KR100665783B1

KR100665783B1 - 연마방법

Info

Publication number: KR100665783B1
Application number: KR1019990051864A
Authority: KR
Inventors: 가토다다히로; 오시마히사시; 오카베게이이치
Original assignee: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
Priority date: 1998-11-26
Filing date: 1999-11-22
Publication date: 2007-01-09
Also published as: DE69915984T2; EP1004399B1; JP3845215B2; KR20000047690A; JP2000158304A; DE69915984D1; EP1004399A3; EP1004399A2; TW415870B; US6358117B1

Abstract

인피드형의 평면연삭장치를 사용한 평면연삭을 행한 후의 경면연마에 있어서, 종래보다 작은 연마량으로 연삭 흔적을 완전히 제거할 수 있도록 한 평면연삭방법을 제공한다.

서로 독립하여 회전구동하는 서로 대향하는 2개의 원형의 정반을, 한쪽 정반의 측단부가 다른쪽 정반의 회전축의 축심에 일치하도록, 서로 옆쪽으로 어긋나게 하여 대향하여 배치하고, 상기 한쪽 정반의 대향면에는 숫돌을 고정부착하는 동시에, 상기 다른쪽 정반의 대향면에는 웨이퍼를 고정시켜, 상기 2개의 정반을 서로 회전시키고, 또한 적어도 어느 하나의 정반을 상대 방향으로 이동시키면서, 또 하나의 정반에 누르면서 접촉시켜 상기 웨이퍼의 표면을 연삭하는 평면연삭방법에 있어서, 상기 숫돌에 의해 연삭되는 웨이퍼 표면의 전체면에 형성되는 연삭 흔적의 주기가 1.6mm이하가 되도록 제어하여 해당 웨이퍼의 표면을 연삭하도록 하였다.

Description

연마방법{GRINDING AND POLISHING METHOD}

도 1은 인피드형 평면연삭장치의 일례를 나타내는 개략측면설명도,

도 2는 인피드형 평면연삭장치에 의해서, 평면연삭을 행한 웨이퍼의 연삭면에 나타나는 연삭 흔적을 나타내는 도면으로, (a)는 주기가 큰 연삭 흔적 및 (b)는 주기가 작은 연삭 흔적을 각각 나타낸다.

도 3은 평면연삭을 행한 웨이퍼의 연삭면을 연마할 때의 웨이퍼의 연삭면과 연마포와의 접촉상태를 나타내는 설명도로, (a)는 연삭 흔적의 주기가 큰 경우 및 (b)는 연삭 흔적의 주기가 작은 경우를 각각 나타낸다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

12 : 평면연삭장치 14 : 상부 정반

16 : 하부 정반 18 : 상부 정반의 측단부,

20 : 하부 정반의 회전축 20a : 축심,

22 : 숫돌 24 : 상부 정반의 회전축

26 : 연삭 흔적 30 : 연마포

W : 웨이퍼

본 발명은, 연마방법, 특히 인피드형의 평면연삭장치에 의한 반도체 실리콘웨이퍼 등의 박판(이하 간단히 웨이퍼라고 하는 경우도 있음)의 평면연삭방법 및 경면연마방법에 관한 것이다.

반도체 실리콘웨이퍼의 가공방법으로서, 종래로부터, 슬라이스된 웨이퍼의 바깥둘레부를 모떼기한 후, 랩, 에칭을 행하고, 그 후 표면을 경면 연마하는 것이 행하여지고 있었다.

그런데, 에칭공정에서는 랩에 의한 가공의 비뚤어짐을 제거하기 위해서, 통상 양면에서 연삭 여유 40㎛ 정도의 에칭을 행하고 있지만, 이 에칭에 의해 웨이퍼의 평탄도가 악화되기 때문에, 경면연마후의 최종적인 웨이퍼의 평탄도를 저하시키는 요인이 되고 있었다.

그래서, 근래 랩의 대체로서, 혹은 평탄도를 수정하기 위해 에칭공정후에 평면연삭을 행하도록 되어 있다. 평면연삭으로는 랩과 같이 깊은 가공의 비뚤어짐이 생기지 않기 때문에 평면연삭후, 에칭없이 혹은 매우 얕은 에칭(양면 제거량4-5㎛)을 하는 것만으로 연마가 가능하므로 종래와 비교하여 웨이퍼의 평탄도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

또한, 반도체 실리콘웨이퍼 등의 원형의 박판을 평면연삭하는 경우, 최근에는, 도 1에 나타낸 바와 같은 인피드형의 평면연삭장치(12)가 사용되고 있다. 이 평면연삭장치(12)는, 후술하지만, 서로 독립하여 회전구동하는 상하 2개의 원형의 정반(14,16)을, 상부 정반(14)의 측단부(18)가 하부 정반(16)의 회전축(20)의 축심(20a)에 일치하도록, 서로 옆쪽으로 어긋나게 하여 상하에 대향시켜 배치하고, 상기 상부 정반(14)의 아랫면에는 숫돌(22)을 고정부착하는 동시에, 상기 하부 정반(16)의 윗면에는 웨이퍼(W)를 고정시켜, 상기 상하 정반(14,16)을 서로 회전시키고, 또, 적어도 한쪽 정반을 수직방향으로 이동시키면서, 다른쪽 정반에 누르면서 접촉시켜 상기 웨이퍼(W)의 표면을 연삭하도록 되어 있다.

그런데, 상기와 같은 인피드형의 평면연삭장치(12)를 사용하는 경우, 일반적으로 상부 정반의 회전축(24)과 하부 정반의 회전축(20)과의 사이에는, 약간의 평행도 오차가 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 표면의 숫돌(22)의 궤적으로서 위쪽 반 또는 아래쪽 반의 궤적만이, 도 2에 나타낸 바와 같이, 요철의 연삭 흔적(26)으로서 일정한 주기(e)를 가지며 웨이퍼(W)의 연삭면에 나타난다. 이 연삭 흔적(26)의 주기(e)는 연삭조건에 따라 변동하여, 커지거나(도 2a), 작아지거나 한다(도 2b).

이 연삭 흔적(26)은 그 후의 통상 연삭 여유 10㎛의 경면연마로는 제거할 수 없고, 완전히 제거하기 위해서는 20∼30㎛ 연마하지 않으면 안된다고 하는 문제가 있었다.

또 종래에는, 랩을 할 때에, 국소적으로 깊은 피트가 생기고, 이 피트는 에칭으로도 제거할 수 없어 1O㎛ 정도의 연마가 필요하였다. 또, 1O㎛ 이상의 연마를 행하는 것은, 종래에 비하여 연마공정의 생산성을 저하시킬 뿐만 아니라, 평탄도도 악화되기 때문에, 연마량의 증가는 반드시 피하지 않으면 안된다.

본 발명자들은 인피드형 평면연삭장치를 사용하여 평면연삭할 때에 웨이퍼표면에 잔류하는 연삭 흔적을 연마량 1O㎛이하로 제거 가능하도록 하는 평면연삭방법에 대하여 여러가지 검토를 거듭한 결과, 연삭 흔적의 주기와 연삭 흔적을 제거하기 위한 연마량과의 사이에 상관관계가 있다는 지견을 얻어, 더욱 검토를 진행시킨 바, 연삭 흔적의 주기를 소정치 이하로 하면 웨이퍼의 지름에 관계없이 연마량을 10㎛이하로 할 수 있는 것을 발견하여 본 발명을 완성하였다.

본 발명은, 인피드형 평면연삭장치를 사용한 평면연삭을 행한 후의 경면연마에 있어서, 종래보다도 적은 연마량으로 연삭 흔적을 완전히 제거할 수 있도록 한 평면연삭방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 평면연삭방법은, 서로 독립하여 회전구동하는 서로 대향하는 2개의 원형의 정반을, 한쪽 정반의 측단부가 다른쪽 정반의 회전축의 축심에 일치하도록, 서로 옆쪽으로 어긋나게 하여 대향하여 배치하고, 상기 한쪽 정반의 대향면에는 숫돌을 고정부착하는 동시에, 상기 다른쪽 정반의 대향면에는 웨이퍼를 고정시켜, 상기 2개의 정반을 서로 회전시키고, 또한, 적어도 어느 하나의 정반을 서로 대향하는 방향으로 이동시키면서, 또 하나의 정반에 누르면서 접촉시켜 상기 웨이퍼의 표면을 연삭하는 평면연삭방법에 있어서, 상기 숫돌에 의해서 연삭되는 웨이퍼표면의 전체면에 형성되는 연삭 흔적의 주기가 1.6mm 이하가 되도록 제어하여 해당 웨이퍼의 표면을 연삭하는 것을 특징으로 한다.

그리고, 상기한 한쪽 정반의 대향면에 고정부착되는 숫돌로서는 약간 탄력성이 있는 레지노이드 숫돌이 바람직하다. 이 숫돌의 번호로는, #2000이상의 미세한 입자도인 것이 적합하다.

또한, 상기한 연삭 흔적을 1.6mm이하로 제어하는 방법으로서는, 스파크 아웃일 때의 웨이퍼의 회전수를 조정함으로써 행할 수도 있고, 혹은 이스케이프일 때의 웨이퍼의 회전수 및 복귀 속도를 조정함으로써 행할 수도 있다.

또한, 상기 연삭 흔적의 주기의 제어를 이스케이프일 때의 숫돌이 웨이퍼로부터 떨어지기 직전에 적어도 웨이퍼가 1회전하는 동안의 웨이퍼회전수를 조정함으로써 행하는 것도 가능하다.

본 발명의 웨이퍼의 경면연마방법은, 상기한 평면연삭방법에 의해서 평면연삭된 웨이퍼에 대하여 경면연마처리를 실시하는 것을 특징으로 한다. 이 웨이퍼의 경면연마방법에 의해서, 종래보다 적은 연마량으로 연마흔적을 완전히 제거한 경면연마된 웨이퍼를 얻을 수 있다.

상기한 바와 같이 연삭 흔적의 주기에 의해 연마에 차이가 생기는 이유로서는, 연삭 흔적의 주기가 큰 경우, 도 3(a)에 나타낸 바와 같이, 연마포(30)가 웨이 퍼(W)의 연삭 흔적(26)의 요철을 따라 접촉하기 때문에, 쉽게 요철이 해소되지 않는다고 생각되고, 반대로 이 주기가 짧아지면, 도 3(b)에 나타낸 바와 같이 오목부에 비해서 볼록부에 의해 강하게 접촉하게 되기 때문에, 요철이 해소되기 쉬워진다고 생각된다. 이러한 메커니즘에 의해 웨이퍼의 지름에 관계없게 특정한 주기 이하로 제어하면 연마량을 줄이는 것이 가능하다.

또, 이 흔적의 주기의 값은 2πr/(숫돌회전수/웨이퍼 회전수)(r은 웨이퍼의 반경이다)로 나타낸다. 따라서, 흔적의 주기를 1.6mm 이하로 제어하는 것은, 숫돌회전수 또는 웨이퍼회전수를 조정함으로써 행할 수 있다.

그러나, 숫돌은 비교적 고속회전으로, 이것을 조정하는 것은 기계적으로 보아 매우 어렵기 때문에, 웨이퍼의 회전수로 조정하는 것이 바람직하다.

또한, 탄성이 있는 숫돌을 사용한 경우 이스케이프일 때의 복귀 속도를 느리게 하면(예컨대 0.01㎛/sec 이하), 잠시 동안은 웨이퍼에 접촉하고 있기 때문에 스파크 아웃일 때와 동일한 효과를 얻을 수 있다.

여기서 스파크 아웃일 때란 소정량의 연삭을 종료하여 연삭 숫돌의 이송을 정지한 시점에서 아직, 숫돌도 웨이퍼도 회전하고 있는 상태일 때를 의미하고, 이스케이프일 때란 스파크 아웃의 상태로부터 연삭 숫돌을 웨이퍼로부터 떨어진 방향으로 이동시킬 때를 의미한다.

(발명의 실시형태)

이하, 본 발명방법에 사용되는 인피드형의 평면연삭장치의 일례를 도 1에 기초하여 설명한다. 도 1은 인피드형 평면연삭장치의 일례를 나타내는 개략측면설명 도이다.

도 1에 있어서, 참조번호(12)는 인피드형의 평면연삭장치로, 서로 독립하여 회전구동하는 서로 대향하는 2개의 원형의 정반(14,16)을 가지고 있다. 이들 2개의 원형의 정반(14,16)을 서로 대향시켜 배치하면, 그 마주보는 방향은 상하, 좌우, 기타 경사진 방향 등 어느 쪽의 방향이라도 좋지만, 도 1에는 상하방향으로 서로 대향하여 배치한 예를 나타내고 있으므로, 이하의 설명에 있어서는, 마주보는 2개의 원형의 정반(14,16)은, 각각 상부 정반(14)및 하부 정반(16)으로서 설명한다.

이 상하 정반(14,16)은, 상하방향으로 서로 대향하여 배치되어 있는데, 상부 정반(14)의 측단부(18)가 하부 정반(16)의 회전축(20)의 축심(20a)에 일치하도록, 서로 옆쪽으로 어긋나 있다.

이 상부 정반(14)의 아랫면에는 숫돌(22)이 고정부착되어 있다. 이 하부 정반(16)의 윗면에는 웨이퍼(W)를 흡착고정할 수 있는 진공흡착기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 연삭되는 웨이퍼(W)는 하부 정반(16)의 윗면에 이 진공흡착기구에 의해서 흡착고정된다. (24)는 해당 상부 정반(14)의 회전축이다.

상기한 상하의 정반(14,16)을 회전시키고, 또한, 적어도 한쪽 정반을 수직방향으로 이동시키면서, 다른쪽의 정반에 누르면서 접촉시켜 하부 정반(16)의 윗면에 고정된 웨이퍼(W)의 표면을 연삭한다.

또, 숫돌(22)로서는, 레지노이드 숫돌이 적합하다. 레지노이드 숫돌은, 약간의 탄력성을 구비하고 있으며, 연삭시에는 그 압력에 의해 숫돌 자체가 약간 수축하게 되어 있어, 양호한 연삭이 행하여진다.

또한, 연삭시에 있어서의 연삭 손상을 적게 하기 위해서, 이 숫돌(22)의 번호로서는, #2000이상의 미세한 입자도의 숫돌을 사용하는 것이 적합하다.

본 발명의 평면연삭방법은, 반도체실리콘웨이퍼의 가공에 적절하게 사용되는데, 그 경우의 가공공정은, 예를 들면, 슬라이스공정, 모떼기공정, 랩공정, 에칭공정, 한쪽면 평면연삭공정(본 발명의 평면연삭방법을 적용),양면 경면연마공정, 한쪽면 마무리 경면연마공정의 순서로 행하여진다. 또한, 평면연삭공정 후에, 웨이퍼의 형상을 무너뜨리지 않는 정도의 에칭을 행하여도 좋고, 경면 모떼기를 행하여도 좋은 것은 물론이다.

상기한 평면연삭장치(12)를 사용하여 연삭하는 순서는 이하와 같다.

(1) 상하 정반(14,16)을 서로 떨어뜨린 상태로 하부 정반(16)에 웨이퍼(W)를 진공흡착으로 고정한다.

(2) 상부 정반(14)을 회전시키면서 서서히 하강시켜 웨이퍼(W)를 연삭한다. 이 때, 웨이퍼(W)도 동시에 회전시켜 둔다. 여기서, 예를 들면, 숫돌(22)의 회전수는 4800rpm, 웨이퍼(W)의 회전수는 20rpm, 숫돌(22)의 하강속도(이송 속도)는 0.3㎛/sec 정도로 설정된다.

(3) 웨이퍼(W)를 10㎛로 깎았을 때 숫돌(22)의 하강을 정지한다. 숫돌(22)과 웨이퍼(W)의 회전은 그대로 속행한다. 이 상태를 스파크 아웃이라고 한다.

(4) 숫돌(22)을 서서히 상승시킨다. 이것을 이스케이프라고 한다.

(5) 숫돌(22)이 원래의 위치까지 상승하였을 때 정지시키고, 동시에 숫돌(22)의 회전 및 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킨다.

(6)웨이퍼(W)의 진공흡착을 해제하여 웨이퍼(W)를 꺼낸다.

(실험예)

이하, 본 발명의 실험예를 들어 설명하는데, 본 발명이 이들 실험예에 한정되어 해석되는 것이 아님은 물론이다.

(실험예 1)

직경이 6", 8" 및 12"의 에칭이 끝난 웨이퍼에 대하여 스파크 아웃으로부터 이스케이프일 때의 웨이퍼회전수를 20(통상조건), 18, 16, 14, 12, 10, 8, 6 rpm으로 한 조건으로 각각 3매씩을 상기한 평면연삭장치(12)를 사용하여 평면연삭가공[숫돌의 회전수:4800rpm, 숫돌의 하강속도(이송속도) : 0.3㎛/sec, 숫돌의 재질: 디스코사제(製) 레진 #2000, 연삭량: 10㎛〕을 행한 후, 양면연마기로써, 20㎛(양면)의 연마를 행하였다.

상기 양면연마기에 의한 양면연마처리에 있어서는 연마포로서 SUBA-600(로델닛터사제)을 사용하고, 연마제는 AJ-1325(닛산화학사제)를 사용하였다.

또, 평면연삭후에 웨이퍼의 바깥둘레부 표면에 잔류하는 연삭 흔적의 주기는 다음 식(1)으로 나타낸다.

[식 1]

흔적 주기 = 2πr/(숫돌회전수/웨이퍼회전수) …(1)

상기 식(1)에 있어서, r은 웨이퍼의 반경이다.

상기한 양면연마를 행한 각 웨이퍼에 대하여 마경관찰에 의해 흔적의 유무를 조사하여, 결과를 표 1에 나타낸다.

직경	150mm		200mm		300mm
스파크 아웃일 때의 회전수(rpm)	흔적 주기(mm)	연마량 20㎛	흔적 주기(mm)	연마량 20㎛	흔적 주기(mm)	연마량 20㎛
20	1.96	×	2.62	×	3.93	×
18	1.77	×	2.36	×	3.53	×
16	1.57	o	2.09	×	3.14	×
14	1.37	o	1.83	×	2.75	×
12	1.18	o	1.57	o	2.36	×
10	0.98	o	1.31	o	1.96	×
8	0.79	o	1.05	o	1.57	o
6	0.59	o	0.79	o	1.18	o

표 1에 있어서, 연마량 20㎛ 란의 o는 연삭 흔적의 잔류 없음, ×는 연삭 흔적의 잔류 있음을 나타낸다.

표 1의 결과로부터, 웨이퍼의 직경에 관계없이, 연삭 흔적의 주기를 1.6mm 이하로 했을 때에는 모든 웨이퍼에 대하여 양면 20㎛(한쪽 면 10㎛)의 연마로 연삭 흔적을 제거할 수 있는 것을 알았다.

(실험예 2)

또한, 스파크 아웃일 때의 웨이퍼회전수를 20rpm인채로 이스케이프일 때의 웨이퍼의 회전수를 상기와 같이 변화시켜 완전히 동일한 실험을 행하였다. 또, 이스케이프일 때의 숫돌의 상승속도(복귀 속도)는 저속(O.O1㎛/sec)과 고속(0.3㎛/sec)의 2가지로 행하였다.

그 결과, 숫돌의 상승 속도(복귀 속도)를 저속으로 한 경우에는, 상기 스파크 아웃일 때의 웨이퍼회전수를 바꾼 실험과 동일한 결과를 얻을 수 있었으나, 숫돌의 상승 속도(복귀 속도)를 고속으로 한 경우에는, 모든 웨이퍼에 연삭 흔적이 잔류하였다.

이 이유로서는, 사용한 숫돌이 레지노이드 숫돌(레진 #2000)이기 때문에, 그 탄성에 의해 연삭중에 약간 숫돌 자체가 압축된 상태로 되어 있어, 이스케이프일 때에 숫돌의 상승 속도(복귀 속도)가 늦은 경우에는, 잠시동안은 웨이퍼에 접촉하고 있기 때문에, 그 때의 웨이퍼회전수에 의한 주기로 연삭 흔적이 형성된다.

이 경우, 숫돌의 상승 속도(복귀 속도)는, 적어도, 웨이퍼가 1회전하는 동안, 숫돌과 웨이퍼가 접촉하고 있을 정도의 저속도로 할 필요가 있고, 숫돌의 탄성에 의해 그 속도는 변한다고 생각된다. 탄성이 큰 숫돌을 사용하면 비교적 빠른 상승 속도(복귀 속도)에서도 이스케이프일 때의 웨이퍼의 회전수에 의한 주기로 연삭 흔적이 형성되지만, 단단한 숫돌을 사용한 경우에는, 꽤 저속으로 하여도 스파크 아웃일 때의 웨이퍼 회전수에 의한 연삭 흔적이 잔류한다고 생각된다.

또한, 숫돌의 상승 속도(복귀 속도)가 빠른 경우에는, 바로 숫돌이 웨이퍼에서 떨어지기 때문에, 스파크 아웃일 때의 흔적이 그대로 웨이퍼에 잔류한다고 생각된다.

이상 서술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 인피드형 평면연삭장치를 사용하는 평면연삭에 있어서, 웨이퍼의 바깥둘레부의 연삭 흔적의 주기를 소정치 이하로 함으로써, 종래보다도 적은 연마량으로 웨이퍼표면의 연삭 흔적을 완전히 제거할 수 있고, 그로 인해 생산성 및 웨이퍼의 평탄도의 향상이 가능해진다고 하는 큰 효 과를 달성할 수 있다.

Claims

서로 독립하여 회전구동하는 서로 대향하는 2개의 원형의 정반을, 한쪽 정반의 측단부가 다른쪽 정반의 회전축의 축심에 일치하도록, 서로 옆쪽으로 어긋나게 하여 대향시켜 배치하고, 상기 한쪽 정반의 대향면에는 숫돌을 고정부착하는 동시에, 상기 다른쪽의 정반의 대향면에는 웨이퍼를 고정시켜, 상기 2개의 정반을 서로 회전시키고, 또한, 적어도 어느 하나의 정반을 서로 대향하는 방향으로 이동시키면서, 또 하나의 정반에 누르면서 접촉시켜 상기 웨이퍼의 표면을 연삭하고, 상기 연삭된 웨이퍼에 대하여 경면연마처리를 실시하는 웨이퍼의 연마방법에 있어서, 상기 숫돌에 의해서 연삭되는 웨이퍼표면의 전체면에 형성되는 연삭흔적의 주기가 1.6mm 이하가 되도록 제어하여 해당 웨이퍼의 표면을 연삭하고, 상기 연삭된 웨이퍼의 표면을 10㎛ 이하의 연마량으로 경면연마하여 상기 연삭흔적을 제거하는 웨이퍼의 연마방법으로서, 상기 연삭 흔적의 주기의 제어를 스파크 아웃일 때의 웨이퍼의 회전수를 조정함으로써 행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마방법.
제 1 항에 있어서, 상기 숫돌이 레지노이드 숫돌인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마방법.
제 1 항에 있어서, 상기 숫돌의 번호가 #2000이상의 미세한 입자도인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마방법.
제 2 항에 있어서, 상기 숫돌의 번호가 #2000이상의 미세한 입자도인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마방법.
서로 독립하여 회전구동하는 서로 대향하는 2개의 원형의 정반을, 한쪽 정반의 측단부가 다른쪽 정반의 회전축의 축심에 일치하도록, 서로 옆쪽으로 어긋나게 하여 대향시켜 배치하고, 상기 한쪽 정반의 대향면에는 숫돌을 고정부착하는 동시에, 상기 다른쪽의 정반의 대향면에는 웨이퍼를 고정시켜, 상기 2개의 정반을 서로 회전시키고, 또한, 적어도 어느 하나의 정반을 서로 대향하는 방향으로 이동시키면서, 또 하나의 정반에 누르면서 접촉시켜 상기 웨이퍼의 표면을 연삭하고, 상기 연삭된 웨이퍼에 대하여 경면연마처리를 실시하는 웨이퍼의 연마방법에 있어서, 상기 숫돌에 의해서 연삭되는 웨이퍼표면의 전체면에 형성되는 연삭흔적의 주기가 1.6mm 이하가 되도록 제어하여 해당 웨이퍼의 표면을 연삭하고, 상기 연삭된 웨이퍼의 표면을 10㎛ 이하의 연마량으로 경면연마하여 상기 연삭흔적을 제거하는 웨이퍼의 연마방법으로서, 상기 연삭 흔적의 주기의 제어를 이스케이프일 때의 웨이퍼회전수 및 복귀 속도를 조정함으로써 행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마방법.
제 5 항에 있어서, 상기 연삭 흔적의 주기의 제어를 이스케이프일 때의 숫돌이 웨이퍼로부터 떨어지기 직전에 적어도 웨이퍼가 1회전하는 동안의 웨이퍼회전수를 조정함으로써 행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마방법.
제 5 항에 있어서, 상기 숫돌이 레지노이드 숫돌인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마방법.
제 5 항에 있어서, 상기 숫돌의 번호가 #2000이상의 미세한 입자도인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마방법.
제 7 항에 있어서, 상기 숫돌의 번호가 #2000이상의 미세한 입자도인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마방법.