JP2009302338A - ウェーハの研磨方法および該方法により製造されるウェーハ - Google Patents
ウェーハの研磨方法および該方法により製造されるウェーハ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009302338A JP2009302338A JP2008155763A JP2008155763A JP2009302338A JP 2009302338 A JP2009302338 A JP 2009302338A JP 2008155763 A JP2008155763 A JP 2008155763A JP 2008155763 A JP2008155763 A JP 2008155763A JP 2009302338 A JP2009302338 A JP 2009302338A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- polishing
- face
- end surface
- polishing method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/268—Monolayer with structurally defined element
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 単結晶インゴットからウェーハを切り出すスライス工程と、該ウェーハの両面のうち少なくとも片面および端面を研磨する工程とを具え、ウェーハの前記少なくとも片面と端面とを同時に鏡面研磨することを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
(1)単結晶インゴットからウェーハを切り出すスライス工程と、該ウェーハの両面のうち少なくとも片面および端面を研磨する工程とを具え、ウェーハの前記少なくとも片面と端面とを同時に鏡面研磨することを特徴とするウェーハの研磨方法。
本発明のウェーハの研磨方法は、単結晶インゴットからウェーハを切り出すスライス工程と、該ウェーハの両面のうち少なくとも片面および端面を研磨する工程とを具え、ウェーハの前記少なくとも片面と端面とを同時に鏡面研磨することを特徴とし、かかる特徴を有することにより、ウェーハ端面へのダメージの防止およびウェーハ端面への研磨スラリー付着の抑制を少ない工程数で可能とし、また、ウェーハの端面に存在するパーティクルの個数を減少させることを可能としたものである。
記
なお、前記表面(鏡面)に存在するパーティクルの個数と、端面に存在するパーティクルの個数との比率は、一般的に、鏡面:端面=1:100〜1:1000の範囲である。
単結晶インゴットをスライスして直径が450mmのウェーハ(厚さ925μm)を切り出した後、面取り(ラウンド形状)、ラッピング(ラッピング量125μm)、研削およびエッチングを順次行い、その後、前記ウェーハの裏面と端面とを同時に鏡面研磨した。前記端面の鏡面研磨は、スウェードタイプの、V字形状の端面研磨パッドを用いて行った。
ウェーハ端面の仕上げ面取りのため、鏡面研磨工程を行った後、ウェーハ裏面への鏡面研磨工程を行ったこと以外は、実施例1と同様の工程により研磨を行った。
実施例1および比較例1について、端面に存在するパーティクルのサイズと個数の測定結果を表1に示す。測定は、操作型電子顕微鏡(日立製)を用いてパーティクルのサイズの測定及び個数の計測を行った。
11 ウェーハ
11b 裏面
12 樹脂製ガイド
13 片面研磨パッド
14 端面研磨パッド
100 研磨装置
101 ウェーハ
102 樹脂製ガイド
200 ウェーハ
200a 表面
201 観察方向
202 端面
203 スラリー付着
Claims (6)
- 単結晶インゴットからウェーハを切り出すスライス工程と、該ウェーハの両面のうち少なくとも片面および端面を研磨する工程とを具え、
ウェーハの前記少なくとも片面と端面とを同時に鏡面研磨することを特徴とするウェーハの研磨方法。 - ウェーハの前記少なくとも片面は、ウェーハ裏面である請求項1に記載のウェーハの研磨方法。
- 前記端面の鏡面研磨は、スウェードタイプまたはポリウレタンタイプの端面研磨パッドを用いて行う請求項1または2に記載のウェーハの研磨方法。
- 前記端面研磨パッドは、ウェーハ端面の所望の面取り形状に対応させて、V字状またはラウンド形状の表面を有する請求項3に記載のウェーハの研磨方法。
- 前記ウェーハの直径は、450mm以上である請求項1〜4のいずれか一項に記載のウェーハの研磨方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008155763A JP2009302338A (ja) | 2008-06-13 | 2008-06-13 | ウェーハの研磨方法および該方法により製造されるウェーハ |
US12/481,722 US8277283B2 (en) | 2008-06-13 | 2009-06-10 | Wafer polishing method and wafer produced thereby |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008155763A JP2009302338A (ja) | 2008-06-13 | 2008-06-13 | ウェーハの研磨方法および該方法により製造されるウェーハ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009302338A true JP2009302338A (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=41415078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008155763A Pending JP2009302338A (ja) | 2008-06-13 | 2008-06-13 | ウェーハの研磨方法および該方法により製造されるウェーハ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8277283B2 (ja) |
JP (1) | JP2009302338A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009302409A (ja) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP6540430B2 (ja) * | 2015-09-28 | 2019-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0513388A (ja) * | 1991-06-29 | 1993-01-22 | Toshiba Corp | 半導体ウエーハの製造方法 |
JP2002217138A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-08-02 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | 掻傷率の低減させられた両面研磨方法及び該方法を実施する装置 |
JP2005150216A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Hitachi Cable Ltd | 半導体ウェハの研磨装置 |
JP2008080428A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Covalent Materials Corp | 両面研磨装置および両面研磨方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4112631A (en) | 1973-05-29 | 1978-09-12 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Encapsulated abrasive grains and articles made therefrom |
JPH081493A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-01-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハ面取部の鏡面研磨方法および鏡面研磨装置 |
JPH11188589A (ja) | 1997-12-22 | 1999-07-13 | Komatsu Koki Kk | 半導体ウエハの鏡面加工装置及び鏡面加工方法 |
JP3925580B2 (ja) * | 1998-03-05 | 2007-06-06 | スピードファム株式会社 | ウェーハ加工装置および加工方法 |
JP3334609B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2002-10-15 | 信越半導体株式会社 | 薄板縁部の加工方法および加工機 |
JP3328193B2 (ja) | 1998-07-08 | 2002-09-24 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハの製造方法 |
JP2000114216A (ja) | 1998-10-01 | 2000-04-21 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
CN1203530C (zh) | 2000-04-24 | 2005-05-25 | 三菱住友硅晶株式会社 | 半导体晶片的制造方法 |
JP2002124490A (ja) | 2000-08-03 | 2002-04-26 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP3510584B2 (ja) * | 2000-11-07 | 2004-03-29 | スピードファム株式会社 | 円板形ワークの外周研磨装置 |
JP4093793B2 (ja) | 2002-04-30 | 2008-06-04 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハの製造方法及びウエーハ |
JP3534115B1 (ja) * | 2003-04-02 | 2004-06-07 | 住友電気工業株式会社 | エッジ研磨した窒化物半導体基板とエッジ研磨したGaN自立基板及び窒化物半導体基板のエッジ加工方法 |
EP1699075B1 (en) | 2003-12-05 | 2012-11-21 | SUMCO Corporation | Method for manufacturing single-side mirror surface wafer |
JP2006100799A (ja) | 2004-09-06 | 2006-04-13 | Sumco Corp | シリコンウェーハの製造方法 |
US8435098B2 (en) | 2006-01-27 | 2013-05-07 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Abrasive article with cured backsize layer |
US20080008570A1 (en) | 2006-07-10 | 2008-01-10 | Rogers Theodore W | Bridge loadport and method |
JP2009302410A (ja) | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2009302409A (ja) | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP5600867B2 (ja) | 2008-06-16 | 2014-10-08 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの製造方法 |
-
2008
- 2008-06-13 JP JP2008155763A patent/JP2009302338A/ja active Pending
-
2009
- 2009-06-10 US US12/481,722 patent/US8277283B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0513388A (ja) * | 1991-06-29 | 1993-01-22 | Toshiba Corp | 半導体ウエーハの製造方法 |
JP2002217138A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-08-02 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | 掻傷率の低減させられた両面研磨方法及び該方法を実施する装置 |
JP2005150216A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Hitachi Cable Ltd | 半導体ウェハの研磨装置 |
JP2008080428A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Covalent Materials Corp | 両面研磨装置および両面研磨方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090311522A1 (en) | 2009-12-17 |
US8277283B2 (en) | 2012-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI585840B (zh) | Manufacturing method of semiconductor wafers | |
CN107155368B (zh) | 硅晶圆的研磨方法 | |
TWI541885B (zh) | A silicon wafer polishing method and an epitaxial wafer manufacturing method | |
JP2006237055A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハの鏡面面取り方法 | |
US11551922B2 (en) | Method of polishing silicon wafer including notch polishing process and method of producing silicon wafer | |
US20090130960A1 (en) | Method For Producing A Semiconductor Wafer With A Polished Edge | |
JP5493956B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2015187042A (ja) | ガラス基板及びガラス基板の製造方法 | |
US20070267387A1 (en) | Processing Method of Silicon Wafer | |
JP2002231665A (ja) | エピタキシャル膜付き半導体ウエーハの製造方法 | |
JP3943869B2 (ja) | 半導体ウエーハの加工方法および半導体ウエーハ | |
JP2009302338A (ja) | ウェーハの研磨方法および該方法により製造されるウェーハ | |
CN111316399B (zh) | 半导体晶片的制造方法 | |
JP6879272B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
US20090311862A1 (en) | Method for manufacturing a semiconductor wafer | |
JP5515253B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2010034387A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP4541382B2 (ja) | 半導体ウェハの製造方法 | |
JP2019012183A (ja) | フォトマスク用基板及びその製造方法 | |
JP2003077875A (ja) | シリコンウェーハの洗浄方法 | |
JP5838860B2 (ja) | 鏡面加工アルミニウム材の製造方法及びこの方法により得られた鏡面加工アルミニウム材 | |
US9187718B2 (en) | Rinsing agent, and method for production of hard disk substrate | |
WO2019181443A1 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
JP2009164528A (ja) | ウェハの製造方法 | |
JP2004043257A (ja) | 化合物半導体ウェハ及びその加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110525 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130326 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130924 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140204 |