JPH0513388A - 半導体ウエーハの製造方法 - Google Patents
半導体ウエーハの製造方法Info
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- JPH0513388A JPH0513388A JP18559291A JP18559291A JPH0513388A JP H0513388 A JPH0513388 A JP H0513388A JP 18559291 A JP18559291 A JP 18559291A JP 18559291 A JP18559291 A JP 18559291A JP H0513388 A JPH0513388 A JP H0513388A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 チッ化シリコン、ポリシリコン等の蒸着に際
して、ベベル面にデンドライト結晶が生じてしまうこと
がなく、しかもキャリア、操作治具、石英等とベベル面
とが接触しても、Siクズ、SiN、SiO2 等のクズ
が発生してしまうことがないようにした半導体ウェーハ
を容易かつ迅速に製造できるようにした製造方法を提供
する。 【構成】 単結晶半導体棒1から薄片を切離して半導体
ウェーハ2を作り出すスライス工程と、半導体ウェーハ
2のエッジ部にベベル加工を施してベベル面2cを形成
するベベル工程と、半導体ウェーハ2の表裏両面2a,
2bを研磨するラッピング工程と、少なくともベベル面
2cにエッチングを施すエッチング工程と、少なくとベ
ベル面2cを研磨布を用いて鏡面に研磨する鏡面仕上げ
工程とを経ることを特徴とする。
して、ベベル面にデンドライト結晶が生じてしまうこと
がなく、しかもキャリア、操作治具、石英等とベベル面
とが接触しても、Siクズ、SiN、SiO2 等のクズ
が発生してしまうことがないようにした半導体ウェーハ
を容易かつ迅速に製造できるようにした製造方法を提供
する。 【構成】 単結晶半導体棒1から薄片を切離して半導体
ウェーハ2を作り出すスライス工程と、半導体ウェーハ
2のエッジ部にベベル加工を施してベベル面2cを形成
するベベル工程と、半導体ウェーハ2の表裏両面2a,
2bを研磨するラッピング工程と、少なくともベベル面
2cにエッチングを施すエッチング工程と、少なくとベ
ベル面2cを研磨布を用いて鏡面に研磨する鏡面仕上げ
工程とを経ることを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン、サファイヤ
或いはヒ化ガリウム等からなる半導体ウェーハの製造方
法に関する。
或いはヒ化ガリウム等からなる半導体ウェーハの製造方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】LSIなどの大集積回路を製作する材料
である半導体ウェーハの従来における一般的な製造例
を、図1を参照して説明する。
である半導体ウェーハの従来における一般的な製造例
を、図1を参照して説明する。
【0003】即ち、先ず同図(A)に示すシリコン等の
単結晶半導体棒1から、ダイヤモンドカッタ等を用いて
同図(B)に示すスライス片1aを切り出して薄板状の
半導体ウェーハ2を作り出す。次に、同図(C)に示す
ように、半導体ウェーハ2のエッジ部にベベル加工(面
取り)を施してベベル面2cを形成する。
単結晶半導体棒1から、ダイヤモンドカッタ等を用いて
同図(B)に示すスライス片1aを切り出して薄板状の
半導体ウェーハ2を作り出す。次に、同図(C)に示す
ように、半導体ウェーハ2のエッジ部にベベル加工(面
取り)を施してベベル面2cを形成する。
【0004】ここでベベル加工は、例えば図2に示すベ
ベル装置3を用いて行われる。つまり、このベベル装置
3は、ステンレス或いはニッケル等からなる台金4の上
面に両側を傾斜面とした凹部5を形成し、この凹部5の
表面にダイヤモンド6,6…をニッケルメッキして付着
させて、#50〜100程度のメッシュの砥石面とした
ものである。そして、上記凹部5に回転する半導体ウェ
ーハ2のエッジ部を押し当てて研削することによりベベ
ル加工を施す。
ベル装置3を用いて行われる。つまり、このベベル装置
3は、ステンレス或いはニッケル等からなる台金4の上
面に両側を傾斜面とした凹部5を形成し、この凹部5の
表面にダイヤモンド6,6…をニッケルメッキして付着
させて、#50〜100程度のメッシュの砥石面とした
ものである。そして、上記凹部5に回転する半導体ウェ
ーハ2のエッジ部を押し当てて研削することによりベベ
ル加工を施す。
【0005】そして、同図(D)に示すように、この半
導体ウェーハ2の表面2a及び裏面2bの両面を同時に
研磨するラッピング加工を施した後、同図(E)に示す
如く、半導体ウェーハ2の全外周面、即ち表面2a,裏
面2b及びベベル面2cの全ての面を酢酸とフッ酸の混
液等によってエッチングし、これによってカッタ跡等を
除去して平滑面となす。しかる後、同図(F)に示すよ
うに、表面2aのみを鏡面仕上げし、これをその後のデ
バイスプロセスに供する半導体ウェーハ7としている。
導体ウェーハ2の表面2a及び裏面2bの両面を同時に
研磨するラッピング加工を施した後、同図(E)に示す
如く、半導体ウェーハ2の全外周面、即ち表面2a,裏
面2b及びベベル面2cの全ての面を酢酸とフッ酸の混
液等によってエッチングし、これによってカッタ跡等を
除去して平滑面となす。しかる後、同図(F)に示すよ
うに、表面2aのみを鏡面仕上げし、これをその後のデ
バイスプロセスに供する半導体ウェーハ7としている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く、従来にあ
っては、半導体ウェーハのエッジ部にベベル加工を施す
ことによって、半導体ウェーハ製作時及びデバイス製作
時に半導体ウェーハのエッジ部で発生するチップや欠け
等を減少させ、ひいては半導体ウェーハ製作歩留、デバ
イス歩留を向上せしめるようにしている。
っては、半導体ウェーハのエッジ部にベベル加工を施す
ことによって、半導体ウェーハ製作時及びデバイス製作
時に半導体ウェーハのエッジ部で発生するチップや欠け
等を減少させ、ひいては半導体ウェーハ製作歩留、デバ
イス歩留を向上せしめるようにしている。
【0007】しかしながら、従来の半導体ウェーハは、
ベベル加工を施したベベル面を後で鏡面仕上げせずに、
砥石で研削した後、化学エッチングしたまま残してい
る。このため、ベベル面には、凹凸及び破砕層が残って
おり、この半導体ウェーハが通常のデバイスプロセス、
例えば酸化層を形成し次いでチッ化シリコン或いはポリ
シリコンの蒸着工程等を経る場合、ベベル面にチッ化シ
リコン等のデンドライト結晶が発生する場合がある。
ベベル加工を施したベベル面を後で鏡面仕上げせずに、
砥石で研削した後、化学エッチングしたまま残してい
る。このため、ベベル面には、凹凸及び破砕層が残って
おり、この半導体ウェーハが通常のデバイスプロセス、
例えば酸化層を形成し次いでチッ化シリコン或いはポリ
シリコンの蒸着工程等を経る場合、ベベル面にチッ化シ
リコン等のデンドライト結晶が発生する場合がある。
【0008】かかるデンドライト結晶は、デバイスプロ
セスの途中で、キャリア、操作治具、石英等と接触して
粉々となり、また下地であるSiO2 のエッチング時に
一部とれて微粒子となり、これが半導体ウェーハの表面
に付着し、デバイスの製作歩留を低下させてしまう。
セスの途中で、キャリア、操作治具、石英等と接触して
粉々となり、また下地であるSiO2 のエッチング時に
一部とれて微粒子となり、これが半導体ウェーハの表面
に付着し、デバイスの製作歩留を低下させてしまう。
【0009】また、デンドライト結晶が成長しない場合
においても、プロセス途中で、ベベル面が、キャリア、
操作治具、石英等と接触して、Siクズ、SiN、Si
O2 等のクズが発生してしまうことがあるといった問題
点があった。
においても、プロセス途中で、ベベル面が、キャリア、
操作治具、石英等と接触して、Siクズ、SiN、Si
O2 等のクズが発生してしまうことがあるといった問題
点があった。
【0010】本発明は上記に鑑み、チッ化シリコン、ポ
リシリコン等の蒸着に際して、ベベル面にデンドライト
結晶が生じてしまうことがなく、しかもキャリア、操作
治具、石英等とベベル面とが接触しても、Siクズ、S
iN、SiO2 等のクズが発生してしまうことがないよ
うにした半導体ウェーハを容易かつ迅速に製造できるよ
うにした製造方法を提供することを目的とする。
リシリコン等の蒸着に際して、ベベル面にデンドライト
結晶が生じてしまうことがなく、しかもキャリア、操作
治具、石英等とベベル面とが接触しても、Siクズ、S
iN、SiO2 等のクズが発生してしまうことがないよ
うにした半導体ウェーハを容易かつ迅速に製造できるよ
うにした製造方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体ウェーハの製造方法は、単結晶
半導体棒から薄片を切離して半導体ウェーハを作り出す
スライス工程と、半導体ウェーハのエッジ部にベベル加
工を施してベベル面を形成するベベル工程と、半導体ウ
ェーハの表裏両面を研磨するラッピング工程と、少なく
ともベベル面にエッチングを施すエッチング工程と、少
なくともベベル面を研磨布を用いて鏡面に研磨する鏡面
仕上げ工程とを経ることを特徴とするものである。
め、本発明に係る半導体ウェーハの製造方法は、単結晶
半導体棒から薄片を切離して半導体ウェーハを作り出す
スライス工程と、半導体ウェーハのエッジ部にベベル加
工を施してベベル面を形成するベベル工程と、半導体ウ
ェーハの表裏両面を研磨するラッピング工程と、少なく
ともベベル面にエッチングを施すエッチング工程と、少
なくともベベル面を研磨布を用いて鏡面に研磨する鏡面
仕上げ工程とを経ることを特徴とするものである。
【0012】
【作用】上記のように構成した本発明によれば、少なく
ともベベル面を研磨布を用いて鏡面に研磨する鏡面仕上
げ工程を経ることによって、ベベル面を鏡面となし、こ
れによってベベル面にデンドライト結晶が成長したり、
その後のデバイスプロセスにおいて、微粒子が発生して
しまうことを防止することができるようにした半導体ウ
ェーハを容易かつ迅速に製造することができる。
ともベベル面を研磨布を用いて鏡面に研磨する鏡面仕上
げ工程を経ることによって、ベベル面を鏡面となし、こ
れによってベベル面にデンドライト結晶が成長したり、
その後のデバイスプロセスにおいて、微粒子が発生して
しまうことを防止することができるようにした半導体ウ
ェーハを容易かつ迅速に製造することができる。
【0013】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【0014】図1は、半導体ウェーハの製造工程を工程
順に示すもので、先ず同図(A)に示すシリコン等の単
結晶半導体棒1から、ダイヤモンドカッタ等を用いて同
図(B)に示すスライス片1aを切り出して薄板状の半
導体ウェーハ2を作り出す。次に、同図(C)に示すよ
うに、半導体ウェーハ2のエッジ部に、上述のように、
例えば図2に示すベベル装置3を用いてベベル加工(面
取り)を施すことにより、ベベル面2cを形成する。
順に示すもので、先ず同図(A)に示すシリコン等の単
結晶半導体棒1から、ダイヤモンドカッタ等を用いて同
図(B)に示すスライス片1aを切り出して薄板状の半
導体ウェーハ2を作り出す。次に、同図(C)に示すよ
うに、半導体ウェーハ2のエッジ部に、上述のように、
例えば図2に示すベベル装置3を用いてベベル加工(面
取り)を施すことにより、ベベル面2cを形成する。
【0015】そして、同図(D)に示すように、この半
導体ウェーハ2の表面2a及び裏面2bの両面を同時に
研磨するラッピング加工を施した後、同図(E)に示す
如く、半導体ウェーハ2の全外周面、即ち表面2a,裏
面2b及びベベル面2cの全ての面を酢酸とフッ酸の混
液等によってエッチングし、これによってカッタ跡等を
除去して平滑面となす。なお、このエッチングは、ベベ
ル面2cに対してのみ行うようにすることもできる。
導体ウェーハ2の表面2a及び裏面2bの両面を同時に
研磨するラッピング加工を施した後、同図(E)に示す
如く、半導体ウェーハ2の全外周面、即ち表面2a,裏
面2b及びベベル面2cの全ての面を酢酸とフッ酸の混
液等によってエッチングし、これによってカッタ跡等を
除去して平滑面となす。なお、このエッチングは、ベベ
ル面2cに対してのみ行うようにすることもできる。
【0016】しかる後、同図(F)に示すように、少な
くともベベル面2cを、更には必要に応じて表面2a及
び裏面2bをも、研磨布を用いて鏡面に研磨する鏡面仕
上げを施し、これをその後のデバイスプロセスに供する
半導体ウェーハ7とするのであるが、これを例えば以下
のようにして行う。
くともベベル面2cを、更には必要に応じて表面2a及
び裏面2bをも、研磨布を用いて鏡面に研磨する鏡面仕
上げを施し、これをその後のデバイスプロセスに供する
半導体ウェーハ7とするのであるが、これを例えば以下
のようにして行う。
【0017】即ち、図3はベベル面2cを鏡面に研磨す
るのに使用して最適な研磨装置の一例を示すもので、こ
の研磨装置は、回転装置としてのモータ8と、このモー
タ8の回転軸9の先端部に設けられた半導体ウェーハ2
を支持するウェーハ固定治具10と、前記モータ8の近
傍に配置された台金4aの上面にベベル加工された半導
体ウェーハ2のエッジ部11が臨むように設けられた凹
部12内に貼設された鏡面仕上げ用の研磨布13とから
主に構成されている。
るのに使用して最適な研磨装置の一例を示すもので、こ
の研磨装置は、回転装置としてのモータ8と、このモー
タ8の回転軸9の先端部に設けられた半導体ウェーハ2
を支持するウェーハ固定治具10と、前記モータ8の近
傍に配置された台金4aの上面にベベル加工された半導
体ウェーハ2のエッジ部11が臨むように設けられた凹
部12内に貼設された鏡面仕上げ用の研磨布13とから
主に構成されている。
【0018】そして、モータ8を駆動せしめて半導体ウ
ェーハ2を回転させることにより、化学エッチング即ち
ケミカルポリッシングしてもなお小さな凹凸及び粉砕層
が残るエッジ部11のベベル面2cを平滑な鏡面となす
ようなされている。
ェーハ2を回転させることにより、化学エッチング即ち
ケミカルポリッシングしてもなお小さな凹凸及び粉砕層
が残るエッジ部11のベベル面2cを平滑な鏡面となす
ようなされている。
【0019】図4は、ベベル加工が施された半導体ウェ
ーハ2の全表面、即ち表面2a、裏面2b及びベベル面
2cを同時に鏡面に研磨するのに使用して最適な研磨装
置の一例を示すもので、この研磨装置は、一対のターン
テーブル14,14と、このターンテーブル14,14
の互いに対向する面に貼設された鏡面仕上げ用の研磨布
15,15と、前記ターンテーブル14,14間に臨む
ように配置されたキャリア16,16と、このキャリア
16,16の端部に貼設された鏡面仕上げ用の研磨布1
7,17とから主に構成されている。
ーハ2の全表面、即ち表面2a、裏面2b及びベベル面
2cを同時に鏡面に研磨するのに使用して最適な研磨装
置の一例を示すもので、この研磨装置は、一対のターン
テーブル14,14と、このターンテーブル14,14
の互いに対向する面に貼設された鏡面仕上げ用の研磨布
15,15と、前記ターンテーブル14,14間に臨む
ように配置されたキャリア16,16と、このキャリア
16,16の端部に貼設された鏡面仕上げ用の研磨布1
7,17とから主に構成されている。
【0020】そして、ターンテーブル14,14を回転
させることで半導体ウェーハ2をこの表面2a及び裏面
2bを研磨布15,15でミラーポリッシュさせながら
回転させ、同時に半導体ウェーハ2のベベル面2cもキ
ャリア16に取付けた研磨布17によってミラーポリッ
シュするようなされている。
させることで半導体ウェーハ2をこの表面2a及び裏面
2bを研磨布15,15でミラーポリッシュさせながら
回転させ、同時に半導体ウェーハ2のベベル面2cもキ
ャリア16に取付けた研磨布17によってミラーポリッ
シュするようなされている。
【0021】このように鏡面仕上げしたベベル面2cに
は、チッ化シリコン或いはポリシリコンの蒸着時にデン
ドライト結晶が発生しないことが実験によって確かめら
れている。
は、チッ化シリコン或いはポリシリコンの蒸着時にデン
ドライト結晶が発生しないことが実験によって確かめら
れている。
【0022】なお、上記実地例においては、半導体ウェ
ーハ2のエッジ部にベベル加工を施した後にラッピング
加工を施して例を示しているが、ラッピング加工を施し
た後にベベル加工を施すようにすることもできることは
勿論である。
ーハ2のエッジ部にベベル加工を施した後にラッピング
加工を施して例を示しているが、ラッピング加工を施し
た後にベベル加工を施すようにすることもできることは
勿論である。
【0023】
【発明の効果】本発明は、上記のような構成であるの
で、ベベル面を鏡面仕上げすることにより、ウェーハ製
造時及びこのウェーハからデバイスを製作する際に、エ
ッジ部にチップや欠けが生じることなく、且つチッ化シ
リコン、ポリシリコンの蒸着時にベベル面にデンドライ
ト結晶が成長しにくく、しかもその後のデバイスプロセ
スにおいて微粒子が発生せず高デバイス歩留を得ること
ができるようにした半導体ウェーハを容易かつ迅速に製
造することができる。
で、ベベル面を鏡面仕上げすることにより、ウェーハ製
造時及びこのウェーハからデバイスを製作する際に、エ
ッジ部にチップや欠けが生じることなく、且つチッ化シ
リコン、ポリシリコンの蒸着時にベベル面にデンドライ
ト結晶が成長しにくく、しかもその後のデバイスプロセ
スにおいて微粒子が発生せず高デバイス歩留を得ること
ができるようにした半導体ウェーハを容易かつ迅速に製
造することができる。
【図1】本発明の一実施例を示す工程図。
【図2】ベベル装置の側面図。
【図3】ベベル面を鏡面仕上げする研磨装置の一例を示
す側面図。
す側面図。
【図4】半導体ウェーハの全表面を鏡面仕上げする研磨
装置の一例を示す側面図。
装置の一例を示す側面図。
1 単結晶半導体棒 2 半導体ウェーハ 2a 同表面 2b 同裏面 2c 同ベベル面 13,15,17 研磨布
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】単結晶半導体棒から薄片を切離して半導体
ウェーハを作り出すスライス工程と、半導体ウェーハの
エッジ部にベベル加工を施してベベル面を形成するベベ
ル工程と、半導体ウェーハの表裏両面を研磨するラッピ
ング工程と、少なくともベベル面にエッチングを施すエ
ッチング工程と、少なくともベベル面を研磨布を用いて
鏡面に研磨する鏡面仕上げ工程とを経ることを特徴とす
る半導体ウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3185592A JP2588326B2 (ja) | 1991-06-29 | 1991-06-29 | 半導体ウエーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3185592A JP2588326B2 (ja) | 1991-06-29 | 1991-06-29 | 半導体ウエーハの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57169105A Division JPS5958827A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 半導体ウエ−ハ、半導体ウエ−ハの製造方法及び半導体ウエ−ハの製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0513388A true JPH0513388A (ja) | 1993-01-22 |
JP2588326B2 JP2588326B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=16173502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3185592A Expired - Lifetime JP2588326B2 (ja) | 1991-06-29 | 1991-06-29 | 半導体ウエーハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2588326B2 (ja) |
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US8192822B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-06-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Edge etched silicon wafers |
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-
1991
- 1991-06-29 JP JP3185592A patent/JP2588326B2/ja not_active Expired - Lifetime
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