CN117020937B - 碳化硅晶片处理系统和方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种碳化硅晶片处理系统和方法，涉及碳化硅晶片处理技术领域，该碳化硅晶片处理系统包括激光切割装置、双面研磨装置和抛光装置，激光切割装置用于激光切割晶锭；双面研磨装置包括上研磨盘、下研磨盘和多个游星轮，通过激光切割装置对晶锭实现激光切割，从而取代常规的线切割方式，激光切割线宽更小，因此晶片物料的损失较小。并且，双面研磨时通过游星轮与多个第一顶辊和第二顶辊的啮合实现游星轮的转动，并且其中每个第一顶辊和每个第二顶辊均能够相对独立转动，在游星轮啮合的过程中，第一顶辊和第二顶辊能够发生微小的转动，从而减缓啮合过程中游星轮的齿轮的磨损，降低因为齿轮的应力变形造成滑片、爆盘的风险。

Description

碳化硅晶片处理系统和方法

技术领域

本发明涉及晶片处理技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶片处理系统和方法。

背景技术

现有的晶片处理工艺，通常是将晶锭采用线切割后，进行研磨、清洗，然而，线切割工艺由于线宽的存在，导致晶片物料损失较大。

此外，常规的研磨工艺，通常是在研磨盘周围采用行星齿轮配合内圈齿条来带动其转动，齿与齿之间相互啮合实现传动，由于齿条为固定结构，而齿轮为活动结构，齿轮啮合过程中与齿条容易发生摩擦位移，这种长期使用会造成齿轮磨损，增大因为齿轮的应力变形造成滑片、爆盘的风险。

发明内容

本发明的目的包括，例如，提供了一种碳化硅晶片处理系统和方法，其能够降低切割损耗，并且能够减少齿轮磨损，降低因为齿轮的应力变形造成滑片、爆盘的风险。

本发明的实施例可以这样实现：

一种碳化硅晶片处理系统，包括：

激光切割装置，用于激光切割晶锭，以得到晶片；

双面研磨装置，用于双面研磨所述晶片；

抛光装置，用于抛光所述晶片；

其中，所述双面研磨装置包括上研磨盘、下研磨盘和多个游星轮，所述下研磨盘的中部设置有恒星盘，多个所述游星轮设置在所述恒星盘周围，用于承载所述晶片，且每个所述游星轮的边缘设置有齿轮，所述上研磨盘设置在所述下研磨盘上方，并用于盖设在多个所述游星轮上，所述下研磨盘的周缘可转动地设置有多个第一顶辊，每个所述第一顶辊能够相对所述下研磨盘独立转动，所述恒星盘的边缘可转动设置有多个第二顶辊，每个所述第二顶辊能够相对所述下研磨盘独立转动，所述游星轮同时与多个所述第一顶辊和多个所述第二顶辊啮合。

在可选的实施方式中，所述下研磨盘包括下盘体和下研磨垫，所述恒星盘设置在所述下盘体的中心区域，所述下研磨垫设置在所述下盘体的上侧表面，并围设在所述恒星盘的周围，所述下盘体的边缘设置有多个第一辊槽，多个所述第一顶辊可转动地装配在多个所述第一辊槽中，并向上伸出所述下盘体，所述恒星盘的边缘设置有多个第二辊槽，多个所述第二顶辊可转动地装配在多个所述第二辊槽中，并向上伸出所述恒星盘。

在可选的实施方式中，所述第一顶辊伸出所述下盘体的部分的周壁还设置有第一限位环槽，所述第二顶辊伸出所述恒星盘的部分的周壁还设置有第二限位环槽，所述第一限位环槽和所述第二限位环槽用于卡持所述游星轮边缘的齿轮。

在可选的实施方式中，所述上研磨盘包括上盘体和上研磨垫，所述上盘体的直径与所述下盘体的直径相同，所述上研磨垫设置在所述上盘体的下侧表面，且所述上盘体的边缘设置有电磁吸附环，所述电磁吸附环与多个所述第一顶辊的顶端间隙配合，多个所述第一顶辊均为磁性金属辊，所述电磁吸附环用于在下料时磁性吸附多个所述第一顶辊，并带动多个所述第一顶辊脱离多个所述第一辊槽。

在可选的实施方式中，所述抛光装置包括双面粗抛机和精抛机，所述双面粗抛机用于双面粗抛所述晶片，所述精抛机用于精抛所述晶片。

在可选的实施方式中，所述精抛机包括精抛机台和等离子抛光组件，所述精抛机台用于承载所述晶片，所述等离子抛光组件设置在所述精抛机台上方，用于向所述晶片喷射等离子气体，并对晶片进行干法刻蚀，以精抛所述晶片。

在可选的实施方式中，所述精抛机包括精抛机台、抛光盘和清洗组件，所述精抛机台用于承载所述晶片，所述抛光盘设置在所述精抛机台上方，用于对所述晶片进行精抛光，所述清洗组件设置在精抛机台上，用于向所述晶片喷洒臭氧水。

一种碳化硅晶片处理方法，适用于前述的碳化硅晶片处理系统，所述处理方法包括：

激光切割晶锭，以得到晶片；

双面研磨所述晶片；

抛光所述晶片；

清洗所述晶片。

在可选的实施方式中，抛光所述晶片的步骤，包括：

双面粗抛所述晶片；

利用干法刻蚀工艺精抛所述晶片。

在可选的实施方式中，抛光所述晶片的步骤，包括：

双面粗抛所述晶片；

对所述晶片进行单面精抛；

向所述晶片喷洒臭氧水。

本发明实施例的有益效果包括，例如：

本发明实施例提供的碳化硅晶片处理系统和方法，通过激光切割装置对晶锭实现激光切割，从而取代常规的线切割方式，激光切割线宽更小，因此晶片物料的损失较小。并且，双面研磨时通过游星轮与多个第一顶辊和第二顶辊的啮合实现游星轮的转动，避免了采用齿轮齿条啮合的结构，并且其中每个第一顶辊和每个第二顶辊均能够相对独立转动，在游星轮啮合的过程中，第一顶辊和第二顶辊能够发生微小的转动，从而减缓啮合过程中游星轮的齿轮的磨损。相较于现有技术，本发明提供的碳化硅晶片处理系统和方法，能够能够降低切割损耗，并且能够减少齿轮磨损，降低因为齿轮的应力变形造成滑片、爆盘的风险。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例提供的碳化硅晶片处理系统的示意图；

图2为图1中双面研磨装置的分解结构示意图；

图3为图2中下研磨盘的结构示意图；

图4为图2中上研磨盘的结构示意图；

图5为图2中上研磨盘盖合时的边缘局部结构剖视图；

图6为图2中上研磨盘盖合时的中心局部结构剖视图；

图7为图1中抛光装置的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的碳化硅晶片处理方法的步骤框图。

图标：100-碳化硅晶片处理系统；110-激光切割装置；130-双面研磨装置；131-上研磨盘；1311-上盘体；1313-上研磨垫；1315-电磁吸附环；1317-定位槽；132-下研磨盘；1321-下盘体；1323-下研磨垫；133-游星轮；134-恒星盘；135-第一顶辊；1351-第一辊槽；1353-第一限位环槽；136-第二顶辊；1361-第二辊槽；1363-第二限位环槽；137-安装通孔；150-抛光装置；151-精抛机台；153-等离子抛光组件；170-清洗装置。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本发明的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

正如背景技术中所公开的，现有的晶片处理工艺，通常是将晶锭采用线切割后，进行研磨、清洗，然而，线切割工艺由于线宽的存在，导致晶片物料损失较大(通常在150μm以上)，并且，切割效果并不理想，容易在晶片表面留下较多缺陷。

此外，常规的研磨工艺，通常是在研磨盘周围采用行星齿轮配合内圈齿条来带动其转动，齿与齿之间相互啮合实现传动，由于内外围的齿条均为固定结构，在齿轮啮合过程中会与齿条发生严重摩擦，这种长期使用会造成齿轮磨损，增大后续因为齿轮应力变形造成滑片、爆盘的风险。

进一步地，常规技术中研磨后还需要进行抛光，粗抛结束后进行精抛动作，然而，常规的精抛工艺仅仅是更换了较为精细的抛光液，对表面粗糙度的降低效果有限，并且抛光液残留容易造成金属离子残留，增大了后续清洗去除金属离子的负担。

为了解决上述问题，本发明实施例提供了一种新型的碳化硅晶片处理系统和方法，需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例中的特征可以相互结合。

第一实施例

参见图1，本实施例提供了一种碳化硅晶片处理系统100，其能够降低切割损耗，并且能够减少齿轮磨损，降低因为齿轮的应力变形造成滑片、爆盘的风险。

本实施例提供的碳化硅晶片处理系统100，包括沿工艺顺序依次分布的激光切割装置110、双面研磨装置130、抛光装置150和清洗装置170，激光切割装置110用于激光切割晶锭，以得到晶片；双面研磨装置130用于双面研磨晶片；抛光装置150用于抛光经过研磨的晶片；清洗装置170用于对抛光后的晶片进行清洗。

需要说明的是，本实施例中激光切割装置110、双面研磨装置130、抛光装置150和清洗装置170依次分布，并且相邻装置之间可以通过机械臂或其他转运装置实现晶片的转运。

参见图2至图6，双面研磨装置130包括上研磨盘131、下研磨盘132和多个游星轮133，下研磨盘132的中部设置有恒星盘134，多个游星轮133设置在恒星盘134周围，用于承载晶片，且每个游星轮133的边缘设置有齿轮，上研磨盘131设置在下研磨盘132上方，并用于盖设在多个游星轮133上，下研磨盘132的周缘可转动地设置有多个第一顶辊135，每个第一顶辊135能够相对下研磨盘132独立转动，恒星盘134的边缘可转动设置有多个第二顶辊136，每个第二顶辊136能够相对下研磨盘132独立转动，游星轮133同时与多个第一顶辊135和多个第二顶辊136啮合。

在本实施例中，游星轮133为齿轮结构，多个第一顶辊135沿下研磨盘132的外侧边缘呈圆周状间隔分布，相邻两个第一顶辊135之间的间隙宽度与游星轮133的齿宽相适配；同时多个第二顶辊136沿恒星盘134的周围边缘呈圆周状间隔分布，且相邻两个第二顶辊136之间的间隙宽度与游星轮133的齿宽相适配，从而使得游星轮133能够啮合于第一顶辊135和第二顶辊136。

需要说明的是，本实施例中上研磨盘131用于对应盖合在下研磨盘132上，且上研磨盘131与游星轮133上的晶片的上表面接触，下研磨盘132与游星轮133上的晶片的下表面接触，在实际研磨过程中，游星轮133会绕恒星盘134转动，在转动过程中，由于每个第一顶辊135和每个第二顶辊136均能够相对独立转动，在游星轮133啮合的过程中，第一顶辊135和第二顶辊136能够发生微小的转动，从而减缓啮合过程中游星轮133的齿轮的磨损，从而降低因为游星轮133的应力变形造成滑片、爆盘的风险。

值得注意的是，本实施例中游星轮133上设置有多个安装通孔137，每个安装通孔137中均装配有晶片，并且在下研磨盘132上可以同时设置多个游星轮133，从而实现了多个晶片的双面研磨，有关于双面研磨的晶片放置结构和研磨原理，可以参考现有的双面研磨结构。

下研磨盘132包括下盘体1321和下研磨垫1323，恒星盘134设置在下盘体1321的中心区域，下研磨垫1323设置在下盘体1321的上侧表面，并围设在恒星盘134的周围，下盘体1321的边缘设置有多个第一辊槽1351，多个第一顶辊135可转动地装配在多个第一辊槽1351中，并向上伸出下盘体1321，恒星盘134的边缘设置有多个第二辊槽1361，多个第二顶辊136可转动地装配在多个第二辊槽1361中，并向上伸出恒星盘134。具体地，下盘体1321安装在研磨台上，并由驱动件带动转动，下研磨垫1323可拆卸地设置在恒星盘134周围的下盘体1321的表面，游星轮133放置在下研磨垫1323上，并能够绕恒星盘134转动。通过设置第一辊槽1351和第二辊槽1361，能够是实现第一顶辊135和第二顶辊136的可转动安装，保证啮合过程中第一顶辊135和第二顶辊136能够发生微小的转动，以减缓齿轮磨损。

需要说明的是，为了保证第一顶辊135和第二顶辊136能够顺利随动，在实际运转时，可以在第一辊槽1351和第二辊槽1361的底部涂覆润滑液，该润滑液不会溢出至下研磨垫1323的表面，从而避免其影响晶片的研磨。

在本实施例中，第一顶辊135伸出下盘体1321的部分的周壁还设置有第一限位环槽1353，第二顶辊136伸出恒星盘134的部分的周壁还设置有第二限位环槽1363，第一限位环槽1353和第二限位环槽1363用于卡持游星轮133边缘的齿轮。具体地，每个第一顶辊135凸出于第一辊槽1351部分的中部设置有第一限位环槽1353，每个第二顶辊136凸出于第二辊槽1361部分的中部设置有第二限位环槽1363，通过设置第一限位环槽1353和第二限位环槽1363，能够对游星轮133边缘的齿轮在上下方向上进行卡持，避免游星轮133在转动过程中发生上下跳动，影响研磨效果。

上研磨盘131包括上盘体1311和上研磨垫1313，上盘体1311的直径与下盘体1321的直径相同，上研磨垫1313设置在上盘体1311的下侧表面，且上盘体1311的边缘设置有电磁吸附环1315，电磁吸附环1315与多个第一顶辊135的顶端间隙配合，多个第一顶辊135均为磁性金属辊，电磁吸附环1315用于在下料时磁性吸附多个第一顶辊135，并带动多个第一顶辊135脱离多个第一辊槽1351。具体地，第一顶辊135可以是铁辊，上盘体1311设置在上部的机架或机械臂上，实现转动和上下移动，在研磨前需要将上研磨盘131抬升，方便晶片的上料，在研磨时需要将上研磨盘131盖合在下研磨盘132上，实现双面研磨，当研磨完成需要下料时，可以将电磁吸附环1315通电，进而使得其具有相当的磁性吸附例，将多个第一顶辊135向上吸附，随着上研磨盘131的抬升，多个第一顶辊135能够脱离第一辊槽1351，从而将游星轮133周围的第一顶辊135拔除，方便水平地将游星轮133和晶片取出，避免对晶片造成损伤。

需要说明的是，本实施例中上盘体1311与下盘体1321的尺寸相同，从而能够避免游星轮133外露，保证游星轮133在研磨过程中始终位于上盘体1311和下盘体1321之间，也避免了晶片外露，保证了研磨安全。此外，为了保证足够的吸附力，在研磨过程中，电磁吸附环1315与多个第一顶辊135的顶端的间隙不宜过大，优选可以在5-10mm，在保证吸附效果的同时，能够避免上研磨盘131和下研磨盘132发生干涉。

进一步地，为了保证吸附效果，本实施例中电磁吸附环1315上设置有多个定位槽1317，多个定位槽1317与多个第一顶辊135一一对应设置，能够容纳第一顶辊135的顶端部分，从而实现吸附时对第一顶辊135的限位，保证将第一顶辊135重新对应装入第一辊槽1351时能够准确装配。

值得注意的是，本实施例中第一顶辊135脱出第一辊槽1351后需要上研磨盘131按照脱离时的旋转角度重新装入，以保证第一顶辊135的准确装配，因此在停机后上研磨盘131和下研磨盘132都无法转动，且上研磨盘131仅仅能够实现上下运动。

需要说明的是，在将第一顶辊135重新装入第一辊槽1351时，可以在第一顶辊135的底端对应伸入第一辊槽1351后将电磁吸附环1315断电，在重力的作用下能够使得第一顶辊135落入第一辊槽1351。并且，在电磁吸附环1315将第一顶辊135吸附并脱离第一辊槽1351时，可以依据实际运行情况和运行时间向第一辊槽1351中滴入适当的润滑油，从而便于定时添加润滑油。

参见图7，抛光装置150包括双面粗抛机(图未示)和精抛机，双面粗抛机用于双面粗抛晶片，精抛机用于精抛晶片。通过粗抛和精抛，使得晶片表面的粗糙度得以降低，并且能够消除研磨过程中产生的应力集中或形貌缺陷。其中双面粗抛机的上下盘面均采用抛光垫和抛光液进行抛光，并在粗抛结束后进行精抛，粗抛机台的基本结构与粗抛原理与常规的粗抛结构一致，在此不过多介绍。

精抛机包括精抛机台151和等离子抛光组件153，精抛机台151用于承载晶片，等离子抛光组件153设置在精抛机台151上方，用于向晶片喷射等离子气体，并对晶片进行干法刻蚀，以精抛晶片。具体地，离子抛光组件用于产生等离子气体，从而利用干法刻蚀的工艺进行抛光，抛光后晶片表面的颗粒与金属离子均可以达到业界的允许标准，可节省掉抛光后的清洗机+刷片机+RCA清洗机+旋干机的流程，只需简单清洗即可，大幅度的降低成本与效率。

针对本实施例采用的等离子精抛工艺，其可以使得晶片的表表面粗糙度降低至来料时的一半。具体地，在粗抛完成后，其并不能完全消除研磨引起的狭窄划痕和缺陷的密集网络，而在实际精抛过程中，利用等离子气体对晶片进行干法刻蚀，可以优先刻蚀缺陷区域，有效地留下良好的晶体结构，并且大幅降低表面粗糙度，其能够硅表面进行柔性处理，没有损伤晶片的风险。

在本发明其他较佳的实施例中，精抛机也可以包括精抛机台151、抛光盘和清洗组件，精抛机台151用于承载晶片，抛光盘设置在精抛机台151上方，用于对晶片进行精抛光，清洗组件设置在精抛机台151上，用于向晶片喷洒臭氧水。具体地，该抛光盘为精抛盘，并且通过添加精抛液来实现对晶片进行Si面精抛光，使得晶片平整度更好，同时在精抛后能够向晶片喷洒臭氧水，臭氧水的温度需要控制在40℃左右，可以大幅减少晶片表面的金属离子残留，降低后续工艺去除金属离子的负担。

最后，晶片出货前需要利用清洗装置170进行简单清洗，清洗时可以利用臭氧水工艺，喷洒臭氧水后刷片，以进一步去除表面的金属离子残留。

参见图8，本发明实施例还提供了一种碳化硅晶片处理方法，适用于前述的碳化硅晶片处理系统100，该处理方法包括以下步骤：

S1：激光切割晶锭，以得到晶片。

具体而言，可以利用激光切割装置110对晶片进行激光切割，得到单片的晶片，利用激光切割取代多线切割。在实际切割时，首先需要将晶锭平磨与滚圆，然后将需要进行激光的作业面进行减薄机的粗磨以及精磨，然后对激光作业面进行激光切割(例如正面)，然后在激光切割后拨离晶片，最后晶片的背面与剩余晶锭的正面需要进行减薄机的粗磨和精磨，以进行下一次激光切割。此激光切割方法单片损失量约50um-100um。相较传统多线切割单片损失量150um以上，本实施例对于晶片的材料较为节省。

此外，本申请中的激光切割工艺，相较于线切割工艺，其能够切割得到更薄的晶片，例如激光切割工艺的最薄切割厚度在100μm，而线切割通常在450μm以上。

S2：双面研磨晶片。

具体而言，利用双面研磨装置130对多个晶片进行双面研磨。在研磨过程中，通过上研磨垫1313和下研磨垫1323对晶片的上下表面进行化学机械研磨(CMP)。

S3：抛光晶片。

具体而言，在一些实施例中，抛光晶片时可以首先双面粗抛晶片，然后利用干法刻蚀工艺精抛晶片。在实际抛光时，可以首先采用双面抛光机进行粗抛，上下盘面均采用抛光垫和抛光液进行粗抛，并且在粗抛结束后，采用等离子抛光技术进行抛光，向晶片的表面喷射等离子气体，利用等离子气体干法刻蚀晶片的表面，由于精抛时未采用抛光液，因此抛光后的表面颗粒与金属离子均可以达到业界允许标准，可节省掉抛光后的清洗机+刷片机+RCA清洗机+旋干机的流程，只需简单清洗即可，大幅度的降低成本与效率。

当然，在本发明其他一些实施例中，抛光晶片时也可以首先双面粗抛晶片，然后对晶片进行单面精抛，最后向晶片喷洒臭氧水。具体地，首先利用双面抛光机对晶片进行双面粗抛，然后利用单面抛光机对晶片进行Si面精抛光，并于抛光结束后喷洒臭氧水，臭氧水的温度需要控制在40℃左右，可以大幅减少晶片表面的金属离子残留，降低后续工艺去除金属离子的负担。

S4：清洗晶片。

最后，晶片出货前需要最终清洗，使用臭氧水工艺，先进行喷洒去除大量金属离子，再进行刷片作业。

综上所述，本实施例提供的碳化硅晶片处理系统100和方法，通过激光切割装置110对晶锭实现激光切割，从而取代常规的线切割方式，激光切割线宽更小，因此晶片物料的损失较小。并且，双面研磨时通过游星轮133与多个第一顶辊135和第二顶辊136的啮合实现游星轮133的转动，避免了采用齿轮齿条啮合的结构，并且其中每个第一顶辊135和每个第二顶辊136均能够相对独立转动，在游星轮133啮合的过程中，第一顶辊135和第二顶辊136能够发生微小的转动，从而减缓啮合过程中游星轮133的齿轮的磨损。并且采用特殊的抛光工艺，能够提升抛光效果，降低金属离子残留。相较于现有技术，本实施例提供的碳化硅晶片处理系统100和方法，能够能够降低切割损耗，并且能够减少齿轮磨损，降低因为齿轮的应力变形造成滑片、爆盘的风险。同时，采用特殊的抛光工艺，能够提升抛光效果，降低金属离子残留。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种碳化硅晶片处理系统，其特征在于，包括：

激光切割装置（110），用于激光切割晶锭，以得到晶片；

双面研磨装置（130），用于双面研磨所述晶片；

抛光装置（150），用于抛光所述晶片；

其中，所述双面研磨装置（130）包括上研磨盘（131）、下研磨盘（132）和多个游星轮（133），所述下研磨盘（132）的中部设置有恒星盘（134），多个所述游星轮（133）设置在所述恒星盘（134）周围，用于承载所述晶片，所述上研磨盘（131）设置在所述下研磨盘（132）上方，并用于盖设在多个所述游星轮（133）上，所述下研磨盘（132）的周缘可转动地设置有多个第一顶辊（135），每个所述第一顶辊（135）能够相对所述下研磨盘（132）独立转动，所述恒星盘（134）的边缘可转动设置有多个第二顶辊（136），每个所述第二顶辊（136）能够相对所述下研磨盘（132）独立转动，所述游星轮（133）同时与多个所述第一顶辊（135）和多个所述第二顶辊（136）相啮合；

所述下研磨盘（132）包括下盘体（1321）和下研磨垫（1323），所述恒星盘（134）设置在所述下盘体（1321）的中心区域，所述下研磨垫（1323）设置在所述下盘体（1321）的上侧表面，并围设在所述恒星盘（134）的周围，所述下盘体（1321）的边缘设置有多个第一辊槽（1351），多个所述第一顶辊（135）可转动地装配在多个所述第一辊槽（1351）中，并向上伸出所述下盘体（1321），所述恒星盘（134）的边缘设置有多个第二辊槽（1361），多个所述第二顶辊（136）可转动地装配在多个所述第二辊槽（1361）中，并向上伸出所述恒星盘（134）；

所述第一顶辊（135）伸出所述下盘体（1321）的部分的周壁还设置有第一限位环槽（1353），所述第二顶辊（136）伸出所述恒星盘（134）的部分的周壁还设置有第二限位环槽（1363），所述第一限位环槽（1353）和所述第二限位环槽（1363）用于卡持所述游星轮（133）边缘的齿轮。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片处理系统，其特征在于，所述上研磨盘（131）包括上盘体（1311）和上研磨垫（1313），所述上盘体（1311）的直径与所述下盘体（1321）的直径相同，所述上研磨垫（1313）设置在所述上盘体（1311）的下侧表面，且所述上盘体（1311）的边缘设置有电磁吸附环（1315），所述电磁吸附环（1315）与多个所述第一顶辊（135）的顶端间隙配合，多个所述第一顶辊（135）均为磁性金属辊，所述电磁吸附环（1315）用于在下料时磁性吸附多个所述第一顶辊（135），并带动多个所述第一顶辊（135）脱离多个所述第一辊槽（1351）。

3.根据权利要求1所述的碳化硅晶片处理系统，其特征在于，所述抛光装置（150）包括双面粗抛机和精抛机，所述双面粗抛机用于双面粗抛所述晶片，所述精抛机用于精抛所述晶片。

4.根据权利要求3所述的碳化硅晶片处理系统，其特征在于，所述精抛机包括精抛机台（151）和等离子抛光组件（153），所述精抛机台（151）用于承载所述晶片，所述等离子抛光组件（153）设置在所述精抛机台（151）上方，用于向所述晶片喷射等离子气体，并对晶片进行干法刻蚀，以精抛所述晶片。

5.根据权利要求3所述的碳化硅晶片处理系统，其特征在于，所述精抛机包括精抛机台（151）、抛光盘和清洗组件，所述精抛机台（151）用于承载所述晶片，所述抛光盘设置在所述精抛机台（151）上方，用于对所述晶片进行精抛光，所述清洗组件设置在精抛机台（151）上，用于向所述晶片喷洒臭氧水。

6.一种碳化硅晶片处理方法，适用于如权利要求1-5任一项所述的碳化硅晶片处理系统，其特征在于，所述处理方法包括：

激光切割晶锭，以得到晶片；

双面研磨所述晶片；

抛光所述晶片；

清洗所述晶片。

7.根据权利要求6所述的碳化硅晶片处理方法，其特征在于，抛光所述晶片的步骤，包括：

双面粗抛所述晶片；

利用干法刻蚀工艺精抛所述晶片。

8.根据权利要求6所述的碳化硅晶片处理方法，其特征在于，抛光所述晶片的步骤，包括：

双面粗抛所述晶片；

对所述晶片进行单面精抛；

向所述晶片喷洒臭氧水。