JP4076046B2 - ウエハの多段面取り加工方法 - Google Patents

ウエハの多段面取り加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4076046B2
JP4076046B2 JP2000160285A JP2000160285A JP4076046B2 JP 4076046 B2 JP4076046 B2 JP 4076046B2 JP 2000160285 A JP2000160285 A JP 2000160285A JP 2000160285 A JP2000160285 A JP 2000160285A JP 4076046 B2 JP4076046 B2 JP 4076046B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
grinding wheel
chamfering method
groove shape
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000160285A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001334448A (ja
Inventor
友嗣 山崎
章浩 稲葉
Original Assignee
エム・イー・エム・シー株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エム・イー・エム・シー株式会社 filed Critical エム・イー・エム・シー株式会社
Priority to JP2000160285A priority Critical patent/JP4076046B2/ja
Priority to PCT/US2000/020865 priority patent/WO2001091968A1/en
Publication of JP2001334448A publication Critical patent/JP2001334448A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4076046B2 publication Critical patent/JP4076046B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02021—Edge treatment, chamfering
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D5/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting only by their periphery; Bushings or mountings therefor
    • B24D5/02—Wheels in one piece

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウエハの多段面取り加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
シリコンウエハは堅くて脆く、劈開面に沿っては極度に割れやすい性質を持っている。
特に、ウエハ切断（スライシング）されたウエハは、ウエハ周辺部が切断されたままの直角の状態であると、外部からの衝撃に対して非常に弱く、カケやチップが生じやすいという問題点があった。
【０００３】
上記の点を解消するため、ウエハ周辺部は、面取り（ベベリング）加工することにより、ウエハ周辺部の衝撃強度の向上が行われていた（図５参照）。
ウエハの面取り加工は、例えば、図６に示すような所定の溝を有する研削砥石（ホイール）１０にウエハ周辺部３２を押し当て、水を流しながら研削するものである。
【０００４】
最近、ウエハの大口径等に伴い、ウエハの面取り加工は、ウエハ周辺部を粗研削した後、更に精研削することが行われている。
【０００５】
しかしながら、粗研削及び精研削時に、溝形状が同じ研削砥石（ホイール）を使用している（図３〜４参照）ため、精研削時にウエハ周辺部のエッジ部の取り代量（Ｘ2）とテーパー部における取り代量（Ｘ1）とが不均一（Ｘ2＞Ｘ1）になり、精研削時におけるウエハ周辺部の加工精度を十分に得ることができないという問題点があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエハの多段面取り加工時におけるウエハ周辺部の寸法精度を維持しつつ、ウエハの取り代量を低減することができるウエハの多段面取り加工方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明によれば、ウエハ周辺部を粗研削した後、更に精研削するウエハの多段面取り加工方法であって、精研削時に設定されたウエハ周辺部の取り代を考慮して、粗研削砥石の溝形状を最適化することにより、精研削時におけるウエハ周辺部の先端部とテーパ部との取り代を均一にすることを特徴とするウエハの多段面取り加工方法が提供される。
このとき、精研削時におけるウエハ周辺部は、精研削砥石の溝形状と均一に接触することが好ましい。
【０００８】
また、本発明では、粗研削砥石の溝形状が、溝部の曲率半径又はフラット長さにより最適化されていることが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の面取り加工方法は、精研削時に設定されたウエハ周辺部の取り代を考慮して、粗研削砥石の溝形状を最適化することにより、精研削時におけるウエハ周辺部の先端部とテーパ部との取り代を均一にすることにある。
これにより、ウエハの多段面取り加工時におけるウエハ周辺部の寸法精度を維持しつつ、ウエハの取り代量を低減することができる。
【００１０】
以下、本発明の面取り加工方法について、図面に基づいて更に詳細に説明する。
図１〜２は、本発明で用いる粗研削砥石の溝形状の各例を示す説明図である。
ここで、本発明の面取り加工方法は、例えば、図１に示すように、粗研削砥石の溝部１２の曲率半径（Ｒａ）、精研削砥石の溝部１４の曲率半径（Ｒｂ）、設定される精研削時におけるウエハの取り代量（Ｘ）とすると、「Ｒａ＝Ｒｂ＋Ｘ」の式に基づいて、粗研削砥石の溝形状１２を最適化することが好ましい。
【００１１】
また、本発明の面取り加工方法は、例えば、図２に示すように、粗研削砥石の溝部１２のフラット長さ（Ｔａ）、精研削砥石の溝部１４のフラット長さ（Ｔｂ）、設定される精研削時におけるウエハの取り代量（Ｘ）、溝部のテーパー角（θ）とすると、「Ｔａ＝Ｔｂ＋２Ｘ（１−ｓｉｎθ）／ｃｏｓθ」の式に基づいて、粗研削砥石１０の溝形状を最適化することもできる。
【００１２】
以上のことから、本発明の面取り加工方法は、設定される粗研削時におけるウエハの取り代量（Ｘ）を考慮して粗研削砥石の溝形状を最適化することにより、精研削時におけるウエハ周辺部を、精研削砥石の溝形状と均一に接触させることができる。
即ち、本発明の面取り加工方法は、精研削時にウエハ周辺部のエッジ部の取り代量（Ｘ2）とテーパー部における取り代量（Ｘ1）とを均一（Ｘ2＝Ｘ1）にすることができる。
【００１３】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明の面取り加工方法は、ウエハの多段面取り加工時におけるウエハ周辺部の寸法精度を維持しつつ、ウエハの取り代量を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明で用いる粗研削砥石の溝形状の一例を示す説明図である。
【図２】 本発明で用いる粗研削砥石の溝形状の他の例を示す説明図である。
【図３】 従来から用いられている粗研削砥石の溝形状の一例を示す説明図である。
【図４】 従来から用いられている粗研削砥石の溝形状の他の例を示す説明図である。
【図５】 ウエハの面取り形状の各例を示す断面模式図である。
【図６】 ウエハの多段面取り加工の一例を示す概要図である。
【符号の説明】
１０…研削砥石（ホイール）、１２…粗研削砥石の溝部、１４…精研削砥石の溝部、３０…ウエハ、３２…ウエハ周辺部。

Claims (4)

  1. ウエハ周辺部を粗研削した後、更に精研削するウエハの多段面取り加工方法であって、
    精研削時に設定されたウエハ周辺部の取り代を考慮して、粗研削砥石の溝形状を最適化することにより、精研削時におけるウエハ周辺部の先端部とテーパ部との取り代を均一にすることを特徴とするウエハの多段面取り加工方法。
  2. 精研削時におけるウエハ周辺部が、精研削砥石の溝形状と均一に接触する請求項１に記載のウエハの多段面取り加工方法。
  3. 粗研削砥石の溝形状が、溝部の曲率半径により最適化された請求項１又は２に記載のウエハの多段面取り加工方法。
  4. 粗研削砥石の溝形状が、溝部のフラット長さにより最適化された請求項１又は２に記載のウエハの多段面取り加工方法。
JP2000160285A 2000-05-30 2000-05-30 ウエハの多段面取り加工方法 Expired - Fee Related JP4076046B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000160285A JP4076046B2 (ja) 2000-05-30 2000-05-30 ウエハの多段面取り加工方法
PCT/US2000/020865 WO2001091968A1 (en) 2000-05-30 2000-07-31 Method and apparatus for multiple chamfering of a wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000160285A JP4076046B2 (ja) 2000-05-30 2000-05-30 ウエハの多段面取り加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001334448A JP2001334448A (ja) 2001-12-04
JP4076046B2 true JP4076046B2 (ja) 2008-04-16

Family

ID=18664499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000160285A Expired - Fee Related JP4076046B2 (ja) 2000-05-30 2000-05-30 ウエハの多段面取り加工方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4076046B2 (ja)
WO (1) WO2001091968A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102366911A (zh) * 2011-08-19 2012-03-07 王吴光 一种纺织线导向零件的模板倒角装置
CN103394982B (zh) * 2013-08-20 2015-07-29 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮及倒角方法
JP6610587B2 (ja) * 2017-03-13 2019-11-27 信越半導体株式会社 ウェーハの製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2623251B2 (ja) * 1987-07-15 1997-06-25 東芝セラミックス株式会社 面取加工装置
DE4033683A1 (de) * 1989-11-30 1991-06-06 Motorola Inc Verfahren zur herstellung von wafern mit einer epitaxialen schicht
JP2921250B2 (ja) * 1992-02-28 1999-07-19 信越半導体株式会社 ウエーハ面取部の鏡面研磨方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001334448A (ja) 2001-12-04
WO2001091968A1 (en) 2001-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1962335B1 (en) Method of processing chamfered portion of semiconductor wafer and method of correcting groove shape of grindstone
EP1098365A3 (en) Method for manufacturing semiconductor chips
TW406326B (en) Method for manufacturing semiconductor wafers
JPS5958827A (ja) 半導体ウエ−ハ、半導体ウエ−ハの製造方法及び半導体ウエ−ハの製造装置
JP3658454B2 (ja) 半導体ウェハの製造方法
KR20040086082A (ko) 엣지 연마한 질화물 반도체 기판과 엣지 연마한 ＧａＮ자립 기판 및 질화물 반도체 기판의 엣지 가공 방법
JP3328193B2 (ja) 半導体ウエーハの製造方法
JPH0624200B2 (ja) 半導体デバイス用基板の加工方法
KR102516664B1 (ko) 커터 휠
US6599760B2 (en) Epitaxial semiconductor wafer manufacturing method
US20160096248A1 (en) Ingot and methods for ingot grinding
JP4076046B2 (ja) ウエハの多段面取り加工方法
JP2008108837A (ja) 半導体ウエハの研削装置および半導体装置の製造方法
JP4220192B2 (ja) 脆性材料用切刃の製造方法およびその製造方法で製造される脆性材料用切刃
CN108555700A (zh) 一种碳化硅晶片的抛光工艺
EP1091394A3 (en) Method for manufacturing thin semiconductor chips
JP2006339431A (ja) 窒化物半導体基板の加工方法
JP3877956B2 (ja) 内面加工用ブローチの製造方法
WO2001035450A1 (fr) Tranche de semi-conducteur
JPS62264869A (ja) 精密加工用砥石
CN217619973U (zh) 一种轴承内圈沟道和外径同时加工的磨削工装
JP2002001636A (ja) ウエハの面取り加工方法
JP2004281550A (ja) 半導体ウエハおよびその面取り加工方法
JPH11165262A (ja) カップ型回転砥石
CN106313346B (zh) 刀轮及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070530

TRDD Decision of grant or rejection written
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20071225

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071225

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080124

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4076046

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120208

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130208

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140208

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S303 Written request for registration of pledge or change of pledge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316304

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S803 Written request for registration of cancellation of provisional registration

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees