CN104669106A - 大尺寸a向蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法 - Google Patents
大尺寸a向蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104669106A CN104669106A CN201510071131.3A CN201510071131A CN104669106A CN 104669106 A CN104669106 A CN 104669106A CN 201510071131 A CN201510071131 A CN 201510071131A CN 104669106 A CN104669106 A CN 104669106A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mobile phone
- phone screen
- polishing
- grinding
- twin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 128
- 238000000227 grinding Methods 0.000 title claims abstract description 96
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 92
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 17
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 17
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 12
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001651 emery Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 8
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 6
- ZZVUWRFHKOJYTH-UHFFFAOYSA-N diphenhydramine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCCN(C)C)C1=CC=CC=C1 ZZVUWRFHKOJYTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004006 olive oil Substances 0.000 claims description 6
- 235000008390 olive oil Nutrition 0.000 claims description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 5
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 4
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims description 4
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 4
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims description 4
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000010482 polyoxyethylene sorbitan monooleate Nutrition 0.000 claims description 4
- 229920000053 polysorbate 80 Polymers 0.000 claims description 4
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 4
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- IMQLKJBTEOYOSI-GPIVLXJGSA-N Inositol-hexakisphosphate Chemical compound OP(O)(=O)O[C@H]1[C@H](OP(O)(O)=O)[C@@H](OP(O)(O)=O)[C@H](OP(O)(O)=O)[C@H](OP(O)(O)=O)[C@@H]1OP(O)(O)=O IMQLKJBTEOYOSI-GPIVLXJGSA-N 0.000 claims description 2
- IMQLKJBTEOYOSI-UHFFFAOYSA-N Phytic acid Natural products OP(O)(=O)OC1C(OP(O)(O)=O)C(OP(O)(O)=O)C(OP(O)(O)=O)C(OP(O)(O)=O)C1OP(O)(O)=O IMQLKJBTEOYOSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940043237 diethanolamine Drugs 0.000 claims description 2
- 229940068041 phytic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 239000003643 water by type Substances 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 15
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001573 adamantine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008733 trauma Effects 0.000 description 1
- 238000007514 turning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种大尺寸A向蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,它包括晶锭定向,晶片切片,晶片双面研磨,晶片清洗,晶片退火,晶片双面抛光,晶片清洗,激光打孔,晶片倒角,晶片清洗和晶片镀膜步骤。本发明通过大量实验筛选得到最佳的加工工艺和各步骤的最佳参数,包括抛光液的组成。该方法可以简化大尺寸(10英寸)蓝宝石手机屏幕的制造工艺,可有效消除表层的加工应力、消除机械加工损伤层,获得表面晶格完整、平整度<5微米、抛光面粗糙度(RMS)<0.2纳米的超光滑表面,该工艺加工质量好、成本低、效率高,相比现有技术取得了非常好的技术进步。
Description
技术领域
本发明涉及一种蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法。
背景技术
蓝宝石()晶体是现代工业重要的基础材料,目前已经广泛应用于光电子、微电子、光学、激光、超导、国防等领域。由于其晶体莫氏硬度达到9级,是世界上硬度仅次于金刚石的晶体材料,耐磨损能力强,不易被划伤;由于其化学性质稳定,常温下很难发生化学反应。这些优秀的物理化学性质,使蓝宝石非常适合用作手机屏幕。但同时,由于其硬度高导致加工难度大、加工工艺复杂、加工成本高。普通的加工工艺还不能完全满足蓝宝石作为手机屏幕的需求。
发明内容
发明目的:本发明的目的是为了克服现有蓝宝石手机屏加工质量低、加工成本高等问题。通过大量实验筛选,提供一种新的双面研磨双面抛光蓝宝石手机屏加工技术,该工艺能够加工出尺寸达10英寸的蓝宝石手机屏。同时简化蓝宝石手机屏的加工工序、提高加工质量、降低加工成本。
技术方案:为了实现以上目的,本发明所采用的主要技术方案为:
一种大尺寸蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,它包括以下步骤:
(1)定向:选择蓝宝石晶体耐磨性较好的蓝宝石A面,进行定向,保证切出的手机屏是A向面;
(2)切片:根据手机屏幕的形状尺寸,对蓝宝石晶体切片,切片后的蓝宝石晶体厚度比手机屏幕厚50~70微米,长度、宽度尺寸与手机屏幕一致;
(3)双面研磨:采用双面研磨设备对切片好的蓝宝石晶体进行双面研磨;
(4)清洗:采用超声波清洗机对步骤(3)研磨后的手机屏清洗;
(5)退火处理:采用高温退火炉进行退火,去除蓝宝石手机屏内部应力;
(6)双面抛光:采用双面抛光设备进行化学机械抛光,使抛光后蓝宝石手机屏表面没有划痕、粗糙度为0.2纳米、厚度均匀性在1.0微米以内;
(7)清洗:采用超声波清洗机对抛光后的手机屏清洗;
(8)打孔:采用激光打孔机进行打孔,打孔机功率250~1000W;
(9)倒角:采用倒角机对手机屏进行边缘倒角;
(10)清洗:采用去离子水用超声波清洗机对倒角后的手机屏清洗;清洗5~20分钟;
(11)镀膜:采用真空镀膜机对手机屏进行镀膜。
作为优选方案,以上所述的大尺寸蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,所述的步骤(3)双面研磨具体操作方法为:
(3-1)配制双面研磨研磨液,取下列各原料按重量百分比配制:十六烷基三甲基溴化铵:3%-25%;肌醇六磷酸酯:2%-8%;二乙醇胺:1%-18%;有机硅消泡剂:0.3%-2%;其余是去离子水;
(3-2)将含有金刚石磨料的研磨料垫粘贴在研磨盘上,所述的金刚石磨料粒度在w1~w7之间;
(3-3)将贴在上研磨盘上的研磨垫进行挖孔,供研磨液流通;
(3-4)调整研磨压力:300~400g/cm2;
(3-5)调整电机带动研磨盘的转速:20~80rpm;
(3-6)调整研磨时间:10~60min,研磨温度:25℃±5℃;
(3-7)将蓝宝石手机屏放置在两块研磨盘中间,手机屏由游星轮固定并驱动旋转,游星轮带动手机屏进行自转,与研磨盘相对运动进行研磨。经过双面研磨后蓝宝石手机屏厚度减薄约50微米,粗糙度为0.3~1微米左右,厚度均匀性在0.5~5微米以内,表面无明显划痕,获得镜面研磨效果。
作为优选方案,以上所述的大尺寸蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,所述的步骤(4)清洗步骤为,采用去离子水,用超声波清洗机对研磨后的手机屏清洗,清洗时间为5~20分钟,去除研磨后手机屏表面的研磨颗粒。
作为优选方案,以上所述的大尺寸蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,所述的步骤(5)采用高温退火炉进行退火,去除蓝宝石手机屏内部应力,退火处理的温度为1300~1600℃,退火处理的时间为5~15小时。
作为优选方案,以上所述的大尺寸蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,所述的步骤(6)双面抛光具体操作工艺参数如下:
(6-1)将含有沟槽的抛光垫粘贴在抛光盘上,所述沟槽为XY型沟槽,所述的槽宽1mm~20mm,槽深1mm~10mm,槽间距10mm~50mm;
(6-2)将贴在上抛光盘上的抛光垫进行挖孔,供研磨液流通;
(6-3)双面抛光抛光液由溶胶型SiO2,聚氧乙烯酰胺,橄榄油,醇胺,过氧化氢,去离子水组成(其中溶胶型SiO2的体积分数10%~40%,聚氧乙烯酰胺的体积分数0.1%~1%,橄榄油的体积分数1%~5%,醇胺的体积分数0.01%~0.5%,过氧化氢的体积分数2%~8%;其余为去离子水);
(6-4)所述抛光液中SiO2微粒直径为30~80纳米;抛光液的pH为10~12;
(6-5)调整抛光盘转速为:20~80rpm;
(6-6)调整抛光液流量:200~300rpm;
(6-7)调整抛光时间:60~240min;
(6-8)调整抛光压力:300~400g/cm2
(6-9)调整抛光温度:30℃±5℃;
(6-10)将蓝宝石手机屏放置在两块抛光盘中间,手机屏由游星轮固定并驱动旋转,游星轮带动手机屏进行自转,与抛光盘相对运动进行抛光。经过双面抛光后蓝宝石手机屏厚度均匀性在0.5~5微米以内、抛光面粗糙度(RMS)<0.2纳米,表面无明显划痕,获得超光滑表面。
作为优选方案,以上所述的大尺寸蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,所述的步骤(7)具体清洗工艺如下:
(7-1)先放置在乙醇中,用超声方法去蜡,时间10~20min;
(7-2)再使用臭氧与氮气的混合气体鼓泡冲洗,去除手机屏残留磨粒、表面活性剂杂质,时间10~20min;
(7-3)再使用体积分数为1%的吐温-80溶液用超声清洗,时间5~10min;
(7-4)最后使用去离子水清洗,时间5~10min。
作为优选方案,以上所述的大尺寸蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,所述的步骤(9)倒角处理方法为采用倒角机对手机屏进行边缘倒角,采用45度角金刚石倒角砂轮,砂轮转速为400~1000rpm,砂轮进给速度为5~10mm/min。倒角时间5~10min。
作为优选方案,以上所述的大尺寸蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,所述的步骤(11)镀膜处理方法为:采用真空镀膜机对手机屏进行镀膜,真空中进行增透膜涂覆,手机屏温度100~500℃。
本发明通过大量实验筛选,优选出最佳的双面研磨、双面抛光、清洗、退火处理和镀膜等工艺步骤以及最佳的工艺参数。在蓝宝石晶体定向切片后,首先采用双面研磨方法提高平面度、减少表面划痕、降低粗糙度,可达到精密加工要求;然后对研磨后的手机屏进行优选方法的清洗和退火加工处理;退火后采用化学机械抛光双面抛光进一步提高平面度、去除表面划痕、降低粗糙度,可达到超精密加工要求;最后对手机屏进行打孔、倒角、清洗和镀膜加工处理。可大大提高蓝宝石手机屏质量,节省加工时间,降低蓝宝石手机屏加工成本。
有益效果:本发明和现有技术相比具有以下优点:
本发明提供的大尺寸蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,通过大量实验筛选得到最佳的加工工艺和各步骤的最佳参数,包括包括抛光液的组成。本发明可以简化大尺寸(10英寸)蓝宝石手机屏幕的制造工艺,有效得消除表层的加工应力、消除机械加工损伤层,获得表面晶格完整、平整度<5微米、抛光面粗糙度(RMS)<0.2纳米的超光滑表面,该工艺加工质量好、成本低、效率高,相比现有技术取得了非常好的技术进步。
附图说明
图1为本发明提供的双面研磨步骤的结构示意图。
图2为本发明提供的双面研磨步骤的结构示意图。
图3为本发明提供的双面抛光步骤的结构示意图。
图4为本发明提供的双面抛光步骤的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例,进一步阐明本发明,应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围,在阅读了本发明之后,本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
实施例1
一种大尺寸蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,它包括以下步骤:
(1)定向:选择蓝宝石晶体耐磨性较好的蓝宝石A面,进行定向,保证切出的手机屏是A向面;
(2)切片:根据手机屏幕的形状尺寸,对蓝宝石晶体切片,切片后的蓝宝石晶体厚度比手机屏幕厚50~70微米,长度、宽度尺寸与手机屏幕一致;
(3)双面研磨:采用双面研磨设备对切片好的蓝宝石手机屏(2)进行双面研磨;双面研磨具体操作方法为:
(3-1)如图1和图2所示,将含有金刚石磨料的下研磨垫(4)和上研磨垫(7)分别粘贴在下研磨盘(5)和上研磨盘(8)上,所述的金刚石磨料粒度在w1~w7之间;
(3-2)将贴在上研磨盘(8)上的上研磨垫(7)进行挖洞孔(6),供研磨液流通;
(3-3)调整研磨压力:300cm2;
(3-4)调整电机带动研磨盘的转速:40rpm;
(3-5)调整研磨时间:30min,研磨温度:25℃±5℃;
(3-6)如图1和图2所示,将蓝宝石手机屏(1)放置在下研磨盘(5)上的游星轮(2)里,游星轮(2)与太阳轮(3)啮合。研磨时将上研磨盘(8)平行放置于蓝宝石手机屏(1)上面。游星轮(2)带动蓝宝石手机屏(1)自转并与下研磨垫(4)和上研磨垫(7)相对运动,进行双面研磨。经过双面研磨后蓝宝石手机屏厚度减薄约50微米,粗糙度为0.3~1微米左右,厚度均匀性在0.5~5微米以内,表面无明显划痕,获得镜面研磨效果。
(4)清洗:采用超声波清洗机对步骤(3)研磨后的手机屏清洗;清洗步骤为,采用去离子水,用超声波清洗机对研磨后的手机屏清洗,清洗时间为10分钟,去除研磨后手机屏表面的研磨颗粒。
(5)退火处理:采用高温退火炉进行退火,去除蓝宝石手机屏内部应力;退火处理的温度为1300℃,退火处理的时间为6小时。
(6)双面抛光:采用双面抛光设备进行化学机械抛光,使抛光后蓝宝石手机屏表面没有划痕、粗糙度为0.2纳米、厚度均匀性在1.0微米以内;双面抛光具体操作工艺参数如下:
(6-1)如图3和图4所示,将含有沟槽的下抛光垫(12)和上抛光垫(16)粘贴在下抛光盘(13)和上抛光盘(17)上,所述下抛光盘(13)上沟槽(11)和上抛光盘(17)上沟槽(14)为XY型沟槽(槽宽5mm,槽深2mm,槽间距20mm);
(6-2)将贴在上抛光盘(17)上的上抛光垫(16)进行挖孔洞(15),供研磨液流通;
(6-3)如图3和图4所示,将蓝宝石手机屏(1)放置在下抛光盘(13)上的游星轮(9)里,游星轮(9)与太阳轮(10)啮合。抛光时将上面的上抛光盘(17)平行放置于蓝宝石手机屏(1)上面。游星轮(9)带动蓝宝石手机屏(1)自转并与下抛光垫(12)和上抛光垫(16)相对运动,进行双面抛光。
(6-4)调整电机使抛光盘转速为80rpm;
(6-5)调整抛光时间:60min
(6-6)调整抛光压力:300g/cm2;
(6-7)调整抛光温度:30℃±5℃;
(6-8)调整抛光液流量:200rpm;所述的抛光液由溶胶型SiO2,聚氧乙烯酰胺,橄榄油,醇胺,过氧化氢,去离子水组成(其中溶胶型SiO2的体积分数10%-40%,聚氧乙烯酰胺的体积分数0.1%-1%,橄榄油的体积分数1%-5%,醇胺的体积分数0.01%-0.5%,过氧化氢的体积分数2%-8%);抛光液中SiO2微粒直径为30~80nm;抛光液的pH为10~12。
(7)清洗:采用超声波清洗机对抛光后的手机屏清洗;具体清洗工艺如下:
(7-1)先放置在乙醇中,用超声方法去蜡,时间10min;
(7-2)再使用臭氧与氮气的混合气体鼓泡冲洗,去除手机屏残留磨粒、表面活性剂杂质,时间10min;
(7-3)再使用体积分数为1%的吐温-80溶液用超声清洗,时间5min;
(7-4)最后使用去离子水清洗,时间5min。
(8)打孔:采用激光打孔机进行打孔,打孔机功率5000W;
(9)倒角:采用倒角机对手机屏进行边缘倒角;倒角处理方法为采用倒角机对手机屏进行边缘倒角,采用45度角金刚石倒角砂轮,砂轮转速为500rpm,砂轮进给速度为5mm/min,倒角时间5min。
(10)清洗:采用去离子水用超声波清洗机对倒角后的手机屏清洗;清洗10分钟;
(11)镀膜:采用真空镀膜机对手机屏进行镀膜,采用真空镀膜机对手机屏进行镀膜,真空中进行增透膜涂覆,手机屏温度200℃。
检测实施例1制备得到的大尺寸蓝宝石手机屏,结果表明,本发明可以加工得到10英寸蓝宝石手机屏幕,手机屏表面晶格完整、平整度<4微米、抛光面粗糙度(RMS)<0.15纳米,具有超光滑表面,质感优越。
实施例2
一种大尺寸蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,它包括以下步骤:
(1)定向:选择蓝宝石晶体耐磨性较好的蓝宝石A面,进行定向,保证切出的手机屏是A向面;
(2)切片:根据手机屏幕的形状尺寸,对蓝宝石晶体切片,切片后的蓝宝石晶体厚度比手机屏幕厚50~70微米,长度、宽度尺寸与手机屏幕一致;
(3)双面研磨:采用双面研磨设备对切片好的蓝宝石晶体进行双面研磨;双面研磨具体操作方法为:
(3-1)如图1和图2所示,将含有金刚石磨料的下研磨垫(4)和上研磨垫(7)分别粘贴在下研磨盘(5)和上研磨盘(8)上,所述的金刚石磨料粒度在w1~w7之间;
(3-2)将贴在上研磨盘(8)上的上研磨垫(7)进行挖洞孔(6),供研磨液流通;
(3-3)调整研磨压力:400g/cm2;
(3-4)调整电机带动研磨盘的转速:20rpm;
(3-5)调整研磨时间:60min,研磨温度:25℃±5℃;
(3-6)如图1和图2所示,将蓝宝石手机屏(1)放置在下研磨盘(5)上的游星轮(2)里,游星轮(2)与太阳轮(3)啮合。研磨时将上上研磨盘(8)平行放置于蓝宝石手机屏(1)上面。游星轮(2)带动蓝宝石手机屏(1)自转并与下研磨垫(4)和上研磨垫(7)相对运动,进行双面研磨。经过双面研磨后蓝宝石手机屏厚度减薄约50微米,粗糙度为0.3~1微米左右,厚度均匀性在0.5~5微米以内,表面无明显划痕,获得镜面研磨效果。
(4)清洗:采用超声波清洗机对步骤(3)研磨后的手机屏清洗;清洗步骤为,采用去离子水,用超声波清洗机对研磨后的手机屏清洗,清洗时间为5~20分钟,去除研磨后手机屏表面的研磨颗粒。
(5)退火处理:采用高温退火炉进行退火,去除蓝宝石手机屏内部应力;退火处理的温度为1600℃,退火处理的时间为8小时。
(6)双面抛光:采用双面抛光设备进行化学机械抛光,使抛光后蓝宝石手机屏表面没有划痕、粗糙度为0.2纳米、厚度均匀性在1.0微米以内;双面抛光具体操作工艺参数如下:
(6-1)如图3和图4所示,将含有沟槽的下抛光垫(12)和上抛光垫(16)粘贴在下抛光盘(13)和上抛光盘(17)上,所述下抛光盘(13)上沟槽(11)和上抛光盘(17)上沟槽(14)为XY型沟槽(槽宽5mm,槽深2mm,槽间距20mm);
(6-2)将贴在上抛光盘(17)上的上抛光垫(16)进行挖孔洞(15),供研磨液流通;
(6-3)如图3和图4所示,将蓝宝石手机屏(1)放置在下抛光盘(13)上的游星轮(9)里,游星轮(9)与太阳轮(10)啮合。抛光时将上面的上抛光盘(17)平行放置于蓝宝石手机屏(1)上面。游星轮(9)带动蓝宝石手机屏(1)自转并与下抛光垫(12)和上抛光垫(16)相对运动,进行双面抛光。
(6-4)调整电机使抛光盘转速为80rpm;
(6-5)调整抛光时间:240min;
(6-6)抛光温度:30℃±5℃;
(6-7)抛光液流量:300rpm;所述的抛光液由溶胶型SiO2,聚氧乙烯酰胺,橄榄油,醇胺,去离子水,硅酸钠和表面活性剂组成;抛光液中SiO2微粒直径为30~80nm;抛光液的pH为10~12。
(7)清洗:采用超声波清洗机对抛光后的手机屏清洗;具体清洗工艺如下:
(7-1)先放置在乙醇中,用超声方法去蜡,时间20min;
(7-2)再使用臭氧与氮气的混合气体鼓泡冲洗,去除手机屏残留磨粒、表面活性剂杂质,时间20min;
(7-3)再使用体积分数为1%的吐温-80溶液用超声清洗,时间10min;
(7-4)最后使用去离子水清洗,时间10min。
(8)打孔:采用激光打孔机进行打孔,打孔机功率1000W;
(9)倒角:采用倒角机对手机屏进行边缘倒角;倒角处理方法为采用倒角机对手机屏进行边缘倒角,采用45度角金刚石倒角砂轮,砂轮转速为1000rpm,砂轮进给速度为10mm/min,倒角时间10min。
(10)清洗:采用去离子水用超声波清洗机对倒角后的手机屏清洗;清洗20分钟;
(11)镀膜:采用真空镀膜机对手机屏进行镀膜,采用真空镀膜机对手机屏进行镀膜,真空中进行增透膜涂覆,手机屏温度500℃。
检测实施例2制备得到的大尺寸蓝宝石手机屏,结果表明,本发明可以加工得到10英寸蓝宝石手机屏幕,手机屏表面晶格完整、平整度<3微米、抛光面粗糙度(RMS)<0.12纳米,具有超光滑表面,质感优越。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种大尺寸蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)定向:选择蓝宝石晶体耐磨性较好的蓝宝石A面,进行定向,保证切出的手机屏是A向面;
(2)切片:根据手机屏幕的形状尺寸,对蓝宝石晶体切片,切片后的蓝宝石晶体厚度比手机屏幕厚50~70微米,长度、宽度尺寸与手机屏幕一致;
(3)双面研磨:采用双面研磨设备对切片好的蓝宝石晶体进行双面研磨;
(4)清洗:采用超声波清洗机对步骤(3)研磨后的手机屏清洗;
(5)退火处理:采用高温退火炉进行退火,去除蓝宝石手机屏内部应力;
(6)双面抛光:采用双面抛光设备进行化学机械抛光;
(7)清洗:采用超声波清洗机对抛光后的手机屏清洗;
(8)打孔:采用激光打孔机进行打孔,打孔机功率250~1000W;
(9)倒角:采用倒角机对手机屏进行边缘倒角;
(10)清洗:采用去离子水用超声波清洗机对倒角后的手机屏清洗;清洗5~20分钟;
(11)镀膜:采用真空镀膜机对手机屏进行镀膜。
2.根据权利要求1所述的大尺寸蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,其特征在于:步骤(3)所述的双面研磨具体操作方法为:
(3-1)双面研磨研磨液配制:取下列各原料按重量百分比配制:十六烷基三甲基溴化铵:5%-20%;肌醇六磷酸酯:2%-8%;二乙醇胺:1%-20%;有机硅消泡剂:0.3%-2%;其余是去离子水;
(3-2)将含有金刚石磨料的下研磨垫(4)和上研磨垫(7)分别粘贴在下研磨盘(5)和上研磨盘(8)上,所述的金刚石磨料粒度在w1~w7之间;
(3-3)将贴在上研磨盘(8)上的上研磨垫(7)进行挖洞孔(6),供研磨液流通;
(3-4)调整研磨压力:300~400g/cm2;
(3-5)调整电机带动研磨盘的转速:20~80rpm;
(3-6)调整研磨时间:10~60min,研磨温度:25℃±5℃;
(3-7)将蓝宝石手机屏(1)放置在下研磨盘(5)上的游星轮(2)里,游星轮(2)与太阳轮(3)啮合,研磨时将上研磨盘(8)平行放置于蓝宝石手机屏(1)上面,游星轮(2)带动蓝宝石手机屏(1)自转并与下研磨垫(4)和上研磨垫(7)相对运动,进行双面研磨。
3.根据权利要求1所述的大尺寸蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,其特征在于:所述的步骤(4)清洗步骤为,采用去离子水,用超声波清洗机对研磨后的手机屏清洗,清洗时间为5~20分钟,去除研磨后手机屏表面的研磨颗粒。
4.根据权利要求1所述的大尺寸蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,其特征在于:所述的步骤(5)采用高温退火炉进行退火,去除蓝宝石手机屏内部应力,退火处理的温度为1300~1600℃,退火处理的时间为5~15小时。
5.根据权利要求1所述的大尺寸蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,其特征在于:步骤(6)所述的双面抛光具体操作工艺参数如下:
(6-1)将含有沟槽的下抛光垫(12)和上抛光垫(16)粘贴在下抛光盘(13)和上抛光盘(17)上,所述下抛光盘(13)上沟槽(11)和上抛光盘(17)上沟槽(14)均为XY型沟槽,槽宽5mm,槽深2mm,槽间距20mm;
(6-2)将贴在上抛光盘(17)上的上抛光垫(16)进行挖孔洞(15),供研磨液流通;
(6-3)双面抛光抛光液配制,取下列各原料按体积百分比配制:溶胶型SiO2的体积分数10%~40%,聚氧乙烯酰胺的体积分数0.1%~1%,橄榄油的体积分数1%~5%,醇胺的体积分数0.01%~0.5%,过氧化氢的体积分数2%~8%;其余为去离子水;
(6-4)所述抛光液中SiO2微粒直径为30~80纳米;抛光液的pH为10~12;
(6-5)调整抛光盘转速为:20~80rpm;
(6-6)调整抛光液流量:200~300rpm;
(6-7)调整抛光时间:60~240 min;
(6-8)调整抛光压力:300~400g/cm2
(6-9)调整抛光温度:30℃±5℃;
(6-10)将蓝宝石手机屏(1)放置在下抛光盘(13)上的游星轮(9)里,游星轮(9)与太阳轮(10)啮合;抛光时将上面的上抛光盘(17)平行放置于蓝宝石手机屏(1)上面;游星轮(9)带动蓝宝石手机屏(1)自转并与下抛光垫(12)和上抛光垫(16)相对运动,进行双面抛光。
6.根据权利要求1所述的大尺寸蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,其特征在于:步骤(7)具体清洗工艺如下:
(7-1)先放置在乙醇中,用超声方法去蜡,时间10~20min;
(7-2)再使用臭氧与氮气的混合气体鼓泡冲洗,去除手机屏残留磨粒、表面活性剂杂质,时间10~20min;
(7-3)再使用体积分数为1%的吐温-80溶液用超声清洗,时间5~10min;
(7-4)最后使用去离子水清洗,时间5~10min。
7.根据权利要求1所述的大尺寸蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,其特征在于:步骤(9)倒角处理方法为采用倒角机对手机屏进行边缘倒角,采用45度角金刚石倒角砂轮,砂轮转速为400~1000rpm,砂轮进给速度为5~10mm/min,倒角时间5~10min。
8.根据权利要求1所述的大尺寸蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法,其特征在于:步骤(11)镀膜处理方法为:采用真空镀膜机对手机屏进行镀膜,真空中进行增透膜涂覆,手机屏温度100~500℃。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510071131.3A CN104669106B (zh) | 2015-02-10 | 2015-02-10 | 大尺寸a向蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510071131.3A CN104669106B (zh) | 2015-02-10 | 2015-02-10 | 大尺寸a向蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104669106A true CN104669106A (zh) | 2015-06-03 |
CN104669106B CN104669106B (zh) | 2017-01-25 |
Family
ID=53304961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510071131.3A Expired - Fee Related CN104669106B (zh) | 2015-02-10 | 2015-02-10 | 大尺寸a向蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104669106B (zh) |
Cited By (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104907895A (zh) * | 2015-06-16 | 2015-09-16 | 哈尔滨秋冠光电科技有限公司 | 蓝宝石双抛片的快速加工方法 |
CN105150394A (zh) * | 2015-06-18 | 2015-12-16 | 江苏苏创光学器材有限公司 | 蓝宝石触屏面板的生产方法 |
CN105522658A (zh) * | 2016-01-08 | 2016-04-27 | 哈尔滨秋冠光电科技有限公司 | 一种a向蓝宝石窗口片的加工方法 |
CN105538131A (zh) * | 2015-12-02 | 2016-05-04 | 珠海东精大电子科技有限公司 | 蓝宝石窗口片加工工艺 |
CN105955559A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-09-21 | 黄小卫 | 一种补强结构强化蓝宝石基板及其制备方法 |
CN106078493A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-09 | 上海汉虹精密机械有限公司 | 陶瓷盘砂轮片双面研磨加工蓝宝石晶片的方法 |
CN106078492A (zh) * | 2016-06-15 | 2016-11-09 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种蓝宝石矩形件双面研磨方法 |
CN106181747A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-12-07 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法 |
CN106584214A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-04-26 | 石长海 | 一种大尺寸晶片单面抛光的方法 |
CN106903559A (zh) * | 2017-04-18 | 2017-06-30 | 山西中聚晶科半导体有限公司 | 一种蓝宝石基片制作方法 |
CN107243821A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-10-13 | 上海超硅半导体有限公司 | 一种蓝宝石衬底片的单面抛光方法 |
CN107326328A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-11-07 | 合肥展游软件开发有限公司 | 一种电子屏的加工工艺 |
CN107511752A (zh) * | 2017-10-25 | 2017-12-26 | 德清凯晶光电科技有限公司 | 一种用于正多边形晶片研磨的游星轮 |
CN107598762A (zh) * | 2017-10-21 | 2018-01-19 | 德清凯晶光电科技有限公司 | 大尺寸游星轮及其均匀打磨方法 |
CN108081033A (zh) * | 2017-12-04 | 2018-05-29 | 江苏师范大学 | 一种加工激光板条布鲁斯特角端面的方法 |
CN108262678A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种硅片研磨装置及其研磨方法 |
CN108838869A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-11-20 | 佛山市金富鸿精密金属制品有限公司 | 一种新型水磨机 |
CN108890408A (zh) * | 2018-09-27 | 2018-11-27 | 吉林大学 | 一种超声辅助研磨抛光碳化硅晶片的装置 |
CN109382706A (zh) * | 2017-08-10 | 2019-02-26 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种致密氧化锆陶瓷板的制备方法 |
CN109702910A (zh) * | 2019-02-18 | 2019-05-03 | 山东虎力机械有限公司 | 一种用于电子、通讯行业的超精密半导体材料 |
CN109760220A (zh) * | 2019-01-21 | 2019-05-17 | 中国科学院半导体研究所 | 半导体光电器件衬底减薄方法 |
CN110039381A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-07-23 | 新昌浙江工业大学科学技术研究院 | 圆柱滚子的超精密抛光方法 |
CN110340787A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-10-18 | 衢州学院 | 蓝宝石切片立式双面研磨设备 |
CN110576342A (zh) * | 2018-07-17 | 2019-12-17 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 提高玻璃镜面面形精度良率的抛光方法、玻璃镜面、摄像头和电子设备 |
CN110900342A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-24 | 上海磐盟电子材料有限公司 | 一种磨片机 |
CN112536711A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-03-23 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种研磨结构和研磨装置 |
CN112706006A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-27 | 山东大学 | 一种超薄稀土氧化物激光晶体的加工方法 |
CN112792726A (zh) * | 2021-01-04 | 2021-05-14 | 大连理工大学 | 一种弱刚性平板件的高精度加工方法 |
CN113199392A (zh) * | 2021-04-12 | 2021-08-03 | 中环领先半导体材料有限公司 | 一种提升8寸磨片参数的加工工艺 |
CN113458965A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-10-01 | 广州图腾信息科技股份有限公司 | 一种手机屏幕打磨机 |
CN113681378A (zh) * | 2021-10-26 | 2021-11-23 | 江苏华兴激光科技有限公司 | 一种led灯用蓝宝石晶片的打磨工艺 |
CN115042021A (zh) * | 2022-05-19 | 2022-09-13 | 江苏富乐德石英科技有限公司 | 一种超声波石英研磨装置及研磨工艺 |
CN117020937A (zh) * | 2023-08-30 | 2023-11-10 | 通威微电子有限公司 | 碳化硅晶片处理系统和方法 |
CN117161942A (zh) * | 2023-08-21 | 2023-12-05 | 浙江海纳半导体股份有限公司 | 一种超薄硅晶圆减薄抛光设备及工艺 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013202715A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Asahi Glass Co Ltd | 表面加工方法 |
CN103698824A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-02 | 贵州蓝科睿思技术研发中心 | 一种蓝宝石镀膜盖板及其加工方法 |
CN103757707A (zh) * | 2014-01-21 | 2014-04-30 | 广东赛翡蓝宝石科技有限公司 | 一种蓝宝石材质手机屏幕盖板的加工工艺 |
CN103895114A (zh) * | 2014-03-28 | 2014-07-02 | 合肥晶桥光电材料有限公司 | 一种蓝宝石屏加工工艺 |
CN104015122A (zh) * | 2014-06-18 | 2014-09-03 | 蓝思科技股份有限公司 | 一种蓝宝石面板的双面铜盘研磨工艺 |
TW201435436A (zh) * | 2013-03-05 | 2014-09-16 | Yu-Lung Jeng | 藍寶石面板之製造方法 |
CN104088017A (zh) * | 2014-06-20 | 2014-10-08 | 常州市好利莱光电科技有限公司 | 一种蓝宝石材料手机面板加工方法 |
-
2015
- 2015-02-10 CN CN201510071131.3A patent/CN104669106B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013202715A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Asahi Glass Co Ltd | 表面加工方法 |
TW201435436A (zh) * | 2013-03-05 | 2014-09-16 | Yu-Lung Jeng | 藍寶石面板之製造方法 |
CN103698824A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-02 | 贵州蓝科睿思技术研发中心 | 一种蓝宝石镀膜盖板及其加工方法 |
CN103757707A (zh) * | 2014-01-21 | 2014-04-30 | 广东赛翡蓝宝石科技有限公司 | 一种蓝宝石材质手机屏幕盖板的加工工艺 |
CN103895114A (zh) * | 2014-03-28 | 2014-07-02 | 合肥晶桥光电材料有限公司 | 一种蓝宝石屏加工工艺 |
CN104015122A (zh) * | 2014-06-18 | 2014-09-03 | 蓝思科技股份有限公司 | 一种蓝宝石面板的双面铜盘研磨工艺 |
CN104088017A (zh) * | 2014-06-20 | 2014-10-08 | 常州市好利莱光电科技有限公司 | 一种蓝宝石材料手机面板加工方法 |
Cited By (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104907895B (zh) * | 2015-06-16 | 2017-09-29 | 哈尔滨秋冠光电科技有限公司 | 蓝宝石双抛片的快速加工方法 |
CN104907895A (zh) * | 2015-06-16 | 2015-09-16 | 哈尔滨秋冠光电科技有限公司 | 蓝宝石双抛片的快速加工方法 |
CN105150394A (zh) * | 2015-06-18 | 2015-12-16 | 江苏苏创光学器材有限公司 | 蓝宝石触屏面板的生产方法 |
CN105538131A (zh) * | 2015-12-02 | 2016-05-04 | 珠海东精大电子科技有限公司 | 蓝宝石窗口片加工工艺 |
CN105522658A (zh) * | 2016-01-08 | 2016-04-27 | 哈尔滨秋冠光电科技有限公司 | 一种a向蓝宝石窗口片的加工方法 |
CN105955559A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-09-21 | 黄小卫 | 一种补强结构强化蓝宝石基板及其制备方法 |
CN106181747A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-12-07 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法 |
CN106181747B (zh) * | 2016-06-13 | 2018-09-04 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法 |
CN106078492A (zh) * | 2016-06-15 | 2016-11-09 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种蓝宝石矩形件双面研磨方法 |
CN106078493A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-09 | 上海汉虹精密机械有限公司 | 陶瓷盘砂轮片双面研磨加工蓝宝石晶片的方法 |
CN106584214A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-04-26 | 石长海 | 一种大尺寸晶片单面抛光的方法 |
CN108262678B (zh) * | 2016-12-30 | 2021-01-01 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种硅片研磨装置及其研磨方法 |
CN108262678A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种硅片研磨装置及其研磨方法 |
CN106903559A (zh) * | 2017-04-18 | 2017-06-30 | 山西中聚晶科半导体有限公司 | 一种蓝宝石基片制作方法 |
CN107326328A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-11-07 | 合肥展游软件开发有限公司 | 一种电子屏的加工工艺 |
CN107243821A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-10-13 | 上海超硅半导体有限公司 | 一种蓝宝石衬底片的单面抛光方法 |
CN109382706A (zh) * | 2017-08-10 | 2019-02-26 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种致密氧化锆陶瓷板的制备方法 |
CN109382706B (zh) * | 2017-08-10 | 2021-06-01 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种致密氧化锆陶瓷板的制备方法 |
CN107598762A (zh) * | 2017-10-21 | 2018-01-19 | 德清凯晶光电科技有限公司 | 大尺寸游星轮及其均匀打磨方法 |
CN107598762B (zh) * | 2017-10-21 | 2023-10-31 | 德清凯晶光电科技有限公司 | 大尺寸游星轮及其均匀打磨方法 |
CN107511752B (zh) * | 2017-10-25 | 2024-03-15 | 安徽宝维智能科技有限公司 | 一种用于正多边形晶片研磨的游星轮 |
CN107511752A (zh) * | 2017-10-25 | 2017-12-26 | 德清凯晶光电科技有限公司 | 一种用于正多边形晶片研磨的游星轮 |
CN108081033A (zh) * | 2017-12-04 | 2018-05-29 | 江苏师范大学 | 一种加工激光板条布鲁斯特角端面的方法 |
CN110576342A (zh) * | 2018-07-17 | 2019-12-17 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 提高玻璃镜面面形精度良率的抛光方法、玻璃镜面、摄像头和电子设备 |
CN108838869A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-11-20 | 佛山市金富鸿精密金属制品有限公司 | 一种新型水磨机 |
CN108890408B (zh) * | 2018-09-27 | 2019-04-05 | 吉林大学 | 一种超声辅助研磨抛光碳化硅晶片的装置 |
CN108890408A (zh) * | 2018-09-27 | 2018-11-27 | 吉林大学 | 一种超声辅助研磨抛光碳化硅晶片的装置 |
CN109760220A (zh) * | 2019-01-21 | 2019-05-17 | 中国科学院半导体研究所 | 半导体光电器件衬底减薄方法 |
CN109702910A (zh) * | 2019-02-18 | 2019-05-03 | 山东虎力机械有限公司 | 一种用于电子、通讯行业的超精密半导体材料 |
CN110039381A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-07-23 | 新昌浙江工业大学科学技术研究院 | 圆柱滚子的超精密抛光方法 |
CN110340787A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-10-18 | 衢州学院 | 蓝宝石切片立式双面研磨设备 |
CN110340787B (zh) * | 2019-08-09 | 2021-08-10 | 衢州学院 | 蓝宝石切片立式双面研磨设备 |
CN110900342A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-24 | 上海磐盟电子材料有限公司 | 一种磨片机 |
CN112536711A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-03-23 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种研磨结构和研磨装置 |
CN112706006A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-27 | 山东大学 | 一种超薄稀土氧化物激光晶体的加工方法 |
CN112792726A (zh) * | 2021-01-04 | 2021-05-14 | 大连理工大学 | 一种弱刚性平板件的高精度加工方法 |
CN113199392A (zh) * | 2021-04-12 | 2021-08-03 | 中环领先半导体材料有限公司 | 一种提升8寸磨片参数的加工工艺 |
CN113458965A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-10-01 | 广州图腾信息科技股份有限公司 | 一种手机屏幕打磨机 |
CN113681378A (zh) * | 2021-10-26 | 2021-11-23 | 江苏华兴激光科技有限公司 | 一种led灯用蓝宝石晶片的打磨工艺 |
CN115042021A (zh) * | 2022-05-19 | 2022-09-13 | 江苏富乐德石英科技有限公司 | 一种超声波石英研磨装置及研磨工艺 |
CN117161942A (zh) * | 2023-08-21 | 2023-12-05 | 浙江海纳半导体股份有限公司 | 一种超薄硅晶圆减薄抛光设备及工艺 |
CN117020937A (zh) * | 2023-08-30 | 2023-11-10 | 通威微电子有限公司 | 碳化硅晶片处理系统和方法 |
CN117020937B (zh) * | 2023-08-30 | 2024-01-30 | 通威微电子有限公司 | 碳化硅晶片处理系统和方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104669106B (zh) | 2017-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104669106A (zh) | 大尺寸a向蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法 | |
CN102172879B (zh) | 基于固结磨料抛光垫的软脆lbo晶体的加工方法 | |
CN102107391B (zh) | 一种SiC单晶晶片的加工方法 | |
CN112592663B (zh) | 一种SiC衬底加工用纳米金刚石抛光液及其制备方法 | |
CN101966689B (zh) | 一种大直径4H-SiC晶片碳面的表面抛光方法 | |
CN105340066B (zh) | SiC基板的制造方法 | |
JP7298915B2 (ja) | 単結晶炭化ケイ素基板の製造方法 | |
CN105313234B (zh) | 一种双面抛光蓝宝石晶片的加工方法 | |
TW200403738A (en) | Manufacturing method of semiconductor wafer and wafer | |
TW201742133A (zh) | 晶圓的拋光方法 | |
JP2009302410A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
CN103252708A (zh) | 基于固结磨料抛光垫的蓝宝石衬底的超精密加工方法 | |
JP2009302409A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2009302408A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
CN104551871B (zh) | 一种钽酸锂晶片的磨削加工方法 | |
CN109290853B (zh) | 一种超薄蓝宝石片的制备方法 | |
CN109623581A (zh) | 一种硬质材料的表面抛光方法 | |
CN108527013A (zh) | 一种蓝宝石光学镜片的磨抛制作工艺 | |
EP1145296B1 (en) | Semiconductor wafer manufacturing method | |
CN104827592A (zh) | 一种大尺寸蓝宝石衬底片的加工方法 | |
CN104842225A (zh) | 大尺寸蓝宝石衬底片表面的湿法处理方法 | |
CN104400567A (zh) | 一种金属板的超镜面抛光方法 | |
CN112658974A (zh) | Yag晶片的研磨加工方法 | |
CN110314896A (zh) | 一种半导体衬底材料抛光方法 | |
JP3943869B2 (ja) | 半導体ウエーハの加工方法および半導体ウエーハ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210803 Address after: 330000 No.1 building of Hongtai Zhizao project, No.719 Huoju 5th Road, Nanchang hi tech Industrial Development Zone, Nanchang City, Jiangxi Province Patentee after: Jiangxi Weijia Jingchuang Photoelectric Technology Co.,Ltd. Address before: No. 9 hope Avenue, Yancheng City, Jiangsu Province, Jiangsu Patentee before: YANCHENG INSTITUTE OF TECHNOLOGY |
|
TR01 | Transfer of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170125 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |