KR970013089A - 웨이퍼 가공 방법 및 장치 - Google Patents

Abstract

웨이퍼의 챔퍼링된 부분을 신속하게 폴리싱하는 웨이퍼 가공 방법이 기술되어 있다. 상기 가공 방법은 연마에 의해 잉곳(ingot)을 슬라이싱하므로서 얻어지는 웨이퍼의 외주부를 챔퍼링하는 단계와, 웨이퍼를 랩핑하는 단계와, 챔퍼링또는 랩핑된 웨이퍼를 에칭하는 단계와, 그후에 소정 하중을 숫돌에 적용하는 동안 숫돌을 사용하므로써 웨이퍼의 챔퍼링된 외주부 전체를 호닝하는 단계 및 웨이퍼의 전후면과 챔퍼링된 외주부 전체를 폴리싱하는 단계를 포함한다.

Description

웨이퍼 가공 방법 및 장치

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명에 따른 가공 방법의 제1실시예를 도시한 흐름도.

Claims (24)

1. 연마에 의해 잉곳을 슬라이싱하므로서 얻어지는 웨이퍼의 외주부를 챔퍼링하는 단계와, 웨이퍼를 랩핑하는 단계와, 챔퍼링 또는 랩핑된 웨이퍼를 에칭하는 단계와, 그후에 랩핑 또는 에칭 단계에서 발생되는 웨이퍼의 챔퍼링된 외주부의 단면 형상의 변형을 보상하는 단계 및, 웨이퍼의 보상된 챔퍼링된 외주부 전체를 폴리싱하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 보상 단계는 소정 하중을 호닝 스톤에 적용하는 동안 호닝 스톤을 사용하므로써 웨이퍼의 챔퍼링된 외주부 전체를 호닝하기 위한 호닝 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 랩핑 단계는 챔퍼링 단계후에 수행되고, 상기 웨이퍼 가공 방법은 보상 단계후에 웨이퍼의 저후면을 폴리싱 하기 위한 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
4. 제2항에 있어서, 상기 호닝 단계는 웨이퍼의 노치부를 호닝하기 위한 노치 호닝 단계와, 웨이퍼의 노치부를 제외한 외주부를 호닝하기 위한 외주 호닝단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 노치 호닝 단계는 작은 각도내에서 웨이퍼 호닝 스톤사이에 상대적인 왕복 회전을 제공하는 동안 소정 하중을 갖는 웨이퍼의 노치부에 대해 회전 디스크형 호닝 스톤의 외주부를 가압하므로써 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
6. 제4항에 있어서, 상기 외주 호닝 단계는 소정 하중을 갖는 웨이퍼 외주에 대해 원통형 호닝 스톤의 외주상에 형성된 웨이퍼의 외주를 수용하기 위해 성형 챔퍼링 홈안으로 상기 표면을 가압하므로써 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
7. 제4항에 있어서, 상기 외주 호닝 단계는 소정 하중을 갖는 웨이퍼의 외주에 대해 웨이퍼를 샌드위치시키는 두 개의 원통형 호닝 스톤의 각 외주상에 형성되는 웨이퍼의 외주를 수용하기 위해 각 성형 챔퍼링 홈안로 표면을 가압하므로써 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
8. 제2항에 있어서, 상기 호닝 단계는 웨이퍼의 외주부와 배향 평면을 호닝하기 위한 외주 호닝 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
9. 제2항에 있어서, 상기 호닝 단계에서 사용된 호닝 스톤용 접합은 세라믹 원료 시스템의 유리화 접함, 금속 접함, 수지 접합, 금속-수지 혼합 접합 및 껌으로 구성되는 그룹중 적어도 하나로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
10. 제2항에 있어서, 상기 랩핑 단계는 챔퍼링 단계후에 수행되고, 상기 웨이퍼 가공 방법은 에칭 단계후와 보상 단계전에 웨이퍼의 전후면을 동시에 폴리싱하기 위한 단계와, 보상 단계흥에 웨이퍼의 전방면을 폴리싱하기 위한 단계를

    추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
11. 제2항에 있어서, 상기 에칭은 알카리 에칭인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
12. 제1항에 있어서, 상기 보상 단계는 웨이퍼의 챔퍼링된 외주부를 그라인딩하므로써 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
13. 제12항에 있어서, 상기 랩핑 단계는 챔퍼링 단계후에 수행되고, 상기 웨이퍼 가공 방법은 보상 단계후에 웨이퍼의 전후면을 폴리싱 하기 위한 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
14. 제12항에 있어서, 상기 랩핑 단계는 챔퍼링 단계후에 수행되고, 상기 웨이퍼 가공 방법은 에칭 단계후와 보상 단계전에 웨이퍼의 전후면을 동시에 폴리싱하기 위한 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
15. 제12항에 있어서, 상기 에칭은 알카리 에칭인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
16. 제1항에 있어서, 상기 보상 단계는 웨이퍼의 챔퍼링된 외주부를 소정량으로 그라인딩하기 위한 단계와, 소정 하중을 호닝 스톤에 적용하는 동안 호닝 스톤을 사용하므로써 웨이퍼의 챔퍼링된 외주부 전체를 호닝하기 위한 호닝 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
17. 제16항에 있어서, 상기 랩핑 단계는 상기 보상 단계후에 수행되고, 상기 웨이퍼 가공 방법은 상기 보상 단계후에 웨이퍼의 전후면을 폴리싱하기 위한 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
18. 제16항에 있어서, 상기 랩핑 단계는 상기 보상 단계후에 수행되고, 상기 웨이퍼 가공 방법은 상기 에칭 단계후와

    상기 보상 단계전에 웨이퍼의 전후면을 폴리싱하기 위한 단계와, 상기 보상 단계후에 웨이퍼의 전방면을 폴리싱하기 위한 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
19. 제16항에 있어서, 상기 에칭은 알카리 에칭인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
20. 웨이퍼의 챔퍼링된 외주부를 그라인딩하기 위한 챔퍼링된 부분 그라인딩 장치와, 챔퍼링된 부분 그라인딩 장치에 의해 그라운드되는 챔퍼링된 부분을 폴리싱하기 위한 챔퍼링된 부분 폴리싱장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
21. 제20항에 있어서, 상기 챔퍼링된 부분 그라인딩 장치는 소정 하중을 호닝 스톤에 적용하는 동안 호닝 스톤을 사용하므로써 웨이퍼의 챔퍼링된 외주부를 호닝 하기 위한 챔퍼링된 부분 호닝장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
22. 제21항에 있어서, 상기 챔퍼링된 부분 호닝장치는 웨이퍼의 노치부를 호닝하기 위한 노치 호닝부와, 웨이퍼의 노치부를 제외한 외주부를 호닝하기 위한 외주 호닝부를 포함하고, 상기 챔퍼링된 부분 폴리싱 장치는 웨이퍼의 노치부를 폴리싱하기 위한 노치 폴리싱부와, 웨이퍼의 노치부를 제외한 외주부를 폴리싱하기 위한 외주 폴리싱부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
23. 제20항에 있어서, 상기 챔퍼링된 부분 그라인딩 장치는 웨이퍼의 노치부를 제외한 외주부를 그라인딩하개 위한 외주 그라인딩부를 포함하고, 상기 챔퍼링된 부분 폴리싱 장치는 웨이퍼의 노치부를 제외한 외주부를 폴리싱하기 위한 외주 폴리싱부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
24. 제20항에 있어서, 상기 챔퍼링된 부분 그라인딩 장치는 웨이퍼의 외주부를 그라인딩하기 위한 외주 그라인딩부와, 웨이퍼의 노치부를 호닝하기 위한 노치 호닝부 및, 웨이퍼의 노치부를 제외한 외주부를 호닝하기 위한 외주 호닝부를 포함하고, 상기 챔퍼링된 부분 폴리싱 장치는 웨이퍼의 노치부를 폴리싱하기 위한 노치 폴리싱부와, 웨이퍼의 노치부를 제외한 외주부를 폴리싱하기 위한 외주 폴리싱부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.