TWI553722B - Silicon wafer manufacturing method and silicon wafer - Google Patents

Silicon wafer manufacturing method and silicon wafer Download PDF

Info

Publication number
TWI553722B
TWI553722B TW104101629A TW104101629A TWI553722B TW I553722 B TWI553722 B TW I553722B TW 104101629 A TW104101629 A TW 104101629A TW 104101629 A TW104101629 A TW 104101629A TW I553722 B TWI553722 B TW I553722B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cleaning
wafer
polishing
haze
trimming
Prior art date
Application number
TW104101629A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201545222A (zh
Inventor
Katsuhisa Sugimori
Kazuaki Kozasa
Original Assignee
Sumco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumco Corp filed Critical Sumco Corp
Publication of TW201545222A publication Critical patent/TW201545222A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI553722B publication Critical patent/TWI553722B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/0209—Cleaning of wafer backside
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02096—Cleaning only mechanical cleaning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

矽晶圓之製造方法及矽晶圓
本發明係關於矽晶圓的製造方法及矽晶圓。
近年來，隨著半導體裝置的高集積化之要求，對於矽晶圓也有嚴格的表面特性要求。
另一方面，在矽晶圓的表面上，殘留著稱之為霧面缺陷(haze)的具有數~數十nm之波長的表面粗糙。當晶圓表面殘留了霧面缺陷時，計測粒子數的粒子計數器會把霧面缺陷辨識為粒子。因此，欲降低矽晶圓之表面的霧度。
已記載有半導体晶圓的製造方法作為解決上述問題的方法，其具有粗研磨和修整研磨及清洗程序，在清洗程序中進行蝕刻量為0.2~1nm的化學清洗(專利文獻1)。在專利文獻1中，用含有氨及過氧化氫的水溶液進行化學清洗。依據專利文獻1，能夠將霧面缺陷水準改善至可以確實計測附著於晶圓表面例如尺寸為47nm以上的粒子的程度。
先行技術文獻
專利文獻1：國際公開第2006/035865號說明書
但是，隨著對矽晶圓高潔淨度的要求，需要計測 更小粒徑的粒子，所以上述專利文獻1中記載的霧面缺陷水準已不足夠，而必須要更進一步降低霧面缺陷水準。
本發明之目的為提供使表面霧度降低到20ppb以下的矽晶圓之製造方法及矽晶圓。
本發明的矽晶圓製造方法，其包括修整研磨程序、將完成上述修整研磨程序的晶圓清洗之清洗程序，上述清洗程序中，至少執行用含有氟化氫的清洗液進行的清洗；分別控制上述清洗程序中的清洗條件及修整研磨程序中的研磨條件，以使得剛完成上述清洗程序的晶圓表面之氫端率為87%以上。
依據本發明，分別控制清洗程序中的清洗條件及修整研磨程序中的研磨條件，以使得剛完成清洗程序的晶圓表面之氫端率為87%以上。藉由分別控制清洗程序中的清洗條件及修整研磨程序中的研磨條件，能夠使得晶圓表面之氫端率為87%以上。若晶圓表面的氫端率在87%以上，則能夠得到表面霧度降低到20ppb以下的矽晶圓。
<氫端率之定義>
氫端率，可以藉由對清洗程序後的矽晶圓表面，使用X線光電子分光(XPS：X-ray Photoelectron Spectroscopy)裝置測定XPS強度，再從該XPS強度的最大值的比例算出。具體言之，氫端率係基於後述數學式(F1)算出。
但是，上述(F1)中的A為矽的結合能峰值位置之強 度(最大值)，B為矽化物的結合能峰值位置之強度(最大值)，C為氧化矽的結合能峰值位置之強度(最大值)。
另外，矽的結合能峰值位置為98.8eV~99.5eV程度，矽化物的結合能峰值位置為99.4eV~99.9eV程度，氧化矽的結合能峰值位置為103.2eV~103.9eV程度。
第1圖為表面具有氧化膜之晶圓的XPS圖之一例。 在第1圖中，分別檢出A所示矽的結合能峰值位置、B所示矽化物的結合能峰值位置、C所示氧化矽的結合能峰值位置。
繼之，分別求出此第1圖的各峰值之強度(最大值)，再基於求出的各強度由上述式(F1)算出氫端率。由上述式(F1)算出第1圖所示之晶圓的氫端率為60%程度。
在本發明的矽晶圓製造方法中，上述用含有氟化 氫之清洗液之清洗係用含有濃度為1.3質量%以上的氟化氫的清洗液進行為佳。
依據本發明，用含有氟化氫之清洗液之清洗係用含有濃度為1.3質量%以上的氟化氫的清洗液進行為佳。藉由實施使用已調整為上述濃度的清洗液的清洗，能夠有效率地將未成為氫端的元素從晶圓表面除去。
在本發明的矽晶圓製造方法中，上述修整研磨程 序係執行以使得動摩擦力為0.017N/cm2以上為佳。
依據本發明，修整研磨程序係執行以使得動摩擦力為0.017N/cm2以上為佳。使得修整研磨時的動摩擦力在上述範圍內，藉此，研磨溫度被降低，而抑制研磨時因化學反應而引起 的表面粗糙。
<動摩擦力之定義>
動摩擦力係藉由如第2圖所示之摩擦力測定裝置2，計測修整研磨時在切線方向的拉伸力，並基於下記數學式(F2)算出動摩擦力。
第2圖顯示摩擦力測定裝置2。此摩擦力測定裝置2 具有：可旋轉的定盤21、頭部22、研磨液供給手段(省略圖示)、導件23、測壓元件24、計測裝置25。
定盤21為大圓板，其構成為藉由與其底面中心連接的軸211而旋轉。另外，在定盤21的上面貼了研磨布212。
頭部22配置於定盤21的上方。此頭部22和一般的單面研磨裝置的加壓頭部不同，其構成為無法旋轉。
另外，摩擦力測定裝置2的頭部22的尺寸，係設定為小於修整研磨程序中所使用的研磨裝置的加壓頭部。由摩擦力測定裝置2進行測定時，定盤21旋轉，對頭部22產生橫方向的拉伸力，此橫方向的拉伸力造成測定誤差。因此，將摩擦力測定裝置2的頭部22之尺寸設定為小於修整研磨程序中所使用的研磨裝置的加壓頭部，藉此，能夠抑制橫方向的拉伸力造成的影響。
另外，摩擦力測定裝置2之頭部22的形狀係設定為和修整研磨程序中所使用的研磨裝置的加壓頭部大致相同的形狀。將摩擦力測定裝置2的頭部22的形狀設定為和實際使用的加壓頭部大致相同的形狀，藉此，能夠測定與修整研磨程序中所使用 的研磨裝置產生之摩擦力相近之摩擦力。
頭部22的下面配置有用以固定矽晶圓W的運送托盤222。在運送托盤222的下面，則固定了將矽晶圓W維持在晶圓位置決定孔223A的型板223。研磨液供給手段(省略圖示)係設置在定盤21的上方，其構成為將漿狀研磨液供給至定盤21和矽晶圓W的接觸面。
導件23係由2片板狀物231及232構成。另外，在第2圖中，為了使得容易理解裝置構成而將導件23以虛線表示。此板狀物231及232配置於定盤21的上方。另外，板狀物231及232係配置為在定盤21的外周上之特定點的切線方向夾住頭部22的兩側面。測壓元件24係沿著上述切線方向連接於頭部22。另外，測壓元件24和計測裝置25電性連接。
藉由具備上述構成的導件23，除去切線方向以外的方向的摩擦力。因此，在摩擦力測定裝置2中，用測壓元件24能測定僅施於切線方向的摩擦力。
由上述構成的摩擦力測定裝置2測定的摩擦力，被再計算為實際修整研磨程序中所使用的研磨裝置之加壓頭部的摩擦力。
如上述，藉由使用上述構成的摩擦力測定裝置2，能夠測定用研磨裝置進行修整研磨時對矽晶圓W的切線方向之摩擦力(拉伸力)。
本發明的矽晶圓，為對已被修整研磨的晶圓實施清洗後的矽晶圓，其中在上述清洗是至少執行用含有氟化氫的清洗液的清洗，剛完成上述清洗後的晶圓表面的氫端率在87% 以上。
依據本發明，能夠提供晶圓表面的霧度降低到20ppb以下的矽晶圓。在具有此種性質的矽晶圓上，不會發生因為霧面缺陷而造成的錯誤辨識，能夠確實計測至少20nm尺寸的粒子。還可能檢出例如20nm以下的更微小粒徑的粒子。
1‧‧‧研磨裝置
2‧‧‧摩擦力測定裝置
11,21‧‧‧定盤
111,211‧‧‧軸
112,212‧‧‧研磨布
12‧‧‧加壓頭部
121‧‧‧軸
122,222‧‧‧運送托盤
123,223‧‧‧型板
123A,223A‧‧‧晶圓位置決定孔
22‧‧‧頭部
23‧‧‧導件
231,232‧‧‧板狀物
24‧‧‧測壓元件
25‧‧‧計測裝置
W‧‧‧矽晶圓
第1圖為用以求出氫端率的X線光電子分光測定圖之一例。
第2圖為表示摩擦力測定裝置的概略圖，(A)為側面圖、(B)為上面圖。
第3圖為表示研磨裝置的概略圖。
第4圖為表示實施例1中清洗程序時的HF清洗中之HF濃度和晶圓表面的霧面缺陷的關係之圖。
第5圖為表示實施例2中修整研磨程序時的動摩擦力和晶圓表面之霧面缺陷之關係的圖。
第6圖為表示實施例3中修整研磨程序時的研磨液之pH和晶圓表面的霧面缺陷的關係的圖。
第7圖為表示實施例4中粒子尺寸和晶圓表面之霧度的關係之圖。
以下，參照圖式說明本發明實施形態。
〔矽晶圓的製造方法〕
上述本實施形態的矽晶圓，係經由如後述的程序製造。
首先，將用CZ法(Czochralski method)等拉出的單晶矽棒 (ingot)，以多線鋸(multi-wire saw)等切成薄圓板狀以得到矽晶圓。繼之，為了防止已被切片的矽晶圓缺損或破裂，將矽晶圓的邊緣部切平。繼之，為了使切平的矽晶圓的表面平坦化，而進行拋光(lapping)或平面研磨。然後，為了去除殘留在矽晶圓的斜切時及拋光時產生的加工變質層，用蝕刻進行化學研磨。
繼之，將已被蝕刻的矽晶圓表裏兩面粗研磨。粗研磨之主要目的為平坦度調整，其係由兩面研磨裝置實施。
〔修整研磨〕
繼之，執行將粗研磨後的矽晶圓表面或表裏兩面修整研磨的修整研磨程序。修整研磨程序實施的主要目的為改善矽晶圓表面的粗糙度。具體言之，使用如麂皮(suede)的軟質研磨布和小尺寸的膠狀氧化矽等的遊離研磨粒，進行研磨以減少稱之為微粗糙(micro roughness)或霧面缺陷的矽晶圓表面上的微小的表面粗糙的不均勻。
本實施形態的修整研磨係使用一般的單面研磨裝置進行。
例如，可以用第3圖所示的研磨裝置1進行。
具體言之，研磨裝置1具有可旋轉的定盤11、加壓頭部12、研磨液供給手段(省略圖示)。
定盤11為大圓板，其構成為藉由與其底面中心連接的軸111而旋轉。另外，在定盤11的上面貼了研磨布112。
加壓頭部12配置於定盤11的上方。此加壓頭部12，係構成為藉由連接於上面中心的軸121而旋轉，並以既定的壓力推壓定盤11。在加壓頭部12的下面，配置有用以故定矽晶圓W的運 送托盤122。在運送托盤122的下面，則固定了將矽晶圓W維持於晶圓位置決定孔123A的型板123。
研磨液供給手段(省略圖示)構成為，設置於定盤11的上方，並將漿狀研磨液供給至定盤11和矽晶圓W的接觸面。
在本實施形態中，控制修整研磨程序中的研磨條件，以使得完成清洗程序後的矽晶圓表面上的氫端率為87%以上。
控制的研磨條件有：研磨液中含有的氧化矽濃度、研磨液的pH、研磨液的流量、研磨時的動摩擦力、型板的厚度等。
為了達成上述氫端率，在修整研磨中的動摩擦力為0.017N/cm2以上為佳。上述範圍的動摩擦力可以藉由單獨或組合地控制後述因子而達成，例如：使定盤旋轉數及加壓頭部旋轉數為既定的旋轉數以上旋轉、使得矽晶圓從固持矽晶圓的導件的突出量在既定的厚度以下、貼在定盤的研磨布的表面粗糙度、研磨液的pH等。
另外藉由將研磨液的pH控制在10以下，能夠抑制在研磨時因化學反應而引起的表面粗糙。
〔清洗〕
另外，修整研磨後的矽晶圓，在此修整研磨程序後接著進行清洗程序。
該清洗程序，其執行的主要目的在於去除前述修整研磨程序中所使用的附著於晶圓表面的研磨劑或粒子。
在清洗程序中，至少執行用含有氟化氫的清洗液(以下亦稱之為HF清洗液)的清洗(以下亦稱之為HF清洗)。
在本實施形態中，控制清洗程序中的清洗條件，以使得剛完成清洗程序後的矽晶圓表面之氫端率在87%以上。
控制的清洗條件有HF清洗液中氟酸的濃度等。具體言之，HF清洗用含有濃度為1.3質量%以上的HF清洗液進行為佳。HF清洗液的濃度上限為更高濃度雖然較佳，但就實用的觀點言之為10質量%以下較佳。其中，濃度為1.6質量%以上的HF清洗液尤佳。
在清洗程序中，可以將複數的清洗組合實施。和上述HF清洗組合的清洗有：用含有鹽酸及過氧化氫的水溶液之清洗、用含有臭氧的水溶液之臭氧水清洗、用純水的沖洗(rinse)清洗等。
例如，可進行後述組合：進行一次以上的臭氧水清洗和HF清洗的重複清洗，最後實施沖洗清洗。
清洗程序中所執行的各種清洗，以旋轉(spin)清洗來進行較佳。旋轉清洗為，將矽晶圓固持在旋轉台，並使其高速旋轉，同時將清洗液供給至其表面，並將清洗液噴射供給至裏面的清洗方法。
〔矽晶圓〕
本實施形態的矽晶圓為修整研磨後的矽晶圓。而且，晶圓表面的霧度為20ppb以下。在具有此性質的矽晶圓上，不會發生因為霧面缺陷而造成的錯誤辨識，能夠確實計測至少20nm尺寸的粒子。還可能檢出例如20nm以下的更微小粒徑的粒子。
〔實施形態的作用效果〕
如上述，在上述實施形態中，能夠發揮如下的作用效果。
(1)分別控制清洗程序中的清洗條件及修整研磨程序中的研磨條件，以使得剛完成清洗程序的晶圓表面之氫端率為87%以上。藉由分別控制清洗程序中的清洗條件及修整研磨程序中的研磨條件，能夠使晶圓表面的氫端率在87%以上。若晶圓表面的氫端率在87%以上，則能獲致使表面霧度降低到20ppb以下的矽晶圓。
(2)清洗程序中的HF清洗，係用濃度為1.3質量%以上的HF清洗液進行。藉由實施用已調整為上述濃度的HF清洗液的清洗，能夠有效率地將未成為氫端的元素從晶圓表面除去。
(3)修整研磨程序係執行以使得動摩擦力為0.017N/cm2以上。使得修整研磨時的動摩擦力在上述範圍內，藉此，研磨溫度被降低，而抑制研磨時因化學反應而引起的表面粗糙。
(4)矽晶圓表面的霧度為20ppb以下。在具有此種性質的矽晶圓上，不會發生因為霧面缺陷而造成的錯誤辨識，能夠確實計測至少20nm尺寸的粒子。還可能檢出例如20nm以下的更微小粒徑的粒子。
〔其他實施形態〕
另外，本發明並非僅限定於上述實施形態，在不脫離本發明要旨的範圍內可以進行各種改良及設計的變更。
在上述實施形態中，係說明於清洗程序中至少執行HF清洗的情況，但除了上述HF清洗之外，也可以進行使清潔刷與晶圓表面接觸以除去晶圓表面的髒污的刷洗清洗，以除去晶圓表面的未成為氫端的元素。藉由合併利用刷洗清洗，能夠更有效率地提升晶圓表面的氫端率。另外，此刷洗清洗在HF清洗之前實 施為佳。
另外，在矽晶圓氫端率的計算中，已完成清洗程序的矽晶圓在被送到X線光電子分光裝置之前的搬運程序，採取不使晶圓表面暴露於有氧環境的搬運為佳。例如，對於已實施清洗程序的2枚矽晶圓，使其個別的表面重合，並於此狀態下將其搬運到X線光電子分光裝置。搬運時使2枚矽晶圓處於重合的狀態，藉此，使矽晶圓表面不會暴露於有氧環境。因此，能維持剛完成清洗處理的晶圓表面的狀態，實施用以算出氫端率的測定，以能夠算出更正確的氫端率。
另外，於能夠達成本發明目的的範圍內，本發明實施時具體的程序及構造等亦可以為其他構造等。
【實施例】
繼之，依據實施例及比較例更詳細說明本發明，但本發明並不限定於這些例子。
〔實施例1〕
準備已完成粗研磨程序的直徑300mm之矽晶圓。對於備妥的矽晶圓，以後述的方式改變條件並實施修整研磨程序，再對已完成修整研磨程序的矽晶圓實施清洗程序。
在修整研磨程序中，使用如第3圖所示的研磨裝置1，適當調整研磨條件(定盤之旋轉數、加壓頭部的旋轉數、加壓頭部的按壓壓力等)，以使得對晶圓的動摩擦力為0.017N/cm2。在此修整研磨程序中，使用將膠狀氧化矽分散於鹼基水溶液中的研磨液(pH10.15)。
在清洗程序中，使用枚葉式的旋轉清洗裝置，將清洗液以 既定流量供給至旋轉的矽晶圓表面，藉此清洗矽晶圓的表面。在此清洗程序中，最先實施供給臭氧水清洗液的臭氧清洗，然後實施供給氟酸清洗液的HF清洗，最後實施供給純水的沖洗清洗。分別使用調整為HF濃度為0.7質量%、1.0質量%、1.3質量%、1.5質量%、及1.6質量%的清洗液作為氟酸清洗液。
對於已完成清洗程序的矽晶圓，執行以下的氫端率及霧度測定。於表1及第4圖中顯示其結果。另外，在第4圖中，分別將複數測定資料連成曲線表示。
〔氫端率〕
對於剛完成清洗程序的矽晶圓之表面，用X線光電子分光裝置測定XPS強度，基於上述數式(F1)由各峰值的最大值算出氫端率。
〔霧面缺陷〕
所獲得的矽晶圓之表面的霧度測定係使用表面檢査裝置(KLA-Tencor公司製，使用SP2的DWO模式(Dark Field Wide Oblique模式、暗視野廣斜入射模式))測定。
由表1可知，清洗程序中所使用的清洗液之HF濃度越高，則剛完成清洗程序時之矽晶圓表面的氫端率越高，另外，由第4圖可觀察到矽晶圓表面的霧度也有降低的傾向。
具體言之，能夠確認後述事實：藉由在清洗液中使用濃度為1.3質量%以上的HF溶液，能夠使得剛完成清洗程序時的矽 晶圓表面之氫端率為87%以上，另外，使得經過清洗程序後所得到之矽晶圓的表面之霧度降低到20ppb以下。
〔實施例2〕
準備已完成粗研磨程序的直徑300mm之矽晶圓。對於備妥的矽晶圓，以後述的方式改變條件並實施修整研磨程序，再對已完成修整研磨程序的矽晶圓實施清洗程序。
在修整研磨程序中，使用如第3圖所示的研磨裝置1，適當調整研磨條件(定盤之旋轉數、加壓頭部的旋轉數、加壓頭部的按壓壓力等)，以使得對晶圓的動摩擦力為0.017N/cm2。在此修整研磨程序中，使用將膠狀氧化矽分散於鹼基水溶液中的研磨液(pH10.15)。
另外，適當調整研磨條件，將對於修整研磨程序的晶圓的動摩擦力分別從0.014N/cm2變更到0.021N/cm2。
在清洗程序中，使用枚葉式的旋轉清洗裝置，將清洗液以既定流量供給至旋轉的矽晶圓表面，藉此清洗矽晶圓的表面。在此清洗程序中，最先實施供給臭氧水清洗液的臭氧清洗，然後實施供給氟酸清洗液的HF清洗，最後實施供給純水的沖洗清洗。分別使用調整為HF濃度0.7質量%、1.0質量%、1.3質量%及1.6質量%的清洗液作為氟酸清洗液。
對於已完成清洗程序的矽晶圓，執行和實施例1相同的霧度測定。
於第5圖顯示其結果。另外，在第5圖中，在複數測定資料當中，分別將清洗液的HF濃度相同的測定資料連成曲線表示。
由第5圖可知，在修整研磨程序中對於晶圓的動摩 擦力越高，則可觀察到晶圓表面的霧度也有降低的傾向。
具體言之，能夠確認後述事實：當清洗程序的HF濃度在1.3質量%以上時，藉由控制研磨條件以使得修整研磨程序時對於晶圓的動摩擦力為0.017N/cm2以上，能夠使得經過清洗程序後所得到的晶圓表面的霧面缺陷降低到20ppb以下。
〔實施例3〕
準備已完成粗研磨程序的直徑300mm之矽晶圓。對於備妥的矽晶圓，以後述的方式改變條件並實施修整研磨程序，再對已完成修整研磨程序的矽晶圓實施清洗程序。
在修整研磨程序中，使用如第3圖所示的研磨裝置1，適當調整研磨條件(定盤之旋轉數、加壓頭部的旋轉數、加壓頭部的按壓壓力等)，以使得對晶圓的動摩擦力為0.017N/cm2。在此修整研磨程序中，使用將膠狀氧化矽分散於鹼基水溶液中的研磨液(pH10.15)。
另外，將修整研磨程序中所使用的研磨液換成分別控制為pH為10.1、pH為10.05、pH為10.0、及pH為9.97的研磨液，並和上述一樣對矽晶圓實施各程序。
在清洗程序中，使用枚葉式的旋轉清洗裝置，將清洗液以既定流量供給至旋轉的矽晶圓表面，藉此清洗矽晶圓的表面。在此清洗程序中，最先實施供給臭氧水清洗液的臭氧清洗，然後實施供給氟酸清洗液的HF清洗，最後實施供給純水的沖洗清洗。使用調整為HF濃度為1.3質量%的清洗液作為氟酸清洗液。
對於已完成清洗程序的矽晶圓，執行和實施例1相同的霧度測定。於第6圖顯示其結果。
由第6圖可知，在修整研磨程序中使用的研磨液之pH越低，則可觀察到矽晶圓表面的霧度也有降低的傾向。
具體言之，在使用將pH控制為10.15的研磨液的情況下，霧度為26ppb程度。另一方面，在使用將pH控制在10.0的研磨液的情況下，霧度為19ppb，在使用將pH控制為9.97的研磨液的情況下，霧度為18ppb以下。由此結果確認後述事實：藉由使用將pH控制在10以下的研磨液，可以使矽晶圓表面的霧度降低到20ppb以下。
〔實施例4〕
準備已完成粗研磨程序的直徑300mm之矽晶圓。對於備妥的矽晶圓，實施修整研磨程序，再對已完成修整研磨程序的矽晶圓實施清洗程序。此時，控制修整研磨程序中的研磨條件、及清洗程序中的清洗條件，以獲致晶圓表面之霧度為19ppb的矽晶圓。
另外，分別控制修整研磨程序中的研磨條件、及清洗程序中的清洗條件，獲致晶圓表面之霧度為120ppb、220ppb的矽晶圓。
對於所得到的矽晶圓，執行粒子數測定。於第7圖顯示其結果。另外，在第7圖的右側為晶圓表面之霧度為19ppb的矽晶圓之測定結果，第7圖的中央為晶圓表面之霧度為120ppb的矽晶圓之測定結果，第7圖的左側為晶圓表面的霧度為220ppb之矽晶圓的測定結果。
確認到如後事實：第7圖中央所示之使晶圓表面的霧度為120ppb的情況下，能夠計測22nm尺寸為止之粒子，但在 20nm尺寸的計數急遽增加，無法正確計測粒子數。在20nm尺寸的計數急遽增加可能是因為霧面缺陷而造成錯誤辨識的緣故。另外，確認到如後事實：第7圖左側所示，使晶圓表面的霧度為220ppb的情況下，能夠計測24nm尺寸為止之粒子，但在22nm尺寸的計數急遽增加，無法正確計測粒子數。
另外，在20nm尺寸超過了可計測的計數上限，而無法計數。
另一方面，第7圖的右側所示，使晶圓表面的霧度為19ppb的情況下，能夠計測20nm尺寸的粒子。

Claims (4)

  1. 一種矽晶圓製造方法，其包括修整研磨程序、將完成上述修整研磨程序的晶圓清洗之清洗程序，上述清洗程序中，至少執行用含有氟化氫的清洗液進行清洗；分別控制上述清洗程序中的清洗條件及修整研磨程序中的研磨條件，以使得剛完成上述清洗程序的晶圓表面之氫端率為87%以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之矽晶圓製造方法，上述用含有氟化氫之清洗液之清洗係用含有濃度為1.3質量%以上的氟化氫的清洗液進行。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之矽晶圓製造方法，上述修整研磨程序係執行以使得動摩擦力為0.017N/cm2以上。
  4. 一種矽晶圓，其係為對經過修整研磨後的晶圓實施清洗後的矽晶圓，其中在上述清洗，至少執行用含有氟化氫的清洗液的清洗，剛完成上述清洗後的晶圓表面的氫端率在87%以上。
TW104101629A 2014-05-19 2015-01-19 Silicon wafer manufacturing method and silicon wafer TWI553722B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014103609A JP6311446B2 (ja) 2014-05-19 2014-05-19 シリコンウェーハの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201545222A TW201545222A (zh) 2015-12-01
TWI553722B true TWI553722B (zh) 2016-10-11

Family

ID=54577621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104101629A TWI553722B (zh) 2014-05-19 2015-01-19 Silicon wafer manufacturing method and silicon wafer

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6311446B2 (zh)
CN (1) CN105097444B (zh)
TW (1) TWI553722B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6432497B2 (ja) * 2015-12-10 2018-12-05 信越半導体株式会社 研磨方法
JP6641197B2 (ja) * 2016-03-10 2020-02-05 株式会社荏原製作所 基板の研磨装置および研磨方法
CN116852183B (zh) * 2023-08-02 2024-04-02 山东有研半导体材料有限公司 一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺
CN117161839B (zh) * 2023-11-01 2024-02-06 山东有研艾斯半导体材料有限公司 一种改善硅抛光片边缘机械损伤的方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080072926A1 (en) * 2004-09-30 2008-03-27 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for Cleaning Soi Wafer

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0521412A (ja) * 1991-07-10 1993-01-29 Fujitsu Ltd 半導体基板の処理方法
JP2000315635A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Mitsubishi Materials Silicon Corp 張り合わせ用シリコンウェーハおよびこれを用いた張り合わせ基板の製造方法
JP2004291150A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Tungaloy Corp 立方晶窒化硼素焼結体回転工具
JP4683233B2 (ja) * 2004-09-30 2011-05-18 信越半導体株式会社 半導体ウェーハの製造方法
JP4326587B2 (ja) * 2006-09-06 2009-09-09 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
JP2009252413A (ja) * 2008-04-02 2009-10-29 Kobe Steel Ltd 電子線源
US20110300776A1 (en) * 2010-06-03 2011-12-08 Applied Materials, Inc. Tuning of polishing process in multi-carrier head per platen polishing station
JP2012001798A (ja) * 2010-06-21 2012-01-05 Yokogawa Electric Corp 電解装置用電極の製造方法
KR20130014588A (ko) * 2010-07-02 2013-02-07 가부시키가이샤 사무코 실리콘 웨이퍼의 연마 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080072926A1 (en) * 2004-09-30 2008-03-27 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for Cleaning Soi Wafer

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015220370A (ja) 2015-12-07
TW201545222A (zh) 2015-12-01
CN105097444B (zh) 2018-11-23
JP6311446B2 (ja) 2018-04-18
CN105097444A (zh) 2015-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI585840B (zh) Manufacturing method of semiconductor wafers
US9293318B2 (en) Semiconductor wafer manufacturing method
TWI390616B (zh) Semiconductor wafer manufacturing method
TW514976B (en) Method for processing semiconductor wafer and semiconductor wafer
TWI553722B (zh) Silicon wafer manufacturing method and silicon wafer
US10460947B2 (en) Method for polishing silicon wafer
KR20110008068A (ko) 실리콘 웨이퍼의 엣지 에칭 방법
TWI566287B (zh) 半導體材料晶圓的拋光方法
JP2010109370A (ja) 半導体ウェーハの両面をポリッシングする方法
WO2018116558A1 (ja) シリコンウェーハの研磨方法およびシリコンウェーハの製造方法
JP2009302408A (ja) 半導体ウェーハの製造方法
JP2011029355A (ja) レーザマーク付き半導体ウェーハの製造方法
JP2013258227A (ja) 半導体ウェーハの製造方法
JP3943869B2 (ja) 半導体ウエーハの加工方法および半導体ウエーハ
JP5716612B2 (ja) シリコンウェーハの研磨方法及び研磨装置
TW553806B (en) Method and device for polishing semiconductor wafer
TW201735145A (zh) 矽晶圓的單面研磨方法
JP2006120819A (ja) 半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハ
JP2009027095A (ja) 半導体ウェハの評価方法、半導体ウェハの研削方法、及び半導体ウェハの加工方法
JP2003142434A (ja) 鏡面ウエーハの製造方法
TWI710018B (zh) 晶圓的雙面研磨方法及雙面研磨裝置
JP6717706B2 (ja) ウェハの表面処理装置
TWI528441B (zh) 晶圓硏磨方法以及晶圓硏磨裝置
JP6683277B1 (ja) 半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの両面研磨装置
JP2003257900A (ja) 半導体ウェーハの研磨方法