JP2000031099A - 半導体ウエーハの製造方法 - Google Patents
半導体ウエーハの製造方法Info
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- JP2000031099A JP2000031099A JP10192555A JP19255598A JP2000031099A JP 2000031099 A JP2000031099 A JP 2000031099A JP 10192555 A JP10192555 A JP 10192555A JP 19255598 A JP19255598 A JP 19255598A JP 2000031099 A JP2000031099 A JP 2000031099A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
Abstract
(57)【要約】
【課題】 少なくとも一回の両面同時平面研削の後に面
取工程を行なうことにより、面取り部の精度向上をはか
った半導体ウエーハの製造方法を提供すること。 【解決手段】 単結晶インゴットをスライスして薄円板
状のウエーハを得るスライス工程と、ウエーハの表面を
平坦化する平面研削工程と、ウエーハの外周エッジ部を
面取りする面取工程と、ウエーハの表面を鏡面化する研
磨工程とを含む半導体ウエーハの製造方法において、前
記面取工程の前にウエーハうねりを除去するため、両面
研削盤によりウエーハの両面を同時に研削する両面同時
平面研削工程が存在し、前記面取工程を行なった後に片
面又は両面同時研削による二次研削工程を行なうことに
より、面取部精度を向上させる。
取工程を行なうことにより、面取り部の精度向上をはか
った半導体ウエーハの製造方法を提供すること。 【解決手段】 単結晶インゴットをスライスして薄円板
状のウエーハを得るスライス工程と、ウエーハの表面を
平坦化する平面研削工程と、ウエーハの外周エッジ部を
面取りする面取工程と、ウエーハの表面を鏡面化する研
磨工程とを含む半導体ウエーハの製造方法において、前
記面取工程の前にウエーハうねりを除去するため、両面
研削盤によりウエーハの両面を同時に研削する両面同時
平面研削工程が存在し、前記面取工程を行なった後に片
面又は両面同時研削による二次研削工程を行なうことに
より、面取部精度を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハ、
特に単結晶シリコンウエーハの製造方法に関する。
特に単結晶シリコンウエーハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来一般に、半導体ウエーハの製造方法
は、図５に示すように、単結晶引き上げ装置により引き
上げられた単結晶インゴットをスライスして薄円板状の
ウエーハを得るスライス工程Ｅと、スライスしたウエー
ハの欠けや割れを防止するためにウエーハの外周エッジ
部を面取りする面取工程Ｆと、面取りしたウエーハの表
面を平坦化するラッピング工程Ｌと、面取りおよびラッ
ピングにより残留する加工変質層を除去する湿式エッチ
ング工程Ｈと、エッチングしたウエーハの表面を鏡面化
する鏡面研磨工程Ｋ等からなっている。なお、個々の工
程間には様々な洗浄や付加価値工程が加わることもある
が、基本的には上記フローで行なわれている。また、特
開平８−６６８５０号公報には、スライシング工程−平
面研削工程−面取り工程−ポリッシング工程の順序で加
工を行なう技術が開示されている。
は、図５に示すように、単結晶引き上げ装置により引き
上げられた単結晶インゴットをスライスして薄円板状の
ウエーハを得るスライス工程Ｅと、スライスしたウエー
ハの欠けや割れを防止するためにウエーハの外周エッジ
部を面取りする面取工程Ｆと、面取りしたウエーハの表
面を平坦化するラッピング工程Ｌと、面取りおよびラッ
ピングにより残留する加工変質層を除去する湿式エッチ
ング工程Ｈと、エッチングしたウエーハの表面を鏡面化
する鏡面研磨工程Ｋ等からなっている。なお、個々の工
程間には様々な洗浄や付加価値工程が加わることもある
が、基本的には上記フローで行なわれている。また、特
開平８−６６８５０号公報には、スライシング工程−平
面研削工程−面取り工程−ポリッシング工程の順序で加
工を行なう技術が開示されている。
【０００３】近年、平坦化工程として、上記ラッピング
工程Ｌに代えて平面研削盤あるいは両面同時平面研削盤
を使用した研削工程によりウエーハを高精度に平坦化
し、ウエーハの厚さのバラツキやうねりをなくするよう
な加工工程も採用されるようになってきている。平面研
削盤としては、ウエーハを高速回転するチャックテーブ
ル上に支持し、カップ型の砥石をウエーハに連続的に切
り込ませて研削を行なうインフィード型平面研削盤が一
般に知られている。
工程Ｌに代えて平面研削盤あるいは両面同時平面研削盤
を使用した研削工程によりウエーハを高精度に平坦化
し、ウエーハの厚さのバラツキやうねりをなくするよう
な加工工程も採用されるようになってきている。平面研
削盤としては、ウエーハを高速回転するチャックテーブ
ル上に支持し、カップ型の砥石をウエーハに連続的に切
り込ませて研削を行なうインフィード型平面研削盤が一
般に知られている。
【０００４】また、両面同時平面研削盤としては、高速
駆動される上段砥石と下段砥石との間に、該砥石と逆方
向に低速駆動されるキャリヤに載置した複数のアズカッ
トウエーハを順次送り込み加工させる毎葉式両面研削
盤、あるいは、上下の研削砥石を各々上定盤と下定盤に
取り付け、上下の砥石間には複数のウエーハをキャリヤ
のウエーハ受け孔に載置して介在させ、下定盤の回転と
上定盤の加圧により複数枚のウエーハを同時両面研削を
行なうバッチ式両面研削盤等が知られている（特開平９
−２６０３１４号公報参照）。
駆動される上段砥石と下段砥石との間に、該砥石と逆方
向に低速駆動されるキャリヤに載置した複数のアズカッ
トウエーハを順次送り込み加工させる毎葉式両面研削
盤、あるいは、上下の研削砥石を各々上定盤と下定盤に
取り付け、上下の砥石間には複数のウエーハをキャリヤ
のウエーハ受け孔に載置して介在させ、下定盤の回転と
上定盤の加圧により複数枚のウエーハを同時両面研削を
行なうバッチ式両面研削盤等が知られている（特開平９
−２６０３１４号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記スライス工程は、
ワイヤソーあるいは円形内周刃によってインゴットより
薄円板状のウエーハを切り出す方式が一般的である。ワ
イヤソーで切り出されたウエーハ表面には、ワイヤの往
復に伴う微小の厚さ変動やうねりが刻まれている。円形
内周刃による切断はワイヤソーによる切断よりは厚さ変
動やうねりの度合いが小さいが、大口径のウエーハの切
断には向いていないので、もっぱら小口径のウエーハの
切断に使用されている。上記のように厚さ変動やうねり
があり、厚さ精度に問題があるウエーハに対して面取工
程を行なうと、以下のように面取部の幅にバラツキが生
じるという問題があった。
ワイヤソーあるいは円形内周刃によってインゴットより
薄円板状のウエーハを切り出す方式が一般的である。ワ
イヤソーで切り出されたウエーハ表面には、ワイヤの往
復に伴う微小の厚さ変動やうねりが刻まれている。円形
内周刃による切断はワイヤソーによる切断よりは厚さ変
動やうねりの度合いが小さいが、大口径のウエーハの切
断には向いていないので、もっぱら小口径のウエーハの
切断に使用されている。上記のように厚さ変動やうねり
があり、厚さ精度に問題があるウエーハに対して面取工
程を行なうと、以下のように面取部の幅にバラツキが生
じるという問題があった。
【０００６】即ち、図６に示すように、研削ステージ２
に保持されたウエーハ１を低速回転させながら、高速回
転する砥石３に押し当てることにより面取部の研削を行
なう場合、ウエーハ１の厚さにバラツキがあると面取幅
Ｘのバラツキとなって現れる。具体的にいうと、面取部
４の角度をθ、面取幅をＸ、面取高さをＹとすると、Ｘ
＝Ｙｔａｎ-1θで表される。標準的なウエーハ（実線で
示す）１より厚みが大きい鎖線で示すウエーハの場合、
面取時の荷重を同じとすると面取幅はＸ1 と広くなる。
また、標準的なウエーハより厚みが小さいと面取幅は狭
くなる。前記θが一般的な２２°の角度の面取りにおい
ては、１０μｍの厚さムラが約２５μｍの面取幅のバラ
ツキとなって現れてしまう。面取幅にバラツキがある
と、ウエーハ１の外周の限界まで素子を形成することが
困難であるため、近年に至って面取部の加工品質に対す
る要求が増えてきている。
に保持されたウエーハ１を低速回転させながら、高速回
転する砥石３に押し当てることにより面取部の研削を行
なう場合、ウエーハ１の厚さにバラツキがあると面取幅
Ｘのバラツキとなって現れる。具体的にいうと、面取部
４の角度をθ、面取幅をＸ、面取高さをＹとすると、Ｘ
＝Ｙｔａｎ-1θで表される。標準的なウエーハ（実線で
示す）１より厚みが大きい鎖線で示すウエーハの場合、
面取時の荷重を同じとすると面取幅はＸ1 と広くなる。
また、標準的なウエーハより厚みが小さいと面取幅は狭
くなる。前記θが一般的な２２°の角度の面取りにおい
ては、１０μｍの厚さムラが約２５μｍの面取幅のバラ
ツキとなって現れてしまう。面取幅にバラツキがある
と、ウエーハ１の外周の限界まで素子を形成することが
困難であるため、近年に至って面取部の加工品質に対す
る要求が増えてきている。
【０００７】しかしながら、図５に示す従来法では、ラ
ッピング工程Ｌがあるため、面取工程Ｆはラッピング工
程Ｌの前、すなわち、スライス工程Ｅの直後に行なわざ
るを得ず、厚さバラツキの大きいうちに面取りしなけれ
ばならないため上述のように面取幅にバラツキが発生す
ることが避けられなかった。図７は、横軸に面取幅精
度、縦軸に相対度数を取ったヒストグラムを示してお
り、図７（ａ）は面取機の精度から求められる理論精
度、図７（ｂ）は従来法による面取工程を行なった場合
の面取幅バラツキの状態を測定した結果を示している。
該図で明らかなように従来法では面取幅精度が劣ってい
る。
ッピング工程Ｌがあるため、面取工程Ｆはラッピング工
程Ｌの前、すなわち、スライス工程Ｅの直後に行なわざ
るを得ず、厚さバラツキの大きいうちに面取りしなけれ
ばならないため上述のように面取幅にバラツキが発生す
ることが避けられなかった。図７は、横軸に面取幅精
度、縦軸に相対度数を取ったヒストグラムを示してお
り、図７（ａ）は面取機の精度から求められる理論精
度、図７（ｂ）は従来法による面取工程を行なった場合
の面取幅バラツキの状態を測定した結果を示している。
該図で明らかなように従来法では面取幅精度が劣ってい
る。
【０００８】さて平面研削盤による平坦化工程を採用す
る方式では、図５の従来工程とは異なった工程を採用で
き、これに対応したフローも提案されている。しかしな
がら、従来は、いずれも生産性や高平坦度を念頭に検討
されており、面取部品質についてはあまり考慮がはらわ
れていない。
る方式では、図５の従来工程とは異なった工程を採用で
き、これに対応したフローも提案されている。しかしな
がら、従来は、いずれも生産性や高平坦度を念頭に検討
されており、面取部品質についてはあまり考慮がはらわ
れていない。
【０００９】本発明は上述の点に着目してなされたもの
で、少なくとも一回の両面同時平面研削の後に面取り工
程を行なうことにより、またエッチング工程を省略し、
面取り部の精度向上をはかった半導体ウエーハの製造方
法を提供することを目的とする。
で、少なくとも一回の両面同時平面研削の後に面取り工
程を行なうことにより、またエッチング工程を省略し、
面取り部の精度向上をはかった半導体ウエーハの製造方
法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するべ
く、本発明は、単結晶インゴットをスライスして薄円板
状のウエーハを得るスライス工程と、ウエーハの表面を
平坦化する平面研削工程と、ウエーハの外周エッジ部を
面取りする面取工程と、ウエーハの表面を鏡面化する研
磨工程とを含む半導体ウエーハの製造方法において、前
記面取工程の前に、両面研削盤によりウエーハの両面を
同時に研削する両面同時平面研削工程が存在し、前記面
取工程を行なった後にカップ型砥石によるインフィード
研削等に代表される片面研削により二次研削工程を行な
うことを特徴とする。即ち、面取工程は両面同時平面研
削工程の後に行なうことが必須であるが、必要に応じて
両面同時平面研削工程の前にばり除去と外径安定化の為
に予備面取りを行なうことも可能である。
く、本発明は、単結晶インゴットをスライスして薄円板
状のウエーハを得るスライス工程と、ウエーハの表面を
平坦化する平面研削工程と、ウエーハの外周エッジ部を
面取りする面取工程と、ウエーハの表面を鏡面化する研
磨工程とを含む半導体ウエーハの製造方法において、前
記面取工程の前に、両面研削盤によりウエーハの両面を
同時に研削する両面同時平面研削工程が存在し、前記面
取工程を行なった後にカップ型砥石によるインフィード
研削等に代表される片面研削により二次研削工程を行な
うことを特徴とする。即ち、面取工程は両面同時平面研
削工程の後に行なうことが必須であるが、必要に応じて
両面同時平面研削工程の前にばり除去と外径安定化の為
に予備面取りを行なうことも可能である。
【００１１】また、両面研削盤によりウエーハの両面を
同時に研削する両面同時平面研削工程を一次研削工程と
し、その後に前記面取工程を行なった後に仕上げ砥石に
よる両面同時研削により二次研削工程を行なうことがで
きる。
同時に研削する両面同時平面研削工程を一次研削工程と
し、その後に前記面取工程を行なった後に仕上げ砥石に
よる両面同時研削により二次研削工程を行なうことがで
きる。
【００１２】本発明によれば、両面同時平面研削工程の
後に面取工程を行なうようにしたので、両面同時平面研
削工程で平坦化され、厚さバラツキやうねりの小さくな
ったウエーハに面取加工することになり、面取装置の本
来の機械精度を引出し、面取形状の安定した外周部を持
つウエーハが得られる。また、両面同時研削を行なうこ
とにより、表裏両面のうねりを取ることが出来、片面研
削で平坦化した際に問題となるスライス時のうねりも除
去することが出来る。また、面取工程後に高番手の砥石
を用いることでエッチング工程を省略することも可能で
ある。
後に面取工程を行なうようにしたので、両面同時平面研
削工程で平坦化され、厚さバラツキやうねりの小さくな
ったウエーハに面取加工することになり、面取装置の本
来の機械精度を引出し、面取形状の安定した外周部を持
つウエーハが得られる。また、両面同時研削を行なうこ
とにより、表裏両面のうねりを取ることが出来、片面研
削で平坦化した際に問題となるスライス時のうねりも除
去することが出来る。また、面取工程後に高番手の砥石
を用いることでエッチング工程を省略することも可能で
ある。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態を例示的に説明する。ただし、この実施の形態
に記載されている構造部品の寸法、材質、形状、相対位
置などは特に特定的な記載がない限りは、この発明の範
囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例に
過ぎない。
施の形態を例示的に説明する。ただし、この実施の形態
に記載されている構造部品の寸法、材質、形状、相対位
置などは特に特定的な記載がない限りは、この発明の範
囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例に
過ぎない。
【００１４】図１において、ワイヤソーまたは内周刃で
スライスされたウエーハは、一次両面同時平面研削工程
Ｇ１において両面同時研削されて平坦化される。この両
面同時研削は、周知の両面研削盤を使用することができ
る。一次両面同時研削工程Ｇ１で平坦化されたウエーハ
に面取工程Ｆで面取り加工を施した後、さらに二次研削
工程Ｇ２を施す。この二次研削工程Ｇ２で仕上げがなさ
れるため、前記エッチング工程Ｈは省略することも可能
である。
スライスされたウエーハは、一次両面同時平面研削工程
Ｇ１において両面同時研削されて平坦化される。この両
面同時研削は、周知の両面研削盤を使用することができ
る。一次両面同時研削工程Ｇ１で平坦化されたウエーハ
に面取工程Ｆで面取り加工を施した後、さらに二次研削
工程Ｇ２を施す。この二次研削工程Ｇ２で仕上げがなさ
れるため、前記エッチング工程Ｈは省略することも可能
である。
【００１５】一次両面研削工程Ｇ１においてウエーハ表
面の厚さ変動やうねりは除去されているため、二次研削
工程Ｇ２では片面吸着によりウエーハを固定しても図２
に示すようなうねりは生じない。したがって、二次研削
工程Ｇ２は高い平坦度を得やすいインフィード型平面研
削盤を用いるのが効果的である。また、二次研削工程Ｇ
２は、インフィード型平面研削盤に代えて仕上げ砥石に
よる両面同時研削でもよい。この場合、仕上げ用の高番
手の砥石を用いることが好ましい。このフローで加工を
行なったウエーハは、面取りの際に研削による高平坦化
がなされており、面取り装置の精度を生かした高精度な
面取りが可能となる。
面の厚さ変動やうねりは除去されているため、二次研削
工程Ｇ２では片面吸着によりウエーハを固定しても図２
に示すようなうねりは生じない。したがって、二次研削
工程Ｇ２は高い平坦度を得やすいインフィード型平面研
削盤を用いるのが効果的である。また、二次研削工程Ｇ
２は、インフィード型平面研削盤に代えて仕上げ砥石に
よる両面同時研削でもよい。この場合、仕上げ用の高番
手の砥石を用いることが好ましい。このフローで加工を
行なったウエーハは、面取りの際に研削による高平坦化
がなされており、面取り装置の精度を生かした高精度な
面取りが可能となる。
【００１６】ここで一次の研削を本発明のような両面同
時研削を行なわず、真空吸着などを用いてウエーハの面
を固定した上で研削を行なう方式を用いた時は、以下の
ような問題が発生する。ワイヤソーで切断されたウエー
ハは、図２に示すように、ワイヤの往復に伴う微小な厚
さ変動やうねり１ａが刻まれており、このウエーハ１を
平面研削盤の真空式の吸着テーブル２に固定して研削を
行なった場合、次のような現象が生じる。即ち、厚さ変
動やうねり１ａを持ったウエーハ１は、（ａ）のように
真空作用で変形されて吸着テーブル２に隙間なく密着
し、この状態で研削が行なわれると、吸着を解除する前
においては、（ｂ）のように表面は平滑１ｂに研削され
ているが、吸着が解除されると、吸着で変形していた形
状が本来の形状に復元し、その結果、（ｃ）のように研
削面に厚さ変動やうねり１ａの形状が移り、うねり形状
をもったウエーハ１になりやすい。
時研削を行なわず、真空吸着などを用いてウエーハの面
を固定した上で研削を行なう方式を用いた時は、以下の
ような問題が発生する。ワイヤソーで切断されたウエー
ハは、図２に示すように、ワイヤの往復に伴う微小な厚
さ変動やうねり１ａが刻まれており、このウエーハ１を
平面研削盤の真空式の吸着テーブル２に固定して研削を
行なった場合、次のような現象が生じる。即ち、厚さ変
動やうねり１ａを持ったウエーハ１は、（ａ）のように
真空作用で変形されて吸着テーブル２に隙間なく密着
し、この状態で研削が行なわれると、吸着を解除する前
においては、（ｂ）のように表面は平滑１ｂに研削され
ているが、吸着が解除されると、吸着で変形していた形
状が本来の形状に復元し、その結果、（ｃ）のように研
削面に厚さ変動やうねり１ａの形状が移り、うねり形状
をもったウエーハ１になりやすい。
【００１７】このようなうねりをもったウエーハ１を面
取り加工すると、ウエーハの外周部と砥石の当たる位置
が異なるため、図６で述べた厚さムラの場合と同様に面
取幅のバラツキとなって現れる。したがって、ワイヤソ
ーで切断したウエーハの場合は、片面吸着による研削は
不向きで、この場合は両面研削盤によりウエーハの両面
から同時に研削するのが好ましい。両面同時平面研削の
利点は、ウエーハのうねりを効果的に除去することがで
きると共に、両面を同時加工するため、加工時間が短く
て済むという利点もある。
取り加工すると、ウエーハの外周部と砥石の当たる位置
が異なるため、図６で述べた厚さムラの場合と同様に面
取幅のバラツキとなって現れる。したがって、ワイヤソ
ーで切断したウエーハの場合は、片面吸着による研削は
不向きで、この場合は両面研削盤によりウエーハの両面
から同時に研削するのが好ましい。両面同時平面研削の
利点は、ウエーハのうねりを効果的に除去することがで
きると共に、両面を同時加工するため、加工時間が短く
て済むという利点もある。
【００１８】本発明の方法による面取工程を行なった場
合の面取幅バラツキの状態を測定した結果を図３に示し
ている。なお、図３は、横軸に面取幅精度、縦軸に相対
度数を取ったヒストグラムを示している。該図で明らか
なように、本発明方法では理想的なウエーハを加工した
ときの精度（図７（ａ）参照）とほぼ同様の面取幅精度
が得られた。以下に各種の加工装置の組合わせでウエー
ハの加工を行ない、面取部品質、ウエーハうねりについ
て評価を行なった。
合の面取幅バラツキの状態を測定した結果を図３に示し
ている。なお、図３は、横軸に面取幅精度、縦軸に相対
度数を取ったヒストグラムを示している。該図で明らか
なように、本発明方法では理想的なウエーハを加工した
ときの精度（図７（ａ）参照）とほぼ同様の面取幅精度
が得られた。以下に各種の加工装置の組合わせでウエー
ハの加工を行ない、面取部品質、ウエーハうねりについ
て評価を行なった。
【００１９】〔実施例１〕ワイヤソーで切断されたウエ
ーハを、両面研削盤で両面同時平面研削（一次両面同時
平面研削）してウエーハを平坦に加工した後、面取り加
工を施し、さらに片面吸着によりカップ型砥石によるイ
ンフィード研削による平面研削（二次研削）で仕上げ、
最後に研磨を行なった。 〔実施例２〕ワイヤソーで切断されたウエーハを、両面
研削盤で両面同時平面研削（一次両面研削）してウエー
ハを平坦に加工した後、面取り加工を施し、さらに仕上
げ砥石による両面同時研削（二次研削）で仕上げ、最後
に研磨を行なった。
ーハを、両面研削盤で両面同時平面研削（一次両面同時
平面研削）してウエーハを平坦に加工した後、面取り加
工を施し、さらに片面吸着によりカップ型砥石によるイ
ンフィード研削による平面研削（二次研削）で仕上げ、
最後に研磨を行なった。 〔実施例２〕ワイヤソーで切断されたウエーハを、両面
研削盤で両面同時平面研削（一次両面研削）してウエー
ハを平坦に加工した後、面取り加工を施し、さらに仕上
げ砥石による両面同時研削（二次研削）で仕上げ、最後
に研磨を行なった。
【００２０】比較のため、従来法による加工を行なった
例についても評価を行なった。 〔比較例１〕内周刃で切断されたウエーハに、面取り加
工を施した後ラッピングにより平坦化し、エッチングお
よび研磨を行なった（図５の従来法）。 〔比較例２〕内周刃で切断されたウエーハを、面取り加
工を行なった後に真空片面吸着を用いた平面研削盤で研
削してウエーハを平坦に加工し、エッチングおよび研磨
を行なった。 〔比較例３〕ワイヤソーで切断されたウエーハを、面取
り加工を行なった後に真空片面吸着を用いた平面研削盤
で研削してウエーハを平坦に加工し、エッチングおよび
研磨を行なった。
例についても評価を行なった。 〔比較例１〕内周刃で切断されたウエーハに、面取り加
工を施した後ラッピングにより平坦化し、エッチングお
よび研磨を行なった（図５の従来法）。 〔比較例２〕内周刃で切断されたウエーハを、面取り加
工を行なった後に真空片面吸着を用いた平面研削盤で研
削してウエーハを平坦に加工し、エッチングおよび研磨
を行なった。 〔比較例３〕ワイヤソーで切断されたウエーハを、面取
り加工を行なった後に真空片面吸着を用いた平面研削盤
で研削してウエーハを平坦に加工し、エッチングおよび
研磨を行なった。
【００２１】上記実施例および比較例による評価（面取
部品質、ウエーハうねり）の結果を図４に示している。
なお、ウエーハうねりは、ウエーハの外観で判断した。
図４において、◎は十分に良好、○は良好、△は不充分
であるが使用は可能、×は不足を示している。上記評価
結果から明らかなように、実施例１および２は、面取部
品質およびウエーハうねりについて良好であった。ま
た、比較例１〜比較例３は、全て面取部品質が不充分で
あった。
部品質、ウエーハうねり）の結果を図４に示している。
なお、ウエーハうねりは、ウエーハの外観で判断した。
図４において、◎は十分に良好、○は良好、△は不充分
であるが使用は可能、×は不足を示している。上記評価
結果から明らかなように、実施例１および２は、面取部
品質およびウエーハうねりについて良好であった。ま
た、比較例１〜比較例３は、全て面取部品質が不充分で
あった。
【００２２】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明によれ
ば、少なくとも１回の両面同時平面研削工程の後に面取
工程を行なうようにしたので、両面同時平面研削工程で
平坦化され、厚さバラツキやうねりの小さくなったウエ
ーハに面取加工することになり、面取機の本来の機械精
度を引出し、面取形状の安定した外周部を持つウエーハ
が得られる。また、インフィード研削などの片面研削ま
たは仕上げ砥石による両面同時研削での二次研削を行な
うことにより、エッチング工程を省くことができると共
に、加工工程を変えるだけで面取装置は従来のものをそ
のまま使用できるので、低コストで高精度のウエーハが
得られる。
ば、少なくとも１回の両面同時平面研削工程の後に面取
工程を行なうようにしたので、両面同時平面研削工程で
平坦化され、厚さバラツキやうねりの小さくなったウエ
ーハに面取加工することになり、面取機の本来の機械精
度を引出し、面取形状の安定した外周部を持つウエーハ
が得られる。また、インフィード研削などの片面研削ま
たは仕上げ砥石による両面同時研削での二次研削を行な
うことにより、エッチング工程を省くことができると共
に、加工工程を変えるだけで面取装置は従来のものをそ
のまま使用できるので、低コストで高精度のウエーハが
得られる。
【図１】 本発明の半導体ウエーハの製造方法の実施の
形態を示すフローチャートである。
形態を示すフローチャートである。
【図２】 真空片面吸着を用いた平面研削の説明図であ
る。
る。
【図３】 本発明の製造方法により得られたウエーハの
面取幅精度を示すヒストグラムである。
面取幅精度を示すヒストグラムである。
【図４】 本発明の実施例および比較例により得られた
ウエーハの面取部品質およびウエーハうねりの評価をし
た結果の表図である。
ウエーハの面取部品質およびウエーハうねりの評価をし
た結果の表図である。
【図５】 従来の半導体ウエーハの製造方法のフローチ
ャートである。
ャートである。
【図６】 面取部加工状態の説明図である。
【図７】 （ａ）は理想的ウエーハの面取幅精度を示す
ヒストグラム、（ｂ）は従来の製造方法により得られた
ウエーハの面取幅精度を示すヒストグラムである。
ヒストグラム、（ｂ）は従来の製造方法により得られた
ウエーハの面取幅精度を示すヒストグラムである。
１ ウエーハ ４ 面取部 Ｅ スライス工程 Ｆ 面取工程 Ｇ１ 一次両面同時平面研削工程 Ｇ２ 二次研削工程 Ｋ 研磨工程
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 390004581 三益半導体工業株式会社 群馬県群馬郡群馬町足門762番地 (72)発明者 岡部 啓一 長野県更埴市大字屋代1393番地 長野電子 工業株式会社内 (72)発明者 加藤 忠弘 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内 (72)発明者 大國 ▲禎▼之 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内 (72)発明者 大嶋 久 新潟県中頚城郡頚城村大字城野腰新田596 番地２ 直江津電子工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 単結晶インゴットをスライスして薄円板
状のウエーハを得るスライス工程と、ウエーハの表面を
平坦化する平面研削工程と、ウエーハの外周エッジ部を
面取りする面取工程と、ウエーハの表面を鏡面化する研
磨工程とを含む半導体ウエーハの製造方法において、 前記面取工程の前に、両面研削盤によりウエーハの両面
を同時に研削する両面同時平面研削工程が存在し、その
後に前記面取工程を行なった後にカップ型砥石によるイ
ンフィード方式の片面研削により二次研削工程を行なう
ことを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。 - 【請求項２】 単結晶インゴットをスライスして薄円板
状のウエーハを得るスライス工程と、ウエーハの表面を
平坦化する平面研削工程と、ウエーハの外周エッジ部を
面取りする面取工程と、ウエーハの表面を鏡面化する研
磨工程とを含む半導体ウエーハの製造方法において、 前記面取工程の前に、両面研削盤によりウエーハの両面
を同時に研削する両面同時平面研削工程が存在し、その
後に前記面取工程を行なった後に仕上げ砥石による両面
同時研削により二次研削工程を行なうことを特徴とする
半導体ウエーハの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19255598A JP3328193B2 (ja) | 1998-07-08 | 1998-07-08 | 半導体ウエーハの製造方法 |
| US09/348,276 US6284658B1 (en) | 1998-07-08 | 1999-07-07 | Manufacturing process for semiconductor wafer |
| EP99113276A EP0971398A1 (en) | 1998-07-08 | 1999-07-08 | Manufacturing process for semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19255598A JP3328193B2 (ja) | 1998-07-08 | 1998-07-08 | 半導体ウエーハの製造方法 |
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|---|---|
| JP2000031099A true JP2000031099A (ja) | 2000-01-28 |
| JP3328193B2 JP3328193B2 (ja) | 2002-09-24 |
Family
ID=16293233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19255598A Expired - Lifetime JP3328193B2 (ja) | 1998-07-08 | 1998-07-08 | 半導体ウエーハの製造方法 |
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| EP (1) | EP0971398A1 (ja) |
| JP (1) | JP3328193B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010078289A (ko) * | 2000-02-03 | 2001-08-20 | 게르트 켈러 | 연마에지를 가진 반도체웨이퍼의 제조방법 |
| JP2007150167A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの平面研削方法および製造方法 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19956250C1 (de) * | 1999-11-23 | 2001-05-17 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Kostengünstiges Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterscheiben |
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| DE10159832A1 (de) * | 2001-12-06 | 2003-06-26 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Halbleiterscheibe aus Silicium und Verfahren zu deren Herstellung |
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| US7288465B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-10-30 | International Business Machines Corpoartion | Semiconductor wafer front side protection |
| US7001827B2 (en) * | 2003-04-15 | 2006-02-21 | International Business Machines Corporation | Semiconductor wafer front side protection |
| JP4748968B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2011-08-17 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハの製造方法 |
| DE102006037267B4 (de) | 2006-08-09 | 2010-12-09 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben mit hochpräzisem Kantenprofil |
| JP2009302338A (ja) | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Sumco Corp | ウェーハの研磨方法および該方法により製造されるウェーハ |
| JP2009302412A (ja) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
| EP2192609A1 (en) | 2008-11-28 | 2010-06-02 | SUMCO Corporation | Method of producing wafer for active layer |
| JP5521582B2 (ja) * | 2010-01-28 | 2014-06-18 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| US8712575B2 (en) * | 2010-03-26 | 2014-04-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Hydrostatic pad pressure modulation in a simultaneous double side wafer grinder |
| US9881783B2 (en) * | 2013-02-19 | 2018-01-30 | Sumco Corporation | Method for processing semiconductor wafer |
| DE102017215705A1 (de) | 2017-09-06 | 2019-03-07 | Siltronic Ag | Vorrichtung und Verfahren zum doppelseitigen Schleifen von Halbleiterscheiben |
| EP3900876A1 (de) | 2020-04-23 | 2021-10-27 | Siltronic AG | Verfahren zum schleifen einer halbleiterscheibe |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4144099A (en) | 1977-10-31 | 1979-03-13 | International Business Machines Corporation | High performance silicon wafer and fabrication process |
| JPS6381934A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Hitachi Ltd | ウエハおよびその製造方法 |
| JPH0837169A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-06 | Hitachi Ltd | 半導体基板の研削方法及び研削装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP3055401B2 (ja) | 1994-08-29 | 2000-06-26 | 信越半導体株式会社 | ワークの平面研削方法及び装置 |
| JPH09270400A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-10-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
| JP3620554B2 (ja) | 1996-03-25 | 2005-02-16 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハ製造方法 |
| JP3658454B2 (ja) * | 1996-03-29 | 2005-06-08 | コマツ電子金属株式会社 | 半導体ウェハの製造方法 |
| JP3339545B2 (ja) | 1996-05-22 | 2002-10-28 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハの製造方法 |
| JP4066202B2 (ja) * | 1996-10-04 | 2008-03-26 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェハの製造方法 |
-
1998
- 1998-07-08 JP JP19255598A patent/JP3328193B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-07-07 US US09/348,276 patent/US6284658B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-07-08 EP EP99113276A patent/EP0971398A1/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010078289A (ko) * | 2000-02-03 | 2001-08-20 | 게르트 켈러 | 연마에지를 가진 반도체웨이퍼의 제조방법 |
| JP2007150167A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの平面研削方法および製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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