CN105486529A - 清洗机台清洗效率的测试方法 - Google Patents

Abstract

一种清洗机台清洗效率的测试方法，用于测试清洗机台是否适合于对半导体结构中的多晶硅结构进行清洗，所述清洗机台清洗效率的测试方法包括：提供晶圆；在晶圆表面形成多晶硅层，多晶硅层具有初始厚度；对多晶硅层进行平坦化处理；在平坦化处理后，在待测试的清洗机台中，对多晶硅层进行清洗处理；在清洗处理后，对多晶硅层进行刻蚀处理；测试刻蚀处理前后多晶硅层的厚度差异；根据多晶硅的厚度差异，判断清洗机台是否适合于对半导体结构中的多晶硅结构进行清洗。所述测试方法能够及时有效测试出清洗机台的清洗情况是否正常，从而消除相应清洗机台出现清洗异常时，对后续刻蚀处理过程产生的不利影响。

Description

清洗机台清洗效率的测试方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种清洗机台清洗效率的测试方法。

背景技术

在晶圆表面形成的多晶硅层中，多晶硅层表面在空气中容易被氧化，并生成(自然)氧化硅层，所述氧化硅层达到饱和后的厚度约40埃。由于在后续刻蚀工艺中，多晶硅与氧化硅的刻蚀速率相差很大(其速率比可达几十比一)，因此虽然氧化硅层的厚度很薄，但也会对后续的刻蚀工艺造成很大的影响。通常氧化硅层越厚，后续刻蚀后，对应区域的多晶硅层剩余厚度也越大，相应多晶硅结构的线宽也越大。

晶圆上的多晶硅结构在采用化学机械研磨(CMP)方法进行平坦化后，通常需要进行清洗处理，以去除残留的研磨物等。清洗处理过程对多晶硅表面的氧化硅层形成具有较大的影响。如果清洗处理后，多晶硅表面生成的氧化硅层厚度不均匀，将导致后续刻蚀处理后，多晶硅结构(例如多晶硅共源极)的线宽不稳定。不同晶圆表面的氧化硅层厚度的差异导致不同晶圆间相应多晶硅结构线宽存在较大差异。同一晶圆不同位置的氧化硅层厚度差异会导致同一晶圆内相应多晶硅结构线宽存在较大差异。这都将影响晶圆的整体良率以及性能，使不同晶圆之间，或同一晶圆内的不同芯片之间，各半导体结构存在较大的性能差异。

现有多晶硅结构在平坦化后的清洗处理过程可以分为四个步骤：

(1)兆声波清洗，兆声波清洗通过SC1(SC1为氨水、双氧水和超纯水的混合溶液)化学作用和兆声振动去除掉大部分的研磨过程带来的颗粒和有机物等，其中有机物主要来源为研磨液和无纺布研磨垫的研磨副产物；

(2)第一道刷洗(Brush1)，采用一定的清洗剂以及超纯水清洗，配合刷子对晶圆表面进行刷洗，采用清洗剂刷洗是为了去除残留在晶圆表面的较小污染物颗粒，再用超纯水刷洗是为了进一步去除污染物颗粒以及去除残留在晶圆表面的化学药剂(例如氨水)，以免残留化学药剂影响后续工艺；

(3)第二道刷洗(Brush2)，采用超纯水配合刷子对晶圆表面进行刷洗，一方面为了去除晶圆表面的化学药剂，另一方面是为了再次清洗去除残留污染物颗粒；

(4)旋转润湿干燥(spinrinsedry)，润湿剂为超纯水，用于对晶圆表面做最后的清洗，然后对晶圆进行干燥。

上述四个过程通常对应在清洗机台的四个清洗单元中进行。

目前尚无有效的测试方法能够及时测试相应清洗机台的清洗处理过程是否正常，因此无法确定当清洗处理后进行的刻蚀处理出现问题时，是清洗处理过程的原因还是刻蚀处理过程本身的原因。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种清洗机台清洗效率的测试方法，以及时有效测试出清洗机台的清洗情况是否正常，从而确定清洗处理后进行的刻蚀处理出现问题时，是清洗处理过程的原因还是刻蚀处理过程本身的原因，从而能够及时消除相应清洗机台出现清洗异常时对后续刻蚀处理过程的不利影响。

为解决上述问题，本发明提供一种清洗机台清洗效率的测试方法，用于测试清洗机台是否适合于对半导体结构中的多晶硅结构进行清洗，所述清洗机台清洗效率的测试方法包括：

提供晶圆；

在所述晶圆表面形成多晶硅层，所述多晶硅层具有初始厚度；

对所述多晶硅层进行平坦化处理；

在所述平坦化处理后，在待测试的清洗机台中，对所述多晶硅层进行清洗处理；

在所述清洗处理后，对所述多晶硅层进行刻蚀处理；

测试所述刻蚀处理前后所述多晶硅层的厚度差异；

根据所述多晶硅的所述厚度差异，判断所述清洗机台是否适合于对半导体结构中的多晶硅结构进行清洗。

可选的，在所述清洗处理前或者所述清洗处理后，且在所述刻蚀处理前，测得所述多晶硅层的厚度为第一厚度；在所述刻蚀处理后，测得所述多晶硅层的厚度为第二厚度；所述多晶硅层的厚度差异为所述第一厚度减去所述第二厚度。

可选的，所述多晶硅层的所述初始厚度为

可选的，所述平坦化处理采用的方法为化学机械研磨方法。

可选的，所述平坦化处理过程中，去除所述多晶硅层的厚度范围为

可选的，所述刻蚀处理过程中，去除所述多晶硅层的厚度范围为

可选的，所述清洗处理采用的清洗溶液为氨水，并且在采用氨水进行清洗处理过程中，同时采用刷子进行磨刷。

可选的，所述清洗处理采用的清洗溶液为氨水清洗。

可选的，在所述清洗处理前或者所述清洗处理后，且在所述刻蚀处理前，在所述晶圆上测试m个点的厚度，将m个点的厚度的平均值作为所述第一厚度，m为4至20的整数；在所述刻蚀处理后，在所述晶圆上测试n个点的厚度，将n个点的厚度平均值作为所述第二厚度，n为4至20的整数。

可选的，所述测试方法用于的所述半导体结构为闪存存储单元结构，所述多晶硅结构为所述闪存存储单元结构中的多晶硅共源极结构。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明的技术方案中，通过在晶圆表面形成多晶硅层；然后对所述多晶硅层进行平坦化处理；在所述平坦化处理后，在待测试的清洗机台中，对所述多晶硅层进行清洗处理；在所述清洗处理后，对所述多晶硅层进行刻蚀处理；测试所述刻蚀处理前后所述多晶硅层的厚度差异；并根据所述多晶硅的所述厚度差异，判断所述清洗机台是否适合于对半导体结构中的多晶硅结构进行清洗。由于是利用晶圆模拟产品实际跑货过程来测试相应清洗处理过程对后续刻蚀速率及刻蚀均匀度的影响，因此，能够通过离线(offline)测试的手段来侦测清洗机台的清洗效率和清洗效果，判断所述清洗机台的所述清洗处理过程是否异常，以此进一步判断所述清洗机台是否适合于对半导体结构中的多晶硅结构进行清洗，并且根据相应测试结果判断清洗机台的清洗作用对后续刻蚀处理过程的影响，从而节省工艺步骤，节约成本，提高测试效率，提高测试结果准确性。

附图说明

图1是兆声波清洗单元出现异常时，某产品在刻蚀之后，多晶硅结构线宽偏小，并连续发生失控的情况；

图2至图4是闪存器件形成过程对应的剖面结构示意图；

图5是本发明实施例提供的清洗机台清洗效率的测试方法流程示意图；

图6至图8是本发明实施例提供的清洗机台清洗效率的测试方法各步骤对应剖面结构示意图；

图9是本实施例所提供的方法运用于某一清洗机台后得到的时间-厚度差异ΔT图；

图10是本实施例所提供的方法运用于某一清洗机台后得到的时间-厚度差异ΔT均一性差值图。

具体实施方式

在背景技术中提到的平坦化后多晶硅结构清洗处理过程中，当兆声波清洗单元的清洗效率下降时，多晶硅结构表面的悬挂键容易被有机自由基占据，导致多晶硅在空气中的氧化速度急剧下降。甚至出现即使在空气中放置很长时间，多晶硅结构表面的(自然)氧化硅层也达不到饱和状态。这种情况导致晶圆在后续刻蚀过程中，多晶硅结构中的多晶硅被更多地刻蚀去除，多晶硅结构的线宽偏小。

此外，背景技术提到的Brush1和Brush2中，采用的刷子材质为多孔柔软的聚乙烯醇(PVA)，在相应刷洗时间，PVA材质的刷子及清洗剂的配比对多晶硅表面氧化硅层的形成有显著的影响。在Brush1和Brush2的刷洗过程中，由于是使用旋转刷洗的方式，晶圆中心区域与刷子始终处于接触状态，导致晶圆中心区域的温度升高，从而使多晶硅与超纯水中溶解的氧反应速度加快，甚至由于温度升高的关系，导致晶圆中心表面上生成的氧化硅层厚度大于在空气中的饱和值。在这种条件下，晶圆中心会形成较厚的氧化硅层，而晶圆边缘区域形成的氧化硅层厚度较薄。即便晶圆在空气中长期放置，也无法解决晶圆不同区域氧化硅层厚度不同的问题，进而导致在刻蚀处理后，不同区域的多晶硅结构线宽不均匀，严重时会发生sigma形失控或局部关键尺寸失控。当清洗处理过程中，刷洗的质量发生偏移时，随着刷子使用寿命增加，上述多晶硅结构的线宽均匀度也会进一步变差。

图1为兆声波清洗单元出现异常时，某产品在刻蚀之后，多晶硅结构线宽偏小，并连续发生失控(outofcontrol，OOC)的情况，图1中的一个点代表抽样检测的一个样品的相应多晶硅结构关键尺寸。图1中的横坐标代表时间，纵坐标代表产品中多晶硅结构的线宽尺寸，白色三角点代表线宽正常的情况，黑色三角点代表线宽异常的情况。如图1所示，由于现有技术中没有有效的方法侦测清洗单元的清洗效率，同时现有的量测手段无法测量出晶圆表面的氧化硅厚度，因此一旦某个清洗单元的清洗出现异常，将会影响到大量的产品，如图1中虚线框10包围的情况所示，连续几天的产品都出现多晶硅结构线宽偏小的情况。

如图2，在闪存器件形成过程中，包括提供半导体衬底100，形成位于所述半导体衬底100上的氧化硅层110，形成位于氧化硅层110上的浮栅层120，形成浮栅层120上的介质层130。在上述三层结构中形成一个凹槽(未示出)，然后在所述凹槽侧壁内形成位于浮栅层120上的控制栅150，所述凹槽收缩为开口，然后在所述开口侧壁形成侧墙140，最后在开口中填充满多晶硅材料层160。

如图3，进行化学机械研磨，以对多晶硅材料层160进行平坦化，从而去除多余部分的多晶硅材料，形成多晶硅共源极161。

如图4，在后续过程中，多晶硅共源极161将经历清洗处理步骤，然后经历刻蚀处理步骤，该刻蚀处理步骤不可避免地将进一步去除一部分多晶硅，使多晶硅共源极161成为多晶硅共源极162，此时多晶硅共源极162的线宽会小于多晶硅共源极161的线宽。

为了保证多晶硅共源极162的性能，需要保证多晶硅共源极162的线宽在合适范围。

但是，正如前面所分析，在多晶硅化学机械研磨后，相应的清洗处理过程会对多晶硅表面的氧化硅层形成有显著的影响，例如在清洗处理过程中，兆声波清洗单元的清洗效率下降会导致多晶硅结构的线宽偏小，Brush1和Brush2过程会导致多晶硅结构的线宽不均匀。可见，相应的清洗处理过程会影响后续刻蚀步骤的刻蚀速率和刻蚀均匀度，即清洗处理过程对刻蚀处理过程的刻蚀速率和刻蚀均匀度都有密切影响。

现有技术中，没有对清洗机台进行有效测试的方法。并且，由于晶圆表面氧化硅的厚度均匀性随着刷子寿命的增大逐渐变差。如果采用产品直接进行测试，由于产品的测量位置有限(例如每片晶圆通常测量5个点，局部结果偏差的位置量测不到)，不能测量到所有点的相应数值，所以产品的测量数据无法及时反映刷子状态的变化。

同时，现有的测试方法也不能侦测到刷子的状态。目前研磨之后得到的线宽数据只能反应平坦化研磨过程后的状态，无法体现清洗处理过程对刻蚀速率的影响。而刻蚀之后的线宽因受到多方面的影响，也难以用于判断刻蚀速率变化是否与研磨前的清洗处理过程相关。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

本发明实施例提供一种清洗机台清洗效率的测试方法，请结合参考图5至图8，图5是本实施例提供的清洗机台清洗效率的测试方法流程示意图，图6至图8是本实施例提供的清洗机台清洗效率的测试方法各步骤对应剖面结构示意图。

请结合对图5和图6，提供晶圆200。

本实施例中，所述晶圆200为裸晶圆(barewafer)，采用裸晶圆可以节省工艺成本和工艺步骤。

请结合对图5和图6，在晶圆200表面形成多晶硅层210，多晶硅层210具有初始厚度T0。

本实施例中，多晶硅层210的初始厚度T0可以为多晶硅层210的初始厚度T0控制在目的是使初始厚度T0尽量等于真实产品相应多晶硅结构的厚度，从而提高测试结果的准确性。

请继续参考图5，本实施例在形成多晶硅层210后，对多晶硅层210进行平坦化处理。

本实施例中，所述平坦化处理采用的方法可以为化学机械研磨方法。

本实施例中，对多晶硅层210进行平坦化处理，以使得多晶硅层210的表面状态与实际产品相应多晶硅结构的表面状态相似。所述平坦化处理过程中，去除所述多晶硅层210的厚度范围为如果研磨去除太多的多晶硅，会导致对刻蚀速率的测试结果不准确。如果去除太少的多晶硅，多晶硅层210的表面状态无法达到实际产品相应多晶硅结构的表面状态。

请结合对图5和图7，在平坦化处理后，测得所述多晶硅层210的厚度为第一厚度T1。

本实施例中，第一厚度T1的测试过程可以为：在所述清洗处理前，且在后续刻蚀处理前，在所述晶圆200上测试m个点的厚度，将m个点的厚度的平均值作为所述第一厚度T1，m为4至20的整数。

具体的，本实施例中，m为9，即选择多晶硅层210上的9个点，以测试出9个厚度值。这9个点尽量是均匀分散在整个多晶硅层210上的点。

需要说明的是，其它实施例中，也可以在所述清洗处理后，且在所述刻蚀处理前，测得所述多晶硅层210的厚度为第一厚度T1，并且，m的值可以为4至20的其它整数。

本实施例中，对上述各个点所在多晶硅层210厚度的测试，可以采用KLA-TencorASET-F5x机台进行。

本实施例中，还可以同时计算m个点的厚度的均一性(均匀度)，即计算每个具体厚度与厚度平均值(即第一厚度T1)的差异，从而得出整个多晶硅层210的厚度是否均匀。

请继续参考图5，本实施例在测得第一厚度T1后，在待测试的清洗机台中，对多晶硅层210进行清洗处理。

本实施例中，所述清洗处理的过程可以包括前述四个过程，具体为兆声波清洗、Brush1、Brush2和旋转润湿干燥。

本实施例中，Brush1的过程中，采用的清洗溶液可以为氨水，并且在采用氨水进行清洗处理过程中，同时采用刷子进行磨刷，即进行刷洗。

需要说明的是中，其它实施例中，所述清洗处理采用的清洗溶液为氨水清洗，并且不进行磨刷。通过不同清洗条件对应实施例的比较，还能够得到不同的清洗条件对刻蚀速率及均匀度有着显著影响。例如，在氨水清洗和刷子磨刷的共同作用下，相应清洗处理过程对多晶硅层210表面的氧化硅的去除速率远高于只有氨水清洗的情况。同时刷子的机械摩擦作用还使得晶圆200中央的氧化硅层厚度远高于边缘，从而造成中央刻蚀速率远低于边缘。

请继续参考图5，本实施例在清洗处理后，对多晶硅层210进行刻蚀处理。

本实施例中，所述刻蚀处理过程中，去除所述多晶硅层210的厚度范围为

通过对平坦化处理过程中去除多晶硅层210厚度的控制，以及在刻蚀处理过程中去除多晶硅层210厚度的控制，本实施例保证在刻蚀后剩余的多晶硅层210厚度在左右，即第二厚度T2在在左右，从而可以用产品原本所有的量测程式去量测，同时，保证测量结果的准确性高。

请结合对图5和图8，刻蚀处理后，测得所述多晶硅层210的厚度为第二厚度T2。

本实施例中，第二厚度T2的测试过程可以为：在所述刻蚀处理后，在所述晶圆200上测试n个点的厚度，将n个点的厚度平均值作为第二厚度T2，n为4至20的整数。具体的，本实施例中，n为9，即选择多晶硅层210上的9个点，以测试出9个厚度值。这9个点尽量是均匀分散在整个多晶硅层210上的点。需要说明的是，其它实施例中，n的值可以为4至20的其它整数。

上述各个点所在多晶硅层210厚度的测试可以采用KLA-TencorASET-F5x机台进行。

本实施例中，还可以同时计算n个点的厚度的均一性(均匀度)，即计算每个具体厚度与厚度平均值(即第二厚度T2)的差异，从而得出整个多晶硅层210的厚度是否均匀。

需要说明的是，其它实施例中，也可以在所述清洗处理后，且在所述刻蚀处理前，测得所述多晶硅层210的厚度为第一厚度T1。在所述刻蚀处理后，测得所述多晶硅层210的厚度为第二厚度T2。

请继续参考图5，计算刻蚀处理前后多晶硅层210的厚度差异ΔT(ΔT图中未标注)。

本实施例中，多晶硅层210的厚度差异ΔT为第一厚度T1减去所述第二厚度T2，即ΔT＝T1-T2。

需要说明的是，本实施例中，还能够同时得到厚度差异ΔT的均一性差值，因为正如前面所述，第一厚度T1是由m个点的平均值得到的，第二厚度T2是由n个点的平均值得到的，并且本实施例中，m和n均为9，可见厚度差异ΔT事实上是9个点的平均值。本实施例中，当上述前后两次的9个点都取在相同位置时，每个点都能够得到一个厚度差异，因此，就能够计算每个具体厚度差异与作为平均值的厚度差异ΔT的差别大小(绝对值)，从而得到厚度差异ΔT的均一性差值。

请继续参考图5，根据多晶硅的厚度差异，判断所述清洗机台的清洗处理过程是否出现异常，进而判断所述清洗机台是否适合于对半导体结构中的多晶硅结构进行清洗。

本实施例中，当所述清洗机台的清洗作用对所述半导体结构中所述多晶硅结构的刻蚀产生不利影响时，判断所述清洗机台不适合于对半导体结构中的多晶硅结构进行清洗，当所述清洗机台的清洗作用未对所述半导体结构中所述多晶硅结构的刻蚀产生不利影响时，判断所述清洗机台适合于对半导体结构中的多晶硅结构进行清洗。

具体的，上述不利影响可以表现为清洗处理过程对刻蚀效率(刻蚀速率)和刻蚀均匀性(刻蚀均一性)产生不利影响，后续通过测试结果中的图9和图10表示。而具体的每批产品的判断标准，可以根据每批产品的要求设定。但无论标准如何，本实施例所提供的测试方法都能够提供相应的测试结果，以供判断。其中，图10所示结果的一种计算公式如下：

$\sqrt{\frac{{\mathrm{n\Σx}}^2-{\left(\mathrm{\Σ}x\right)}^2}{n(n-1)}}$

公式中，x为每个点中T1与T2的厚度差异，n在本实施例中等于m，且等于9。

图9和图10为本实施例所提供的方法运用于某一清洗机台后得到的结果示意图。图9为本实施例所提供的方法运用于某一清洗机台后得到的时间-厚度差异ΔT图，图10为本实施例所提供的方法运用于某一清洗机台后得到的时间-厚度差异ΔT均一性差值图。

图9和图10中的横坐标都是时间，不同的是图9中的纵坐标为(刻蚀处理后)多晶硅层210的厚度差异ΔT(ΔT＝T1-T2)，而图10中的纵坐标为厚度差异ΔT的均一性差值。即正如前面提到的，厚度差异ΔT的均一性差值为其它9个厚度差异与作为平均值的厚度差异ΔT的差异大小绝对值。由厚度差异ΔT的均一性差值的解释也可以知道，厚度差异ΔT的均一性差值始终大于等于零，当等于零时，说明厚度差异ΔT的均一性最好。

在一段时间内，例如每天一次，采用本实施例所提供的方法对相应清洗机台进行测试，得到图9和图10所示结果。当测试结果中，呈现白色三角点时，说明相应的晶圆200上，多晶硅层210的厚度差异ΔT始终保持在正常范围内，并且相应的厚度差异ΔT的均一性差值较小，厚度差异ΔT的均一性较好。而当结果中，出现黑三角点时，说明相应的晶圆200上，多晶硅层210的厚度差异ΔT出现较大波动(或者严重偏大，或者严重偏小)，或者厚度差异ΔT的均一性差值较大，厚度差异ΔT的均一性较差。此时，就可以判断出，是相应清洗机台出现了异常情况，从而判断出相应机台不适合于进行清洗工作。在经过调整和维护等措施之后，及时解决清洗机台(相应清洗单元)的问题，从而防止真实产品受影响。

需要说明的是，对于同一次量测，图9和图10不一定同时超出规格(即出现异常)。即当ΔT出现异常时，ΔT的均一性差值不一定异常，反之亦然。

本实施例上述图9和图10所示结果能够反应刻蚀速率及刻蚀均匀度的变化趋势，而刻蚀速率可以反映兆声波清洗单元的清洗效率，刻蚀均匀度可以反映磨刷清洗单元的清洗效率。当我们怀疑清洗单元可能出现异常或者刻蚀之后的线宽超出控制范围时，可以采用本实施例提供的测试方法进行测试，从而测出相应清洗单元的状态，并及时澄清是清洗处理过程发生异常还是刻蚀过程发生异常，以免影响到更多的产品。

本实施例中，所述测试方法所用于的半导体结构可以为闪存存储单元结构，所述多晶硅结构可以为闪存存储单元结构中的多晶硅共源极结构，因此具体的半导体结构和多晶硅共源极结构可以参考图2至图4。通过本实施例所提供的方法，能够在制作如图2至图4所示的闪存存储单元结构时，及时测试出相应清洗机台的清洗条件是否正常(是否出现异常)，从而避免大批次产品都因清洗机台的清洗条件异常，而导致产品的多晶硅共源极结构出现问题。

本实施例所提供的测试方法中，利用晶圆模拟产品实际跑货过程来测试相应清洗处理过程对后续刻蚀速率及刻蚀均匀度的影响，从而通过离线测试的手段来侦测清洗机台的清洗效率和清洗效果，判断所述清洗机台的所述清洗处理过程是否异常，以此进一步判断所述清洗机台是否适合于对半导体结构中的多晶硅结构进行清洗，并且根据相应测试结果判断清洗机台的清洗作用对后续刻蚀处理过程的影响，从而节省工艺步骤，节约成本，提高测试效率，提高测试结果准确性。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种清洗机台清洗效率的测试方法，用于测试清洗机台是否适合于对半导体结构中的多晶硅结构进行清洗，其特征在于，包括：

提供晶圆；

在所述晶圆表面形成多晶硅层，所述多晶硅层具有初始厚度；

对所述多晶硅层进行平坦化处理；

在所述平坦化处理后，在待测试的清洗机台中，对所述多晶硅层进行清洗处理；

在所述清洗处理后，对所述多晶硅层进行刻蚀处理；

测试所述刻蚀处理前后所述多晶硅层的厚度差异；

根据所述多晶硅的所述厚度差异，判断所述清洗机台是否适合于对半导体结构中的多晶硅结构进行清洗。

2.如权利要求1所述的清洗机台清洗效率的测试方法，其特征在于，在所述清洗处理前或者所述清洗处理后，且在所述刻蚀处理前，测得所述多晶硅层的厚度为第一厚度；在所述刻蚀处理后，测得所述多晶硅层的厚度为第二厚度；所述多晶硅层的厚度差异为所述第一厚度减去所述第二厚度。

3.如权利要求1或2所述的清洗机台清洗效率的测试方法，其特征在于，所述多晶硅层的所述初始厚度为

4.如权利要求1或2所述的清洗机台清洗效率的测试方法，其特征在于，所述平坦化处理采用的方法为化学机械研磨方法。

5.如权利要求1或2所述的清洗机台清洗效率的测试方法，其特征在于，所述平坦化处理过程中，去除所述多晶硅层的厚度范围为

6.如权利要求1或2所述的清洗机台清洗效率的测试方法，其特征在于，所述刻蚀处理过程中，去除所述多晶硅层的厚度范围为

7.如权利要求1或2所述的清洗机台清洗效率的测试方法，其特征在于，所述清洗处理采用的清洗溶液为氨水，并且在采用氨水进行清洗处理过程中，同时采用刷子进行磨刷。

8.如权利要求1或2所述的清洗机台清洗效率的测试方法，其特征在于，所述清洗处理采用的清洗溶液为氨水清洗。

9.如权利要求2所述的清洗机台清洗效率的测试方法，其特征在于，在所述清洗处理前或者所述清洗处理后，且在所述刻蚀处理前，在所述晶圆上测试m个点的厚度，将m个点的厚度的平均值作为所述第一厚度，m为4至20的整数；在所述刻蚀处理后，在所述晶圆上测试n个点的厚度，将n个点的厚度平均值作为所述第二厚度，n为4至20的整数。

10.如权利要求1或2所述的清洗机台清洗效率的测试方法，其特征在于，所述测试方法用于的所述半导体结构为闪存存储单元结构，所述多晶硅结构为所述闪存存储单元结构中的多晶硅共源极结构。