JPH09246216A - 半導体ウェ−ハの製造方法 - Google Patents
半導体ウェ−ハの製造方法Info
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- JPH09246216A JPH09246216A JP7951096A JP7951096A JPH09246216A JP H09246216 A JPH09246216 A JP H09246216A JP 7951096 A JP7951096 A JP 7951096A JP 7951096 A JP7951096 A JP 7951096A JP H09246216 A JPH09246216 A JP H09246216A
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- silicon wafer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハの製造方法にあってエッチン
グレスプロセスを提供する。消費するエッチング液量を
低減する。得られた半導体ウェーハの平坦度を良好なら
しめる。研磨量・研磨時間を減じて、スループットを高
める。 【解決手段】 シリコンインゴットをスライスする。シ
リコンウェーハを面取りする。シリコンウェーハの表裏
両面を同時に研削する。これに替えて、ラップ、片面毎
の研削でも良い。研削量は両面合計で１０〜４０μｍで
ある。ＣＣＲ工程でウェーハの面取り面をエッチングし
加工歪みなどを除去する。ＰＣＲ加工をさらに施しても
良い。シリコンウェーハの表裏両面に機械的化学的研磨
を施し、研削・ラップ加工歪みを除去する。ドナーキラ
ー熱処理、ゲッタリング処理を施す。最後に仕上げ鏡面
研磨、洗浄を実施し、高平坦度ウェーハを得る。
グレスプロセスを提供する。消費するエッチング液量を
低減する。得られた半導体ウェーハの平坦度を良好なら
しめる。研磨量・研磨時間を減じて、スループットを高
める。 【解決手段】 シリコンインゴットをスライスする。シ
リコンウェーハを面取りする。シリコンウェーハの表裏
両面を同時に研削する。これに替えて、ラップ、片面毎
の研削でも良い。研削量は両面合計で１０〜４０μｍで
ある。ＣＣＲ工程でウェーハの面取り面をエッチングし
加工歪みなどを除去する。ＰＣＲ加工をさらに施しても
良い。シリコンウェーハの表裏両面に機械的化学的研磨
を施し、研削・ラップ加工歪みを除去する。ドナーキラ
ー熱処理、ゲッタリング処理を施す。最後に仕上げ鏡面
研磨、洗浄を実施し、高平坦度ウェーハを得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウェーハの
製造方法、特にエッチング工程を省略したエッチレスプ
ロセスによる半導体ウェーハの製造方法に関する。
製造方法、特にエッチング工程を省略したエッチレスプ
ロセスによる半導体ウェーハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウェーハの製造方法を図８
を参照して説明する。まず、スライス工程（Ｓ８０１）
でインゴットからスライスされたシリコンウェーハは、
次の面取り工程（Ｓ８０２）でその周縁に面取り加工が
施される。そして、ラップ工程（Ｓ８０３）においてラ
ップ加工が施される。次のエッチング工程（Ｓ８０５）
ではラップドウェーハは所定のエッチング液に浸漬さ
れ、そのラップ加工での歪みと面取り工程での歪み等が
除去される。この後、シリコンウェーハはドナーキラー
熱処理工程（Ｓ８０７）・ゲッタリング工程（Ｓ８０
８）を経る。続いて、このシリコンウェーハはワックス
を用いて研磨盤に固着され、片面が研磨される（Ｓ８１
０）。さらに、このシリコンウェーハは仕上げ研磨工程
（Ｓ８１１）に付され、この工程で仕上げ研磨が施され
る。この後、シリコンウェーハは表面に付着したワック
ス等を除去するための洗浄工程（Ｓ８１２）を経る。
を参照して説明する。まず、スライス工程（Ｓ８０１）
でインゴットからスライスされたシリコンウェーハは、
次の面取り工程（Ｓ８０２）でその周縁に面取り加工が
施される。そして、ラップ工程（Ｓ８０３）においてラ
ップ加工が施される。次のエッチング工程（Ｓ８０５）
ではラップドウェーハは所定のエッチング液に浸漬さ
れ、そのラップ加工での歪みと面取り工程での歪み等が
除去される。この後、シリコンウェーハはドナーキラー
熱処理工程（Ｓ８０７）・ゲッタリング工程（Ｓ８０
８）を経る。続いて、このシリコンウェーハはワックス
を用いて研磨盤に固着され、片面が研磨される（Ｓ８１
０）。さらに、このシリコンウェーハは仕上げ研磨工程
（Ｓ８１１）に付され、この工程で仕上げ研磨が施され
る。この後、シリコンウェーハは表面に付着したワック
ス等を除去するための洗浄工程（Ｓ８１２）を経る。
【０００３】また、上記エッチング工程の後にはＰＣＲ
（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ｃｏｒｎｏｒ ｒｏｕｎｄｉｎ
ｇ）工程（Ｓ８０６）を介装し、さらに面取り面の品位
を高めても良い。なお、上記ＥＧ（ｅｘｔｒｉｎｓｉｃ
ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）工程（Ｓ８０８）では、例えば
エッチング後のシリコンウェーハの裏面にサンドブラス
ト処理が施されていた。
（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ｃｏｒｎｏｒ ｒｏｕｎｄｉｎ
ｇ）工程（Ｓ８０６）を介装し、さらに面取り面の品位
を高めても良い。なお、上記ＥＧ（ｅｘｔｒｉｎｓｉｃ
ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）工程（Ｓ８０８）では、例えば
エッチング後のシリコンウェーハの裏面にサンドブラス
ト処理が施されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなシリコンウェーハの製造方法にあっては、ラッピン
グダメージおよび面取りでの加工ダメージを、エッチン
グ工程において除去していた。よって、エッチング工程
が必須であったため、エッチング液であるＨＦ／ＨＮＯ
3液等を多量に使用・消費していた。また、この長時間
のエッチングによりウェーハ表面の平坦度が悪化してい
た。これにより、その後の研磨工程での研磨量を増加さ
せ、研磨時間を長くしていた。
うなシリコンウェーハの製造方法にあっては、ラッピン
グダメージおよび面取りでの加工ダメージを、エッチン
グ工程において除去していた。よって、エッチング工程
が必須であったため、エッチング液であるＨＦ／ＨＮＯ
3液等を多量に使用・消費していた。また、この長時間
のエッチングによりウェーハ表面の平坦度が悪化してい
た。これにより、その後の研磨工程での研磨量を増加さ
せ、研磨時間を長くしていた。
【０００５】
【発明の目的】この発明の目的は、半導体ウェーハの製
造方法にあってエッチングレスプロセスを提供するもの
である。この発明の目的は、消費するエッチング液量を
低減することである。この発明の目的は、得られた半導
体ウェーハの平坦度を良好ならしめることである。ま
た、この発明の目的は、研磨工程での研磨量・研磨時間
を減じて、スループットを高めることを、その目的とし
ている。
造方法にあってエッチングレスプロセスを提供するもの
である。この発明の目的は、消費するエッチング液量を
低減することである。この発明の目的は、得られた半導
体ウェーハの平坦度を良好ならしめることである。ま
た、この発明の目的は、研磨工程での研磨量・研磨時間
を減じて、スループットを高めることを、その目的とし
ている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、スライス工程、面取り工程、ＣＣＲ工程を含む半導
体ウェーハの製造方法において、上記ＣＣＲ工程の後の
半導体ウェーハの両面を研磨する両面研磨工程を備えた
半導体ウェーハの製造方法である。
は、スライス工程、面取り工程、ＣＣＲ工程を含む半導
体ウェーハの製造方法において、上記ＣＣＲ工程の後の
半導体ウェーハの両面を研磨する両面研磨工程を備えた
半導体ウェーハの製造方法である。
【０００７】
【作用】請求項１に記載の発明では、半導体ウェーハを
スライスした後、その周縁部分を面取り加工する。次
に、この半導体ウェーハの周縁部の面取り面にＣＣＲ等
の歪みを除去する処理を施す工程を通す。さらに、この
工程後、半導体ウェーハの表裏両面に機械的化学的研磨
を施す。次いで、例えばドナーキラー熱処理・ゲッタリ
ング等をこの両面が研磨された半導体ウェーハに施した
後、さらに、この半導体ウェーハの表面に仕上げ研磨を
施す。なお、上記面取り後の半導体ウェーハに対して両
面同時研削を施してＣＣＲ処理を行っても良い。また
は、ラップ処理および片面毎の研削を施してＣＣＲ処理
を行う。さらには、ラップのみを施してＣＣＲ処理に移
しても良い。また、ＣＣＲ工程の後、ＰＣＲ工程を付加
しても良い。さらに、半導体ウェーハにあってはその上
記仕上げ研磨後に、洗浄が施されることとなる。
スライスした後、その周縁部分を面取り加工する。次
に、この半導体ウェーハの周縁部の面取り面にＣＣＲ等
の歪みを除去する処理を施す工程を通す。さらに、この
工程後、半導体ウェーハの表裏両面に機械的化学的研磨
を施す。次いで、例えばドナーキラー熱処理・ゲッタリ
ング等をこの両面が研磨された半導体ウェーハに施した
後、さらに、この半導体ウェーハの表面に仕上げ研磨を
施す。なお、上記面取り後の半導体ウェーハに対して両
面同時研削を施してＣＣＲ処理を行っても良い。また
は、ラップ処理および片面毎の研削を施してＣＣＲ処理
を行う。さらには、ラップのみを施してＣＣＲ処理に移
しても良い。また、ＣＣＲ工程の後、ＰＣＲ工程を付加
しても良い。さらに、半導体ウェーハにあってはその上
記仕上げ研磨後に、洗浄が施されることとなる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。図１はこの発明に係る半導体ウェー
ハの製造方法の第１実施例を説明するためのフローチャ
ートである。
参照して説明する。図１はこの発明に係る半導体ウェー
ハの製造方法の第１実施例を説明するためのフローチャ
ートである。
【０００９】この図に示すように、まず、ＣＺ法により
引き上げられたシリコンインゴットは、スライス工程
（Ｓ１０１）で所定厚さにスライスされる。次に、イン
ゴットからスライスされたこのシリコンウェーハは、面
取り工程（Ｓ１０２）で面取り加工が施される。すなわ
ち、シリコンウェーハの周縁部は所定の丸みを帯びた形
状に成形される。
引き上げられたシリコンインゴットは、スライス工程
（Ｓ１０１）で所定厚さにスライスされる。次に、イン
ゴットからスライスされたこのシリコンウェーハは、面
取り工程（Ｓ１０２）で面取り加工が施される。すなわ
ち、シリコンウェーハの周縁部は所定の丸みを帯びた形
状に成形される。
【００１０】次に、両面同時研削工程（Ｓ１０３）にお
いては、シリコンウェーハはその表裏両面が同時に所定
厚さ（片面で３０〜４０μｍ程度）だけ研削される。な
お、この両面同時研削工程に替えて従来と同様のラップ
工程（Ｓ１１１）を施し、さらに片面毎の研削工程（Ｓ
１１２）を施しても良い。このときの研削量は片側で５
〜２０μｍ、両面を合計すると１０〜４０μｍである。
なお、ラップ工程では、例えば、シリコンウェーハを、
互いに平行に保たれたラップ定盤の間に配置し、アルミ
ナあるいはシリコンカーバイド砥粒とグリセリンの混合
物であるラップ液をラップ定盤とシリコンウェーハとの
間に流し込み、加圧下で回転・摺り合わせを行うことに
より、このウェーハ両面を機械的に研磨する。
いては、シリコンウェーハはその表裏両面が同時に所定
厚さ（片面で３０〜４０μｍ程度）だけ研削される。な
お、この両面同時研削工程に替えて従来と同様のラップ
工程（Ｓ１１１）を施し、さらに片面毎の研削工程（Ｓ
１１２）を施しても良い。このときの研削量は片側で５
〜２０μｍ、両面を合計すると１０〜４０μｍである。
なお、ラップ工程では、例えば、シリコンウェーハを、
互いに平行に保たれたラップ定盤の間に配置し、アルミ
ナあるいはシリコンカーバイド砥粒とグリセリンの混合
物であるラップ液をラップ定盤とシリコンウェーハとの
間に流し込み、加圧下で回転・摺り合わせを行うことに
より、このウェーハ両面を機械的に研磨する。
【００１１】次のＣＣＲ工程（Ｓ１０４）において、シ
リコンウェーハはその面取り面がエッチングされて面取
り加工での歪みなどが除去されるとともに平坦化され
る。さらに、所望によりこの面取り面にＰＣＲ加工が施
されて鏡面化される（Ｓ１０５）。さらに、このシリコ
ンウェーハは両面研磨工程においてその表裏両面に機械
的化学的研磨が施される（Ｓ１０６）。上記研削または
ラップ加工での歪み等が除去される。ラップドウェーハ
の場合の研磨量は片面で３０〜４０μｍ、両面で６０〜
８０μｍ程度である。また、両面同時研削または片面毎
の研削によるウェーハでは、その研磨量は、片面で５〜
１０μｍ、両面で１０〜２０μｍである。
リコンウェーハはその面取り面がエッチングされて面取
り加工での歪みなどが除去されるとともに平坦化され
る。さらに、所望によりこの面取り面にＰＣＲ加工が施
されて鏡面化される（Ｓ１０５）。さらに、このシリコ
ンウェーハは両面研磨工程においてその表裏両面に機械
的化学的研磨が施される（Ｓ１０６）。上記研削または
ラップ加工での歪み等が除去される。ラップドウェーハ
の場合の研磨量は片面で３０〜４０μｍ、両面で６０〜
８０μｍ程度である。また、両面同時研削または片面毎
の研削によるウェーハでは、その研磨量は、片面で５〜
１０μｍ、両面で１０〜２０μｍである。
【００１２】この後、シリコンウェーハは６００℃以上
のドナーキラー熱処理が（Ｓ１０７）、所望の場合はさ
らにゲッタリング処理（Ｓ１０８）が施されることとな
る。例えばシリコンウェーハの裏面にサンドブラスト処
理が施される。このようにして処理されたシリコンウェ
ーハは仕上げ研磨工程（Ｓ１０９）に付され、この工程
で仕上げ鏡面研磨が実施される。なお、この後、洗浄工
程（Ｓ１１０）を経てシリコンウェーハは製造される。
のドナーキラー熱処理が（Ｓ１０７）、所望の場合はさ
らにゲッタリング処理（Ｓ１０８）が施されることとな
る。例えばシリコンウェーハの裏面にサンドブラスト処
理が施される。このようにして処理されたシリコンウェ
ーハは仕上げ研磨工程（Ｓ１０９）に付され、この工程
で仕上げ鏡面研磨が実施される。なお、この後、洗浄工
程（Ｓ１１０）を経てシリコンウェーハは製造される。
【００１３】図２、図３には上記両面同時研削工程で使
用される両面研削装置を示す。この装置では、水平な円
盤状のマウントの上面に円盤状の下盤（下側の砥石）１
２が密着して搭載されている。下盤１２は水平面内で回
転自在に設けられている。下盤１２の中心部分には孔１
２Ｂが形成され、この孔１２Ｂに下盤１２の回転軸１２
Ａが挿入されている。回転軸１２Ａにはリング状のスペ
ーサ１２Ｃが嵌装され、孔１２Ｂ内にはウォータパンが
画成されている。下盤１２の上面には放射状に延びる溝
を複数形成してある。下盤１２の上方には上盤（上側の
砥石）１３が回転自在に設けられている。この上盤１３
の下面には砥石が設けられている。上盤１３の下面には
溝が、中心部には孔が形成され、孔にはスペーサ１３Ａ
が配設されている。上盤１３は上下動自在に設けられて
いる。
用される両面研削装置を示す。この装置では、水平な円
盤状のマウントの上面に円盤状の下盤（下側の砥石）１
２が密着して搭載されている。下盤１２は水平面内で回
転自在に設けられている。下盤１２の中心部分には孔１
２Ｂが形成され、この孔１２Ｂに下盤１２の回転軸１２
Ａが挿入されている。回転軸１２Ａにはリング状のスペ
ーサ１２Ｃが嵌装され、孔１２Ｂ内にはウォータパンが
画成されている。下盤１２の上面には放射状に延びる溝
を複数形成してある。下盤１２の上方には上盤（上側の
砥石）１３が回転自在に設けられている。この上盤１３
の下面には砥石が設けられている。上盤１３の下面には
溝が、中心部には孔が形成され、孔にはスペーサ１３Ａ
が配設されている。上盤１３は上下動自在に設けられて
いる。
【００１４】これらの上盤１３と下盤１２との間にシリ
コンウェーハｗｆが保持されてその表裏両面が同時に研
削される。シリコンウェーハｗｆはキャリアギア１４に
保持されており、このキャリアギア１４にはシリコンウ
ェーハｗｆを挿入可能な円孔１５が形成されている。キ
ャリアギア１４の外周歯は下盤１２の回転軸１２Ａ上端
外面に形成した歯に噛み合うと同時に、リングギア１７
の内周歯にも噛み合っている。リングギア１７は下盤１
２より大きな径を有するリング状に形成され、下盤１２
を取り囲むように配設されている。上盤１３は上下動自
在に設けられており、キャリアギア１４に保持されたウ
ェーハを所定荷重で下盤１２に押し付けることができ
る。この上盤１３の上方からその孔に向かって研削水を
供給する供給機構が設けられている。
コンウェーハｗｆが保持されてその表裏両面が同時に研
削される。シリコンウェーハｗｆはキャリアギア１４に
保持されており、このキャリアギア１４にはシリコンウ
ェーハｗｆを挿入可能な円孔１５が形成されている。キ
ャリアギア１４の外周歯は下盤１２の回転軸１２Ａ上端
外面に形成した歯に噛み合うと同時に、リングギア１７
の内周歯にも噛み合っている。リングギア１７は下盤１
２より大きな径を有するリング状に形成され、下盤１２
を取り囲むように配設されている。上盤１３は上下動自
在に設けられており、キャリアギア１４に保持されたウ
ェーハを所定荷重で下盤１２に押し付けることができ
る。この上盤１３の上方からその孔に向かって研削水を
供給する供給機構が設けられている。
【００１５】そして、この両面研削装置を用いてシリコ
ンウェーハｗｆの表裏両面を研削する工程では、スライ
ス・面取り後のシリコンウェーハｗｆをキャリアギア１
４の円孔１５に挿入し、上盤１３と下盤１２との間にシ
リコンウェーハｗｆを挟み込み、上盤１３および下盤１
２をそれぞれ所定速度で回転させる。このとき、上盤１
３は所定荷重でシリコンウェーハｗｆを押圧しながら例
えば１００μｍだけ降下させる。また、研削水を上盤１
３の上から常時供給し、シリコンウェーハｗｆの温度を
例えば２５℃に制御・管理する。この研削水はウォータ
パンから各砥石面の溝を通ってシリコンウェーハｗｆの
中心部にまで常時供給される。
ンウェーハｗｆの表裏両面を研削する工程では、スライ
ス・面取り後のシリコンウェーハｗｆをキャリアギア１
４の円孔１５に挿入し、上盤１３と下盤１２との間にシ
リコンウェーハｗｆを挟み込み、上盤１３および下盤１
２をそれぞれ所定速度で回転させる。このとき、上盤１
３は所定荷重でシリコンウェーハｗｆを押圧しながら例
えば１００μｍだけ降下させる。また、研削水を上盤１
３の上から常時供給し、シリコンウェーハｗｆの温度を
例えば２５℃に制御・管理する。この研削水はウォータ
パンから各砥石面の溝を通ってシリコンウェーハｗｆの
中心部にまで常時供給される。
【００１６】また、図４，図５には片面研削装置を示
す。上記片面研削工程（Ｓ１１２）では、この装置にラ
ップドウェーハｗｆを搭載してその片面毎の研削を行
う。すなわち、チャックテーブル４１にウェーハｗｆを
搭載・固定し、回転する研削ヘッド４２を接近・下降さ
せてその上面を例えば２０μｍ程度研削する。一方の面
の研削が終了すると、チャック４１にウェーハを裏返し
て吸着し、研削する。
す。上記片面研削工程（Ｓ１１２）では、この装置にラ
ップドウェーハｗｆを搭載してその片面毎の研削を行
う。すなわち、チャックテーブル４１にウェーハｗｆを
搭載・固定し、回転する研削ヘッド４２を接近・下降さ
せてその上面を例えば２０μｍ程度研削する。一方の面
の研削が終了すると、チャック４１にウェーハを裏返し
て吸着し、研削する。
【００１７】また、上記両面同時研磨は、両面研磨装置
を使用して以下のようにして施される。すなわち、シリ
コンウェーハを両面研磨装置のキャリアプレートにワッ
クスレスの状態で保持させた後、その上下から回転する
研磨布をウェーハ表裏両面に同時に当接させ、アルカリ
性研磨液を供給しつつ、メカノケミカル研磨を行うもの
である。
を使用して以下のようにして施される。すなわち、シリ
コンウェーハを両面研磨装置のキャリアプレートにワッ
クスレスの状態で保持させた後、その上下から回転する
研磨布をウェーハ表裏両面に同時に当接させ、アルカリ
性研磨液を供給しつつ、メカノケミカル研磨を行うもの
である。
【００１８】この両面研磨装置は、シリコンウェーハを
保持するキャリアプレートと、このキャリアプレートの
上下に配設された一対の研磨ヘッドとを有して構成され
ている。キャリアプレートにはシリコンウェーハが嵌入
される円形孔が形成されている。一対の研磨ヘッドはそ
れぞれ回転自在に設けられ、各研磨ヘッドの上定盤、下
定盤の表面には研磨布が貼付されている。
保持するキャリアプレートと、このキャリアプレートの
上下に配設された一対の研磨ヘッドとを有して構成され
ている。キャリアプレートにはシリコンウェーハが嵌入
される円形孔が形成されている。一対の研磨ヘッドはそ
れぞれ回転自在に設けられ、各研磨ヘッドの上定盤、下
定盤の表面には研磨布が貼付されている。
【００１９】なお、供給する研磨液としては、ＳｉＯ2
（コロイダルシリカ）等の微細な研磨粒子を含有するア
ルカリ性研磨液が使用される。また、研磨布に対する当
接圧力は５０〜４００ｇｆ／ｃｍ2程度、研磨液のｐＨ
濃度は９〜１１、コロイダルシリカ粒子の平均粒径は
０．０１〜０．０２μｍ程度が好ましい。これにより、
ポリッシング面の平均粗さＲａ、最大粗さＲｍａｘは所
定に値に形成されることとなる。研磨時のシリコン層の
平均除去量は、上述のようにラップドウェーハでは片側
を３０〜４０μｍ程度、研削ウェーハでは５〜１０μｍ
程度である。
（コロイダルシリカ）等の微細な研磨粒子を含有するア
ルカリ性研磨液が使用される。また、研磨布に対する当
接圧力は５０〜４００ｇｆ／ｃｍ2程度、研磨液のｐＨ
濃度は９〜１１、コロイダルシリカ粒子の平均粒径は
０．０１〜０．０２μｍ程度が好ましい。これにより、
ポリッシング面の平均粗さＲａ、最大粗さＲｍａｘは所
定に値に形成されることとなる。研磨時のシリコン層の
平均除去量は、上述のようにラップドウェーハでは片側
を３０〜４０μｍ程度、研削ウェーハでは５〜１０μｍ
程度である。
【００２０】図６にはこの発明の第２実施例を示してい
る。この実施例によれば、スライス工程（Ｓ６０１）、
面取り工程（Ｓ６０２）の後ラップ工程（Ｓ６０３）を
介してＣＣＲ工程（Ｓ６０４）を実施する。また、所望
によりＰＣＲ工程（Ｓ６０５）を経て、両面研磨工程
（Ｓ６０６）を実施する。よって、エッチング工程は実
施しない。その後、ドナー消去のための熱処理を行い
（Ｓ６０７）、所望により裏面にサンドブラスト等のゲ
ッタリング処理を行う（Ｓ６０８）。そして、このシリ
コンウェーハについて仕上げ研磨工程（Ｓ６０９）を施
す。さらに、洗浄（Ｓ６１０）を経て所望のシリコンウ
ェーハが作製されることとなる。
る。この実施例によれば、スライス工程（Ｓ６０１）、
面取り工程（Ｓ６０２）の後ラップ工程（Ｓ６０３）を
介してＣＣＲ工程（Ｓ６０４）を実施する。また、所望
によりＰＣＲ工程（Ｓ６０５）を経て、両面研磨工程
（Ｓ６０６）を実施する。よって、エッチング工程は実
施しない。その後、ドナー消去のための熱処理を行い
（Ｓ６０７）、所望により裏面にサンドブラスト等のゲ
ッタリング処理を行う（Ｓ６０８）。そして、このシリ
コンウェーハについて仕上げ研磨工程（Ｓ６０９）を施
す。さらに、洗浄（Ｓ６１０）を経て所望のシリコンウ
ェーハが作製されることとなる。
【００２１】図７にはこれらの実施例での平坦度を従来
例の場合と比較したものである。比較は同一サイズのシ
リコンウェーハを同一のスライス・面取り工程を経て作
製し、各条件を経て同一条件で測定したものである。Ｔ
ＴＶの測定は公知のＡＤＥで行ったものである。この結
果、従来のエッチングを含むプロセスに比較して本実施
例の場合が表面平坦度は向上していることが明らかであ
る。
例の場合と比較したものである。比較は同一サイズのシ
リコンウェーハを同一のスライス・面取り工程を経て作
製し、各条件を経て同一条件で測定したものである。Ｔ
ＴＶの測定は公知のＡＤＥで行ったものである。この結
果、従来のエッチングを含むプロセスに比較して本実施
例の場合が表面平坦度は向上していることが明らかであ
る。
【００２２】
【発明の効果】この発明によれば、ウェーハ製造プロセ
スをエッチングレスとしてエッチング液の消費を低減す
ることができる。また、得られる半導体ウェーハの平坦
度を十分に高めることもできる。また、その研磨量を低
減することができる。
スをエッチングレスとしてエッチング液の消費を低減す
ることができる。また、得られる半導体ウェーハの平坦
度を十分に高めることもできる。また、その研磨量を低
減することができる。
【図１】この発明の第１実施例に係る半導体ウェーハの
製造方法を示すそのフローチャートである。
製造方法を示すそのフローチャートである。
【図２】この発明の第１実施例に係る半導体ウェーハの
両面研削装置を示す斜視図である。
両面研削装置を示す斜視図である。
【図３】この発明第１実施例に係る両面研削装置を示す
平面図である。
平面図である。
【図４】この発明の第１実施例に係る半導体ウェーハの
片面研削装置を示す斜視図である。
片面研削装置を示す斜視図である。
【図５】この発明の第１実施例に係る片面研削装置を示
す斜視図および断面である。
す斜視図および断面である。
【図６】この発明の第２実施例に係る半導体ウェーハの
製造方法を示すフローチャートである。
製造方法を示すフローチャートである。
【図７】この発明の実施例に係るウェーハ表面の平坦度
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図８】従来の半導体ウェーハの製造方法を説明するた
めの工程図である。
めの工程図である。
ｗｆ シリコンウェーハ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅川 慶一郎 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 加賀谷 修 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 スライス工程、面取り工程、ＣＣＲ工程
を含む半導体ウェーハの製造方法において、 上記ＣＣＲ工程の後の半導体ウェーハの両面を研磨する
両面研磨工程を備えた半導体ウェーハの製造方法。
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