JPH1180974A - エッチング速度測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低粘度の溶液から形成される膜のエッチング
速度を正確に測定できる方法を提供する。 【解決手段】 基板１の表面に溝５（長方形の底付き
穴）を形成し、反射防止膜形成用の低粘度の溶液を基板
上に塗布する。この溶液が乾燥して得られる反射防止膜
３は、基板面のうち溝５外の平坦な部分では薄く、溝５
の内部では溝５を埋めるほどに厚くなっている。溝５内
部における反射防止膜３の初期膜厚を測定した後、溝５
内に反射防止膜３を残す程度に反射防止膜３をエッチン
グし、エッチング後における溝５内の反射防止膜３の残
り膜厚を測定する。初期膜厚と残り膜厚との差をエッチ
ング時間で除することにより、反射防止膜３のエッチン
グ速度を求める。平坦な面上にはごく薄い膜しか形成で
きないほどに低粘度の溶液から形成される膜のエッチン
グ速度を測定することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト膜等の基
板上に形成される低粘度の溶液から形成される膜（例え
ば反射防止膜等）のエッチング速度測定方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路内のゲート電極や
接続孔等の各要素の微細化が進むにつれ、各要素を形成
するためのレジスト膜のパターンサイズが縮小化されつ
つある。そして、レジスト膜のパターンサイズが露光光
の半波長近くあるいはそれ以下になってくると、レジス
ト膜を露光する際、レジスト膜の下地膜つまり各要素を
形成するためにパターニングされる下地膜からの光の反
射によってレジスト膜の露光すべきでない部分が露光さ
れたり、露光すべき部分が干渉などによって露光されな
かったりすることがある。そのために、レジスト膜のパ
ターン精度が悪化し、ひいては各要素の加工精度が悪化
するおそれがある。そこで、下地膜全体の上に反射防止
膜（ＡＲＣ： Anti-Reflective Coating）を形成し、そ
の上にレジストパターンを形成することで、下地膜から
の光の反射を抑制する技術が注目されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レジス
ト膜は高粘度の溶液から形成されるために厚い膜が形成
できるのに対し、低粘度の溶液から形成される反射防止
膜は厚い膜を形成するのが困難であるために、以下のよ
うな問題があった。

【０００４】図１５は、基板上にレジスト溶液及び反射
防止膜となる溶液を滴下し、基板をスピンコーターで回
転させたときに形成されるレジスト膜及び反射防止膜の
膜厚の回転数依存性を示す。レジスト溶液は高粘度であ
るため、回転数を高くしてもレジスト膜の膜厚は薄くな
らず、およそ１８００〜２０００ｎｍの膜厚が得られ
る。一方、反射防止膜の溶液は非常に低粘度であるた
め、回転数を高くすると急激に膜厚が減少し、回転数が
高い領域ではおよそ１〜１０ｎｍの膜厚になる。

【０００５】この反射膜が形成された状態で下地膜をパ
ターニングする際には、レジスト膜をマスクとして、反
射防止膜をエッチングしてから下地膜をエッチングする
ことになるが、ゲート電極や接続孔等の要素を高い精度
で形成するためにはパターニングされる各膜のエッチン
グ速度を正確に把握しておく必要がある。すなわち、エ
ッチング時間が長すぎると寸法シフトの増大やスループ
ットの劣化を招き、エッチング時間が短すぎると残査の
発生につながるので、正確なエッチング速度を把握して
おいて、適切なエッチング時間を設定する必要があるか
らである。

【０００６】しかるに、反射防止膜のような低粘度の溶
液から形成される膜では、エッチング速度の測定に必要
な膜厚を、平坦な基板上に形成することができないため
エッチング速度を実測できないという問題があった。実
際のデバイスの各要素には段差があるため、反射防止膜
のごとく低粘度溶液から形成される膜では、場所により
膜厚の差を生じるからである。そのために、反射防止膜
の膜厚は把握できても、エッチング時間の正確な設定が
できず、過度にエッチングやエッチング不足による上述
のような不具合を招くおそれがあった。

【０００７】斯かる問題は、反射防止膜だけでなく、基
板上に低粘度の溶液を塗布して形成される膜全体に当て
はまる。

【０００８】本発明は、斯かる点に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、基板上に形成された底付き穴に低
粘度の溶液を塗布して厚い膜を形成することにより、こ
の膜を利用した正確なエッチング速度の測定方法を提供
することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、請求項１〜６に記載されているエッチ
ング速度の測定法方に関する手段を講じている。

【００１０】本発明のエッチング速度測定方法は、請求
項１に記載されているように、基板に底付き穴を形成す
る工程と、上記底付き穴内を含む基板上に溶液を塗布し
て膜を形成する工程と、上記底付き穴内における上記膜
の初期膜厚を測定する工程と、所定時間の間エッチング
を行って、上記底付き穴内に膜を残すように上記膜を部
分的に除去する工程と、上記エッチングの終了後に上記
底付き穴内に残存している上記膜の残り膜厚を測定する
工程と、上記膜の初期膜厚と上記残り膜厚との差を上記
所定時間で除することによりエッチング速度を求める工
程とを備えている。

【００１１】この方法により、平坦な基板上にはごく薄
い膜しか形成できないほどに低粘度の溶液を塗布して得
られる膜であっても、基板の底付き穴内では厚い膜厚を
有することを利用して、エッチング速度を正確に把握す
ることができる。特に、底付き穴には底部の平坦部だけ
でなく側部の段差も存在するので、底付き穴内に形成さ
れる膜には実デバイスで現れる段差部における膜のエッ
チング速度も正確に測定できる。

【００１２】請求項２に記載されているように、請求項
１において、上記底付き穴の形状が、円柱状あるいは半
球状であってもよい。

【００１３】請求項３に記載されているように、請求項
１において、上記底付き穴の横断面形状が長方形状であ
ることが好ましい。

【００１４】請求項４に記載されているように、請求項
３において、上記底付き穴の横断面における長辺方向
が、上記基板の中心付近の１点を中心とする任意の円の
接線方向と平行であってもよい。

【００１５】請求項５に記載されているように、請求項
３において、上記底付き穴の横断面における長辺方向
が、上記基板の中心付近の１点を中心とする任意の円の
接線方向と垂直であってもよい。

【００１６】これにより、請求項５の方法よりも厚い膜
が溝内に形成されるので、より正確なエッチング速度の
測定が可能となる。

【００１７】請求項６に記載されているように、請求項
１〜５のうちいずれか１つにおいて、上記底付き穴を上
記基板の任意の位置に形成することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明のエッチング速度測
定方法の実施形態について、反射防止膜を例にとり、図
面を参照しながら説明する。

【００１９】（第１の実施形態）まず、本発明の第１の
実施形態について説明する。

【００２０】図１は第１の実施形態に係るエッチング速
度測定方法を示すフローチャート図である。図１におい
て、ステップＳ１は基板上に穴を形成する工程、ステッ
プＳ２は反射防止膜となる溶液を塗布する工程、ステッ
プＳ３は反射防止膜の初期膜厚を測定する工程、ステッ
プＳ４は反射防止膜をエッチングする工程、ステップＳ
５は反射防止膜の残り膜厚を測定する工程、ステップＳ
６はエッチング速度を算出する工程をそれぞれ示す。以
下、図１の各ステップにおける処理の内容について、図
２及び図３を参照しながら説明する。

【００２１】図２（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係る
エッチング速度を測定する工程を示す基板の断面図であ
って、穴の中心を通る縦断面を示している。

【００２２】最初に、図２（ａ）に示す工程で、図１に
示すステップＳ１の処理を行う。つまり、基板１に反射
防止膜の厚みを測定するための円柱状の穴２を形成す
る。図３は、この工程における基板の平面図である。同
図に示すように、基板１には、多数の穴２が所定間隔毎
に形成されている。

【００２３】次に、図２（ｂ）に示す工程で、図１に示
すステップＳ２の処理を行う。つまり、穴２を含む基板
１の全面上に反射防止膜３となる溶液をスピンコーター
等で塗布する。反射防止膜３として固化する前の溶液は
低粘度であるので、穴２の中は溶液で埋まるが、穴２の
外では非常に薄い膜しか塗付できない。その結果、反射
防止膜３は、穴２の内部では厚く穴２の外の基板１上で
は薄くなっている。

【００２４】そして、この状態で、図１に示すステップ
Ｓ３の処理を行う。すなわち、穴２内に形成された反射
防止膜３の初期膜厚を、光学式膜厚測定器，段差測定
器，走査型電子顕微鏡，ＡＦＭ等で測定する。

【００２５】次に、図２（ｃ）に示す工程で、図１に示
すステップＳ４の処理を行う。つまり、反射防止膜３を
基板１に対して選択的にエッチングする。このとき、反
射防止膜３は、基板１の表面においては膜厚が薄いので
完全に除去されるが、穴２の内部では膜厚が厚いので残
存している。その後、図１に示すステップＳ５の処理を
行う。つまり、穴２の中の反射防止膜３の残り膜厚を、
光学式膜厚測定器，段差測定器，走査型電子顕微鏡，Ａ
ＦＭ等で測定する。また、エッチング時間も別途測定し
ておく。

【００２６】さらに、図１に示すステップＳ６の処理を
行い、この穴２の内部における反射防止膜３の初期膜厚
と残り膜厚との差をエッチング時間で割ることにより、
エッチング速度を求める。そして、図３に示す多数の穴
２についてのエッチング速度から反射防止膜３のエッチ
ング速度の基板面内における分布がわかる。

【００２７】図４は、第１の実施形態のエッチング速度
測定方法を利用して形成された反射防止膜のエッチング
速度の粘度に対する依存性を示す。図４に示すように、
反射防止膜の粘度を大きくすると、エッチング速度が遅
くなることが分かる。

【００２８】図５は、第１の実施形態による反射防止膜
のエッチング速度の，イオンの入射方向に対する反射防
止膜の角度への依存性を示す。ただし、図６に示すよう
に、イオンの入射方向に対する反射防止膜の角度とは、
エッチング時に照射されるプラズマイオン等の入射方向
と反射防止膜３の面との間の角度θである。図６に示さ
れるように、穴２に反射防止膜３を埋め込むことによ
り、穴２の上部と下部の段差から、穴２の側部では反射
防止膜３がイオンの入射方向に対して傾斜角θを持って
堆積するので、反射防止膜３のエッチング速度の，イオ
ンの入射方向に対する反射防止膜の角度θへの依存性を
測定できる。そして、図５に示すように、イオンの入射
方向に対し反射防止膜の表面が平行になるほど、エッチ
ング速度が速くなることが分かる。すなわち、実際の製
造工程で使用される基板において、反射防止膜が塗布さ
れる下地には多くの段差が存在するが、この結果を利用
すれば、段差の各部での反射防止膜等の正確なエッチン
グ速度が把握できることになる。

【００２９】以上のように、本発明のエッチング速度測
定方法に係わる第１の実施形態によれば、穴２に反射防
止膜３となる溶液を埋め込むことにより、穴２の内部に
厚い反射防止膜３を形成することができ、これを利用し
てエッチング速度の正確な測定を行うことができる。

【００３０】また、基板１上に穴２を形成することによ
り、穴での低粘度溶液から形成される塗布膜のコート回
転数や粘度による膜厚の差を測定することができる。こ
れにより実デバイスでの段差でのより精密なエッチング
速度の測定ができる。

【００３１】なお、膜厚を測定する測定器は、光学式膜
厚測定器、段差計、走査型電子顕微鏡、段差計、ＡＦＭ
等のいかなる測定器でもよい。

【００３２】なお、ここでは被膜厚測定物を反射防止膜
３としたが、本発明はかかる実施形態に限定されるもの
ではなく、いかなる被膜厚測定物でもよい。特に、本発
明は、平坦な基板上にはエッチング速度の測定が可能な
膜厚を有する膜を形成できないほどに低粘度の溶液を塗
布して形成される膜に適用したときに著効を発揮でき
る。

【００３３】なお、ここでは基板に形成した穴の形状
が、円柱形状であったが、半球形状でも良い。

【００３４】また、本実施形態では基板１にエッチング
速度測定用穴２を形成しているが、層間絶縁膜等の酸化
膜や金属配線等、いかなる部材の面にエッチング速度測
定用穴を形成してもよい。

【００３５】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態について説明する。

【００３６】図７は、第２の実施形態に係るエッチング
速度測定方法を示すフローチャート図である。図７にお
いて、ステップＳ１１は基板上に動径方向（図１４に示
すＸ方向）に平行な溝を形成する工程、ステップＳ１２
は反射防止膜となる溶液を塗布する工程、ステップＳ１
３は反射防止膜の初期膜厚を測定する工程、ステップＳ
１４は反射防止膜をエッチングする工程、ステップＳ１
５は反射防止膜の残り膜厚を測定する工程、ステップＳ
１６はエッチング速度を算出する工程をそれぞれ示す。
以下、図７の各ステップにおける処理の内容について、
図８及び図９を参照しながら説明する。

【００３７】図８（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係る
エッチング速度を測定する工程を示す基板の断面図であ
って、溝の中心を通る縦断面を示している。

【００３８】最初に、図８（ａ）に示す工程で、図７に
示すステップＳ１１の処理を行う。つまり、基板１に反
射防止膜の厚みを測定するための溝５（つまり長方形状
の底付き穴）を形成する。図９は、この工程における基
板の平面図である。同図に示すように、基板１には、基
板１の動径方向（図１４に示すＸ方向、つまり基板の中
心点を中心とする多数の同心円の接線方向）に平行な多
数の溝５が所定間隔毎に形成されている。

【００３９】次に、図８（ｂ）に示す工程で、図７に示
すステップＳ１２の処理を行う。つまり、溝５を含む基
板１の全面上に反射防止膜３となる溶液をスピンコータ
ー等で塗布する。反射防止膜３として固化する前の溶液
は低粘性であるので、溝５の中は溶液で埋まるが、溝５
の外では非常に薄い膜しか塗付できない。その結果、反
射防止膜３は、溝５の内部では厚く溝５の外の基板１上
では薄くなっている。

【００４０】そして、この状態で、図７に示すステップ
Ｓ１３の処理を行う。すなわち、溝５内に形成された反
射防止膜３の初期膜厚を、光学式膜厚測定器，段差測定
器，走査型電子顕微鏡，ＡＦＭ等で測定する。

【００４１】次に、図８（ｃ）に示す工程で、図７に示
すステップＳ１４の処理を行う。つまり、反射防止膜３
を基板１に対して選択的にエッチングする。このとき、
反射防止膜３は、基板１の表面においては膜厚が薄いの
で完全に除去されるが、溝５の内部では膜厚が厚いので
残存している。その後、図７に示すステップＳ１５の処
理を行う。つまり、溝５の中の反射防止膜３の残り膜厚
を、光学式膜厚測定器，段差測定器，走査型電子顕微
鏡，ＡＦＭ等で測定する。また、エッチング時間も別途
測定しておく。

【００４２】さらに、図７に示すステップＳ１６の処理
を行い、この溝５の内部における反射防止膜３の初期膜
厚と残り膜厚との差をエッチング時間で割ることによ
り、エッチング速度を求める。そして、図９に示す多数
の溝５についてのエッチング速度から反射防止膜３のエ
ッチング速度の基板面内における分布がわかる。

【００４３】なお、第２の実施形態のエッチング速度測
定方法を利用して形成された反射防止膜のエッチング速
度の粘度依存性も図４に示すようになる。

【００４４】また、第２の実施形態による反射防止膜の
エッチング速度の，イオンの入射方向に対する反射防止
膜の角度への依存性も図５と同様になる。

【００４５】以上のように、本発明のエッチング速度測
定方法に係わる第２の実施形態によれば、溝５に反射防
止膜３となる溶液を埋め込むことにより、溝５の内部に
厚い反射防止膜３を形成することができ、これを利用し
てエッチング速度の正確な測定を行うことができる。

【００４６】また、基板１上に溝２を形成することによ
り、第１の実施形態と同様に、溝での低粘度溶液から形
成される塗布膜のコート回転数や粘度による膜厚の差を
測定することができる。これにより実デバイスでの段差
でのより精密なエッチング速度の測定ができる。

【００４７】なお、膜厚を測定する測定器は、光学式膜
厚測定器、段差計、走査型電子顕微鏡、段差計、ＡＦＭ
等のいかなる測定器でもよい。

【００４８】なお、ここでは被膜厚測定物を反射防止膜
３としたが、本発明はかかる実施形態に限定されるもの
ではなく、いかなる被膜厚測定物でもよい。特に、本発
明は、平坦な基板上にはエッチング速度の測定が可能な
膜厚を有する膜を形成できないほどに低粘度の溶液を塗
布して形成される膜に適用したときに著効を発揮でき
る。

【００４９】また、本実施形態では基板１にエッチング
速度測定用溝５を形成しているが、層間絶縁膜等の酸化
膜や金属配線等、いかなる部材の面にエッチング速度測
定用溝を形成してもよい。

【００５０】（第３の実施形態）次に、本発明の第３の
実施形態について説明する。

【００５１】図１０は、第３の実施形態に係るエッチン
グ速度測定方法を示すフローチャート図である。図１０
において、ステップＳ２１は基板上に動径方向に垂直な
溝を形成する工程、ステップＳ２２は反射防止膜となる
溶液を塗布する工程、ステップＳ２３は反射防止膜の初
期膜厚を測定する工程、ステップＳ２４は反射防止膜を
エッチングする工程、ステップＳ２５は反射防止膜の残
り膜厚を測定する工程、ステップＳ２６はエッチング速
度を算出する工程をそれぞれ示す。以下、図１０の各ス
テップにおける処理の内容について、図１１及び図１２
を参照しながら説明する。

【００５２】図１１（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係
るエッチング速度を測定する工程を示す基板の断面図で
あって、溝の中心を通る縦断面を示している。

【００５３】最初に、図１１（ａ）に示す工程で、図１
０に示すステップＳ２１の処理を行う。つまり、基板１
に反射防止膜の厚みを測定するための溝６（長方形状の
穴）を形成する。図１２は、この工程における基板の平
面図である。同図に示すように、基板１には、基板１の
動径方向（図１４に示すＸ方向）に垂直な（つまり放射
状の）多数の溝６が所定間隔毎に形成されている。

【００５４】次に、図１１（ｂ）に示す工程で、図１０
に示すステップＳ２２の処理を行う。つまり、溝６を含
む基板１の全面上に反射防止膜３となる溶液をスピンコ
ーター等で塗布する。反射防止膜３として固化する前の
溶液は低粘性であるので、溝６の中は溶液で埋まるが、
溝６の外では非常に薄い膜しか塗付できない。その結
果、反射防止膜３は、溝６の内部では厚く溝６の外の基
板１上では薄くなっている。

【００５５】そして、この状態で、図１０に示すステッ
プＳ２３の処理を行う。すなわち、溝６内に形成された
反射防止膜３の初期膜厚を、光学式膜厚測定器，段差測
定器，走査型電子顕微鏡，ＡＦＭ等で測定する。

【００５６】次に、図１１（ｃ）に示す工程で、図１０
に示すステップＳ２４の処理を行う。つまり、反射防止
膜３を基板１に対して選択的にエッチングする。このと
き、反射防止膜３は、基板１の表面においては膜厚が薄
いので完全に除去されるが、溝６の内部では膜厚が厚い
ので残存している。その後、図１０に示すステップＳ２
５の処理を行う。つまり、溝６の中の反射防止膜３の残
り膜厚を、光学式膜厚測定器，段差測定器，走査型電子
顕微鏡，ＡＦＭ等で測定する。また、エッチング時間も
別途測定しておく。

【００５７】さらに、図１０に示すステップＳ２６の処
理を行い、この溝６の内部における反射防止膜３の初期
膜厚と残り膜厚との差をエッチング時間で割ることによ
り、エッチング速度を求める。そして、図１２に示す多
数の溝６についてのエッチング速度から反射防止膜３の
エッチング速度の基板面内における分布がわかる。

【００５８】ここで、基板上に溝を動径方向と平行にな
るように形成したときと動径方向に垂直になるように形
成したときの測定精度の違いを図１３、図１４を参照し
ながら説明する。ただし、図１３は、粘度η１の溶液か
ら形成されるレジスト膜と、粘度η２の溶液から形成さ
れる反射防止膜の膜厚の溝の動径方向（図１４に示すＸ
方向）に対する角度αへの依存性である。図１４は、溝
の方向と動径方向（Ｘ方向）との関係を示す図である。

【００５９】図１４（ａ）に示すように、基板上に溝を
動径方向と平行に形成するということは長方形状の穴す
なわち溝５の長辺をＸ方向に対してα＝０°となるよう
に配置することであり、図１４（ｂ）に示すように、溝
を動径方向と垂直に形成するということは長方形状の穴
すなわち溝６の長辺をＸ方向に対してα＝９０°となる
ように配置することである。

【００６０】図１３に示すように、粘度の高い溶液から
形成されるレジスト膜及び粘度の低い溶液から形成され
る反射防止膜共に、α＝９０°すなわち溝を動径方向と
垂直に形成したときの方が膜厚が厚くなるが、粘度の低
い溶液から形成される反射防止膜の方が動径方向に対す
る角度αの変化に対して、膜厚が敏感に変化することが
分かる。したがって、α＝９０°のときに特に分厚い膜
厚の反射防止膜を形成できるので、本実施形態の溝６を
利用した方が、上記第２の実施形態の溝５を利用するよ
りも正確なエッチング速度の測定ができることがわか
る。

【００６１】なお、第３の実施形態のエッチング速度測
定方法を利用して形成された反射防止膜のエッチング速
度の粘度依存性も図４に示すようになる。

【００６２】また、第３の実施形態による反射防止膜の
エッチング速度の，イオンの入射方向に対する反射防止
膜の角度への依存性も図５と同様になる。

【００６３】以上のように、本発明のエッチング速度測
定方法に係わる第３の実施形態によれば、基板１上の溝
６を動径方向と直交するように形成することにより、溝
６に反射防止膜３となる溶液を埋め込んで、特に分厚い
反射防止膜３を形成することができ、エッチング速度の
正確な測定を行うことができる。

【００６４】また、基板１上に溝６を形成することによ
り、第１の実施形態と同様に、溝での低粘度溶液から形
成される塗布膜のコート回転数や粘度による膜厚の差を
測定することができる。これにより実デバイスでの段差
でのより精密なエッチング速度の測定ができる。

【００６５】なお、膜厚を測定する測定器は、光学式膜
厚測定器、段差計、走査型電子顕微鏡、段差計、ＡＦＭ
等のいかなる測定器でもよい。

【００６６】なお、ここでは被膜厚測定物を反射防止膜
３としたが、本発明はかかる実施形態に限定されるもの
ではなく、いかなる被膜厚測定物でもよい。特に、本発
明は、平坦な基板上にはエッチング速度の測定が可能な
膜厚を有する膜を形成できないほどに低粘度の溶液を塗
布して形成される膜に適用したときに著効を発揮でき
る。

【００６７】また、本実施形態では基板１にエッチング
速度測定用溝６を形成しているが、層間絶縁膜等の酸化
膜や金属配線等、いかなる部材の面にエッチング速度測
定用溝を形成してもよい。

【００６８】

【発明の効果】以上のように、本発明のエッチング速度
測定方法によると、基板上に底付き穴を形成した後、基
板上に溶液を塗布して膜を形成し、これをエッチングす
ると共に、底付き穴における膜のエッチング前後の膜厚
の差をエッチング時間で除することにより、膜のエッチ
ング速度を求めるようにしたので、平坦な面上にはごく
薄い膜しか形成できないほどに低粘性の溶液から形成さ
れる反射防止膜等の膜についても、エッチング速度の正
確な測定を行うことができ、よって、半導体装置等の製
造工程における最適なエッチング時間の設定が可能にな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係るエッチング速度
測定方法を示すフローチャート図である。

【図２】本発明の第１の実施形態に係るエッチング速度
測定方法を説明するための各工程における基板の断面図
である。

【図３】本発明の第１の実施形態に係るエッチング速度
測定方法における穴が形成された基板を上から見たとき
の平面図である。

【図４】本発明の第１〜第３の実施形態に係るエッチン
グ速度測定方法を利用して得られた反射防止膜のエッチ
ング速度の粘度依存性を示す図である。

【図５】本発明の第１〜第３の実施形態による反射防止
膜のエッチング速度の，イオンの入射方向に対する反射
防止膜の角度への依存性を示す図である。

【図６】エッチング用イオンの入射方向と反射防止膜と
の間の角度θを説明するための断面図である。

【図７】本発明の第２の実施形態に係るエッチング速度
測定方法を示すフローチャート図。

【図８】本発明の第２の実施形態に係るエッチング速度
測定方法を説明するための各工程における基板の断面図
である。

【図９】本発明の第２の実施形態に係るエッチング速度
測定方法における溝が形成された基板を上から見たとき
の平面図である。

【図１０】本発明の第３の実施形態に係るエッチング速
度測定方法を示すフローチャート図である。

【図１１】本発明の第３の実施形態に係るエッチング速
度測定方法を説明するための各工程における基板の断面
図である。

【図１２】本発明の第３の実施形態に係るエッチング速
度測定方法における動径方向と垂直な溝が形成された基
板を上から見たときの平面図である。

【図１３】本発明の第３の実施形態に係るエッチング速
度測定方法によるレジスト膜と反射防止膜の膜厚の，溝
の動径方向に対する角度αへの依存性を示す図である。

【図１４】溝と動径方向との間の角度αを説明するため
の平面図である。

【図１５】発明が解決する課題に関する基板にレジスト
溶液及び反射防止膜となる溶液を塗付し、基板をスピン
コーターで回転させた場合のレジスト膜及び反射防止膜
の膜厚の回転数への依存性を示す図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 穴 ３ 反射防止膜 ５ 溝 ６ 溝

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 二河 秀夫 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板面に底付き穴を形成する工程と、 上記底付き穴内を含む上記基板上に溶液を塗布して膜を
   形成する工程と、 上記底付き穴内における上記膜の初期膜厚を測定する工
   程と、 所定時間の間エッチングを行って、上記底付き穴内に膜
   を残すように上記膜を部分的に除去する工程と、 上記エッチングの終了後に上記底付き穴内に残存してい
   る上記膜の残り膜厚を測定する工程と、 上記膜の初期膜厚と上記残り膜厚との差を上記所定時間
   で除することによりエッチング速度を求める工程とを備
   えているエッチング速度測定方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載のエッチング速度測定方法
   において、 上記底付き穴の形状が、円柱状あるいは半球状であるこ
   とを特徴とするエッチング速度測定方法。
3. 【請求項３】 請求項１記載のエッチング速度測定方法
   において、 上記底付き穴の横断面形状が長方形状であることを特徴
   とするエッチング速度測定方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載のエッチング速度測定方法
   において、 上記底付き穴の横断面における長辺方向が、上記基板の
   中心付近の１点を中心とする任意の円の接線方向と平行
   であることを特徴とするエッチング速度測定方法。
5. 【請求項５】 請求項３記載のエッチング速度測定方法
   において、 上記底付き穴の横断面における長辺方向が、上記基板の
   中心付近の１点を中心とする任意の円の接線方向と垂直
   であることを特徴とするエッチング速度測定方法。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のうちいずれか１つに記載
   のエッチング速度測定方法において、 上記底付き穴を上記基板の任意の位置に形成することを
   特徴とするエッチング速度測定方法。