CN116852183B - 一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺 - Google Patents
一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116852183B CN116852183B CN202310967122.7A CN202310967122A CN116852183B CN 116852183 B CN116852183 B CN 116852183B CN 202310967122 A CN202310967122 A CN 202310967122A CN 116852183 B CN116852183 B CN 116852183B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- grinding
- wafer
- polishing
- liquid prepared
- flow rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000227 grinding Methods 0.000 title claims abstract description 242
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 42
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 15
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 122
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/006—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the speed
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/16—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load
- B24B49/165—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load for grinding tyres
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
Abstract
本发明公开一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺,属于半导体晶圆加工技术领域。该研磨工艺包括以下步骤:(1)使用A磨砂研磨晶圆,A磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为:A磨砂15%‑38%、研磨剂1.5%‑2.8%,其余为水;研磨晶圆时使用的磨液流量为900‑1500mL/min;研磨压力为600‑1500kg;研磨转速为25‑50rpm,转速比为0.3‑0.6;(2)使用B磨砂研磨晶圆,B磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为:B磨砂13%‑36%、研磨剂2.2%‑3.8%,其余为水;研磨晶圆时使用的磨液流量为900‑1500mL/min;研磨压力为600‑1500kg;研磨转速为25‑50rpm,转速比为0.3‑0.6。本发明通过改善研磨工艺可以得到平坦度高的晶圆,并且能够避免晶圆的边缘塌陷。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体晶圆加工工艺,具体涉及一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺,属于半导体晶圆加工技术领域。
背景技术
晶圆的加工过程一般包括切片、倒角、研磨、腐蚀和抛光等。切片过程会在晶圆表面产生深度约为20-50μm的机械应力损伤层,如果这些机械损伤残留在晶圆表面,会在氧化过程中产生氧化诱导层错等缺陷,因此,切片得到的晶圆需要进行研磨处理。
晶圆研磨的主要目的是消除晶圆的表面损伤层,同时提高晶圆的平坦度。TTV是衡量晶圆平坦度的一个重要指标。TTV指的是晶圆的总厚度变化,即晶圆在厚度测量值中的最大厚度与最小厚度的差值,单位为微米(μm)。TTV越小,表明晶圆的平坦度越高,因此质量越高。
晶圆的平坦度与研磨工艺有密切的关系。因此,有必要研究一种新的研磨工艺,保证研磨后得到高平坦度晶圆的同时避免边缘塌陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺,通过改善研磨工艺可以得到平坦度高的晶圆,并且能够避免晶圆的边缘塌陷。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺,包括如下步骤:
(1)使用A磨砂研磨晶圆,A磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为:A磨砂15%-38%、研磨剂1.5%-2.8%,其余为水;研磨晶圆时使用的磨液流量为900-1500mL/min;研磨压力为600-1500kg;研磨转速为25-50rpm,转速比为0.3-0.6;
(2)使用B磨砂研磨晶圆,B磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为:B磨砂13%-36%、研磨剂2.2%-3.8%,其余为水;研磨晶圆时使用的磨液流量为900-1500mL/min;研磨压力为600-1500kg;研磨转速为25-50rpm,转速比为0.3-0.6。
进一步的,在步骤(1)中,研磨去除量为30-40μm。在步骤(2)中,研磨去除量为10-30μm。
进一步的,A磨砂中主要成分Al2O3的含量≥99.8%,B磨砂的成分组成主要包括:52.1%的Al2O3、30.6%的ZrO2、15.9%的SiO2和1.2%TiO2。
进一步的,研磨剂生产厂家为日本共荣社化学株式会社,型号为EXCEM LIGHT L-274S。
进一步的,本发明中所述的大型晶圆研磨机的型号为HAMAI 32BEN。
进一步的,本发明中所述的晶圆尺寸为6英寸、8英寸及12英寸。
本发明的优点在于:
本发明提供一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺,通过改善研磨工艺(磨砂种类、研磨液配比、研磨液流量、研磨压力、研磨转速及转速比),与只使用A磨砂或B磨砂研磨晶圆的工艺相比,研磨后晶圆的TTV小,平坦度高,并且避免了晶圆边缘塌陷。
附图说明
图1为本发明的晶圆研磨过程示意图。
图2为对比例1-2单独使用A磨砂研磨后晶圆的截面形貌示意图。
图3为对比例2-2单独使用B磨砂研磨后晶圆的截面形貌示意图。
图4为本发明实施例2的研磨工艺研磨后晶圆的截面形貌示意图。
具体实施方式
为了能更清楚描述本发明的技术方案,下面结合附图及实施例对本发明作进一步说明。
如图1所示,本发明首先使用A磨砂研磨晶圆,再使用B磨砂研磨晶圆,通过改善研磨工艺(磨砂种类、研磨液配比、研磨液流量、研磨压力、研磨转速及转速比),能够降低晶圆的TTV,得到平坦度高的晶圆,并且可以避免研磨后晶圆边缘塌陷。
在步骤S1中,A磨砂中Al2O3的含量≥99.8%,其他为金属氧化物;研磨剂生产厂家为日本共荣社化学株式会社,型号为EXCEM LIGHT L-274S。本步骤使用的研磨液各组分所占质量百分比为:A磨砂15%-38%、研磨剂1.5%-2.8%,其余为水。其中,加入磨砂的主要目的是加快研磨速率,并且保证晶圆不会产生划痕;加入研磨剂的主要目的是使磨砂保持较高的分散度,使其不会迅速下沉,同时也能带走研磨过程中产生的热量。
在步骤S1中,研磨晶圆时使用的磨液流量为900-1500mL/min。当磨液流量低于900mL/min时,研磨后晶圆边缘易出现轻微划痕,产生不良片;磨液流量高于1500mL/min时,对晶圆的研磨品质影响不大,还会造成浪费,增加研磨成本。
在步骤S1中,研磨压力为600-1500kg。压力太高时,晶圆表面损伤严重,降低晶圆表面质量;压力太低时,研磨速率慢,生产效率低。
在步骤S1中,研磨转速为25-50rpm;转速比为0.3-0.6。研磨转速高于50rpm时,研磨速率更快,但是晶圆表面质量差,界面缺陷严重。研磨转速低于25rpm时,研磨后晶圆表面质量没有明显提升,并且生产效率低。
在步骤S2中,B磨砂主要由52.1%的Al2O3、30.6%的ZrO2、15.9%的SiO2和1.2%TiO2组成,其他为金属氧化物;研磨剂生产厂家为日本共荣社化学株式会社,型号为EXCEMLIGHT L-274S。本步骤使用的研磨液各组分所占质量百分比为:B磨砂13%-36%、研磨剂2.2%-3.8%,其余为水。其中,加入磨砂的主要目的是加快研磨速率,并且保证晶圆不会产生划痕;加入研磨剂的主要目的是使磨砂保持较高的分散度,使其不会迅速下沉,同时也能带走研磨过程中产生的热量。
在步骤S2中,研磨晶圆时使用的磨液流量为900-1500mL/min。当磨液流量低于900mL/min时,研磨后晶圆边缘易出现轻微划痕;磨液流量高于1500mL/min时,对晶圆的研磨品质影响不大,还会造成浪费,增加研磨成本。
在步骤S2中,研磨压力为600-1500kg。压力太高时,晶圆表面损伤严重,降低晶圆表面质量;压力太低时,研磨速率慢,生产效率低。
在步骤S2中,研磨转速为25-50rpm;转速比为0.3-0.6。研磨转速高于50rpm时,研磨速率更快,但是晶圆表面质量差,界面缺陷严重。研磨转速低于25rpm时,研磨后晶圆表面质量没有明显提升,并且生产效率低。
在步骤S1、S2中,研磨机的型号为HAMAI 32BEN。
在本发明的研磨工艺中,使用A磨砂研磨晶圆的去除量为30-40μm;使用B磨砂研磨晶圆的去除量为10-30μm。
实施例1
一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺,用于研磨6英寸晶圆。首先使用A磨砂配制的研磨液研磨晶圆,A磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为:A磨砂28%、研磨剂1.8%,其余为水;研磨晶圆时使用的磨液流量为1100mL/min;研磨压力为850kg;研磨转速为35rpm;转速比为0.4;研磨去除量为35μm。然后使用B磨砂配制的研磨液研磨晶圆,B磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为:B磨砂25%、研磨剂2.6%,其余为水;研磨晶圆时使用的磨液流量为1150mL/min;研磨压力为800kg;研磨转速为40rpm;转速比为0.4;研磨去除量为25μm。
实施例2
一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺,用于研磨8英寸晶圆。首先使用A磨砂配制的研磨液研磨晶圆,A磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为:A磨砂30%、研磨剂2.0%,其余为水;研磨晶圆时使用的磨液流量为1200mL/min;研磨压力为900kg;研磨转速为40rpm;转速比为0.5;研磨去除量为37μm。然后使用B磨砂配制的研磨液研磨晶圆,B磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为:B磨砂25%、研磨剂2.8%,其余为水;研磨晶圆时使用的磨液流量为1250mL/min;研磨压力为950kg;研磨转速为43rpm;转速比为0.5;研磨去除量为23μm。
实施例3
一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺,用于研磨12英寸晶圆。首先使用A磨砂配制的研磨液研磨晶圆,A磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为:A磨砂25%、研磨剂2.1%,其余为水;研磨晶圆时使用的磨液流量为1300mL/min;研磨压力为1000kg;研磨转速为45rpm;转速比为0.6;研磨去除量为40μm。然后使用B磨砂配制的研磨液研磨晶圆,B磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为:B磨砂22%、研磨剂3.0%,其余为水;研磨晶圆时使用的磨液流量为1350mL/min;研磨压力为1100kg;研磨转速为48rpm;转速比为0.6;研磨去除量为20μm。
对比例1-1
一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺,用于研磨6英寸晶圆。使用A磨砂配制的研磨液研磨晶圆,A磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为:A磨砂28%、研磨剂1.8%,其余为水;研磨晶圆时使用的磨液流量为1100mL/min;研磨压力为850kg;研磨转速为35rpm;转速比为0.4;研磨去除量为60μm。
对比例1-2
一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺,用于研磨8英寸晶圆。使用A磨砂配制的研磨液研磨晶圆,A磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为:A磨砂30%、研磨剂2.0%,其余为水;研磨晶圆时使用的磨液流量为1200mL/min;研磨压力为900kg;研磨转速为40rpm;转速比为0.5;研磨去除量为60μm。
对比例1-3
一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺,用于研磨12英寸晶圆。使用A磨砂配制的研磨液研磨晶圆,A磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为:A磨砂25%、研磨剂2.1%,其余为水;研磨晶圆时使用的磨液流量为1300mL/min;研磨压力为1000kg;研磨转速为45rpm;转速比为0.6;研磨去除量为60μm。
对比例2-1
一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺,用于研磨6英寸晶圆。使用B磨砂配制的研磨液研磨晶圆,B磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为:B磨砂25%、研磨剂2.6%,其余为水;研磨晶圆时使用的磨液流量为1150mL/min;研磨压力为800kg;研磨转速为40rpm;转速比为0.4;研磨去除量为60μm。
对比例2-2
一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺,用于研磨8英寸晶圆。使用B磨砂配制的研磨液研磨晶圆,B磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为:B磨砂25%、研磨剂2.8%,其余为水;研磨晶圆时使用的磨液流量为1250mL/min;研磨压力为950kg;研磨转速为43rpm;转速比为0.5;研磨去除量为60μm。
对比例2-3
一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺,用于研磨12英寸晶圆。使用B磨砂配制的研磨液研磨晶圆,B磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为:B磨砂22%、研磨剂3.0%,其余为水;研磨晶圆时使用的磨液流量为1350mL/min;研磨压力为1100kg;研磨转速为48rpm;转速比为0.6;研磨去除量为60μm。
如图2所示为对比例1-2单独使用A磨砂,其研磨速率快、研磨成本较低,研磨后晶圆的微观形貌呈楔形,这种磨砂研磨后晶圆的TTV较高,导致良率降低。如图3所示,对比例2-2单独使用B磨砂研磨后晶圆的TTV较低,但是出现晶圆边缘塌陷的情况。图4为本发明实施例2的研磨工艺研磨后晶圆的截面形貌示意图。
表1为各实施例与单独使用A磨砂(对比例1-1~1-3)、B磨砂(对比例2-1~2-3)研磨后晶圆TTV均值对比表。通过对比可以看出,以上各实施例研磨晶圆,与只使用A磨砂或B磨砂研磨晶圆的对比例相比,得到的晶圆总厚度偏差(TTV)小,平坦度高,不良率低,并且避免了晶圆边缘塌陷。
表1
本发明中的实施例为本发明较优的实施例,不构成对权利要求范围的限制。凡依据本发明申请范围所作出变化及改进,均在本发明保护范围之内。
Claims (5)
1.一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺,其特征在于,包括以下步骤:
(1)使用A磨砂研磨晶圆,A磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为:A磨砂15%-38%、研磨剂1.5%-2.8%,其余为水;A磨砂中主要成分Al2O3的含量≥99.8%;研磨晶圆时使用的磨液流量为900-1500mL/min;研磨压力为600-1500kg;研磨转速为25-50rpm,转速比为0.3-0.6;
(2)使用B磨砂研磨晶圆,B磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为:B磨砂13%-36%、研磨剂2.2%-3.8%,其余为水;B磨砂的成分组成主要包括:52.1%的Al2O3、30.6%的ZrO2、15.9%的SiO2和1.2%TiO2;研磨晶圆时使用的磨液流量为900-1500mL/min;研磨压力为600-1500kg;研磨转速为25-50rpm,转速比为0.3-0.6。
2.根据权利要求1所述的研磨工艺,其特征在于,在步骤(1)中,研磨去除量为30-40μm。
3.根据权利要求1所述的研磨工艺,其特征在于,在步骤(2)中,研磨去除量为10-30μm。
4.根据权利要求1所述的研磨工艺,其特征在于,所述的大型晶圆研磨机的型号为HAMAI 32BEN。
5.根据权利要求1所述的研磨工艺,其特征在于,所述的晶圆尺寸为6英寸、8英寸及12英寸。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310967122.7A CN116852183B (zh) | 2023-08-02 | 2023-08-02 | 一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310967122.7A CN116852183B (zh) | 2023-08-02 | 2023-08-02 | 一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116852183A CN116852183A (zh) | 2023-10-10 |
CN116852183B true CN116852183B (zh) | 2024-04-02 |
Family
ID=88221697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310967122.7A Active CN116852183B (zh) | 2023-08-02 | 2023-08-02 | 一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116852183B (zh) |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09167745A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Hitachi Ltd | 化学的・機械的な研磨方法及びその装置並びに半導体基板の製造方法 |
US6276997B1 (en) * | 1998-12-23 | 2001-08-21 | Shinhwa Li | Use of chemical mechanical polishing and/or poly-vinyl-acetate scrubbing to restore quality of used semiconductor wafers |
CN102407482A (zh) * | 2011-04-29 | 2012-04-11 | 上海华力微电子有限公司 | 调节金属研磨速率并改善研磨过程中产生的缺陷的方法 |
CN102623327A (zh) * | 2011-01-31 | 2012-08-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种化学机械研磨方法 |
CN105097444A (zh) * | 2014-05-19 | 2015-11-25 | 胜高股份有限公司 | 硅晶片的制造方法及硅晶片 |
CN105081957A (zh) * | 2014-05-14 | 2015-11-25 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 一种用于晶圆平坦化生产的化学机械研磨方法 |
CN106558529A (zh) * | 2015-09-30 | 2017-04-05 | 无锡华润微电子有限公司 | 浅沟槽隔离方法 |
CN107598777A (zh) * | 2017-10-11 | 2018-01-19 | 睿力集成电路有限公司 | 半导体晶圆的化学机械研磨方法及设备 |
CN108165177A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-06-15 | 重庆超硅半导体有限公司 | 一种半导体硅片研磨液稳定性控制方法 |
CN108214108A (zh) * | 2016-12-09 | 2018-06-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种化学机械研磨方法 |
CN109037033A (zh) * | 2018-07-17 | 2018-12-18 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种晶圆减薄方法 |
CN110832622A (zh) * | 2017-07-14 | 2020-02-21 | 信越半导体株式会社 | 研磨方法 |
CN113199392A (zh) * | 2021-04-12 | 2021-08-03 | 中环领先半导体材料有限公司 | 一种提升8寸磨片参数的加工工艺 |
CN115922556A (zh) * | 2022-12-28 | 2023-04-07 | 锦州神工半导体股份有限公司 | 一种硅片研磨方法以及硅片 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020175143A1 (en) * | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Seh America, Inc. | Processes for polishing wafers |
-
2023
- 2023-08-02 CN CN202310967122.7A patent/CN116852183B/zh active Active
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09167745A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Hitachi Ltd | 化学的・機械的な研磨方法及びその装置並びに半導体基板の製造方法 |
US6276997B1 (en) * | 1998-12-23 | 2001-08-21 | Shinhwa Li | Use of chemical mechanical polishing and/or poly-vinyl-acetate scrubbing to restore quality of used semiconductor wafers |
CN102623327A (zh) * | 2011-01-31 | 2012-08-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种化学机械研磨方法 |
CN102407482A (zh) * | 2011-04-29 | 2012-04-11 | 上海华力微电子有限公司 | 调节金属研磨速率并改善研磨过程中产生的缺陷的方法 |
CN105081957A (zh) * | 2014-05-14 | 2015-11-25 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 一种用于晶圆平坦化生产的化学机械研磨方法 |
CN105097444A (zh) * | 2014-05-19 | 2015-11-25 | 胜高股份有限公司 | 硅晶片的制造方法及硅晶片 |
CN106558529A (zh) * | 2015-09-30 | 2017-04-05 | 无锡华润微电子有限公司 | 浅沟槽隔离方法 |
CN108214108A (zh) * | 2016-12-09 | 2018-06-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种化学机械研磨方法 |
CN110832622A (zh) * | 2017-07-14 | 2020-02-21 | 信越半导体株式会社 | 研磨方法 |
CN107598777A (zh) * | 2017-10-11 | 2018-01-19 | 睿力集成电路有限公司 | 半导体晶圆的化学机械研磨方法及设备 |
CN108165177A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-06-15 | 重庆超硅半导体有限公司 | 一种半导体硅片研磨液稳定性控制方法 |
CN109037033A (zh) * | 2018-07-17 | 2018-12-18 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种晶圆减薄方法 |
CN113199392A (zh) * | 2021-04-12 | 2021-08-03 | 中环领先半导体材料有限公司 | 一种提升8寸磨片参数的加工工艺 |
CN115922556A (zh) * | 2022-12-28 | 2023-04-07 | 锦州神工半导体股份有限公司 | 一种硅片研磨方法以及硅片 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN116852183A (zh) | 2023-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100579723C (zh) | 激光玻璃机械化学抛光方法 | |
EP1755156B1 (en) | Process for producing silicon wafers | |
CN102528597B (zh) | 一种大直径硅片制造工艺 | |
CN102172879B (zh) | 基于固结磨料抛光垫的软脆lbo晶体的加工方法 | |
CN104669106A (zh) | 大尺寸a向蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法 | |
CN101671528A (zh) | 用于单晶硅片化学机械抛光的抛光液 | |
CN105058223B (zh) | 一种锗单晶片的单面研磨方法 | |
CN108177044B (zh) | 一种集成电路用单晶硅片边缘倒角方法 | |
CN101049681A (zh) | 硅片研磨表面划伤的控制方法 | |
JP2012079964A (ja) | 半導体ウェーハ用研磨液組成物 | |
US20140319411A1 (en) | Semiconductor wafer polishing liquid composition | |
CN102399496A (zh) | 用于晶片粗抛光的研磨组合物 | |
JP3943869B2 (ja) | 半導体ウエーハの加工方法および半導体ウエーハ | |
CN116852183B (zh) | 一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺 | |
JP7359203B2 (ja) | 酸化ガリウム基板、および酸化ガリウム基板の製造方法 | |
JP5906823B2 (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法 | |
JP2018152456A (ja) | ウェーハの製造方法 | |
TW201940759A (zh) | 矽晶圓的製造方法 | |
JP5313006B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 | |
JP5152357B2 (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法 | |
JP2012101327A (ja) | ウェーハの面取り方法 | |
CN104347357A (zh) | 减薄替代抛光及后序清洗的衬底加工方法 | |
CN105127880B (zh) | 一种主动控制工件材料去除机理转变的超精密抛光方法 | |
CN110277307A (zh) | 一种制备单面高亮度酸腐片的工艺方法 | |
CN117116740A (zh) | 一种大尺寸晶圆边缘的加工工艺 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |