JP2009252413A - 電子線源 - Google Patents
電子線源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009252413A JP2009252413A JP2008096336A JP2008096336A JP2009252413A JP 2009252413 A JP2009252413 A JP 2009252413A JP 2008096336 A JP2008096336 A JP 2008096336A JP 2008096336 A JP2008096336 A JP 2008096336A JP 2009252413 A JP2009252413 A JP 2009252413A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- beam source
- carbon
- based material
- hydrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】X線分光分析等に使用される電子線源であって、経時劣化が少なく再現性に優れた、高輝度かつ安定な電子線源を提供する。
【解決手段】炭素系材料からなる電子線源であって、電子線源の表面となる前記炭素系材料の表面を終端する水素の被覆割合が33%以下である電子線源。また、前記電子線源表面の炭素の内殻電子状態を、X線光電子分光で測定した場合の主ピークに対するサブピークの積算強度比が0.1以上とされた電子線源。更に、前記炭素系材料が、ダイヤモンド、非晶質炭素、カーボンナノチューブであって、シリコン、モリブテン、タングステンから選択される少なくとも1種以上の材料からなる基材上に形成されてなる電子線源。
【選択図】なし
【解決手段】炭素系材料からなる電子線源であって、電子線源の表面となる前記炭素系材料の表面を終端する水素の被覆割合が33%以下である電子線源。また、前記電子線源表面の炭素の内殻電子状態を、X線光電子分光で測定した場合の主ピークに対するサブピークの積算強度比が0.1以上とされた電子線源。更に、前記炭素系材料が、ダイヤモンド、非晶質炭素、カーボンナノチューブであって、シリコン、モリブテン、タングステンから選択される少なくとも1種以上の材料からなる基材上に形成されてなる電子線源。
【選択図】なし
Description
本発明は、X線分光分析等に使用される高輝度で特性の安定な電子線源に関するものである。
近年、X線分析装置等における微小X線発生装置用の電子線源として、炭素系材料を採用する例が出てきており、今後も増大する方向にある。これは、先端半導体デバイスの様に微細な構造を有する対象物を局所的に非破壊観察するためには、微小なX線源が有用であるからである。そのためには更に、高電圧で加速された電子ビームを収束してターゲットに照射してX線を発生する際に、先鋭な形状部を有する電子線源は、できるだけ微小な点から高密度の電流を発することが求められ、熱伝導性、低電位で動作する電子線源に炭素系材料が適しているからである。
例えば、従来例に示された微小X線発生装置によれば、炭素系材料からなる電子線源と、この電子線源を加熱してその温度を制御する加熱装置と、電子線源から発生する電子ビームを引出し、加速し、収束する引出し収束装置と、電子ビームが照射されてパルス的にX線を発生するターゲットと、電子線源、加熱装置、引出し収束装置及び前記ターゲットを収納する微小X線源である。このような電子線源は、ダイヤモンド膜、ダイヤモンド粉末、非晶質炭素、カーボンナノチューブ、フラーレンなどの材料により構成されている(特許文献1参照)。
この様な従来例に示された炭素系材料を用いたX線発生用の電子線源は、優れた初期特性を示すが、使用条件によっては経時劣化が顕著である。X線分光装置等の分析機器や、同様の電子線源が適用できる電子線描画装置、電子線露光装置、紫外/可視光源装置などは、優れた初期特性よりもむしろ、経時変化の小さい安定性・再現性に優れた特性が求められる。
そのためには、炭素系電子線源の表面状態を一定範囲に制御することが根本的な解決となる。例えば、特許文献1には、炭素系電子線源表面のクリーニング機構として、封入管内での水素プラズマクリーニングが記述されているが、炭素系材料表面の水素終端状態は、電子線源の温度上昇と共に大きく変化し、安定的な電子放出挙動を求めるには限界がある。
特許第3810656号公報
従って、本発明の目的は、X線分光分析等に使用される電子線源であって、経時劣化が少なく再現性に優れた、高輝度かつ安定な電子線源を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明の請求項1に係る電子線源が採用した手段は、炭素系材料からなる電子線源であって、電子線源の表面となる前記炭素系材料の表面を終端する水素の被覆割合が33%以下であることを特徴とするものである。
本発明の請求項2に係る電子線源が採用した手段は、請求項1に記載の電子線源において、前記電子線源表面の炭素の内殻電子状態を、X線光電子分光で測定した場合の主ピークに対するサブピークの積算強度比が0.1以上とされたことを特徴とするものである。
本発明の請求項3に係る電子線源が採用した手段は、請求項1または2に記載の電子線源において、前記炭素系材料が、ダイヤモンド、非晶質炭素、カーボンナノチューブであって、シリコン、モリブテン、タングステンから選択される少なくとも1種以上の材料からなる基材上に形成されてなることを特徴とするものである。
本発明の請求項4に係る電子線源が採用した手段は、請求項3に記載の電子線源において、前記基材が、円錐形ないしは略円錐形、または円柱形ないしは略円柱形の形状を有してなることを特徴とするものである。
本発明の請求項1に係る電子線源によれば、炭素系材料からなる電子線源であって、電子線源の表面となる前記炭素系材料の表面を終端する水素の被覆割合が33%以下であるので、水素終端割合の変動(減少)が小さく、安定な電子放出が得られる。
また、本発明の請求項2に係る電子線源によれば、前記電子線源表面の炭素の内殻電子状態を、X線光電子分光で測定した場合の主ピークに対するサブピークの積算強度比が0.1以上とされたので、上記同様、水素終端割合の変動(減少)が小さく、安定な電子放出が得られる。
更に、本発明の請求項3に係る電子線源によれば、前記炭素系材料が、ダイヤモンド、
非晶質炭素、カーボンナノチューブであって、シリコン、モリブテン、タングステンから
選択される少なくとも1種以上の材料からなる基材上に形成されてなるので、基材との密
着性が、常温でも使用温度領域(測定は困難であるが、使用条件によっては1000Kに
達すると推定される)でも問題がない。
非晶質炭素、カーボンナノチューブであって、シリコン、モリブテン、タングステンから
選択される少なくとも1種以上の材料からなる基材上に形成されてなるので、基材との密
着性が、常温でも使用温度領域(測定は困難であるが、使用条件によっては1000Kに
達すると推定される)でも問題がない。
また更に、本発明の請求項4に係る電子線源によれば、前記基材が、円錐形ないしは略円錐形、または円柱形ないしは略円柱形の形状を有してなるので、電子源として使用する場合に、電界を印加し易いので電子を取り出し易い。しかも、使用時の過熱を防ぎ易い構造である。
先ず、本発明の実施の形態に係る電子線源を用いた電子線装置について、添付図1を参照しながら以下に説明する。図1は本発明の実施の形態に係る電子線源を説明するための電子線装置の模式図である。
この電子線装置には、真空封止管6の内部に、炭素系材料からなる電子線源(電子エミッタ)1と、この電子線源1から放出された電子を引出す電子引出し用グリッド2と、前記電子線源1から放出された電子ビーム5を加速及び収束するための加速収束機構3と、前記電子ビーム5が照射されるターゲット4とが直線上に配置されている。また、前記電子線源1には加熱装置9が設けられており、この加熱装置9により電子線源1を加熱可能な構成としている。
そして、前記ターゲット4は真空封止管6に封止されており、加速収束機構3とターゲット4との間には、電圧V2の直流電源8がターゲット4を負側として接続されている。
また、前記ターゲット4と電子線源1との間には、電圧V1の直流電源7がターゲット4側を正側として接続されている。更に、前記電子線源1に紫外線を照射する紫外線光源10が設けられている。
また、前記ターゲット4と電子線源1との間には、電圧V1の直流電源7がターゲット4側を正側として接続されている。更に、前記電子線源1に紫外線を照射する紫外線光源10が設けられている。
この様に構成された電子線装置において、加熱装置9により電子線源1を所定の温度に加熱制御しつつ、電源7によりターゲット4と電子線源1との間に電圧V1を印加する。すると、前記電子線源1から電子ビーム5が発生し、電子引出し用グリッド2により電子ビーム5が引出され、この電子ビーム5は、加速収束機構3により加速及び収束された後、ターゲット4に照射される。その結果、前記ターゲット4からX線11(または透過X線12)が発生し、真空封止管6の側方または前方からX線が取り出される。
電子線源1には、ターゲット電圧及び収束部電圧に対し負電圧が印加される。尚、加速収束機構3の構造により、電子引出し用グリッド2を必要としない場合がある。電子ビーム5がターゲット4に照射されるとX線11が発生し、このX線11は、図1に示す如く真空封止管6の側方に取り出される。このX線11の取出し方向としては、図1に示す透過X線12の様に、ターゲット4の電子ビーム進行方向前方とすることが可能である。
この様な電子線装置において、本発明の実施の形態に係る電子線源1は、炭素系材料からなるものであれば、電界強度が低くとも、効率良く電子を取り出すことができる点から好ましい。同時に、電子線源1の表面となる前記炭素系材料の表面を終端する水素の被覆割合が33%以下であるものが好ましい。この炭素系材料の表面を終端する水素の被覆割合が33%を超えると、水素終端基間の反発力により、炭素系材料表面から水素終端基が脱離し易い。結果として、電子源としての特性が経時変化し易くなる。
前記水素の被覆割合は小さい方が良く、0%でも良い。但し、水素が真空中では豊富に存在する元素であるため、実際に0%状態を作り出すことは難しく、実質的な下限値としては5〜10%程度となる。
前記炭素系材料の表面終端を他の元素ではなく、水素とする理由は、(1)原子半径が小さく、終端基として制御性が良いこと、(2)表面からの電子放出に最低限必要な電界強度が小さくなることである。電子線源の経時劣化との関係では、前記(2)に関連し、電子が水素終端部から放出されると、必然的に温度が上がり、水素がエネルギーを得て表面から離脱する。後に残された不完全終端な炭素表面には水素以外の終端基でも終端され、電子源としての性能が劣化する。
一方、水素終端部以外の部分、即ち、前記炭素系材料の表面における水素終端以外の67%を越える部分の終端状態は、代表的には酸素、窒素またはホウ素での終端である。酸素は二配位(C−O−C)、窒素及びホウ素は三配位で安定な表面を形成している。
また、前記電子線源表面の炭素の内殻電子状態を、X線光電子分光で測定した場合の主ピークに対するサブピークの積算強度比が0.1以上とされたのが好ましい。前記積算強度比が、0.1未満であると、逆に、酸素、窒素、ホウ素終端基間の静電反発力が過大となり、炭素系電源材料の表面状態が経時変化し易くなるためである。
更に、前記炭素系材料が、ダイヤモンド、非晶質炭素、カーボンナノチューブであって、シリコン、モリブテン、タングステンから選択される少なくとも1種以上の材料からなる基材上に形成されてなるのが好ましい。この様な基材は、炭素系材料との密着性に優れ、還元雰囲気中でも高温(1000K以上)に耐えるからである。その他使用可能な基材としては、タンタル、シリコンカーバイド等を挙げることができる。これらの基材は、高融点物質であり、比較的良好な高温導電性を有するからである。
前記基材の形状としては、円錐形ないしは略円錐形、または円柱形ないしは略円柱形の形状を有してなるものが、電子源として使用する場合に、電界を印加し易いので電子を取り出し易く、しかも、使用時の過熱を防ぎ易い構造であるという点から好ましい。
以上の通り、本発明に係る電子線源は、炭素系材料からなる電子線源であって、電子線源の表面となる前記炭素系材料の表面を終端する水素の被覆割合が33%以下であるので、経時変化が少なく、安定的な性能を有する電子線源を構成することができる。
次に、本発明に係る電子線源を作製した実施例につき、その作用と合わせて以下に具体的に述べる。
低抵抗シリコンを先鋭突起状に加工した基板、タングステン針及びモリブデン線を基材とし、この基材表面に、0.1〜10数μm程度、下記の通り導電性ダイヤモンドを蒸着して電子線源を作製した。先ず、前記基材をCVD装置内に設置し、この装置内のガス圧を1×103〜2×104Paの範囲に維持しつつ、プラズマ電力、基材保持台温度などのパラメータを調整して、基材表面温度を650〜1300Kに制御した。
低抵抗シリコンを先鋭突起状に加工した基板、タングステン針及びモリブデン線を基材とし、この基材表面に、0.1〜10数μm程度、下記の通り導電性ダイヤモンドを蒸着して電子線源を作製した。先ず、前記基材をCVD装置内に設置し、この装置内のガス圧を1×103〜2×104Paの範囲に維持しつつ、プラズマ電力、基材保持台温度などのパラメータを調整して、基材表面温度を650〜1300Kに制御した。
原料ガスにはメタンを用い、水素で0.1〜10%程度に希釈してCVD装置内に導入した。導電性ダイヤモンドを得るためには、ダイヤモンド中にホウ素または窒素を導入するが、これは原料ガスへのホウ素または窒素添加によって実施した。そして、CVD装置内に発生したプラズマは、前記基材を包み込むようにチューニングした。
この様にして得られた試料のダイヤモンド被膜の表面は、ほぼ100%水素で終端被覆されているが、これを種々のプロセスによって、その被覆割合を制御した。具体的には、下記(A)〜(B)のうちの何れかの表面処理により、ダイヤモンド表面の終端基を制御した。
(A)基材を、真空装置内で温度1250〜1300Kに10〜20分間保持する。
(B)基材を、大気中で温度650〜700Kに5〜10分間保持する。
(C)基材表面を、ヘリウムイオンまたはアルゴンイオンでスパッタリングする。
(A)基材を、真空装置内で温度1250〜1300Kに10〜20分間保持する。
(B)基材を、大気中で温度650〜700Kに5〜10分間保持する。
(C)基材表面を、ヘリウムイオンまたはアルゴンイオンでスパッタリングする。
前記ダイヤモンド被膜表面における水素終端部以外の部分の状態は、代表的には酸素、窒素またはホウ素での終端である。酸素は二配位(C−O−C)、窒素及びホウ素は三配位で安定な表面を形成している。
これらの試料とは別に、非晶質炭素、カーボンナノチューブについても、各々、マグネトロンスパッタリング法、プラズマCVD法によって上記同様基板上に作製した。非晶質炭素にはタングステンチップをグラファイトターゲットに貼り付けて、同時スパッタすることで、導電性を付与した。
得られた(ダイヤモンド被膜を含む)試料を、X線光電子分光(XPS)によって調べた。具体的には、試料表面の炭素原子から得られるClsピークを調べた。この結果を図2に示す。Clsピークは炭素原子の内殻電子状態を示すものであり、結合エネルギー284〜285eVに主ピークPmがある。加えて炭素系電子線源の表面状態によって、図2に示す如く、結合エネルギー286eV付近にサブピークPsが現れる場合がある。
次に、得られたこれらの試料を、図1に示した電子線装置の真空封止管6内に設置して電子線源1とした。電子線源1から電子を引出す電子ビーム引出し用グリッド2と、電子線源1から放出された電子ビーム5の加速収束機構3と、電子ビーム5が照射されるCuターゲット4とが直線上に配置されている。前記加速収束機構3とターゲット4との間には、直流電源8がターゲット4を負側として接続されている。また、ターゲット4と電子線源1との間には、直流電源7がターゲット4側を正側として接続されている。
この様に構成された電子線装置において、電子ビーム引出しグリッド2により電子線源1から電子ビーム5が引出され、この電子ビーム5は加速収束機構3によりおよそ1mAの電子ビーム5として収束された後、ターゲット4に照射され、X線11を発生させた。尚、この時の引出しグリッド2と電子線源1の表面との距離は200μm、引出し電圧は3kVであった。
電子線源1として上記により作成した種々の試料をテストし、特にその経時安定性について比較した結果を表1に示す。電子線源1に引出し電圧を印加した直後の初期電流値と、電子線源1への引出し電圧の印加を継続して3時間行った後の電流値との比率を電流変化率として、電子線源の安定性評価指標とした。また、Is/Imは、主ピークPmとサブピークPsの積算強度比を示す。
表1のホウ素ドープダイモンドの例で、前記Aの処理の場合、真空熱処理を施して、表面から水素を予め脱離させた炭素系材料で安定した電子放出特性が得られた。
前記Bの処理の場合、大気中で熱処理することで、真空中に比べて比較的低温の処理でも水素終端被膜率を低くし、Is/Imを高めることができ、安定な電子放出特性を得られることが見出された。
前記Cの処理の場合、熱処理と同様な効果を、希ガス中のスパッタリングという物理的な作用によって得られることが見出された。やはり、請求項に規定した条件範囲、水素終端被膜率、Is/Imが重要である。
前記Bの処理の場合、大気中で熱処理することで、真空中に比べて比較的低温の処理でも水素終端被膜率を低くし、Is/Imを高めることができ、安定な電子放出特性を得られることが見出された。
前記Cの処理の場合、熱処理と同様な効果を、希ガス中のスパッタリングという物理的な作用によって得られることが見出された。やはり、請求項に規定した条件範囲、水素終端被膜率、Is/Imが重要である。
また、窒素ドープダイヤモンドの例で、前記Aの処理の場合、真空熱処理を施して、表面から水素を予め脱離させた炭素系材料で安定した電子放出特性が得られた。
前記Bの処理の場合、大気中で熱処理することで、真空中に比べて比較的低温の処理でも水素終端被膜率を低くし、Is/Imを高めることができ、安定な電子放出特性を得られることが見出された。
前記Cの処理の場合、熱処理と同様な効果を、希ガス中のスパッタリングという物理的な作用によって得られることが見出された。やはり、請求項に規定した条件範囲、水素終端被膜率、Is/Imが重要である。
前記Bの処理の場合、大気中で熱処理することで、真空中に比べて比較的低温の処理でも水素終端被膜率を低くし、Is/Imを高めることができ、安定な電子放出特性を得られることが見出された。
前記Cの処理の場合、熱処理と同様な効果を、希ガス中のスパッタリングという物理的な作用によって得られることが見出された。やはり、請求項に規定した条件範囲、水素終端被膜率、Is/Imが重要である。
更に、非晶質炭素の例で、前記Aの処理の場合、真空熱処理を施して、表面から水素を予め脱離させた炭素系材料で安定した電子放出特性が得られた。
前記Bの処理の場合、大気中で熱処理することで、真空中に比べて比較的低温の処理でも水素終端被膜率を低くし、Is/Imを高めることができ、安定な電子放出特性を得られることが見出された。
前記Cの処理の場合、熱処理と同様な効果を、希ガス中のスパッタリングという物理的な作用によって得られることが見出された。やはり、請求項に規定した条件範囲、水素終端被膜率、Is/Imが重要である。
前記Bの処理の場合、大気中で熱処理することで、真空中に比べて比較的低温の処理でも水素終端被膜率を低くし、Is/Imを高めることができ、安定な電子放出特性を得られることが見出された。
前記Cの処理の場合、熱処理と同様な効果を、希ガス中のスパッタリングという物理的な作用によって得られることが見出された。やはり、請求項に規定した条件範囲、水素終端被膜率、Is/Imが重要である。
また更に、カーボンナノチューブの例で、前記Aの処理の場合、真空熱処理を施して、表面から水素を予め脱離させた炭素系材料で安定した電子放出特性が得られた。
前記Bの処理の場合、大気中で熱処理することで、真空中に比べて比較的低温の処理でも水素終端被膜率を低くし、Is/Imを高めることができ、安定な電子放出特性を得られることが見出された。
前記Cの処理の場合、熱処理と同様な効果を、希ガス中のスパッタリングという物理的な作用によって得られることが見出された。やはり、請求項に規定した条件範囲、水素終端被膜率、Is/Imが重要である。
前記Bの処理の場合、大気中で熱処理することで、真空中に比べて比較的低温の処理でも水素終端被膜率を低くし、Is/Imを高めることができ、安定な電子放出特性を得られることが見出された。
前記Cの処理の場合、熱処理と同様な効果を、希ガス中のスパッタリングという物理的な作用によって得られることが見出された。やはり、請求項に規定した条件範囲、水素終端被膜率、Is/Imが重要である。
以上説明した通り、本発明に係る電子線源によれば、炭素系材料からなる電子線源であって、電子線源の表面となる前記炭素系材料の表面を終端する水素の被覆割合が33%以下であるので、炭素系材料の表面状態が安定で、水素の離脱による電子放出特性の変化が小さい、再現性に優れた電子線源が得られる。
また、前記電子線源表面の炭素の内殻電子状態を、X線光電子分光で測定した場合の主ピークに対するサブピークの積算強度比が、0.1以上であることとしたので、炭素系材料の表面状態が安定で、水素の離脱による電子放出特性の変化が小さい、再現性に優れた電子線源が得られる。
また、前記電子線源表面の炭素の内殻電子状態を、X線光電子分光で測定した場合の主ピークに対するサブピークの積算強度比が、0.1以上であることとしたので、炭素系材料の表面状態が安定で、水素の離脱による電子放出特性の変化が小さい、再現性に優れた電子線源が得られる。
Pm:主ピーク, Ps:サブピーク,
1:電子線源(電子エミッタ), 2:電子引出し用グリッド,
3:加速収束機構, 4:ターゲット, 5:電子ビーム, 6:真空封止管,
7,8:直流電源, 9:加熱装置, 10:紫外線光源,
11:X線, 12:透過X線
1:電子線源(電子エミッタ), 2:電子引出し用グリッド,
3:加速収束機構, 4:ターゲット, 5:電子ビーム, 6:真空封止管,
7,8:直流電源, 9:加熱装置, 10:紫外線光源,
11:X線, 12:透過X線
Claims (4)
- 炭素系材料からなる電子線源であって、電子線源の表面となる前記炭素系材料の表面を終端する水素の被覆割合が33%以下であることを特徴とする電子線源。
- 前記電子線源表面の炭素の内殻電子状態を、X線光電子分光で測定した場合の主ピークに対するサブピークの積算強度比が0.1以上とされたことを特徴とする請求項1に記載の電子線源。
- 前記炭素系材料が、ダイヤモンド、非晶質炭素、カーボンナノチューブであって、シリコン、モリブテン、タングステンから選択される少なくとも1種以上の材料からなる基材上に形成されてなることを特徴とする請求項1または2に記載の電子線源。
- 前記基材が、円錐形ないしは略円錐形、または円柱形乃至は略円柱形の形状を有してなることを特徴とする請求項3に記載の電子線源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008096336A JP2009252413A (ja) | 2008-04-02 | 2008-04-02 | 電子線源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008096336A JP2009252413A (ja) | 2008-04-02 | 2008-04-02 | 電子線源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009252413A true JP2009252413A (ja) | 2009-10-29 |
Family
ID=41312952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008096336A Pending JP2009252413A (ja) | 2008-04-02 | 2008-04-02 | 電子線源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009252413A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105097444A (zh) * | 2014-05-19 | 2015-11-25 | 胜高股份有限公司 | 硅晶片的制造方法及硅晶片 |
US11657997B2 (en) | 2019-11-12 | 2023-05-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electron-emitting element |
-
2008
- 2008-04-02 JP JP2008096336A patent/JP2009252413A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105097444A (zh) * | 2014-05-19 | 2015-11-25 | 胜高股份有限公司 | 硅晶片的制造方法及硅晶片 |
US11657997B2 (en) | 2019-11-12 | 2023-05-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electron-emitting element |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Swanson et al. | Field electron cathode stability studies: Zirconium/tungsten thermal‐field cathode | |
Sugie et al. | Carbon nanotubes as electron source in an x-ray tube | |
JP2873930B2 (ja) | カーボンナノチューブを有する炭素質固体構造体、炭素質固体構造体からなる電子線源素子用電子放出体、及び炭素質固体構造体の製造方法 | |
JP5636053B2 (ja) | ガス電界電離イオン源及びその使用方法、並びに、イオンビーム装置 | |
JP5301168B2 (ja) | 冷電界エミッタ | |
US8952605B2 (en) | Metal hexaboride cold field emitter, method of fabricating same, and electron gun | |
Kim et al. | Great improvement in adhesion and uniformity of carbon nanotube field emitters through reactive nanometer-scale SiC fillers | |
EP2787522A1 (en) | Electrode material with low work function and high chemical stability | |
Park et al. | A fully closed nano-focus X-ray source with carbon nanotube field emitters | |
US7777404B1 (en) | Field emission type electron gun comprising single fibrous carbon electron emitter and operating method for the same | |
WO2011046116A1 (ja) | ガス電解電離イオン源、イオンビーム装置 | |
JP2004079223A (ja) | カーボンナノチューブを有する電子源とそれを用いた電子顕微鏡および電子線描画装置 | |
Singh et al. | Fabrication and characterization of a focused ion beam milled lanthanum hexaboride based cold field electron emitter source | |
US20160020061A1 (en) | Transmission-type target for x-ray generating source, and x-ray generator and radiography system including transmission-type target | |
Kim et al. | Small-sized flat-tip CNT emitters for miniaturized X-ray tubes | |
Ghareshabani et al. | Low energy repetitive miniature plasma focus device as high deposition rate facility for synthesis of DLC thin films | |
Huang et al. | A dual-functional micro-focus X-ray source based on carbon nanotube field emission | |
Sun et al. | The design and fabrication of carbon-nanotube-based field emission X-ray cathode with ballast resistor | |
Shao et al. | A few-layer graphene ring-cathode field emitter for focused electron/ion beam applications | |
JP3810656B2 (ja) | 微小x線源 | |
JP2009252413A (ja) | 電子線源 | |
US20220406552A1 (en) | Emitter, electron gun in which same is used, electronic device in which same is used, and method for manufacturing same | |
JP3525135B2 (ja) | 炭素原子クラスターイオン生成装置及び炭素原子クラスターイオンの生成方法 | |
WO2013035411A1 (ja) | エミッタ、ガス電界電離イオン源、およびイオンビーム装置 | |
WO2019107113A1 (ja) | エミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法 |