置对应的位置滴加2滴异丙醇。
在本发明实施例中，在测量时，测量位置滴加异丙醇可将超级背封衬底的外延片的衬底基片和金属真空吸盘导通，降低测量时的导通电阻。
本发明实施例通过对超级背封衬底的外延片的背封层进行处理破坏绝缘的POLY背封层，再通过氢氟酸溶液去除LTO背封层，最后使用汞探针电容电压法测量装置测量基于超级背封衬底的外延片，使测量结果准确。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：
对基于超级背封衬底的外延片的多晶背封层进行处理，露出二氧化硅背封层，所述处理的位置包含测量位置；
将处理后的所述基于超级背封衬底的外延片在纯水中进行第一清洗；
将经过所述第一清洗的所述基于超级背封衬底的外延片在氢氟酸溶液中漂洗；
将漂洗后的所述基于超级背封衬底的外延片在纯水中进行第二清洗；
将经过所述第二清洗的所述基于超级背封衬底的外延片在预设温度的双氧水溶液中煮预设时间；
将在双氧水溶液中煮预设时间后的所述基于超级背封衬底的外延片在纯水中进行第三清洗；
通过氮气将经过所述第三清洗后的所述基于超级背封衬底的外延片吹干；
使用汞探针电容电压法测量装置测量吹干后的所述基于超级背封衬底的外延片。
2.如权利要求1所述的基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法，其特征在于，所述使用汞探针电容电压法测量装置测量吹干后的所述基于超级背封衬底的外延片之前，所述方法还包括：
所述汞探针电容电压法测量装置包括金属真空吸盘，所述金属真空吸盘与所述基于超级背封衬底的外延片接触，在所述金属真空吸盘上与所述测量位置对应的位置滴加异丙醇。
3.如权利要求2所述的基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法，其特征在于，所述在所述金属真空吸盘上与所述测量位置对应的位置滴加异丙醇，具体包括：
使用滴定管在所述金属真空吸盘上与所述测量位置对应的位置滴加2滴异丙醇。
4.如权利要求1所述的基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法，其特征在于，所述对基于超级背封衬底的外延片的多晶背封层进行处理，具体包括：
将划伤模具覆盖在所述基于超级背封衬底的外延片的背封层表面，所述划伤模具设有划伤开口；
使用划伤工具通过所述划伤开口划伤所述基于超级背封衬底的外延片的背封层表面，划伤多晶背封层。
5.如权利要求4所述的基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法，其特征在于，所述划伤模具包括：基板，所述基板的尺寸不小于所述基于超级背封衬底的外延片的尺寸，所述基板上与所述基板中轴线垂直方向等间隔设有多个预设宽度的划伤开口，所述划伤开口贯穿所述基板。
6.如权利要求4所述的基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法，其特征在于，所述划伤模包括：基板，所述基板的尺寸不小于所述基于超级背封衬底的外延片的尺寸，所述基板上与所述测量位置对应的位置设有划伤开口。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710591157.XA CN107256837B (zh) | 2017-07-19 | 2017-07-19 | 基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710591157.XA CN107256837B (zh) | 2017-07-19 | 2017-07-19 | 基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107256837A true CN107256837A (zh) | 2017-10-17 |
| CN107256837B CN107256837B (zh) | 2020-01-07 |
Family
ID=60025648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710591157.XA Active CN107256837B (zh) | 2017-07-19 | 2017-07-19 | 基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107256837B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108054082A (zh) * | 2017-12-06 | 2018-05-18 | 上海华力微电子有限公司 | 一种cis之衬底结构及其制备方法 |
| CN114871186A (zh) * | 2022-01-19 | 2022-08-09 | 上海晶盟硅材料有限公司 | 外延片阻值测量前处理方法 |
| CN115527903A (zh) * | 2022-11-24 | 2022-12-27 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于背封硅片的设备和方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001328202A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-11-27 | Dainippon Printing Co Ltd | バリア性フィルムおよびそれを使用した積層材 |
| US20100155728A1 (en) * | 2008-12-24 | 2010-06-24 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Epitaxial wafer and method for fabricating the same |
| CN101799381A (zh) * | 2010-03-02 | 2010-08-11 | 上海新傲科技股份有限公司 | 一种在硅片表面形成氧化层的方法 |
| JP2012227216A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハの電気特性測定方法 |
| CN103390570A (zh) * | 2013-08-13 | 2013-11-13 | 上海新傲科技股份有限公司 | 电容-电压测试预处理的方法 |
| CN104112653A (zh) * | 2014-07-15 | 2014-10-22 | 北京燕东微电子有限公司 | 一种自补偿背封半导体衬底的制备方法 |
| CN204029812U (zh) * | 2014-07-15 | 2014-12-17 | 北京燕东微电子有限公司 | 一种具有自补偿背封层的半导体衬底 |
| CN104282535A (zh) * | 2014-10-23 | 2015-01-14 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种提高ccd器件用p型硅外延片电阻率均匀性的方法 |
| CN104425248A (zh) * | 2013-08-28 | 2015-03-18 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 重掺杂p型衬底背封工艺方法 |
| CN105552003A (zh) * | 2015-12-25 | 2016-05-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | P型外延片生产中的电阻率监控方法 |
-
2017
- 2017-07-19 CN CN201710591157.XA patent/CN107256837B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001328202A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-11-27 | Dainippon Printing Co Ltd | バリア性フィルムおよびそれを使用した積層材 |
| US20100155728A1 (en) * | 2008-12-24 | 2010-06-24 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Epitaxial wafer and method for fabricating the same |
| CN101799381A (zh) * | 2010-03-02 | 2010-08-11 | 上海新傲科技股份有限公司 | 一种在硅片表面形成氧化层的方法 |
| JP2012227216A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハの電気特性測定方法 |
| CN103390570A (zh) * | 2013-08-13 | 2013-11-13 | 上海新傲科技股份有限公司 | 电容-电压测试预处理的方法 |
| CN104425248A (zh) * | 2013-08-28 | 2015-03-18 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 重掺杂p型衬底背封工艺方法 |
| CN104112653A (zh) * | 2014-07-15 | 2014-10-22 | 北京燕东微电子有限公司 | 一种自补偿背封半导体衬底的制备方法 |
| CN204029812U (zh) * | 2014-07-15 | 2014-12-17 | 北京燕东微电子有限公司 | 一种具有自补偿背封层的半导体衬底 |
| CN104282535A (zh) * | 2014-10-23 | 2015-01-14 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种提高ccd器件用p型硅外延片电阻率均匀性的方法 |
| CN105552003A (zh) * | 2015-12-25 | 2016-05-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | P型外延片生产中的电阻率监控方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108054082A (zh) * | 2017-12-06 | 2018-05-18 | 上海华力微电子有限公司 | 一种cis之衬底结构及其制备方法 |
| CN114871186A (zh) * | 2022-01-19 | 2022-08-09 | 上海晶盟硅材料有限公司 | 外延片阻值测量前处理方法 |
| WO2023137815A1 (zh) * | 2022-01-19 | 2023-07-27 | 上海晶盟硅材料有限公司 | 外延片阻值测量前处理方法 |
| CN115527903A (zh) * | 2022-11-24 | 2022-12-27 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于背封硅片的设备和方法 |
| CN115527903B (zh) * | 2022-11-24 | 2023-11-03 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 一种用于背封硅片的设备和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107256837B (zh) | 2020-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107256837A (zh) | 基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法 | |
| JP2012039088A (ja) | シリコン表面をパッシベーションする方法 | |
| US7633305B2 (en) | Method for evaluating semiconductor wafer and apparatus for evaluating semiconductor wafer | |
| US5585736A (en) | Contact probe utilizing conductive meltable probing material | |
| JP5338326B2 (ja) | シリコン単結晶ウェーハの導電型及び抵抗率の測定方法、及びシリコン単結晶ウェーハの製造方法 | |
| CN110265500B (zh) | 一种4H-SiC像素肖特基辐射探测器及其制备方法 | |
| CN110349875A (zh) | 一种测量晶圆表面电荷密度变化的方法 | |
| CN210006742U (zh) | 半导体量子芯片 | |
| US10790203B2 (en) | Methods and systems for material property profiling of thin films | |
| CN103346126A (zh) | 闪存存储单元的形成方法 | |
| CN103943608B (zh) | 一种检测多晶硅残留的测试结构 | |
| CN116364568A (zh) | 一种测量外延片电阻率的方法 | |
| JP4419712B2 (ja) | Ｓｏｉウエーハの評価方法 | |
| US7968148B2 (en) | Integrated circuit system with clean surfaces | |
| JP4640204B2 (ja) | Ｓｏｉウエーハの評価方法 | |
| CN109461668A (zh) | 金电极与碲锌镉晶片接触电阻率的测试方法 | |
| US20050263833A1 (en) | Apparatus for evaluating amount of charge, method for fabricating the same, and method for evaluating amount of charge | |
| Peng et al. | Electronic transport in hydrogen-terminated Si (001) nanomembranes | |
| CN109755219A (zh) | 一种验证介电氧化层可靠性的测试结构及方法 | |
| TWI702667B (zh) | 用於薄膜之材料性質分析之方法及系統 | |
| CN109254238A (zh) | 一种c8-btbt晶体管湿度检测方法 | |
| TWI269396B (en) | An evaluative method for the electrostatic damage to the silicon wafer causing by the cleaning process | |
| JP2006013099A (ja) | Ｓｏｉウエーハの評価方法 | |
| Szwarc et al. | Modelling of the electrochemical etch stop with high reverse bias across pn-junctions | |
| CN105486529A (zh) | 清洗机台清洗效率的测试方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |