CN106181747B - 一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法 - Google Patents

一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106181747B
CN106181747B CN201610408281.3A CN201610408281A CN106181747B CN 106181747 B CN106181747 B CN 106181747B CN 201610408281 A CN201610408281 A CN 201610408281A CN 106181747 B CN106181747 B CN 106181747B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sapphire
grinding
annealing
window piece
double
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610408281.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106181747A (zh
Inventor
秦光临
王禄宝
孙敦陆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tunghsu Group Co Ltd
Original Assignee
JIANGSU JIXING NEW MATERIALS CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JIANGSU JIXING NEW MATERIALS CO Ltd filed Critical JIANGSU JIXING NEW MATERIALS CO Ltd
Priority to CN201610408281.3A priority Critical patent/CN106181747B/zh
Publication of CN106181747A publication Critical patent/CN106181747A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106181747B publication Critical patent/CN106181747B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B29/00—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents
    • B24B29/02—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents designed for particular workpieces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/02—Heat treatment

Abstract

本发明涉及一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法，其方法如下：（1）将蓝宝石晶棒切割成蓝宝石窗口片，（2）倒圆角处理保护边缘，（3）以退火温度1450°C进行退火加工，（4）双面研磨粗磨加工，（5）以退火温度1600°C进行二次退火加工，（6）双面研磨精磨加工，（7）超声波清洗，（8）用二氧化硅蓝宝石抛光液在双面抛光机内抛光，（9）用超声波清洗得到蓝宝石双面抛光窗口片；本发明具有操作方便，一次成品合格率高，研磨过程中无破片等特点，适用于加工直径4英寸、6英寸厚度0.20～0.25mm的蓝宝石双面抛光窗口片。

Description

一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法
技术领域
本发明涉及一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法，属于蓝宝石窗口片双面研磨以及双面抛光加工技术领域。
背景技术
蓝宝石（Sapphire）晶体具有优良的光学性能、物理性能和稳定的化学性能，广泛应用于高亮度LED衬底材料、各种光学元器件、窗口材料，因为其具有良好的抗辐射性能，常被用于航空航天中暴露在辐射环境中的光学元件材料以及智能手机显示屏、Home键、摄像头保护盖等消费电子产品领域；然而现有技术中的双面研磨以及双面抛光只能加工2英寸～6英寸且厚度≥0.30mm蓝宝石双面抛光窗口片，对于低厚度大尺寸蓝宝石双面抛光窗口片，存在抛光一次成品合格率低，研磨过程中易破片等缺陷。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的缺陷，提供一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法，具有操作方便，一次成品合格率高，研磨过程中无破片等特点，适用于加工直径4英寸、6英寸厚度0.20～0.25mm的蓝宝石双面抛光窗口片。
本发明是通过如下的技术方案予以实现的：
一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法，其方法如下：
（1）将蓝宝石晶棒用金刚线多线切片机切割成厚度为0.42±0.03mm的蓝宝石窗口片；
（2）将切割后的蓝宝石窗口片进行倒圆角处理保护边缘，倒圆角尺寸R=0.20±0.05mm；
（3）将倒圆角处理后的蓝宝石窗口片进行退火加工，在退火温度1450°C保温6h；
（4）将退火加工后的蓝宝石窗口片进行双面研磨的粗磨加工，研磨移除量为0.12mm～0.15mm；
（5）将粗磨后的蓝宝石窗口片进行二次退火，在退火温度1600°C保温12h；
（6）将二次退火后的蓝宝石窗口片进行双面研磨的精磨加工，研磨移除量为0.05mm～0.07mm；
（7）将精磨后的蓝宝石窗口片放入RO纯水内，用超声波清洗15min；
（8）将超声波清洗后的蓝宝石窗口片放入双面抛光机内，用二氧化硅蓝宝石抛光液，在0.10～0.15 kg/cm2压力下抛光2.5h；
（9）将抛光后的蓝宝石窗口片放入RO纯水内，用超声波清洗30min，得到蓝宝石双面抛光窗口片。
上述一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法，其中，步骤（4）中采用研磨碳化硼粒径度号为W40。
上述一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法，其中，步骤（5）中采用研磨碳化硼粒径度号为W5。
上述一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法，其中，步骤（7）和步骤（9）中超声波强度为50W/cm2。
上述一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法，其中，所述宝石双面抛光窗口片的厚度为0.20～0.25mm。
本发明的有益效果为：
本发明克服了现有双面研磨以及双面抛光只能加工2英寸～6英寸且厚度≥0.30mm蓝宝石双面抛光窗口片的缺点，可供直径4英寸、6英寸、厚度为0.20～0.25mm的蓝宝石双面抛光窗口片加工，同时本发明具有操作方便，一次成品合格率高，研磨过程中无破片等特点，成品的各项参数如平整度TTV、表面总平整度LTV、弯曲度Warp、翘曲度Bow可以达到如下水平：TTV < 2 um，LTV < 1 um，Warp < 20 um，Bow < 8 um。
附图说明
图1为本发明步骤（3）退火温度曲线图。
图2为本发明步骤（5）二次退火温度曲线图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步说明。
实施例1
一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法，其方法如下：
（1）将蓝宝石晶棒用金刚线多线切片机切割成厚度为0.42mm的蓝宝石窗口片；
（2）将切割后的蓝宝石窗口片进行倒圆角处理保护边缘，倒圆角尺寸R=0.20mm；
（3）将倒圆角处理后的蓝宝石窗口片进行退火加工，按图1退火曲线先升温至退火温度1450℃后保温6h，先按80℃/h的降温速率降温至1130℃，再按100℃/h的降温速率降温至630℃，随后按120℃/h的降温速率降温至270℃,最后自然冷却至室温即可；
（4）将退火加工后的蓝宝石窗口片进行双面研磨的粗磨加工，研磨碳化硼粒径度号为W40，研磨移除量为0.12mm；
（5）将粗磨后的蓝宝石窗口片进行二次退火，按图2退火曲线先升温至退火温度1600℃保温12h，先按80℃/h的降温速率降温至1120℃，再按100℃/h的降温速率降温至620℃，随后按120℃/h的降温速率降温至260℃,最后自然冷却至室温即可；
（6）将二次退火后的蓝宝石窗口片进行双面研磨的精磨加工，研磨碳化硼径度号为W5，研磨移除量为0.05mm；
（7）将精磨后的蓝宝石窗口片放入RO纯水内，用强度为50W/cm2的超声波清洗15min；
（8）将超声波清洗后的蓝宝石窗口片放入双面抛光机内，将二氧化硅蓝宝石抛光液与RO纯水按体积比1:1加入双面抛光机内，在0.12kg/cm2压力下抛光2.5h；
（9）将抛光后的蓝宝石窗口片放入RO纯水内，用强度为50W/cm2的超声波清洗30min，得到厚度为0.23mm蓝宝石双面抛光窗口片。
实施例2
一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法，其方法如下：
（1）将蓝宝石晶棒用金刚线多线切片机切割成厚度为0.45mm的蓝宝石窗口片；
（2）将切割后的蓝宝石窗口片进行倒圆角处理保护边缘，倒圆角尺寸R=0.23mm；
（3）将倒圆角处理后的蓝宝石窗口片进行退火加工，按图1退火曲线先升温至退火温度1450℃后保温6h，先按80℃/h的降温速率降温至1130℃，再按100℃/h的降温速率降温至630℃，随后按120℃/h的降温速率降温至270℃,最后自然冷却至室温即可；
（4）将退火加工后的蓝宝石窗口片进行双面研磨的粗磨加工，研磨碳化硼粒径度号为W40，研磨移除量为0.14mm；
（5）将粗磨后的蓝宝石窗口片进行二次退火，按图2退火曲线先升温至退火温度1600℃保温12h，先按80℃/h的降温速率降温至1120℃，再按100℃/h的降温速率降温至620℃，随后按120℃/h的降温速率降温至260℃,最后自然冷却至室温即可；
（6）将二次退火后的蓝宝石窗口片进行双面研磨的精磨加工，研磨碳化硼径度号为W5，研磨移除量为0.06mm；
（7）将精磨后的蓝宝石窗口片放入RO纯水内，用强度为50W/cm2的超声波清洗15min；
（8）将超声波清洗后的蓝宝石窗口片放入双面抛光机内，将二氧化硅蓝宝石抛光液与RO纯水按体积比1:1加入双面抛光机内，在0.15 kg/cm2压力下抛光2.5h；
（9）将抛光后的蓝宝石窗口片放入RO纯水内，用强度为50W/cm2的超声波清洗30min，得到厚度为0.24mm蓝宝石双面抛光窗口片。
实施例3
一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法，其方法如下：
（1）将蓝宝石晶棒用金刚线多线切片机切割成厚度为0.40mm的蓝宝石窗口片；
（2）将切割后的蓝宝石窗口片进行倒圆角处理保护边缘，倒圆角尺寸R=0.18mm；
（3）将倒圆角处理后的蓝宝石窗口片进行退火加工，按图1退火曲线先升温至退火温度1450℃后保温6h，先按80℃/h的降温速率降温至1130℃，再按100℃/h的降温速率降温至630℃，随后按120℃/h的降温速率降温至270℃,最后自然冷却至室温即可；
（4）将退火加工后的蓝宝石窗口片进行双面研磨的粗磨加工，研磨碳化硼粒径度号为W40，研磨移除量（厚度）为0.13mm；
（5）将粗磨后的蓝宝石窗口片进行二次退火，按图2退火曲线先升温至退火温度1600℃保温12h，先按80℃/h的降温速率降温至1120℃，再按100℃/h的降温速率降温至620℃，随后按120℃/h的降温速率降温至260℃,最后自然冷却至室温即可；
（6）将二次退火后的蓝宝石窗口片进行双面研磨的精磨加工，研磨碳化硼径度号为W5，研磨移除量为0.07mm；
（7）将精磨后的蓝宝石窗口片放入RO纯水内，用强度为50W/cm2的超声波清洗15min；
（8）将超声波清洗后的蓝宝石窗口片放入双面抛光机内，将二氧化硅蓝宝石抛光液与RO纯水按体积比1:1加入双面抛光机内，在0.15 kg/cm2压力下抛光2.5h；
（9）将抛光后的蓝宝石窗口片放入RO纯水内，用强度为50W/cm2的超声波清洗30min，得到厚度为0.21mm蓝宝石双面抛光窗口片。
本发明具有操作方便，一次成品合格率高，研磨过程中无破片等特点，成品的各项参数如平整度TTV、表面总平整度LTV、弯曲度Warp、翘曲度Bow可以达到如下水平：TTV < 2um，LTV < 1 um，Warp < 20 um，Bow < 8 um。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

Claims (4)

1.一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法，其特征为，其方法如下：
（1）将蓝宝石晶棒用金刚线多线切片机切割成厚度为0.42±0.03mm的蓝宝石窗口片；
（2）将切割后的蓝宝石窗口片进行倒圆角处理保护边缘，倒圆角尺寸R=0.20±0.05mm；
（3）将倒圆角处理后的蓝宝石窗口片进行退火加工，在退火温度1450°C保温6h；
（4）将退火加工后的蓝宝石窗口片进行双面研磨的粗磨加工，研磨移除量为0.12mm～0.15mm, 采用研磨碳化硼粒径度号为W40；
（5）将粗磨后的蓝宝石窗口片进行二次退火，在退火温度1600°C保温12h；
（6）将二次退火后的蓝宝石窗口片进行双面研磨的精磨加工，研磨移除量为0.05mm～0.07mm；
（7）将精磨后的蓝宝石窗口片放入RO纯水内，用超声波清洗15min；
（8）将超声波清洗后的蓝宝石窗口片放入双面抛光机内，用二氧化硅蓝宝石抛光液，在0.10～0.15 kg/cm2压力下抛光2.5h；
（9）将抛光后的蓝宝石窗口片放入RO纯水内，用超声波清洗30min，得到蓝宝石双面抛光窗口片。
2.如权利要求1所述的一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法，其特征为，步骤（5）中采用研磨碳化硼粒径度号为W5。
3.如权利要求1所述的一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法，其特征为，步骤（7）和步骤（9）中超声波强度为50W/cm2。
4.如权利要求1所述的一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法，其特征为，所述宝石双面抛光窗口片的厚度为0.20～0.25mm。
CN201610408281.3A 2016-06-13 2016-06-13 一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法 Active CN106181747B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610408281.3A CN106181747B (zh) 2016-06-13 2016-06-13 一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610408281.3A CN106181747B (zh) 2016-06-13 2016-06-13 一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106181747A CN106181747A (zh) 2016-12-07
CN106181747B true CN106181747B (zh) 2018-09-04

Family

ID=57453142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610408281.3A Active CN106181747B (zh) 2016-06-13 2016-06-13 一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106181747B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107254717A (zh) * 2017-05-19 2017-10-17 广东富源科技股份有限公司 一种增强蓝宝石手机盖板强度的方法
CN107326328A (zh) * 2017-07-12 2017-11-07 合肥展游软件开发有限公司 一种电子屏的加工工艺
CN108262679A (zh) * 2018-01-19 2018-07-10 厦门祐尼三的新材料科技有限公司 3d蓝宝石盖板、加工方法及电子设备
CN109623508A (zh) * 2019-01-25 2019-04-16 云南蓝晶科技有限公司 基于高配比抛光液的led用蓝宝石晶片数控抛光方法
CN111775354B (zh) * 2020-06-19 2021-10-01 山东省科学院新材料研究所 一种钽铌酸钾单晶基片元件的加工制作方法
CN112454160A (zh) * 2020-10-27 2021-03-09 宜兴市科兴合金材料有限公司 双面抛光钼基板及其制备方法和在led发光芯片中的应用
CN113334148A (zh) * 2021-06-18 2021-09-03 连城凯克斯科技有限公司 一种用于大尺寸蓝宝石板面的加工工艺

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4739589A (en) * 1985-07-12 1988-04-26 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoff Mbh Process and apparatus for abrasive machining of a wafer-like workpiece
WO2011105255A1 (ja) * 2010-02-26 2011-09-01 株式会社Sumco 半導体ウェーハの製造方法
CN104669106A (zh) * 2015-02-10 2015-06-03 盐城工学院 大尺寸a向蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法
CN105034182A (zh) * 2015-07-13 2015-11-11 苏州爱彼光电材料有限公司 超薄型蓝宝石片状体的加工方法
CN105128157A (zh) * 2015-06-18 2015-12-09 江苏苏创光学器材有限公司 蓝宝石指纹识别面板的制备方法
CN105332060A (zh) * 2015-10-30 2016-02-17 江苏吉星新材料有限公司 蓝宝石晶片的二次退火方法
CN105538131A (zh) * 2015-12-02 2016-05-04 珠海东精大电子科技有限公司 蓝宝石窗口片加工工艺

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4739589A (en) * 1985-07-12 1988-04-26 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoff Mbh Process and apparatus for abrasive machining of a wafer-like workpiece
WO2011105255A1 (ja) * 2010-02-26 2011-09-01 株式会社Sumco 半導体ウェーハの製造方法
CN104669106A (zh) * 2015-02-10 2015-06-03 盐城工学院 大尺寸a向蓝宝石手机屏双面研磨双面抛光高效超精密加工方法
CN105128157A (zh) * 2015-06-18 2015-12-09 江苏苏创光学器材有限公司 蓝宝石指纹识别面板的制备方法
CN105034182A (zh) * 2015-07-13 2015-11-11 苏州爱彼光电材料有限公司 超薄型蓝宝石片状体的加工方法
CN105332060A (zh) * 2015-10-30 2016-02-17 江苏吉星新材料有限公司 蓝宝石晶片的二次退火方法
CN105538131A (zh) * 2015-12-02 2016-05-04 珠海东精大电子科技有限公司 蓝宝石窗口片加工工艺

Also Published As

Publication number Publication date
CN106181747A (zh) 2016-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106181747B (zh) 一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法
CN104536602B (zh) 一种大屏蓝宝石手机面板加工工艺
JP6189407B2 (ja) 縁端部強化物品の作製方法
CN104999365B (zh) 蓝宝石晶片研磨抛光方法
TWI249785B (en) Method of chamfering semiconductor wafer
CN106625034B (zh) 一种氧化锆陶瓷板的加工方法
TW200642796A (en) Manufacturing method for semiconductor wafers, slicing method for slicing work and wire saw used for the same
SG170662A1 (en) Method for producing a semiconductor wafer
JP2015524379A (ja) サファイア・ウィンドウ
MY153463A (en) Method for producing a semiconductor wafer
JP2017116573A (ja) ガラス基板の製造方法およびガラス基板
CN101583577A (zh) 制造磁盘用玻璃衬底的方法
CN106057647A (zh) 一种蓝宝石加工方法
CN104181027A (zh) 一种黄金金相样品的制备及组织显示方法
JP2012094559A (ja) 硬脆性ウェーハの平坦化加工方法および平坦化加工用パッド
JP2011029355A (ja) レーザマーク付き半導体ウェーハの製造方法
JP2015225902A (ja) サファイア基板、サファイア基板の製造方法
JP5997235B2 (ja) 複合砥粒とその製造方法と研磨方法と研磨装置
JP6329733B2 (ja) 半導体ウェハのエッチング方法、半導体ウェハの製造方法および半導体ウェハの結晶欠陥検出方法
KR20180115260A (ko) 양면연마방법 및 양면연마장치
CN105291287B (zh) 蓝宝石晶片加工方法及其加工工艺中的中间物
CN104141038A (zh) 一种菜刀制造工艺中的热处理及磨制方法
TWM437229U (en) A apparatus for polishing the edges of glass
CN206605665U (zh) 一种半导体用划片刀片
CN204935348U (zh) 用于蓝宝石双抛片的加工结构

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20161207

Assignee: Zhejiang Zhaojing New Material Technology Co.,Ltd.

Assignor: JIANGSU JESHINE NEW MATERIAL Co.,Ltd.

Contract record no.: X2022980008188

Denomination of invention: A processing method of large-size sapphire ultra-thin double-sided polishing window slice

Granted publication date: 20180904

License type: Common License

Record date: 20220627

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230106

Address after: 100102 20628, Floor 2, Building A1, No. 1, Huangchang West Road, Dougezhuang, Chaoyang District, Beijing

Patentee after: Youran Walker (Beijing) Technology Co.,Ltd.

Address before: 212200 new materials Industrial Park, Youfang Town, Yangzhong City, Zhenjiang City, Jiangsu Province

Patentee before: JIANGSU JESHINE NEW MATERIAL Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230621

Address after: 050035 No. 369, Zhujiang Avenue, high tech Zone, Shijiazhuang, Hebei

Patentee after: TUNGHSU GROUP Co.,Ltd.

Address before: 100102 20628, Floor 2, Building A1, No. 1, Huangchang West Road, Dougezhuang, Chaoyang District, Beijing

Patentee before: Youran Walker (Beijing) Technology Co.,Ltd.