DE4033683A1 - Verfahren zur herstellung von wafern mit einer epitaxialen schicht - Google Patents
Verfahren zur herstellung von wafern mit einer epitaxialen schichtInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein
Verfahren zur Bearbeitung von Halbleiter-Wafern und
insbesondere zum Bearbeiten von Halbleiter-Wafern im
Zustand vor dem Aufbringen einer epitaxialen Schicht.
Es ist allgemein üblich, bei Halbleiter-Wafern und bei
Wafern mit anderen elektronischen Substraten, scharfe
Ecken an den Stellen der Wafer zu beseitigen, wo die
Hauptflächen auf die Wafer-Ecken bzw. die Seiten der Wafer
treffen. Dieses allgemein bekannte Verfahren wird
angewendet, um die Wahrscheinlichkeit des Abblätterns des
Wafers oder anderen Schaden während der nachfolgenden
Prozeßschritte zu vermeiden.
Ein besonderes Problem ergibt sich für Wafer, die mit
einer epitaxialen Schicht zu überziehen sind. Die
Ausbreitung der reaktanten Gase in dem Reaktanzraum
(epi-reactor) ist an den Kanten des Wafers anders als auf
den Hauptflächen des Wafers. Eine Folge dieser
Ausbreitungsstörung ist das Auftreten eines Grates oder
einer Krone aus epitaxialem Material, die sich an oder
nahe der Wafer-Kante aufbauen können. Diese sogenannte
"epitaxiale Krone" (epi-crown) oder "epitaxialer Grat"
(epi-ridge) ist dicker als die übrige epitaxiale Schicht
und tritt aus der Ebene der epitaxialen Oberfläche auf der
Hauptfläche des Wafers aus. Dieser Grat bzw. diese Krone
aus epitaxialem Material beeinflußt die weiteren
Prozeßschritte an dem Wafern und ist unerwünscht.
Bisher wurde auf mehreren Wegen versucht, diese epitaxiale
Krone zu vermeiden. Ein Verfahren dazu umfaßt die
Veränderung der Ausgestaltung des Epitaxie-Reaktors, um
dadurch die Störung des Gasstromes an den Ecken zu
vermeiden. Dies hat jedoch nur teilweise zum Erfolg
geführt und derartige Reaktoren sind teurer und weniger
flexibel als herkömmliche Reaktoren. Es sind daher andere
Lösungen erwünscht.
Es ist bekannt, daß die Größe der epitaxialen Krone
durch Abschleifen der Wafer-Kanten reduziert werden kann.
Allgemein gilt, daß je schärfer die Ecken sind, an denen
die Hauptflächen des Wafers mit der Wafer-Kante oder
Wafer-Seite zusammentreffen, umso betonter die
epitaxiale Krone sein wird. Jedoch waren die bisher
bekannten Verfahren zum Abschleifen der Kanten
zeitaufwendig und teuer und bisher nicht in der Lage, den
Effekt der epitaxialen Krone vollständig zu beseitigen.
Es besteht daher auch weiterhin das Verlangen nach
verbesserten Vorrichtungen und Verfahren, um die Wafer
noch vor dem Aufbringen einer epitaxialen Kronen
während des Wachsens der epitaxialen Schicht vermindert
werden kann.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine
verbesserte Vorrichtung und ein Verfahren
bereitzustellen, um Wafer noch vor Aufbringen der
epitaxialen Schicht so vorzubereiten, daß die Bildung von
epitaxialen Kronen während des Wachsens der epitaxialen
Schicht vermindert oder verhindert werden kann. Eine
weitere Aufgabe ist es, eine verbesserte Vorrichtung
und ein verbessertes Verfahren anzugeben, das die
Wafer-Kanten vor dem Wachsen einer epitaxialen Schicht so
formt, daß epitaxiale Kronen vermindert oder beseitigt
werden. Eine weitere Aufgabe ist es, eine verbesserte
Vorrichtung zum Abschleifen von Kanten und ein Verfahren
zur Wafer-Herstellung anzugeben, welche die oben
genannten Aufgaben bewerkstelligt.
Diese und andere Aufgaben und Vorteile werden durch ein
Verfahren erreicht, welches einen Halbleiter-Wafer mit
vorder- und rückseitiger Oberfläche umfaßt, wobei die
vorder- und rückseitige Oberfläche durch eine an den Ecken
liegende Kante verbunden sind, bei dem in einem einzigen
Arbeitsschritt asymmetrisch Material von den auf der
Vorder- und Rückseite liegenden Ecken entfernt wird. Es
ist erwünscht, daß der Schritt des Entfernens das
Entfernen von Material von der Ecke auf der Vorderseite
über eine erste Distanz, gemessen von der Kante des Wafers
entlang der ersten Fläche umfaßt und das Abtragen von
Material von der Ecke auf der Rückseite über eine Distanz
gemessen von der Kante auf dem Wafer entlang der auf der
Rückseite liegenden Fläche umfaßt, wobei die erste Distanz
kleiner ist als die zweite Distanz. Wenn der Wafer wie
oben beschrieben geformt ist, wird eine epitaxiale Schicht
auf der ersten Oberfläche aufgebracht. Das epitaxiale
Material breitet sich einheitlich über die Vorderseite und
die vorderseitige Ecke nahezu ohne einen Grat oder eine
Krone aus.
Es ist wünschenswert, daß die Menge des von den Ecken
entfernten Materials des Wafers am größten neben den Ecken
ist und innerhalb der ersten und zweiten Distanz bis auf
Null abnimmt und daß die rückseitig liegende Ecke so
abgeschliffen wird, daß sie eine etwa konische Form
aufweist, die gegenüber der Ebene des Wafers einen Winkel
von etwa 36 bis 44° aufweist. Es ist wünschenswert, daß
die Oberfläche, die durch Abschleifen der vorderseitigen
Ecke gebildet wird, ebenfalls konisch ist. Jedoch können
die durch Abschleifen der Ecken erstellten Oberflächen
auch gekrümmt verlaufen, d. h. kugelartig, so daß sie die
vorderseitig liegenden und rückseitig liegenden Ebenen des
Wafers allmählich und nicht abrupt verbinden.
Der oben beschriebene Abschleifschritt wird
geeigneterweise mit einem einzigen asymmetrischen
Abschleifwerkzeug erreicht, das eine Kerbe aufweist mit
einer ersten und zweiten voneinander beabstandeten
schleifenden Seiten zum asymmetrischen Abschleifen der
vorderseitigen und rückseitigen Ecken und der Abschnitte
der Vorderseite und der Rückseite des Wafers nahe der
Ecken, und mit einer dritten Seite, die die erste und
zweite Seite verbindet und einen Boden in der Kerbe
bildet, wobei die zweite Seite sich über einen größeren
Abstand von dem Boden der Kerbe erstreckt als die erste
Seite. Es ist wünschenswert, daß die Kerbenseiten zum
Herstellen von konischen Eckoberflächen einen Winkel im
Bereich von 36 bis 44° einschließen und zum Herstellen
von kugelartigen Ecken-Oberflächen einen Winkel
einschließen, der zum offenen Abschnitt der Kerbe hin bis
auf Null abnimmt. Es ist außerdem wünschenswert, daß der
Kerbenboden abreibend und gekrümmt ausgebildet ist und daß
die erste und zweite Seite und der Boden der Kerbe
miteinander ohne scharfe Ecken verbunden sind.
Diese und weitere Aufgabe, Vorteile und Merkmale der
vorliegenden Erfindung werden anhand der
Zeichnungen und der zugehörigen Beschreibung besser
verständlich:
Fig. 1A-D zeigen vereinfachte schematische Seitenansichten
von Schritten und Werkzeugen zum Formen von
Wafer-Kanten nach herkömmlicher Art;
Fig. 2A-C sind vereinfachte schematische Seitenansichten
von Wafern, die mit den Werkzeugen aus den Fig.
1B-D geformt wurden nach dem Aufwachsen einer
epitaxialen Schicht;
Fig. 3A-B sind vereinfachte schematische Seitenansichten
von Wafern und dazu passenden Wafer-Kanten-Form-
Werkzeugen entsprechend einer bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4A-B sind vereinfachte schematische Seitenansichten
von Wafern, deren Kanten mit den
Kantenabschleifwerkzeugen von mehreren
bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung geformt wurden, nach dem Aufwachsen
einer epitaxialen Schicht;
Fig. 5 zeigt eine vereinfachte schematische
Seitenansicht eines Abscnitts von einer
weiteren Ausführungsform des Abschleifwerkzeugs
nach der vorliegenden Erfindung.
Im folgenden wird das Wort "Vorderseite" zur Bezeichnung
der Hauptfläche des Wafers benützt, auf der eine
epitaxiale Schicht, die zur Erstellung einer Schaltung
oder anderen Zwecken geeignet ist, aufgetragen werden soll
und bei der es erwünscht ist, epitaxiale Kronen oder Grate
zu vermeiden oder zu minimieren, und das Wort "Rückseite"
wird zur Bezeichnung der gegenüberliegenden Seite des
Wafers verwendet.
In den Fig. 1A-D weist der Wafer-Abschnitt 10 eine
Wafer-Vorderseite 12 und eine Wafer-Rückseite 14 auf, die
durch eine Kante 16 ander vorderseitigen Ecke 18 und der
rückseitigen Ecke 20 verbunden sind. Der Wafer 10 weist
eine Dicke 22 von typischerweise 0,5 bis 0,8 mm (ca. 20-
30 mils) auf und hat einen Durchmesser von typischerweise
etwa 75 bis 200 mm (ca. 3-8 inches). Es können jedoch
auch größere oder kleinere Wafer verwendet werden.
Bei dem Wafer 10 kann es sich um einen Halbleiter-wafer
(z. B. Silikon, Germanium, II-V, II-VI od. dgl.) handeln
oder um andere Materialien, auf denen es beabsichtigt ist,
eine epitaxiale Schicht aufwachsen zu lassen. Saphir
stellt dabei ein Beispiel für ein dielektrisches Substrat
dar, welches häufig als Basis für das epitaxiale Wachsen
verwendet wird, wobei dise aber nicht einschränkend
verstanden werden soll. Weitere Materialien dafür sind
allgemein bekannt. Im folgenden soll das im Zusammenhang
mit dem anfänglichen Wafer oder Substrat verwendete Wort
"Halbleiter" oder "Halbleiter-Wafer" dahingehend
verstanden werden, daß es alle zu Wafern geformte
Materialienumfaßt, wie sie als Substrate für epitaxiales
Wachstum verwendet werden und es soll insbesondere nicht
als auf Materialien mit halbleitender Leitfähigkeit
beschränkt angesehen werden.
Fig. 1A zeit einen anfänglichen Wafer vor dem Formen der
Kanten und dem epitaxialen Aufwachsen. Die Ecken 18, 20
sind oft scharf. Da die Wafer während der Herstellung
viele Male angerührt werden müssen und in oder aus vielen
Gefäßen und Schalen genommen werden, besteht ein
beträchtliches Risiko von Kantenabsplitterung und anderen
Kantenschäden, wenn die Ecken scharf gelassen werden.
Diese Nachteile können deutlich dadurch reduziert werden,
daß man die Wafer-Kanten mit einer runderen Form
versieht.
In der US-Patentschrift 42 27 347 wird ein Gerät zum
Kantenabschleifen und ein Schleifwerkzeug zum
Runden von Kanten bei Halbleiter-Wafern beschrieben. Die
Wafer werden
von einer Einspannvorrichtung gehalten und mit einem
Abreibewerkzeug in Kontakt gebracht, welches eine Kerbe
aufweist. In Fig. 1B ist der Zusammenhang zwischen dem
Abreibewerkzeug und der Wafer-Kantenform gezeigt, wie es
beim obengenannten US-Patent beschrieben wird. In Fig.
1B weist der Wafer 10 Kanten 16 auf, die auf
halbkugelförmige Form 24 mit Hilfe einer konkaven
zylindrischen Kerbe 26 in dem Abreibewerkzeug 28
geschliffen wurden.
In Fig. 1C ist der Wafer 10 mittels eines Abreiberades
oder eines Flacheisens 30 weiter abgeschliffen, um der
Ecke an der Vorderseite eine konische Oberfläche 32 zu
verleihen und in Fig. 1D ist der Wafer 10 durch
Verwendung des Abreiberades oder des Flacheisens 34
weiter abgeschliffen, um der Ecke auf der Rückseite eine
konische Oberfläche 36 zu verleihen.
Die Fig. 2A-C zeigen, wie die epitaxialen Kronen 40,
42, 44 auf der Oberfläche der vorderseitigen Ecke 32
und/oder der Kantenoberfläche 24 gebildet werden, wenn
eine epitaxiale Schicht 48 der Wafer-Vorderseite 12
zugeführt wird, falls die Wafer-Kanten mittels der
herkömmlichen Schritte, wie sie in den Fig. 1B-1D
gezeigt sind, geformt sind. Die epitaxiale Schicht 48
weist üblicherweise über den größten Teil des Wafers eine
durchschnittliche Dicke von 20 bis 200 µm und
typischerweise von 70 bis 100 µm auf, obwohl auch dickere
und dünnere Schichten verwendet werden können. Je dicker
die epitaxiale Schicht ist, umso größer ist die
Wahrscheinlichkeit, daß deutliche epitaxiale Kronen
auftreten.
Epitaxiale Kronen sind unerwünscht, da sie das Maskieren,
das Belichten (imaging) und andere kritische Operationen,
wie sie üblicherweise nacheinander auf der Vorderseite
der epitaxialen Schicht 48 ausgeführt werden sollen, be
einflussen. Es wurde beobachtet, daß sich Kronen 40, 42,
44 auf der Wafer-Vorderseite 12 an oder nahe der
ursprünglichen Ecke 18 bilden, auch wenn die Ecke 18 so
wie in den Fig. 1B, 1C und/oder 1D gezeigt, abgerundet
wurde.
Es bildet sich eine beträchtliche Menge von epitaxialem
Material auf den Wafer-Kanten 16 und in den Graten 40, 42,
44, wenn Schritte und Werkzeuge zum Formen von Kanten nach
herkömmlicher Art verwendet werden. Des weiteren sind die
Schritte zum Formen wie z. B. das Abrunden der Kante 16 mit
dem Werkzeug 28 und/oder das Abschleifen der ersten
konischen Fläche 32 mit dem ersten Werkzeug 30 und das
Abschleifen der zweiten konischen Fläche 36 mit dem
zweiten Werkzeug 34, unerwünscht teuer und zeitraubend.
Darüber hinaus ist es schwieriger und weniger genau, wenn
man mit mehreren Werkzeugen, so wie herkömmlich die genaue
Form und das Ausmaß der Wafer-Kante zu kontrollieren
versucht.
Diese und weitere Probleme und Einchränkungen werden
mit dem Werkzeug und dem Verfahren nach der vorliegenden
Erfindung überwunden. Die Fig. 3a bis b zeigen ein erstes
Ausführungsbeispiel, dessen Ergebnisse nach dem Aufwachsen
einer epitaxialen Schicht in den Fig. 4a bis b gezeigt
sind.
Die Fig. 3A bis 3Bb zeigen einen Wafer 10, der
ursprünglich die Form aus Fig. 1A gehabt hat und der einen
vorderseitig abgeschrägten Abschnitt 50 mit einer Länge
52, eine benachbarte Ecke 18, eine Vorderseite 12, einen
rückseitigen abgeschrägten Abschnitt 54 mit der Länge 56
eine Ecke 20, eine Rückseite 14 und einen gerundeten
Nasenabscnitt 58 auf der überbleibenden Kante 16
aufweist. Das einzelne Werkzeug 60 formt die Abschnitte
50, 54, 58 an der Kante 16 mit einem einzigen
Arbeitsschritt. Die Länge 52 des abgeschrägten Abschnitts
50 auf der Vorderseite soll kleiner sein als die Länge 56
des abgeschrägten Abschnitts 54 auf der Rückseite.
Um brüchige und/oder harte Materialien formen zu können,
wie das für viele Halbleitersubstrate zutrifft, soll die
Schneidkerbe 62 des Werkzeugs 60 abreibend sein. Diamant
und Silikonkohlenstoff sind Beispiele von geeigneten
Reibmaterialien, die in die Kerbe 62 des Werkzeugs 60
eingelassen werden können oder die getrennt als
schleifende Abreibeschicht oder als Kombination davon
verwendet werden können. Einzelheiten über derartige
Reibmaterialien und Behandlungsweisen sind allgemein
bekannt.
Die Kerbe 62 des Werkzeugs 60 weist eine erste Seite 70
mit einer Länge 72 auf zum Formen des abgeschrägten
Abschnitts 50 auf der Vorderseite, weiterhin eine Seite 74
mit der Länge 76 zum Formen des abgeschrägten Abschnitts
54 auf der Rückseite sowie einen Bodenabschnitt 78 zum
Formen des Nasenabschnitts 58. Der Bodenabscnitt 78 ist
vorzugsweise gerundet. Die Seiten 70, 74 weisen
vorzugsweise eine konische oder eine ebene Form auf, so
daß die entstehenden Abschnitte 50 und 54 konisch werden.
Wenn das Werkzeug 60 beispielsweise eine drehbare Scheibe
mit einer auf dem Rand befindlichen Kerbe 62 ist, so
werden die Seiten 70 und 74 konisch. Falls das Werkzeug 60
sich nicht dreht, sondern feststeht, während sich die
Wafer-Kante 16 in der Kerbe 62 dreht, so sollten die
Seiten 70 und 74 planar sein. Es können beide
Möglichkeiten angewendet werden, aber diejenige, bei der
sich das Werkzeug dreht, ist bevorzugt. Obwohl die Seiten
70 und 74 der Kerbe 62 vorzugsweise eine konische Form
aufweisen, kann jede oder beide auch kugelartig ausgeführt
sein, so daß der Winkel 86 sich von einem anfänglichen
Wert von ca. 180° oder weniger, bevorzugterweise von 150°
oder weniger sich auf Null zuspitzt, wenn die Seiten 70
und 74 sich dem außenliegenden offenen Abschnitt der Kerbe
62 annähern.
Es ist wichtig, daß die Weite 80 der Kerbe 62 gleich der
oder größer als die Wafer-Dicke 22 ist und daß die dem
Wafer zugewandte Seite 82 des Werkzeugs 60, die neben der
Seite 70 liegt, um eine Größe 84 abgetragen wird, so daß
die Seite 70 einen abgeschrägten Abschnitt 50 erstellt,
der kürzer (radial gemessen in der Ebene der
Wafer-Oberfläche) und nicht so tief (gemessen lotrecht zur
Wafer-Oberfläche) ist wie der abgeschrägte Abschnitt 54.
Demzufolge wird weniger Material von der Ecke 18 während
des Erstellens des abgeschrägten Abschnitts 50 entfernt,
als dies bei der Ecke 20 beim Erstellen des abgeschrägten
Abschnitts 54 der Fall ist. Die Größe 84 liegt
zweckmäßigerweise in einem Bereich von 0,25 bis 1,3 mm
(ca. 10-50 mils), geeigneterweise zwischen 0,5 bis 1,0
mm (20-40 mils) und typischerweise um 0,9 mm (ca. 35
mils).
Die Seiten 70 und 74 schließen vorzugsweise einen Winkel
86 von 30 bis 60° ein, wobei etwa 32 bis 52° geeignet
sind und ungefähr 36 bis 44° bevorzugt werden. Die
abgeschräften Abschnitte 50 und 54 nehmen etwa halb so
große Winkel ein. Verwendet man beispielsweise ein
Abschleifwerkzeug 60 mit einem Winkel 86 von etwa 36 bis
44°, so ergeben sich Oberflächen 52 und 54 mit Winkeln
von etwa 18 bis 22°, bezogen auf die Ebenen der
Wafer-Oberflächen 12 und 14, die gewöhnlicherweise etwa
parallel verlaufen.
Im folgenden wird Bezug auf Fig. 4A genommen. Es wurde
herausgefunden, daß Wafer, deren Ecken unter Benutzung des
Werkzeugs 60 vor einer epitaxialen Abscheidung auf der
Vorderseite 12 abgeschliffen wurden, wenig oder keine
epitaxialen Kronen zeigen, sondern eine einigermaßen
einheitliche epitaxiale Schicht 88 auf der Vorderseite 12
mit einem gerundeten epitaxialen Kantenbereich 90 auf dem
abgeschrägten Abschnitt 50 und dem Nasenabschnitt 58
aufweisen, die nicht in senkrechter Richtung zur
Oberfläche 12 über die oberste Schicht 98 der epitaxialen
Schicht 88 auf der Oberfläche 12 herausragt. Dies ist in
höchstem Maße erwünscht und von großem praktischen Nutzen,
da dadurch eine bedeutende Quelle für Ausbeutungsverlust
während späterer Wafer-Prozeßschritte während der
Bauteil-, bzw. IC-Erstellung, beseitigt wird. Ein Teil 92
der epitaxialen Schicht 88 könnte sich auf der
rückwärtigen abgeschrägten Region 54 ansammeln, aber dies
verursacht keinen Schaden.
Es wurde beobachtet, daß das Vorhandensein und die Größe
eines rückseitigen abgeschrägten Abschnitts 54 in bezug
auf den vorderseitigen abgeschrägten Abschnitt 50 für das
Verhindern der Entstehung von einer epitaxialen Krone
bedeutsam ist. Wenn die abgeschrägten Abschnitte 50 und 54
etwa gleich groß sind oder wenn der abgeschrägte Abschnitt
50 größer ist als der Abschnitt 54, ist die Bildung einer
epitaxialen Krone wahrscheinlich. Ist jedoch der
abgeschrägte Abschnitt 50 (und der entsprechende Anteil
vom Material der von den Ecken 18 und 20 entfernt wird)
kleiner als der abgeschrägte Abschnitt 54, so wird die
Bildung einer epitaxialen Krone minimiert oder vermieden.
Dies ist ein unerwartetes Ergebnis.
Fig. 4B zeigt die Ergebnisse nach dem epitaxialen
Aufwachsen in einem anderen Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung, bei dem der rückseitige
abgeschrägte Abschnitt 54 beibehalten wird, wo jedoch der
vorderseitige abgeschrägte Abschnitt 50 halbrund
ausgebildet ist, d. h. bei dem der abgeschrägte Abschnitt
50 eine halbrunde Kurve aufweist, die sich von dem
Nasenabschnitt 58 erstreckt und die weich in die obere
Oberfläche 12 ohne deutliche Ecken übergeht. Eine
derartige Form wird erhalten, wenn man beispielsweise die
Seite 70 zu einer gekurvten Form ausbildet, die sich vom
gewölbten Boden 78 erstreckt. Bei dieser Ausführungsform
weist die Seite 70 einen anfänglichen Winkel 86 an der
Stelle, wo sie vom Boden 58 weggeht, von 180° oder
weniger auf, typischerweise von 150° oder weniger, und
der eingeschlossene Winkel 86 nimmt zum offenen Mund der
Kerbe 62 zu kleineren Werten hin ab.
Wo es erwünscht it, daß eine oder beide Oberflächen 50
und 54 halbkugelförmig ausgebildet sind, nimmt der halbe
eingeschlossene Winkel der halbkugelförmigen Oberfläche zu
einem kleinen Wert an dem offenen Mund der Kerbe 62 hin
ab, d. h. typischerweise auf weniger als 30° und
vorzugsweise auf weniger als etwa 22°, wobei etwa 1 bis
10° den weichsten Übergang ermöglichen. Obwohl der
eingangsseitige Halbwinkel Null sein kann, ist es
wünschenswert, daß er größer als Null ist und/oder daß die
Breite 80 über die Wafer-Dicke 22 hinausgeht, um zu
vermeiden, daß eine außenliegende Kante der Kerbe 62 einen
Grat oder eine Nase dort abschleift, wo diese auf die
Wafer-Kante 16 trifft, falls es eine Fehleinstellung
zwischen der Kerbe 62 und dem Wafer 10 vorliegt. Je größer
der Eingangswinkel und die Weite 80 ist, umso größer ist
die Toleranz für die Fehleinstellung. Je größer jedoch die
Fehleinstellung ist, umso schwieriger wird es, die
bezogene Menge von Materials, die von den Oberflächen 50
und 54 entfernt wird, zu kontrollieren. Das Wort
"kugelartig" soll andere Arten von gekrümmten Formen
einschließen, wib beispielsweise, aber nicht
ausschließlich Ellipsoide und Paraboloide.
Die Oberfläche 82 muß weiterhin abgetragen werden, so daß
der Abstand 72 kleiner ist als der Abstand 76, damit mehr
Material von der Ecke 20 abgetragen wird als von der Ecke
18. Wie in Fig. 4b gezeigt, weist die epitaxiale Schicht
88 einen Abschnitt 100 auf, der sich um den abgeschrägten
Abschnitt 50 und den Nasenabschnitt 58 ausdehnt, und sie
weist weiter einen Abschnitt 102 auf, der sich auf dem
rückseitigen abgeschrägten Abschnitt 54 ausbreitet,
praktisch ohne eine epitaxiale Krone.
Das Verfahren der vorliegenden Erfindung umfaßt das
Ausgestalten des Wafers 10 und des Werkzeugs 60 mit einem
der mehreren hier beschriebenen alternativen
Ausführungsformen der Kerbe 62, das Ausführen einer
relativen Bewegung zwischen der Kante 16 und der Kerbe 62,
um somit die Kante 16 und die Ecken 18 und 20 zu schneiden
oder abzuschleifen, entsprechend einer Form, die der Form
der Kerbe 62 entspricht, wobei dies in einem einzigen
Arbeitsschritt getan wird und umfaßt schließlich das
Ausbilden einer epitaxialen Schicht 88 auf der
vorderseitigen Oberfläche 12 des Wafers 10. Für den
Fachmann wird klar sein, daß zwischenzeitliche
Reinigungsschritte wünschenswert sind, um Schneid- oder
Abschleifüberbleibsel und andere mögliche
Verunreinigungen, die die Eigenschaften des fertigen
Wafers nachteilig beeinflussen können, zu entfernen.
Vorrichtungen und Verfahren zum Ausführen solcher
Schritte, sind allgemein bekannt.
Es ist wünschenswert, daß das Werkzeug 60 die Form einer
Scheibe mit einer Kerbe 62 in seinem Rand aufweist und in
Kontakt mit der Wafer-Kante 16 gedreht wird, während auch
der Wafer 10 gedreht wird. Eine Schmierung der
geschnittenen Oberflächen während des Abschleifvorgangs
ist wünschenswert. Materialien und Vorrichtungen zum
Ausführen solcher Schritte sind allgemein bekannt.
In Fig. 5 weist eine bevorzugte Ausführungsform ein
Werkzeug 60 auf, das zwei identische Kerben 62 und 62′
umfaßt, die spiegelbildlich auf jeder Seite einer
zentralen Ebene 104 der Scheibe 105 ausgebildet sind und
in gleichen Abständen 106 und 106′ von den
gegenüberliegenden Seiten 108 und 108′ der Scheibe
angeordnet sind und abgetragene Oberflächen 82 und 82′
aufweisen. Wenn dann beispielsweise die Reibfläche in der
Kerbe 62 soweit verbraucht ist, daß eine Erneuerung
notwendig ist, kann die Scheibe 105 von der Spindel
entfernt, umgedreht und wieder aufmontiert werden und das
Schleifen kann wieder aufgenommen werden, ohne daß eine
Wiedereinstellung der Positionierung der Kerbe 62′ relativ
zu der Kante des Wafers notwendig ist. Dies bedeutet eine
große Erleichterung bei der Herstellung. Während die
Kerben 62 und 62′ in dem Rad 105 zur einfacheren Erklärung
mit konischen Seiten gezeigt sind, können auch eine oder
beide Seiten von jeder Kerbe kugelartig ausgebildet sein
so wie dies oben beschrieben wurde. Die kugelartig
ausgebildeten Seiten sollten spiegelsymmetrisch zur
mittleren Ebene 104 ausgebildet sein.
Für den Fachmann wird erkennbar sein, gestützt auf die
hierin gegebene Information, daß die vorliegende Erfindung
ein verbessertes Werkzeug zum Kantenabschleifen und einen
verbesserten Prozeßschritte für Wafer angibt, diemit
einer epitaxialen Schicht auf der Hauptoberfläche
beschichtet werden sollen. Epitaxiale Kronen werden
minimiert oder vermieden und das Abschleifen der Kante
erfolgt wesentlich einfacher und schneller, da die
gewünschte Kantenform des Wafers in einem einzelnen
Arbeitsschritt mit einem einzelnen formgebenden Werkzeug
erreicht wird. Durch das Bereitstellen eines
Abschleifwerkzeugs mit zwei spiegelsymmetrischen Kerben
wird die Herstellung weiter erleichtert. Dies sind
entscheidende praktische Vorteile, die zu einer höheren
Qualität und zu verringerten Kosten führen.
Während die vorliegende Erfindung anhand von bestimmten
Materialien und Ausführungen beschrieben wurde, wird es
für den Fachmann klar sein, daß - gestützt auf die
vorliegende Beschreibung - andere Materialien und
Varianten verwendet werden können und daß das Verfahren
auf andere Wafer und unter anderen Umständen überall dort
ausgeführt werden kann, wo das Abschleifen von Kanten
wichtig ist. Dabei ist es beabsichtigt, derartige
Variationen, die für den Fachmann klar aus der
Beschreibung erkennbar sind, in die Patentansprüche mit
einzubeziehen.
Claims (20)
1. Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Wafern, wobei
ein Halbleiter-Wafer (10) vorgesehen ist mit folgenden
Merkmalen:
einer ersten (12) und einer zweiten (14) Hauptfläche, die durch eine Seite (16) an den entsprechenden ersten (18) und zweiten (29) Ecken verbunden sind und
einem einzigen Schritt zum asymmetrischen Entfernen von Material von der ersten (18) und zweiten (20) Ecke.
einer ersten (12) und einer zweiten (14) Hauptfläche, die durch eine Seite (16) an den entsprechenden ersten (18) und zweiten (29) Ecken verbunden sind und
einem einzigen Schritt zum asymmetrischen Entfernen von Material von der ersten (18) und zweiten (20) Ecke.
2. Ein Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Schritt des Entfernens das Entfernen von Material
von der ersten Ecke (18) über eine erste Distanz (52),
gemessen von der Seite (16) des Wafers (10) entlang der
ersten Fläche (12) und von der zweiten Ecke (20) über eine
zweite Distanz (56), gemessen von der Seite (16) des
Wafers (10) entlang der zweiten Fläche (14), umfaßt, wobei
die erste Distanz (52) kleiner ist als die zweite Distanz
(56).
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß es weiterhin den Schritt des Aufbringens einer
epitaxialen Schicht (48) auf der ersten Oberfläche (12)
umfaßt.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt des Aufbringens einer epitaxialen Schicht das
Aufbringen einer Schicht (48) auf der ersten Oberfläche
(12) umfaßt, aber nicht merklich auf der zweiten
Oberfläche (14).
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt des epitaxialen Aufbringens das Aufbringen
einer Schicht (48) auf der ersten Oberfläche (12), auf der
Seite (16) und auf der ersten (12) und zweiten Ecke (14)
umfaßt.
6. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
die Menge des entfernten Materials am größten nahe der
Ecken (18, 20) ist und über die erste (52) und zweite (56)
Distanz bis auf Null abnimmt.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
nach dem Schritt des Entfernens ein zentraler Abschnitt
der zweiten Fläche (14) unberührt bleibt, und eine dritte
Oberfläche (54) auf dem Wafer (10), die sich von dem
unberührten zentralen Abschnitt zu der Seite (16) hin
ausdehnt, einen Winkel von etwa 15 bis 30° gegenüber der
ebenen Fläche (14), die mit dem zentralen Abschnitt
zusammenfällt, aufweist.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Schicht (48) auf der ersten Oberfläche (12)
aufgebracht wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt des epitaxialen Aufbringens das Aufbringen
einer Schicht (48) auf der ersten Oberfläche (12) umfaßt,
aber nicht merklich auf der zweiten Oberfläche (14).
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß
der Schritt des epitaxialen Aufbringens das Aufbringen
einer Schicht (48) auf der ersten Oberfläche (12), der
ersten Ecke (18), der Seite (16) und einem Teil der
dritten Oberfläche (54) umfaßt.
11. Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Wafern mit
abgeschliffenen Kanten unter Verwendung eines
Halbleiter-Wafers, der folgende Merkmale aufweist:
eine erste (12) und zweite (14) etwa ebene Fläche und eine Seite (16), die sich dazwischen erstreckt, wobei die Seite (16) mit der ersten Oberfläche (12) durch eine erste Ecke (18) und mit der zweiten Oberfläche (14) durch eine zweite Ecke (20) verbunden ist; und
daß in einem einzigen Schritt die erste (18) und zweite (20) Ecke abgeschliffen wird, so daß eine dritte, etwa konische Oberfläche (54), die sich zwischen dem unberührten Abschnitt der zweiten Fläche (14) zu der Seite (16) hin ausdehnt, wobei die dritte Oberfläche (54) die Ebene des unberührten Abschnitts der zweiten Fläche (14) unter einem Winkel von weniger als etwa 30° schneidet und daß eine vierte Oberfläche (50), die sich zwischen dem unberührten Abschnitt der ersten Fläche (12) zu der Seite (16) hin erstreckt und eine radiale Weite (52) von weniger als einer radialen Weite (56) der dritten Oberfläche (54) aufweist, wobei die vierte Oberfläche (50) die Ebene des unberührten Abschnitts der zweiten Fläche (14) unter einem eingeschlossenen Winkel von weniger als 30° schneidet.
eine erste (12) und zweite (14) etwa ebene Fläche und eine Seite (16), die sich dazwischen erstreckt, wobei die Seite (16) mit der ersten Oberfläche (12) durch eine erste Ecke (18) und mit der zweiten Oberfläche (14) durch eine zweite Ecke (20) verbunden ist; und
daß in einem einzigen Schritt die erste (18) und zweite (20) Ecke abgeschliffen wird, so daß eine dritte, etwa konische Oberfläche (54), die sich zwischen dem unberührten Abschnitt der zweiten Fläche (14) zu der Seite (16) hin ausdehnt, wobei die dritte Oberfläche (54) die Ebene des unberührten Abschnitts der zweiten Fläche (14) unter einem Winkel von weniger als etwa 30° schneidet und daß eine vierte Oberfläche (50), die sich zwischen dem unberührten Abschnitt der ersten Fläche (12) zu der Seite (16) hin erstreckt und eine radiale Weite (52) von weniger als einer radialen Weite (56) der dritten Oberfläche (54) aufweist, wobei die vierte Oberfläche (50) die Ebene des unberührten Abschnitts der zweiten Fläche (14) unter einem eingeschlossenen Winkel von weniger als 30° schneidet.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß
eine epitaxiale Schicht (48) auf der ersten Oberfläche
(12), einer vierten Oberfläche (50) der Seite (16) und
zumindest teilweise auf der dritten Oberfläche (54)
aufgebracht wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet,
daß der Schritt des Abschleifens das Ausbilden einer etwa
konischen dritten Oberfläche (54) umfaßt.
14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei der Schritt des
Abschleifens das Ausbilden einer gekrümmten vierten
Oberfläche (50) umfaßt.
15. Eine Vorrichtung zur Herstellung eines
Halbleiter-Wafers, gekennzeichnet durch eine Einrichtung
(60) zum gleichzeitigen Abnehmen der ersten (18) und
zweiten (20) Ecke des Halbleiter-Wafers (10) zwischen der
ersten (12) und zweiten (14) Hauptoberfläche des
Halbleiter-Wafers (10), wobei die Einrichtung zum
Abschleifen (60) eine Kerbe (62) aufweist mit einer ersten
(70) und zweiten (74) voneinander beabstandeten
abreibenden Seite zum Abschleifen der ersten (18) und
zweiten (20) Ecke und Teilen der ersten (12) und zweiten
(14) Fläche und eine dritte (78) Seite aufweist, die die
erste (70) und zweite (74) Seite verbindet und einen
Bodenabschnitt (78) in der Kerbe (62) bildet, wobei die
zweite Seite (74) sich über eine größere Distanz (76) von
dem Bodenabschnitt (78) der Kerbe (62) ausdehnt als die
erste Seite (70).
16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet,
daß eine relative Bewegung und Kontakt zwischen der
ersten (70) und zweiten (74) Seite der Kerbe (62) und den
Ecken (18, 20) des Wafers (10) vorgesehen ist.
17. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste (70) und zweite (74) Seite in einer vom
Bodenabschnitt (78) der Kerbe (62) weglaufende Richtung in
zunehmendem Maße voneinander entfernt sind und einen
Winkel (86) im Bereich zwischen 30 und 60° einschließen.
18. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet,
daß der eingeschlossene Winkel (86) in einen Bereich von
32 bis 52° liegt.
19. Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei der Bodenabschnitt
(78) abreibend und gekrümmt ausgebildet ist.
20. Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste (70) und zweite (74) Seite und der
Bodenabschnitt (78) ohne scharfe Ecken miteinander
verbunden sind.
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0529888A1 (de) * | 1991-08-22 | 1993-03-03 | AT&T Corp. | Entfernen von Material vom Rand eines Substrates |
EP0667637A2 (de) * | 1994-02-12 | 1995-08-16 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Einkristalliner Hableiterträger und Verfahren zu seiner Herstellung |
EP0884771A2 (de) * | 1997-05-22 | 1998-12-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verbindungshalbleiter-Scheibe von der Gruppe III-V |
WO2001091968A1 (en) * | 2000-05-30 | 2001-12-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for multiple chamfering of a wafer |
US7872331B2 (en) * | 2008-02-27 | 2011-01-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Nitride semiconductor wafer |
CN102789978A (zh) * | 2012-07-26 | 2012-11-21 | 黄山市七七七电子有限公司 | 普通电力整流二极管芯片的生产工艺 |
TWI471911B (zh) * | 2010-11-15 | 2015-02-01 | Sumco Corp | 製造磊晶晶圓的方法以及磊晶晶圓 |
CN114650895A (zh) * | 2019-10-29 | 2022-06-21 | 韩商未来股份有限公司 | 研磨系统 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100745055B1 (ko) * | 2001-06-21 | 2007-08-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의 제조방법 |
US7258931B2 (en) | 2002-08-29 | 2007-08-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor wafers having asymmetric edge profiles that facilitate high yield processing by inhibiting particulate contamination |
JP2015018960A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
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- 1990-11-29 JP JP32607990A patent/JPH03177023A/ja active Pending
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0529888A1 (de) * | 1991-08-22 | 1993-03-03 | AT&T Corp. | Entfernen von Material vom Rand eines Substrates |
US5425846A (en) * | 1991-08-22 | 1995-06-20 | At&T Corp. | Removal of substrate perimeter material |
EP0667637A2 (de) * | 1994-02-12 | 1995-08-16 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Einkristalliner Hableiterträger und Verfahren zu seiner Herstellung |
EP0667637A3 (de) * | 1994-02-12 | 1996-11-06 | Shinetsu Handotai Kk | Einkristalliner Hableiterträger und Verfahren zu seiner Herstellung. |
US5751055A (en) * | 1994-02-12 | 1998-05-12 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Semiconductor single crystalline substrate and method for production thereof |
EP0884771A2 (de) * | 1997-05-22 | 1998-12-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verbindungshalbleiter-Scheibe von der Gruppe III-V |
EP0884771A3 (de) * | 1997-05-22 | 1999-12-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verbindungshalbleiter-Scheibe von der Gruppe III-V |
US6294019B1 (en) | 1997-05-22 | 2001-09-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of making group III-V compound semiconductor wafer |
WO2001091968A1 (en) * | 2000-05-30 | 2001-12-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for multiple chamfering of a wafer |
US7872331B2 (en) * | 2008-02-27 | 2011-01-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Nitride semiconductor wafer |
US8101523B2 (en) | 2008-02-27 | 2012-01-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of processing of nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor wafer, method of producing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device |
US8183669B2 (en) | 2008-02-27 | 2012-05-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Nitride semiconductor wafer having a chamfered edge |
TWI471911B (zh) * | 2010-11-15 | 2015-02-01 | Sumco Corp | 製造磊晶晶圓的方法以及磊晶晶圓 |
US9685315B2 (en) | 2010-11-15 | 2017-06-20 | Sumco Corporation | Method of producing epitaxial wafer and the epitaxial wafer having a highly flat rear surface |
DE112011103769B4 (de) | 2010-11-15 | 2019-02-07 | Sumco Corporation | Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers und epitaktischer Wafer |
CN102789978A (zh) * | 2012-07-26 | 2012-11-21 | 黄山市七七七电子有限公司 | 普通电力整流二极管芯片的生产工艺 |
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CN114650895B (zh) * | 2019-10-29 | 2023-11-03 | 韩商未来股份有限公司 | 研磨系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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