JP4224871B2

JP4224871B2 - 半導体基板の製造方法

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Publication number: JP4224871B2
Application number: JP16089998A
Authority: JP
Inventors: 真一冨田
Original assignee: Sumco Corp
Current assignee: Sumco Corp
Priority date: 1998-06-09
Filing date: 1998-06-09
Publication date: 2009-02-18
Anticipated expiration: 2018-06-09
Also published as: JPH11348031A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体デバイスの素材として使用される半導体基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの素材として使用される半導体基板は、ＣＺ法又はＦＺ法によりシリコン単結晶のインゴットを育成し、そのインゴットからウエーハを切り出すことにより製造される。この製造方法は、例えば精密機械５１／７／１９８５「シリコン結晶とウエハ加工」に説明されている。インゴットから製品ウエーハを得る工程の詳細は以下の通りである。
【０００３】
ＣＺ法又はＦＺ法により育成されたシリコン単結晶のインゴットは、図７（ａ）に示すように、複数のブロック１，１・・に切断される。各ブロック１は、図７（ｂ）に示すように、外面研削により直径が一定のブロック２に丸め加工される。場合によっては、丸め加工をした後に各ブロックに切断することもある。丸め加工に使用される外面研削機としては、ダイヤモンドカップホイールグラインダが一般的であり、円筒３次元研削盤として市販されている。
【０００４】
丸め加工が終わると、Ｘ線でブロック２の結晶方位を確認し、その外周面の周方向一部に、結晶方位を示すオリエンテーションフラット（以下オリフラという）又はノッチを全長にわたって加工する。この加工を受けたブロック２は、図７（ｃ）に示すように、内周刃又はワイヤソーにより多数枚のウエーハ３，３・・・にスライスされる。
【０００５】
各ウエーハ３に対しては、まず、図７（ｄ）に示すように、周縁部の欠けやチップ防止を目的として、面取り加工を施す。次いで、ウエーハ３の厚みを均一にするために、ラッピングを行う。ラッピングとは、定盤と被加工物の間に砥液を注入し、定盤の回転による砥液の移動や引き掻き作用で被加工物の表面を研磨する加工である。
【０００６】
ラッピングが終わると、図７（ｅ）に示すように、エッチングによりウエーハ３の表面全体を溶解する。エッチングの目的は、これまでの機械加工により形成された加工歪層４の除去や表面粗さの低減、平坦化等にある。エッチング液としては、フッ酸と硝酸の混合液に減速剤として酢酸を加えた酸性液が多用されているが、ＫＯＨやＮａＯＨなどに界面活性剤を添加したアルカリ液も一部では使用されている。
【０００７】
エッチングが終わると、図には示されていないが、ゲッタリングのために裏面にサンドブラストで加工歪付けを行い、６５０℃でドナキラー処理を行う。現在では、裏面の加工歪はデバイス工程で発塵源となるため、裏面にポリシリコン膜を形成する場合もある。また、ＩＧを目的として６５０℃前後の温度で酸素析出核を成長させる場合もある。更に、後述するエピ成長時のオートドープ防止を目的として、裏面にＣＶＤで酸化膜を形成する場合もある。
【０００８】
そして最後に、表面研磨を行うことにより、鏡面をもつシリコンウエーハが得られる。この表面研磨は、従来は片面のみに行われていたが、高精度の要求により両面に行う場合も増加している。高精度化のために、表面研磨の前に高精度で低ダメージの表面研削を行う場合もある。また、デバイス工程での発塵、欠けなどを低減するために、表面研磨の前に面取り面を鏡面に研磨することもある。
【０００９】
更に、上記工程の外にも、シリコンウエーハのデバイス形成層である表層の結晶品質を改善することを目的として、高温での熱処理やエピ層の成長を行う場合がある。なお、洗浄は適宜行われる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の半導体基板の製造方法では、インゴットから製品ウエーハを得るのに多くの工程が必要である。主なものだけでも、インゴットの切断によるブロック１の採取、外面研削による定径ブロック２への丸め加工、結晶方位を表すオリフラ又はノッチの加工、スライスによるウエーハ３の採取、ウエーハ周縁部の面取り加工、ウエーハ厚を均一にするためのラッピング、加工歪層を除去するためのエッチング、表面研磨による鏡面加工などがある。
【００１１】
これらの加工のなかでも、例えばウエーハ周縁部の面取りは、ブロック２から切り出された多数枚のウエーハ３，３・・のそれぞれに実施されるために、能率が低く、能率を上げるためには多数の加工機を必要とする。加工歪層を除去するためのエッチングも、多数枚のウエーハ３，３・・のそれぞれに実施される。
【００１２】
このような事情のため、インゴットから製品ウエーハを得るための設備投資に必要な額は現状でも膨大であり、現状より大径の基板を製造したり、デバイスの高集積化に伴う高平坦度化や、裏面・外周面の鏡面化の要求に応えるためには、その額は更に膨らむことが予想され、これによる製造コストの増大が大きな問題として懸念される。
【００１３】
本発明の目的は、従来より低コストで高品質の半導体基板を製造できる半導体基板の製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の本発明は、単結晶インゴットから単結晶ウエーハを切り出す前に、単結晶インゴットの外周面に、周方向に連続する複数の環状凸部を軸方向に所定の間隔で形成する外面加工工程と、この外面加工工程によって単結晶インゴットの外周面表層部に生じた加工歪層を除去する外面仕上げ工程と、この外面仕上げ工程の後に、単結晶インゴットの外周面に保護膜を形成する膜付け工程と、この膜付け工程より後に、単結晶インゴットを隣接する２つの環状凸部の間で切断して単結晶インゴットから複数枚の単結晶ウエーハを切り出すスライス工程とを包含することを特徴とする半導体基板の製造方法である。
【００１５】
請求項２に記載の本発明は、単結晶インゴットから単結晶ウエーハを切り出す前に、単結晶インゴットの外周面に、周方向に連続する複数の環状凸部を軸方向に所定の間隔で形成する外面加工工程と、この外面加工工程によって単結晶インゴットの外周面表層部に生じた加工歪層を除去し、該加工歪層を除去した後に単結晶インゴットの外周面を鏡面に加工する外面仕上げ工程と、この外面仕上げ工程の後に、単結晶インゴットの外周面に保護膜を形成する膜付け工程と、この膜付け工程より後に、単結晶インゴットを隣接する２つの環状凸部の間で切断して単結晶インゴットから複数枚の単結晶ウエーハを切り出すスライス工程とを包含することを特徴とする半導体基板の製造方法である。
【００１６】
請求項３に記載の本発明は、前記スライス工程の後に、単結晶ウエーハを製品に仕上げるウエーハ仕上げ工程を包含することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体基板の製造方法である。
【００１７】
請求項４に記載の本発明は、前記ウエーハ仕上げ工程では、ウエーハの外周面に保護膜を残した状態でウエーハの表面を加工することを特徴とする請求項３に記載の半導体基板の製造方法である。
【００１８】
本発明の半導体基板の製造方法では、外面加工の前に、インゴット外周面の周方向一部に結晶方位を表す加工を軸方向の全長にわたって実施することができる。その場合、インゴットの外周面に形成される環状凸部は、全周に連続するものとはならない。周方向に連続する環状凸部とは、全周にわたって切れ目なく連続するものを意味せず、周方向の一部で分断されているものを含む。
【００１９】
環状凸部は、面取り加工を受けた単結晶ウエーハの周縁部形状に対応する形状とすることができる。
【００２０】
外面加工は、エッチング等の化学的なものでもよいが、効率の点からはインゴットの外周面を研削する機械加工が好ましい。
【００２１】
外面加工では、丸め加工、凹凸加工及び面取り加工を同時に行うことができる。これにより、工程の簡素化が図られる。
【００２２】
外面加工の後には、当該加工によって単結晶インゴットの外周面表層部に生じた加工歪層を除去するための外面仕上げを実施することができる。この外面仕上げとしては、例えばエッチングを用いることができる。この外面仕上げでは、加工歪層を除去した後に、単結晶インゴットの外周面を鏡面に加工することができる。
【００２３】
外面加工の後には又、単結晶インゴットの外周面に保護膜を形成する膜付けを実施する。外面仕上げを実施する場合は、外面仕上げの後に膜付けを実施する。この膜付けにより、後のスライスではウエーハの周縁部が保護される。保護膜としては、ＣＶＤで形成された酸化膜等の他に、熱酸化膜、樹脂の塗布膜等を挙げることができる。
【００２４】
スライスの後には、単結晶ウエーハを製品に仕上げるウエーハ仕上げ加工を実施することができる。ここにおけるウエーハ仕上げ加工としては、ラッピング又は平面研削を挙げることができる。これによりウエーハ表面が平坦化され、ウエーハ厚が均一化される。ラッピング又は平面研削の後には研磨を行うことができる。この研磨により、ウエーハ表面の加工歪層が除去される。また、その表面が鏡面に仕上げられる。研磨の後には、平坦度を良くするために、月刊ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ１９９４．４「ＳＯＩウエーハ加工技術」に記載されているようなプラズマエッチングを行うことができる。これらのウエーハ仕上げ加工では、ウエーハの外周面に保護膜を残すことにより、周縁部が保護される。
【００２５】
本発明の半導体基板の製造方法では、単結晶インゴットから単結晶ウエーハを切り出す前の外面加工工程で、面取り加工を受けた単結晶ウエーハを複数枚重ね合わせて一体化したような特殊形状の単結晶インゴットが製造される。
【００２６】
このような特殊形状の単結晶インゴットを製造すれば、第１に、ウエーハ周縁部の面取り加工がインゴットの状態で一括して効率的に実施され、手数のかかるウエーハ状態での面取り加工が不要となる。第２に、加工歪層を除去するためのエッチングもインゴットの状態で一括して効率的に実施され、手数のかかるウエーハ状態でのエッチングが不要になる。第３に、インゴットを定径化するための丸め加工も不要になる。第４に、ウエーハの外周面を鏡面加工する場合も、その加工がインゴットの状態で効率的に実施される。第５に、ウエーハの周縁部を保護膜で保護する場合も、その膜付けがインゴットの状態で一括して効率的に実施される。
【００２７】
そして膜付けは、スライスでウエーハの周縁部を保護するだけでなく、その後のラッピングや平面研削等でもウエーハの周縁部を効果的に保護する。
【００２８】
これらにより、高品質の半導体基板が低コストで製造される。
【００２９】
また、本発明の半導体基板の製造方法において使用される外面加工装置としては、単結晶インゴットを支持して周方向に回転させる手段と、周方向に回転する単結晶インゴットの回転中心線に平行に設けられ、溝付きの外周面を当該単結晶インゴットの外周面に押し付けることにより、単結晶インゴットの外周面に周方向に連続する環状凸部を形成する研削ロールとを具備する外面研削装置が挙げられる。この装置により丸め加工、凹凸加工及び面取り加工を効率的な機械加工により同時に実施でき、上述した特殊形状の単結晶インゴットを経済的に製造できる。
【００３０】
研削ロールは、複数の環状凸部を同時に形成するために、その外周面に複数の溝を軸方向に連設した構成が好ましい。
【００３１】
また、本発明の半導体基板の製造方法において使用される別の外面加工装置としては、外周面に周方向に連続する環状凸部を形成された単結晶インゴットを支持して周方向に回転させる手段と、周方向に回転する単結晶インゴットの回転中心線に平行に設けられ、当該単結晶インゴットの外周面に押し付けられることにより、環状凸部の表面を研磨するロール状の研磨パッドとを具備する外面研磨装置が挙げられる。この装置により環状凸部の鏡面加工をメカノケミカル加工により効率的に実施できる。
【００３２】
また、本発明の半導体基板の製造方法により得られる単結晶インゴットは、軸方向に所定の間隔で並列し、それぞれが周方向に連続する複数の環状凸部を外周面に有する特殊形状のインゴットであり、このインゴットからウエーハを切り出すことにより、面取り加工やエッチングを必要としないウエーハを提供できる。
【００３３】
ここにおける環状凸部も、面取り加工を受けた単結晶ウエーハの周縁部形状に対応する形状とすることができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００３５】
図１は本発明の実施形態に係る半導体基板の製造方法の工程図、図２は同製造方法に使用される外面加工装置（外面研削装置）の正面図、図３はノッチ部の加工が可能な外面加工装置（外面研削装置）の正面図、図４は同外面加工装置によるノッチ部の加工を示す側面図、図５は同製造方法に使用される別の外面加工装置（外面研磨装置）の正面図、図６は他の研削ロールの正面図である。
【００３６】
本発明の実施形態に係る半導体基板の製造方法では、まず、図１（ａ）に示すように、ＣＺ法又はＦＺ法により育成されたシリコン単結晶のインゴット１０が複数のブロック１１，１１・・に切断分離される。
【００３７】
各ブロック１１に対しては、先ず、Ｘ線で結晶方位を確認し、その結晶方位を示すオリフラ又はノッチを外周面の周方向一部に軸方向全長にわたって加工する。オリフラ又はノッチが形成されると、図１（ｂ）に示すように、スライス加工により得られる単結晶ウエーハの所定の結晶方位に対応するよう、ブロック１１の外周面を研削加工することにより、その外周面に周方向に連続する複数の環状凸部１２，１２・・を軸方向に所定の間隔で形成する。
【００３８】
各環状凸部１２は、面取り加工を受けた単結晶ウエーハの周縁部形状に対応する略半円形の断面形状である。環状凸部１２の幅Ｗは、ブロック１１からスライスされたウエーハの厚み、即ちウエーハの最終厚Ｔ＋ウエーハの両面加工代（ｔ１＋ｔ２）に相当し、隣接する環状凸部１２，１２の間に形成される環状溝１３の幅ｗはそのスライス代Ｓに相当する〔図１（ｅ）参照〕。
【００３９】
この外面加工には、例えば図２に示す外面加工装置２０が使用される。図２に示された外面加工装置２０は、ブロック１１を支持して周方向に回転させる手段と、そのブロック１１の外周面に押圧される研削ロール２１とを備えている。研削ロール２１は、所定数の研削ディスク２２，２２・・を軸方向に連結して一体化した構成になっており、その中心軸はブロック１１の回転中心線に平行である。各研削ディスク２２は、環状凸部１２に対応する断面形状の環状溝を外周面に備えた溝付きディスクであり、その外周面はダイヤモンドが蒸着された凹凸研削面になっている。この凹凸研削面は、軸方向に複数形成されていてもよい。
【００４０】
ブロック１１を周方向に回転させ、その外周面に研削液をかけながら、研削ロール２１をその外周面に押し付けることにより、ブロック１１の外周面に所定数の環状凸部１２，１２・・が同時に形成される。所定数の環状凸部１２，１２・・の形成が終わると、一旦、研削ロール２１をブロック１１から離し、ブロック１１を軸方向に移動させ、再び所定数の環状凸部１２，１２・・を形成する。これを繰り返すことにより、ブロック１１の外周面全体に環状凸部１２，１２・・が形成され、面取り加工を受けた単結晶ウエーハを複数枚重ね合わせて一体化したような特殊形状のブロック１４が製造される。
【００４１】
即ち、図２に示す外面加工装置２０によると、定径のための丸め加工、凹凸加工及び面取り加工が同時に行われる。
【００４２】
ブロック１１の外周面にオリフラが形成されている場合は問題ないが、ノッチが形成されている場合は、図２の外面加工装置２０では研削ディスク２２がノッチ部に侵入しないため、ノッチ部に面取り加工を行うことができない。そこで、例えば図３に示す外面加工装置３０を用いてノッチ部に面取りを行う。
【００４３】
図３に示された外面加工装置３０は、特殊形状のブロック１４を支持して周方向に回転させる手段と、そのブロック１４の外周面に押圧される研削ロール３１とを備えている。研削ロール３１は、ノッチ部１５に侵入する小径の研削ディスク３２，３２・・を軸方向に連設した一体構成になっている。研削ロール３１を回転させながらブロック１４の外周面に押し付け、ブロック１４を低速で回転させると、図４に示すように、研削ロール３１の各研削ディスク３２がブロック１４のノッチ部１５を通過し、ノッチ部１５が面取りされる。
【００４４】
ここでは、ノッチ部の形成、外面加工装置２０による環状凸部１２，１２・・の形成、及び外面加工装置３０によるノッチ部の面取りを順に行ったが、当初より外面加工装置３０を使用してノッチ部の形成、環状凸部１２，１２・・の形成、及びノッチ部の面取りを同時に行うこともできる。また、オリフラを形成する場合も外面加工装置３０を用いてオリフラの形成及び環状凸部１２，１２・・の形成を同時に行うこともできる。
【００４５】
環状凸部１２の断面形状は、ここでは半円形状としたが、台形状でもよい。その場合は、図６（ａ）示すような研削ロール２１，３１を使用すればよい。また、隣接する環状凸部１２，１２間に形成される環状溝１３の底面形状は、軸方向でフラットであるが、半円形状でもよい。その場合は、図６（ｂ）示すような研削ロール２１，３１を使用すればよい。
【００４６】
特殊形状のブロック１４が製造されると、図１（ｃ）に示すように、ブロック１４の外周面表層部に存在する加工歪層１６を除去するためにエッチングを行う。エッチング液にはフッ酸と硝酸の混合液、又はＫＯＨやＮａＯＨなどに界面活性剤を添加したアルカリ液を用いる。ブロック１４の外周面が均一にエッチングされるように、ブロック１４を両端面で保持して回転させたり、エッチング液を攪拌することが可能である。
【００４７】
エッチングが終わると、ブロック１４の外周面を、例えば図５に示す外面加工装置４０により鏡面研磨する。外面加工装置４０は、特殊形状のブロック１４を支持して回転させる手段と、そのブロック１４の外周面に押圧されるロール状の研磨パッド４１，４２とを備えている。研磨パッド４１は直胴ロールであるが、研磨パッド４２の外周面には、環状凸部１２に対応する断面形状の環状溝４３，４３・・が設けられている。ブロック１４の外周面に研磨スラリを供給し、研磨パッド４１，４２を回転させながらその外周面に押し付けることにより、研磨パッド４１で環状凸部１２，１２・・の各先端面が、また研磨パッド４２で環状凸部１２，１２・・の各側面がそれぞれ鏡面研磨される。
【００４８】
鏡面研磨によって加工歪層１６の除去が可能であれば、エッチングを省略して直接鏡面研磨を行うことも可能である。
【００４９】
ブロック１４の外周面の鏡面研磨が終わると、図１（ｄ）に示すように、その外周面に保護膜１７を形成する。保護膜１７の形成方法としては、例えばブロック１４の外周面に樹脂を塗布したり、ＯＣＤ（ＳｉＯ₂系被膜形成用塗布液）を塗布して加熱により硬化させる方法がある。
【００５０】
他の形成方法としては、減圧ＣＶＤ炉を用いて例えば７００℃程度で酸化膜や窒化膜を形成する方法がある。この場合、膜形成のための熱処理で酸素析出核の成長を促すことができるので、ＩＧ源の形成が可能となる。また、ブロック１４の外周面に凹凸が形成され、その表面積が大きく、冷却速度が速くなるため、ドナーキラー処理も可能となる。
【００５１】
更に別の形成方法としては、拡散炉を用いて酸化性雰囲気中で例えば８００〜１０００℃程度の熱処理を行うことにより、熱酸化膜を形成する方法がある。この場合も同様に、ＩＧ源の形成やドナーキラー処理が可能となる。
【００５２】
膜形成時もエッチング時と同様にブロック１４を両端面で保持して外周面を保護するようにする。
【００５３】
膜形成が終わると、図１（ｅ）に示すように、結晶面が所定の面になるように、ブロック１４をスライス機にセットし、隣接する環状凸部１２，１２の間でブロック１４を切断することにより、ブロック１４から複数枚のウエーハ１８，１８・・を切り出す。スライス機としてはワイヤソーでも内周刃ソーでもよい。この加工では、ブロック１４の外周面が保護膜１７にて保護されているので、その外周面の損傷や汚れが防止される。切り出されたウエーハ１８は、既に外周面の面取り及び鏡面仕上げを終え、更に仕上げ面が保護膜１７にて保護された状態にある。
【００５４】
各ウエーハ１８に対しては、先ず、スライス面を平坦化しウエーハ厚を均一化するために、外周面に保護膜１７を残した状態で両面にラッピング又は平面研削を行う。両面の平面研削は片面ずつ行っても、両面同時に行ってもよい。また、ラッピングの後に片面又は両面の平面研削を行ってもよい。この加工では、ウエーハ１８の外周面に保護膜１７が残されているので、その外周面の損傷や汚れが防止される。
【００５５】
スライス面の平坦化及びウエーハ厚の均一化が終わると、図１（ｆ）に示すように、表面の加工歪層１９を除去しその表面を鏡面化するために、ウエーハ１８の外周面に保護膜１７を残した状態で両面を研磨する。両面の研磨は片面ずつ行っても、両面同時に行ってもよい。この加工でも、ウエーハ１８の外周面に保護膜１７が残されているので、その外周面の損傷や汚れが防止される。
【００５６】
外周面の損傷や汚れのおそれがない場合や保護膜１７が研磨面に悪影響を及ぼすおそれがある場合は、保護膜１７を除去した後に研磨を行ってもよい。それ以外の場合は、図１（ｇ）に示すように、研磨後に保護膜１７を除去し洗浄を行う。保護膜１７の除去は、その保護膜１７が酸化膜であればＨＦで、エポキシ樹脂であれば溶剤を用いて行う。
【００５７】
以上の工程により、両面が鏡面研磨され且つ外周面の面取り及び鏡面研磨が行われた高品質なウエーハ１８が、従来より僅かの工程数で、しかも周縁部の欠けや汚れを生じることなく製造される。
【００５８】
上記実施形態では、インゴット１１の外周面に環状凸部１２，１２・・を形成することで、定径のための丸め加工、凹凸加工及び面取り加工を同時に行ったが、定径のための丸め加工の後に凹凸加工及び面取り加工を行うことも可能である。また、凹凸加工及び面取り加工は、凹凸加工の後に面取り加工を行うものでもよい。
【００５９】
ウエーハの加工では、適当な工程間に裏面へのＣＶＤ酸化膜形成、ＥＧとしてのポリシリコン膜の形成、表層に無欠陥層を形成するための高温熱処理、平坦度を良くするためのプラズマエッチング処理等を適宜付加することができる。この場合、保護膜が樹脂膜である場合は熱処理前に保護膜を除去するのがよい。研磨後にエピ成長を行うことも可能である。
【００６０】
なお、洗浄は必要な段階で適宜実施される。
【００６１】
【発明の効果】
以上に説明した通り、本発明の半導体基板の製造方法は、インゴットの状態で外周面に複数の環状凸部を形成する加工を行うことにより、多数枚のウエーハに対する面取り加工を極めて簡単に実施することができる。また、インゴットの定径のための丸め加工を省略することができる。更に、多数枚のウエーハに対するエッチングを省略することもできる。これらにより、高品質なウエーハを能率よく低コストで製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体基板の製造方法の工程図である。
【図２】同製造方法に使用される外面加工装置（外面研削装置）の正面図である。
【図３】ノッチ部の加工が可能な外面加工装置（外面研削装置）の正面図である。
【図４】同外面加工装置によるノッチ部の加工を示す側面図である。
【図５】同製造方法に使用される外面加工装置（外面研磨装置）の正面図である。
【図６】他の研削ロールの正面図である。
【図７】従来の半導体基板の製造方法の工程図である。
【符号の説明】
１０単結晶インゴット
１１単結晶インゴットから切り出されたブロック
１２環状凸部
１３隣接する環状凸部間に形成される環状溝
１４環状凸部が形成された特殊形状のブロック
１５ノッチ部
１６外周面の加工歪層
１７保護膜
１８単結晶ウエーハ
１９ウエーハ表面の加工歪層
２０，３０外面加工装置（外面研削装置）
２１３１研削ロール
２２３２研削ディスク
４０外面加工装置（外面研磨装置）
４１，４２研磨パッド

Claims

単結晶インゴットから単結晶ウエーハを切り出す前に、単結晶インゴットの外周面に、周方向に連続する複数の環状凸部を軸方向に所定の間隔で形成する外面加工工程と、この外面加工工程によって単結晶インゴットの外周面表層部に生じた加工歪層を除去する外面仕上げ工程と、この外面仕上げ工程の後に、単結晶インゴットの外周面に保護膜を形成する膜付け工程と、この膜付け工程より後に、単結晶インゴットを隣接する２つの環状凸部の間で切断して単結晶インゴットから複数枚の単結晶ウエーハを切り出すスライス工程とを包含することを特徴とする半導体基板の製造方法。
単結晶インゴットから単結晶ウエーハを切り出す前に、単結晶インゴットの外周面に、周方向に連続する複数の環状凸部を軸方向に所定の間隔で形成する外面加工工程と、この外面加工工程によって単結晶インゴットの外周面表層部に生じた加工歪層を除去し、該加工歪層を除去した後に単結晶インゴットの外周面を鏡面に加工する外面仕上げ工程と、この外面仕上げ工程の後に、単結晶インゴットの外周面に保護膜を形成する膜付け工程と、この膜付け工程より後に、単結晶インゴットを隣接する２つの環状凸部の間で切断して単結晶インゴットから複数枚の単結晶ウエーハを切り出すスライス工程とを包含することを特徴とする半導体基板の製造方法。
前記スライス工程の後に、単結晶ウエーハを製品に仕上げるウエーハ仕上げ工程を包含することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体基板の製造方法。
前記ウエーハ仕上げ工程では、ウエーハの外周面に保護膜を残した状態でウエーハの表面を加工することを特徴とする請求項３に記載の半導体基板の製造方法。