JPH0957586A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
ウェーハの加工方法Info
- Publication number
- JPH0957586A JPH0957586A JP23927995A JP23927995A JPH0957586A JP H0957586 A JPH0957586 A JP H0957586A JP 23927995 A JP23927995 A JP 23927995A JP 23927995 A JP23927995 A JP 23927995A JP H0957586 A JPH0957586 A JP H0957586A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- polishing
- grinding
- chamfer
- notch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体デバイスの高集積化に対応でき、しか
も、面取り部の研磨を迅速に行うことができる半導体ウ
ェーハの加工方法を提供する。 【解決手段】 インゴットをスライスして得られたウェ
ーハの外周を研削によって面取りし、前記ウェーハのラ
ッピングを行った後エッチングを行い、次いで、前記ウ
ェーハの外周面取り部を所定量研削し、次いで、前記外
周面取り部の全体を砥石に所定荷重を加えて加工する軟
研削を施し、その後に、ウェーハの前記外周面取り部の
全体および表裏面の研磨を行うようにしたことを特徴と
する。
も、面取り部の研磨を迅速に行うことができる半導体ウ
ェーハの加工方法を提供する。 【解決手段】 インゴットをスライスして得られたウェ
ーハの外周を研削によって面取りし、前記ウェーハのラ
ッピングを行った後エッチングを行い、次いで、前記ウ
ェーハの外周面取り部を所定量研削し、次いで、前記外
周面取り部の全体を砥石に所定荷重を加えて加工する軟
研削を施し、その後に、ウェーハの前記外周面取り部の
全体および表裏面の研磨を行うようにしたことを特徴と
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハの加工方
法に関するものである。
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、ウェーハの加工方法として、ウェ
ーハの外周の欠けを防止するための面取り工程、ウェー
ハの厚さバラツキをなくすためのラッピング工程、破砕
層および汚染した部分(砥粒が食い込んだ部分)をなく
すためのエッチング工程、ウェーハの外周面取り部およ
び主面の研磨工程を順次に行うものが知られている。ま
た、1994年2月28日に日刊工業新聞社から発行さ
れた「半導体材料基礎工学」に記載の方法のように、前
記方法において、ラッピング工程と面取り工程とを逆に
したものも知られている。しかし、後者の方法では、ラ
ッピング時のウェーハの外周は角のままとなっているた
め、ラッピング時にウェーハ外周の欠けが生じ、またさ
らにSi屑によりウェーハの主面が傷付いてしまう危険
性があった。そのため、現在では、前者の方法のよう
に、面取り工程の後にラッピング工程を行うのが主流に
なっている。
ーハの外周の欠けを防止するための面取り工程、ウェー
ハの厚さバラツキをなくすためのラッピング工程、破砕
層および汚染した部分(砥粒が食い込んだ部分)をなく
すためのエッチング工程、ウェーハの外周面取り部およ
び主面の研磨工程を順次に行うものが知られている。ま
た、1994年2月28日に日刊工業新聞社から発行さ
れた「半導体材料基礎工学」に記載の方法のように、前
記方法において、ラッピング工程と面取り工程とを逆に
したものも知られている。しかし、後者の方法では、ラ
ッピング時のウェーハの外周は角のままとなっているた
め、ラッピング時にウェーハ外周の欠けが生じ、またさ
らにSi屑によりウェーハの主面が傷付いてしまう危険
性があった。そのため、現在では、前者の方法のよう
に、面取り工程の後にラッピング工程を行うのが主流に
なっている。
【0003】なお、前者の方法の変形として、前記面取
り工程において、粒度の大きな砥石(例えば800番)
で研削をしてウェーハの外周を丸めて面取りした直後
に、粒度の小さな砥石(例えば1500番)でもってそ
の外周面取り部を研削するものもあり、この方法では、
後のエッチング工程で外周面取り部の平滑度が多少劣化
はするものの、粒度の大きな砥石だけの場合に比べて、
エッチング工程後の平滑度が高いため、後に行われる外
周面取り部の研磨工程での作業が容易となる。
り工程において、粒度の大きな砥石(例えば800番)
で研削をしてウェーハの外周を丸めて面取りした直後
に、粒度の小さな砥石(例えば1500番)でもってそ
の外周面取り部を研削するものもあり、この方法では、
後のエッチング工程で外周面取り部の平滑度が多少劣化
はするものの、粒度の大きな砥石だけの場合に比べて、
エッチング工程後の平滑度が高いため、後に行われる外
周面取り部の研磨工程での作業が容易となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、面取り
工程の後にラッピング工程を行うものでは、ラッピング
時に外周面取り部の平面形状および断面形状の崩れが生
じ、その後にこの形状崩れを直す機会がないため、形状
崩れ状態のままでウェーハが半導体デバイスの製造工程
に送られ、フォトリソグラフィ工程においてウェーハに
塗布したレジストの切れが悪くなったりすることもあ
り、今後益々進むであろう半導体デバイスの高集積化に
対応できないという問題があった。
工程の後にラッピング工程を行うものでは、ラッピング
時に外周面取り部の平面形状および断面形状の崩れが生
じ、その後にこの形状崩れを直す機会がないため、形状
崩れ状態のままでウェーハが半導体デバイスの製造工程
に送られ、フォトリソグラフィ工程においてウェーハに
塗布したレジストの切れが悪くなったりすることもあ
り、今後益々進むであろう半導体デバイスの高集積化に
対応できないという問題があった。
【0005】また一方において、ラッピング工程の直後
に行われるエッチング工程では、従来、フッ酸、硝酸お
よび酢酸の混合液にウェーハを浸す、いわゆる酸エッチ
ングが行われていたが、この酸エッチングでは、ラッピ
ング後のウェーハの平坦度保持が困難である上、使用後
のエッチング液の廃液処理にコストがかかることから、
最近では、酸エッチングに代わり、水酸化ナトリウムあ
るいは水酸化カリウムの液にウェーハを浸す、いわゆる
アルカリエッチングが主流になってきている。しかし、
このアルカリエッチングは異方性エッチングであり、等
方性エッチングである酸エッチングとは異なるため、ウ
ェーハの裏面や面取り部が特に荒れ易く、ウェーハの平
滑度が劣化し、その後に裏面や面取り部の処理が必要と
なり、特に後者の面取り部の処理では、面の粗さを所定
の粗さ以下にして目標の平滑度とするための研磨時間が
酸エッチングに比べて数倍大きくなってしまうという問
題があった。また、アルカリエッチングの場合、ウェー
ハの裏面の平滑度を向上するため、面研磨工程におい
て、ウェーハをキャリアにセットし、上下に配された定
盤に張られたバフによってウェーハの表裏面を同時に研
磨することも行われているが、このようにしてウェーハ
の表裏面を研磨すると、キャリアの内壁によってウェー
ハの面取り部が削られ、面取り部の断面形状の崩れが発
生し、後のデバイス製造におけるフォトリソグラフィ工
程でのレジストの切れが悪くなったりし、高集積化の阻
害原因となっていた。
に行われるエッチング工程では、従来、フッ酸、硝酸お
よび酢酸の混合液にウェーハを浸す、いわゆる酸エッチ
ングが行われていたが、この酸エッチングでは、ラッピ
ング後のウェーハの平坦度保持が困難である上、使用後
のエッチング液の廃液処理にコストがかかることから、
最近では、酸エッチングに代わり、水酸化ナトリウムあ
るいは水酸化カリウムの液にウェーハを浸す、いわゆる
アルカリエッチングが主流になってきている。しかし、
このアルカリエッチングは異方性エッチングであり、等
方性エッチングである酸エッチングとは異なるため、ウ
ェーハの裏面や面取り部が特に荒れ易く、ウェーハの平
滑度が劣化し、その後に裏面や面取り部の処理が必要と
なり、特に後者の面取り部の処理では、面の粗さを所定
の粗さ以下にして目標の平滑度とするための研磨時間が
酸エッチングに比べて数倍大きくなってしまうという問
題があった。また、アルカリエッチングの場合、ウェー
ハの裏面の平滑度を向上するため、面研磨工程におい
て、ウェーハをキャリアにセットし、上下に配された定
盤に張られたバフによってウェーハの表裏面を同時に研
磨することも行われているが、このようにしてウェーハ
の表裏面を研磨すると、キャリアの内壁によってウェー
ハの面取り部が削られ、面取り部の断面形状の崩れが発
生し、後のデバイス製造におけるフォトリソグラフィ工
程でのレジストの切れが悪くなったりし、高集積化の阻
害原因となっていた。
【0006】本発明は、かかる点に鑑みなされたもので
あり、半導体デバイスの高集積化に対応でき、しかも、
面取り部の研磨を迅速に行うことができる半導体ウェー
ハの加工方法を提供することを目的としている。
あり、半導体デバイスの高集積化に対応でき、しかも、
面取り部の研磨を迅速に行うことができる半導体ウェー
ハの加工方法を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の加工方法
は、インゴットをスライスして得られたウェーハの外周
を研削によって面取りし、前記ウェーハのラッピングを
行った後エッチングを行い、次いで、前記ウェーハの外
周面取り部を所定量研削し、次いで、前記外周面取り部
の全体を砥石に所定荷重を加えて加工する軟研削を施
し、その後に、ウェーハの前記外周面取り部の全体およ
び表裏面の研磨を行うようにしたことを特徴とする。
は、インゴットをスライスして得られたウェーハの外周
を研削によって面取りし、前記ウェーハのラッピングを
行った後エッチングを行い、次いで、前記ウェーハの外
周面取り部を所定量研削し、次いで、前記外周面取り部
の全体を砥石に所定荷重を加えて加工する軟研削を施
し、その後に、ウェーハの前記外周面取り部の全体およ
び表裏面の研磨を行うようにしたことを特徴とする。
【0008】請求項2記載の加工方法は、インゴットを
スライスして得られたウェーハの外周を研削によって面
取りし、前記ウェーハのラッピングを行った後エッチン
グを行い、前記ウェーハの表裏面を同時に研磨した後、
前記ウェーハの外周面取り部を所定量研削し、次いで、
前記外周面取り部の全体を砥石に所定荷重を加えて加工
する軟研削を施し、その後に、ウェーハの前記外周面取
り部の全体および表面の研磨を行うようにしたものであ
る。
スライスして得られたウェーハの外周を研削によって面
取りし、前記ウェーハのラッピングを行った後エッチン
グを行い、前記ウェーハの表裏面を同時に研磨した後、
前記ウェーハの外周面取り部を所定量研削し、次いで、
前記外周面取り部の全体を砥石に所定荷重を加えて加工
する軟研削を施し、その後に、ウェーハの前記外周面取
り部の全体および表面の研磨を行うようにしたものであ
る。
【0009】請求項3記載の加工方法は、請求項1また
は請求項2記載の加工方法において、前記エッチングを
アルカリエッチングとしたものである。
は請求項2記載の加工方法において、前記エッチングを
アルカリエッチングとしたものである。
【0010】上記した手段によれば、半導体デバイスの
製造工程に送られる前に、ラッピング工程およびエッチ
ング工程等で生じた面取り部の平面形状および断面形状
の崩れを直すことができる。したがって、半導体デバイ
スの製造工程のレジストの切れが悪くなったりする心配
がなくなる。また、アルカリエッチングによってウェー
ハの外周面取り部の平滑度が損なわれた場合であって
も、エッチング工程の後に行われる研削および軟研削に
よって外周面取り部の平滑度を回復あるいは向上させる
ことができる。したがって、後に行われる面取り部の研
磨時間が短くて済むことになる。
製造工程に送られる前に、ラッピング工程およびエッチ
ング工程等で生じた面取り部の平面形状および断面形状
の崩れを直すことができる。したがって、半導体デバイ
スの製造工程のレジストの切れが悪くなったりする心配
がなくなる。また、アルカリエッチングによってウェー
ハの外周面取り部の平滑度が損なわれた場合であって
も、エッチング工程の後に行われる研削および軟研削に
よって外周面取り部の平滑度を回復あるいは向上させる
ことができる。したがって、後に行われる面取り部の研
磨時間が短くて済むことになる。
【0011】
A.実施例のウェーハの加工方法は、図1に示すよう
に、面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、両
面研磨工程、面取り部研削工程、面取り部軟研削・研磨
工程および表面研磨工程を順次に行うものである。
に、面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、両
面研磨工程、面取り部研削工程、面取り部軟研削・研磨
工程および表面研磨工程を順次に行うものである。
【0012】(1)面取り工程 インゴットを内周刃あるいはワイヤソーでスライスして
得られたウェーハの外周を砥石によって丸く削り取って
面取り部を形成する。ウェーハの外周が角のままだと工
程途中で欠けたりSi屑が発生し、集積回路の不良の原
因となるからである。この面取りに使用される砥石の粒
度は特に制限はされないが300〜800番程度であ
る。なお、「外周」とは、特に断らない限り、図3に示
すノッチN付きのウェーハWにあってはノッチNを含む
全周を、図9に示すオリエンテーションフラット(以下
「オリフラ」という)O付きのウェーハWにあってはオ
リフラOを含む全周を指す。
得られたウェーハの外周を砥石によって丸く削り取って
面取り部を形成する。ウェーハの外周が角のままだと工
程途中で欠けたりSi屑が発生し、集積回路の不良の原
因となるからである。この面取りに使用される砥石の粒
度は特に制限はされないが300〜800番程度であ
る。なお、「外周」とは、特に断らない限り、図3に示
すノッチN付きのウェーハWにあってはノッチNを含む
全周を、図9に示すオリエンテーションフラット(以下
「オリフラ」という)O付きのウェーハWにあってはオ
リフラOを含む全周を指す。
【0013】(2)ラッピング工程 面取り工程の終了したウェーハに圧力を加え、シリカ
(SiO2 )、ジルコニア(ZrO2 )やアルミナ(A
l2O3)等の砥粒と脂肪酸塩等を添加物として加えたス
ラリーを用い、ウェーハの片面あるいは両面をラップす
る。内周刃あるいはワイヤソーでのインゴットの切断に
よって、ウェーハの厚さと平行度が決まるが、必ずばら
つきがあるので、それを補正するためである。
(SiO2 )、ジルコニア(ZrO2 )やアルミナ(A
l2O3)等の砥粒と脂肪酸塩等を添加物として加えたス
ラリーを用い、ウェーハの片面あるいは両面をラップす
る。内周刃あるいはワイヤソーでのインゴットの切断に
よって、ウェーハの厚さと平行度が決まるが、必ずばら
つきがあるので、それを補正するためである。
【0014】(3)エッチング工程 水酸化ナトリウムあるいは水酸化カリウムの液にウェー
ハを浸すことによりウェーハの表面のエッチングを行
う。ラッピング工程等を経て得られたウェーハの表面に
は、破砕層(砕けて荒れた部分)や汚染した部分(砥粒
が食い込んだ部分)が存在するので、これらを除去する
ためである。
ハを浸すことによりウェーハの表面のエッチングを行
う。ラッピング工程等を経て得られたウェーハの表面に
は、破砕層(砕けて荒れた部分)や汚染した部分(砥粒
が食い込んだ部分)が存在するので、これらを除去する
ためである。
【0015】(4)両面研磨工程 ウェーハをキャリアにセットし、上下に配された定盤に
張られたバフによって研磨液を供給しつつウェーハの表
裏面を同時に研磨する。この両面研磨を行うのは、ウェ
ーハの平坦度を大幅に向上させたり、裏面の平滑度を向
上させてSi屑の発生を防止したりするためである。
張られたバフによって研磨液を供給しつつウェーハの表
裏面を同時に研磨する。この両面研磨を行うのは、ウェ
ーハの平坦度を大幅に向上させたり、裏面の平滑度を向
上させてSi屑の発生を防止したりするためである。
【0016】(5)面取り部研削工程 再びウェーハの外周面取り部を研削液を供給しつつ砥石
によって丸く削り取る。ラッピング工程およびエッチン
グ工程によって面取り部の平面形状および断面形状が崩
れたり、面取り部の平滑度が損なわれるので、面取り部
の形状を適正化すると共に、外周面取り部の平滑度を回
復あるいは向上させるためである。この研削工程で使用
される砥石の粒度は特に制限はされないが1000〜3
000番程度である。なお、この場合、ノッチNの面取
り部の研削は特に行わなくても良い。ノッチNは小さ
く、変形も少ないからである。勿論、ノッチNの面取り
部の研削を行っても良いが、その場合には、研削の時間
がそれだけ長くかかることになる。
によって丸く削り取る。ラッピング工程およびエッチン
グ工程によって面取り部の平面形状および断面形状が崩
れたり、面取り部の平滑度が損なわれるので、面取り部
の形状を適正化すると共に、外周面取り部の平滑度を回
復あるいは向上させるためである。この研削工程で使用
される砥石の粒度は特に制限はされないが1000〜3
000番程度である。なお、この場合、ノッチNの面取
り部の研削は特に行わなくても良い。ノッチNは小さ
く、変形も少ないからである。勿論、ノッチNの面取り
部の研削を行っても良いが、その場合には、研削の時間
がそれだけ長くかかることになる。
【0017】(6)面取り部軟研削・研磨工程 ウェーハのノッチを研削液を供給しつつ砥石に所定荷重
を加えて軟研削する。エッチング工程によってノッチ面
取り部の平滑度が損なわれるので、ノッチ面取り部の平
滑度をある程度高めるためである。また、同様に、ウェ
ーハの外周面取り部を研削液を供給しつつ砥石に所定荷
重を加えて軟研削する。前記面取り部研削工程で形状が
適正化された外周面取り部の平滑度を向上させるためで
ある。いずれの場合も砥石の粒度は特に制限はされない
が2000〜5000番程度である。また、この場合の
砥石の結合剤としては、特に制限はされないが、窯業原
料系のビドリファイト等の結合剤や、メタル結合剤が使
用される。その後、ウェーハの面取り部を研磨液を供給
しつつバフ等によって研磨する。前工程の研削や軟研削
で生じた加工歪を除去したり、表面平滑度を上げて工程
途中のSi屑やSi微粉の発生を防止するためである。
を加えて軟研削する。エッチング工程によってノッチ面
取り部の平滑度が損なわれるので、ノッチ面取り部の平
滑度をある程度高めるためである。また、同様に、ウェ
ーハの外周面取り部を研削液を供給しつつ砥石に所定荷
重を加えて軟研削する。前記面取り部研削工程で形状が
適正化された外周面取り部の平滑度を向上させるためで
ある。いずれの場合も砥石の粒度は特に制限はされない
が2000〜5000番程度である。また、この場合の
砥石の結合剤としては、特に制限はされないが、窯業原
料系のビドリファイト等の結合剤や、メタル結合剤が使
用される。その後、ウェーハの面取り部を研磨液を供給
しつつバフ等によって研磨する。前工程の研削や軟研削
で生じた加工歪を除去したり、表面平滑度を上げて工程
途中のSi屑やSi微粉の発生を防止するためである。
【0018】(7)表面研磨工程 ウェーハの表面を研磨液を供給しつつバフによって研磨
する。
する。
【0019】B.面取り部の加工装置 図2には面取り部の加工装置の一例が示されている。こ
の加工装置1は面取り部研削装置2、面取り部軟研削装
置3および面取り部研磨装置5とを備え、ノッチNが形
成されたウェーハW(図3)やオリエンテーションフラ
ット(以下「オリフラ」という)Oが形成されたウェー
ハW(図10)の面取り部の研削と、軟研削と、研磨と
を連続的に行えるようになっている。
の加工装置1は面取り部研削装置2、面取り部軟研削装
置3および面取り部研磨装置5とを備え、ノッチNが形
成されたウェーハW(図3)やオリエンテーションフラ
ット(以下「オリフラ」という)Oが形成されたウェー
ハW(図10)の面取り部の研削と、軟研削と、研磨と
を連続的に行えるようになっている。
【0020】このうち面取り部研削装置2は、ウェーハ
Wを収納したカセット4を取り付けるためのカセット取
付け部(イ)と、カセット4から取り出されたウェーハ
Wのセンタリングやオリフラ/ノッチ位置出しを行う位
置決め部(ロ)と、ウェーハWの外周(ノッチNを除
く)を研削するための外周研削部(ハ)とを有し、面取
り部軟研削装置3は、ウェーハWのノッチNを軟研削す
るためのノッチ軟研削部(ニ)と、ウェーハWの外周
(ノッチNを除く)を軟研削するための外周軟研削部
(ホ)とを有し、面取り部研磨装置5は、ウェーハWの
ノッチNを研磨するためのノッチ研磨部(ヘ)と、ウェ
ーハWの外周(ノッチNを除く)を研磨するための外周
研磨部(ト)と、ウェーハWの洗浄部(チ)と、ウェー
ハWを収納するためのカセット4を取り付けるためのカ
セット取付け部(リ)とを有している。そして、この加
工装置1においては、カセット取付け部(イ)にローダ
20が、位置決め部(ロ)には図示しない位置決め装置
が、外周研削部(ハ)には外周研削装置21が、ノッチ
軟研削部(ニ)にはノッチ軟研削装置30が、外周軟研
削部(ホ)には外周軟研削装置31が、ノッチ研磨部
(ヘ)にはノッチ研磨装置50が、外周研磨部(ト)に
は外周研磨装置51が、洗浄部(チ)には図示しない洗
浄装置が、カセット取付け部(リ)にはアンローダ52
がそれぞれ設けられている。また、この加工装置1にお
いては、ローダ20によって位置決め部(ロ)に送ら
れ、ここでセンタリング等されたウェーハWを、外周研
削部(ハ)、ノッチ軟研削部(ニ)、外周軟研削部
(ホ)、ノッチ研磨部(ヘ)、外周研磨部(ト)および
洗浄部(チ)に搬送するための搬送装置40(図5参
照)が設けられている。
Wを収納したカセット4を取り付けるためのカセット取
付け部(イ)と、カセット4から取り出されたウェーハ
Wのセンタリングやオリフラ/ノッチ位置出しを行う位
置決め部(ロ)と、ウェーハWの外周(ノッチNを除
く)を研削するための外周研削部(ハ)とを有し、面取
り部軟研削装置3は、ウェーハWのノッチNを軟研削す
るためのノッチ軟研削部(ニ)と、ウェーハWの外周
(ノッチNを除く)を軟研削するための外周軟研削部
(ホ)とを有し、面取り部研磨装置5は、ウェーハWの
ノッチNを研磨するためのノッチ研磨部(ヘ)と、ウェ
ーハWの外周(ノッチNを除く)を研磨するための外周
研磨部(ト)と、ウェーハWの洗浄部(チ)と、ウェー
ハWを収納するためのカセット4を取り付けるためのカ
セット取付け部(リ)とを有している。そして、この加
工装置1においては、カセット取付け部(イ)にローダ
20が、位置決め部(ロ)には図示しない位置決め装置
が、外周研削部(ハ)には外周研削装置21が、ノッチ
軟研削部(ニ)にはノッチ軟研削装置30が、外周軟研
削部(ホ)には外周軟研削装置31が、ノッチ研磨部
(ヘ)にはノッチ研磨装置50が、外周研磨部(ト)に
は外周研磨装置51が、洗浄部(チ)には図示しない洗
浄装置が、カセット取付け部(リ)にはアンローダ52
がそれぞれ設けられている。また、この加工装置1にお
いては、ローダ20によって位置決め部(ロ)に送ら
れ、ここでセンタリング等されたウェーハWを、外周研
削部(ハ)、ノッチ軟研削部(ニ)、外周軟研削部
(ホ)、ノッチ研磨部(ヘ)、外周研磨部(ト)および
洗浄部(チ)に搬送するための搬送装置40(図5参
照)が設けられている。
【0021】ローダ20は、図4に示すように、多数の
ウェーハWを積層状態に保持可能なカセット4を昇降さ
せる昇降装置(図示せず)と、このカセット4からウェ
ーハWを1枚ずつ取り出すベルトコンベア20aとを備
え、カセット4の下側に保持されているウェーハWから
順にベルトコンベア20aによって1枚ずつウェーハW
を取り出し、位置決め部(ロ)に送れるようになってい
る。
ウェーハWを積層状態に保持可能なカセット4を昇降さ
せる昇降装置(図示せず)と、このカセット4からウェ
ーハWを1枚ずつ取り出すベルトコンベア20aとを備
え、カセット4の下側に保持されているウェーハWから
順にベルトコンベア20aによって1枚ずつウェーハW
を取り出し、位置決め部(ロ)に送れるようになってい
る。
【0022】搬送装置40は、図5に示すように、アー
ム40aを備えており、このアーム40aは位置決め部
(ロ)、外周研削部(ハ)、ノッチ軟研削部(ニ)、外
周軟研削部(ホ)、ノッチ研磨部(ヘ)、外周研磨部
(ト)および洗浄部(チ)の配列方向に往復移動可能と
なっている。また、アーム40aの先端部下側には吸着
盤40bが設けられている。この吸着盤40bは、図示
しない空気管(図示せず)を通じて、同じく図示しない
吸引ポンプに連結されている。また、吸着盤40bはモ
ータ40cによって回転できるようになっている。
ム40aを備えており、このアーム40aは位置決め部
(ロ)、外周研削部(ハ)、ノッチ軟研削部(ニ)、外
周軟研削部(ホ)、ノッチ研磨部(ヘ)、外周研磨部
(ト)および洗浄部(チ)の配列方向に往復移動可能と
なっている。また、アーム40aの先端部下側には吸着
盤40bが設けられている。この吸着盤40bは、図示
しない空気管(図示せず)を通じて、同じく図示しない
吸引ポンプに連結されている。また、吸着盤40bはモ
ータ40cによって回転できるようになっている。
【0023】外周研削装置21は、図6に示すように、
円筒状の砥石21aを2つ備えている。各砥石21aの
外周には、ウェーハWの外周を受容する溝(総形溝)2
1bが設けられている。各砥石21aはモータ21cに
よって回転駆動されるようになっている。この外周研削
装置21は、両砥石21aの溝21bの内面をウェーハ
Wの外周に所定量押し当て、両砥石21aを高速で回転
させる一方で、ウェーハWを低速で回転させることによ
って、ウェーハWの外周を所定量研削するようになって
いる。なお、両砥石21aは互いに接近離反できるよう
にされており、ウェーハWを挟み込むことができるよう
になっている。また、この外周研削装置21によってオ
リフラOも研削するようになっている。
円筒状の砥石21aを2つ備えている。各砥石21aの
外周には、ウェーハWの外周を受容する溝(総形溝)2
1bが設けられている。各砥石21aはモータ21cに
よって回転駆動されるようになっている。この外周研削
装置21は、両砥石21aの溝21bの内面をウェーハ
Wの外周に所定量押し当て、両砥石21aを高速で回転
させる一方で、ウェーハWを低速で回転させることによ
って、ウェーハWの外周を所定量研削するようになって
いる。なお、両砥石21aは互いに接近離反できるよう
にされており、ウェーハWを挟み込むことができるよう
になっている。また、この外周研削装置21によってオ
リフラOも研削するようになっている。
【0024】ノッチ軟研削装置30は、図2に示すよう
に、円板状の砥石30aを備えており、この砥石30a
は一対のアーム30b,30bにて支持されている。そ
して、このノッチ軟研削装置30は、砥石30aの外周
をウェーハWのノッチNに所定荷重で押し当て、砥石3
0aを図示しないモータによって高速で回転させる一方
で、ウェーハWを小角度往復回転させることによって、
ウェーハWのノッチNを軟研削するようになっている。
この軟研削を行うため、砥石30aはウェーハWに対し
て接近離反できるようにされている。
に、円板状の砥石30aを備えており、この砥石30a
は一対のアーム30b,30bにて支持されている。そ
して、このノッチ軟研削装置30は、砥石30aの外周
をウェーハWのノッチNに所定荷重で押し当て、砥石3
0aを図示しないモータによって高速で回転させる一方
で、ウェーハWを小角度往復回転させることによって、
ウェーハWのノッチNを軟研削するようになっている。
この軟研削を行うため、砥石30aはウェーハWに対し
て接近離反できるようにされている。
【0025】外周軟研削装置31は、図7に示すよう
に、円筒状の砥石31aを2つ備えている。各砥石31
aの外周には、ウェーハWの外周を受容する溝(総形
溝)31bが設けられている。各砥石31aはモータ3
1cによって回転駆動されるようになっている。この外
周軟研削装置31は、両砥石31aの溝31bの内面を
ウェーハWの外周に所定荷重で押し当て、両砥石31a
を高速で回転させる一方で、ウェーハWを低速で回転さ
せることによって、ウェーハWの外周を軟研削するよう
になっている。なお、両砥石31aは互いに接近離反で
きるようにされており、ウェーハWを挟み込むことがで
きるようになっている。また、この外周軟研削装置31
によってオリフラOも軟研削するようになっている。
に、円筒状の砥石31aを2つ備えている。各砥石31
aの外周には、ウェーハWの外周を受容する溝(総形
溝)31bが設けられている。各砥石31aはモータ3
1cによって回転駆動されるようになっている。この外
周軟研削装置31は、両砥石31aの溝31bの内面を
ウェーハWの外周に所定荷重で押し当て、両砥石31a
を高速で回転させる一方で、ウェーハWを低速で回転さ
せることによって、ウェーハWの外周を軟研削するよう
になっている。なお、両砥石31aは互いに接近離反で
きるようにされており、ウェーハWを挟み込むことがで
きるようになっている。また、この外周軟研削装置31
によってオリフラOも軟研削するようになっている。
【0026】ノッチ研磨装置50は、図2に示すよう
に、円板状の発泡樹脂製のバフ50aを備えており、こ
のバフ50aは一対のアーム50b,50bにて支持さ
れている。そして、このノッチ研磨装置50は、バフ5
0aの外周をウェーハWのノッチNに所定荷重で押し当
て、バフ50aを図示しないモータによって高速で回転
させる一方で、ウェーハWを小角度往復回転させること
によって、ウェーハWのノッチNを研磨するようになっ
ている。
に、円板状の発泡樹脂製のバフ50aを備えており、こ
のバフ50aは一対のアーム50b,50bにて支持さ
れている。そして、このノッチ研磨装置50は、バフ5
0aの外周をウェーハWのノッチNに所定荷重で押し当
て、バフ50aを図示しないモータによって高速で回転
させる一方で、ウェーハWを小角度往復回転させること
によって、ウェーハWのノッチNを研磨するようになっ
ている。
【0027】外周研磨装置51は、図8に示すように、
円筒状のバフ51aを2つ備えている。各バフ51aの
外周には、ウェーハWの外周を受容する溝(総形溝)5
1bが設けられている。各バフ51aはモータ51cに
よって回転駆動されるようになっている。この外周研磨
装置51は、両バフ51aの溝51bの内面をウェーハ
Wの外周に所定荷重で押し当て、両バフ51aを高速で
回転させる一方で、ウェーハWを低速で回転させること
によって、ウェーハWの外周を研磨するようになってい
る。なお、両バフ51aは互いに接近離反できるように
されており、ウェーハWを挟み込むことができるように
なっている。また、この外周研磨装置51によってオリ
フラOも研磨するようになっている。
円筒状のバフ51aを2つ備えている。各バフ51aの
外周には、ウェーハWの外周を受容する溝(総形溝)5
1bが設けられている。各バフ51aはモータ51cに
よって回転駆動されるようになっている。この外周研磨
装置51は、両バフ51aの溝51bの内面をウェーハ
Wの外周に所定荷重で押し当て、両バフ51aを高速で
回転させる一方で、ウェーハWを低速で回転させること
によって、ウェーハWの外周を研磨するようになってい
る。なお、両バフ51aは互いに接近離反できるように
されており、ウェーハWを挟み込むことができるように
なっている。また、この外周研磨装置51によってオリ
フラOも研磨するようになっている。
【0028】アンローダ52は、図9に示すように、多
数のウェーハWを積層状態に保持可能なカセット4を昇
降させる昇降装置(図示せず)と、このカセット4にウ
ェーハWを1枚ずつ収納するベルトコンベア52aとを
備え、カセット4の上側から順にウェーハWをベルトコ
ンベア52aによって1枚ずつウェーハWを収納するこ
とができるようになっている。
数のウェーハWを積層状態に保持可能なカセット4を昇
降させる昇降装置(図示せず)と、このカセット4にウ
ェーハWを1枚ずつ収納するベルトコンベア52aとを
備え、カセット4の上側から順にウェーハWをベルトコ
ンベア52aによって1枚ずつウェーハWを収納するこ
とができるようになっている。
【0029】なお、面取り部の研磨が終了した後、洗浄
部(チ)に到達したウェーハWは再度位置決めされるこ
とはない。
部(チ)に到達したウェーハWは再度位置決めされるこ
とはない。
【0030】以上に説明したウェーハの加工方法によれ
ば、半導体デバイスの製造工程に送られる前に、ラッピ
ング工程およびエッチング工程等で生じた面取り部の平
面形状および断面形状の崩れを直すことができる。した
がって、半導体デバイスの製造工程のレジストの切れが
悪くなったりする心配がなくなる。また、アルカリエッ
チングによってウェーハの外周の平滑度が損なわれた場
合であっても、エッチング工程の後に行われる研削およ
び軟研削によって外周の平滑度を回復あるいは向上させ
ることができる。したがって、後に行われる面取り部の
研磨時間が短くて済むことになる。
ば、半導体デバイスの製造工程に送られる前に、ラッピ
ング工程およびエッチング工程等で生じた面取り部の平
面形状および断面形状の崩れを直すことができる。した
がって、半導体デバイスの製造工程のレジストの切れが
悪くなったりする心配がなくなる。また、アルカリエッ
チングによってウェーハの外周の平滑度が損なわれた場
合であっても、エッチング工程の後に行われる研削およ
び軟研削によって外周の平滑度を回復あるいは向上させ
ることができる。したがって、後に行われる面取り部の
研磨時間が短くて済むことになる。
【0031】以上、本発明者によってなされた発明の実
施例について説明したが、本発明は、かかる実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々の変形が可能である。
施例について説明したが、本発明は、かかる実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々の変形が可能である。
【0032】
【発明の効果】本発明の代表的なものの効果を説明すれ
ば、半導体デバイスの製造工程に送られる前に、ラッピ
ング工程およびエッチング工程で生じた面取り部の平面
形状および断面形状の崩れを直すことができる。したが
って、半導体デバイスの製造工程のレジストの切れが悪
くなったりする心配がなくなる。また、アルカリエッチ
ングによってウェーハの外周の平滑度が損なわれた場合
であっても、エッチング工程の後に行われる研削および
軟研削によって外周の平滑度を回復あるいは向上させる
ことができる。したがって、後に行われる面取り部の研
磨時間が短くて済むことになる。
ば、半導体デバイスの製造工程に送られる前に、ラッピ
ング工程およびエッチング工程で生じた面取り部の平面
形状および断面形状の崩れを直すことができる。したが
って、半導体デバイスの製造工程のレジストの切れが悪
くなったりする心配がなくなる。また、アルカリエッチ
ングによってウェーハの外周の平滑度が損なわれた場合
であっても、エッチング工程の後に行われる研削および
軟研削によって外周の平滑度を回復あるいは向上させる
ことができる。したがって、後に行われる面取り部の研
磨時間が短くて済むことになる。
【図1】本発明に係る加工方法の工程図である。
【図2】加工装置の平面図である。
【図3】ノッチ付きのウェーハの平面図である。
【図4】ローダの側面図である。
【図5】搬送装置の斜視図である。
【図6】外周研削装置の側面図である。
【図7】外周軟研削装置の側面図である。
【図8】外周研磨装置の側面図である。
【図9】アンローダの側面図である。
【図10】オリフラ付きのウェーハの平面図である。
1 加工装置 2 面取り部研削装置 3 面取り部軟研削装置 5 面取り部研磨装置 W ウェーハ
フロントページの続き (72)発明者 山田 正幸 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内
Claims (3)
- 【請求項1】 インゴットをスライスして得られたウェ
ーハの外周を研削によって面取りし、前記ウェーハのラ
ッピングを行った後エッチングを行い、次いで、前記ウ
ェーハの外周面取り部を所定量研削し、次いで、前記外
周面取り部の全体を砥石に所定荷重を加えて加工する軟
研削を施し、その後に、ウェーハの前記外周面取り部の
全体および表裏面の研磨を行うようにしたことを特徴と
するウェーハの加工方法。 - 【請求項2】 インゴットをスライスして得られたウェ
ーハの外周を研削によって面取りし、前記ウェーハのラ
ッピングを行った後エッチングを行い、前記ウェーハの
表裏面を同時に研磨した後、前記ウェーハの外周面取り
部を所定量研削し、次いで、前記外周面取り部の全体を
砥石に所定荷重を加えて加工する軟研削を施し、その後
に、ウェーハの前記外周面取り部の全体および表面の研
磨を行うようにしたことを特徴とするウェーハの加工方
法。 - 【請求項3】 前記エッチングはアルカリエッチングで
あることを特徴とする請求項1または請求項2記載のウ
ェーハの加工方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07239279A JP3109419B2 (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | ウェーハの加工方法 |
TW085109818A TW308561B (ja) | 1995-08-24 | 1996-08-13 | |
US08/700,604 US5882539A (en) | 1995-08-24 | 1996-08-14 | Wafer processing method and equipment therefor |
EP96306062A EP0764976A1 (en) | 1995-08-24 | 1996-08-20 | Wafer processing method and equipment |
KR1019960034787A KR970013089A (ko) | 1995-08-24 | 1996-08-22 | 웨이퍼 가공 방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07239279A JP3109419B2 (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | ウェーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0957586A true JPH0957586A (ja) | 1997-03-04 |
JP3109419B2 JP3109419B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=17042394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07239279A Expired - Fee Related JP3109419B2 (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | ウェーハの加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3109419B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002049802A1 (fr) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | Nikon Corporation | Dispositif et procede de polissage, et procede et dispositif pour produire un dispositif a semiconducteurs |
JP2002187050A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-02 | Nikon Corp | 研磨装置、半導体ウェハの研磨方法、半導体デバイスの製造方法及び製造装置 |
KR20030052465A (ko) * | 2001-12-21 | 2003-06-27 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼의 제조방법 |
KR20030053084A (ko) * | 2001-12-22 | 2003-06-28 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼의 제조방법 |
US7559825B2 (en) | 2006-12-21 | 2009-07-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
JP2017081782A (ja) * | 2015-10-28 | 2017-05-18 | 日本電気硝子株式会社 | 板ガラスの製造方法及び製造装置 |
-
1995
- 1995-08-24 JP JP07239279A patent/JP3109419B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002049802A1 (fr) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | Nikon Corporation | Dispositif et procede de polissage, et procede et dispositif pour produire un dispositif a semiconducteurs |
JP2002187050A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-02 | Nikon Corp | 研磨装置、半導体ウェハの研磨方法、半導体デバイスの製造方法及び製造装置 |
KR20030052465A (ko) * | 2001-12-21 | 2003-06-27 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼의 제조방법 |
KR20030053084A (ko) * | 2001-12-22 | 2003-06-28 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼의 제조방법 |
US7559825B2 (en) | 2006-12-21 | 2009-07-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
JP2017081782A (ja) * | 2015-10-28 | 2017-05-18 | 日本電気硝子株式会社 | 板ガラスの製造方法及び製造装置 |
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---|---|
JP3109419B2 (ja) | 2000-11-13 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |