JP6610587B2 - ウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、ウェーハの製造方法に関する。
半導体ウェーハの製造方法としては、（ａ）単結晶インゴットから薄板ウェーハを切り出すスライス工程と、（ｂ）ウェーハの外周部のカケを防止するための面取り工程と、（ｃ）ウェーハの厚さばらつきをなくすためのラッピング工程もしくは両面研削工程と、（ｄ）上記の面取り加工、ラッピングや研削で導入された加工歪みや汚染物を除去するためのエッチング工程と、（ｅ）ウェーハの主表面の片面又は両面を鏡面にする鏡面研磨工程、及び（ｆ）面取り部を鏡面にする鏡面研磨工程とを順次行うことが一般的である。
上記のエッチング工程では、例えばフッ化水素、硝酸、酢酸などからなる混酸を用いる酸エッチングと、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等のアルカリを用いるアルカリエッチングとがある。
酸エッチングは、エッチングレートや面状態の制御が容易であるという利点がある一方、エッチングレートが大きいため、ラッピング及び両面研削により向上したウェーハの平坦度を悪化させるという欠点がある。
一方、アルカリエッチングでは、エッチングレートが遅いためにウェーハの平坦度を維持することが可能であり、エッチング後に良好な平坦度のウェーハを得ることができるという利点を有する。
近年、厳しい平坦度要求を達成するために、アルカリエッチングが広く用いられている。
しかし、特にアルカリエッチングでは、結晶方位によってエッチング速度が異なるため、面取部の最外周及び曲線部のエッチング量は結晶方位角度によって異なり、その結果面取り断面形状は円周方向の位置によって変化してしまう。
また、後に行われる面取り部鏡面研磨加工の取り代は円周方向で均一であるため、アルカリエッチング加工により生じた面取り断面形状寸法の円周方向ばらつきが残存し、円周方向で均一な面取り断面形状が得られないという問題があった。
本発明は、上記問題点を鑑みてなされたものであり、エッチングで生じる面取り断面形状の円周方向ばらつきを抑制することができるウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、単結晶インゴットからスライスされたウェーハの周縁部を研削して面取り加工を行う工程と、前記面取り加工を行ったウェーハの主面にラッピング又は両面研削加工を行う工程と、前記ラッピング又は両面研削加工を行ったウェーハにエッチング加工を行う工程と、前記エッチング加工を行ったウェーハの主面に片面又は両面の鏡面研磨加工を行う工程と、前記鏡面研磨加工を行ったウェーハの面取り部を鏡面研磨加工する工程とを有し、製品となるウェーハを製造する方法であって、前記面取り加工を行う工程よりも後のウェーハにおける面取り部の断面形状を、前記ウェーハの一方の主面である第１の主面から連続するとともに該第１の主面から傾斜した第１の傾斜部と、該第１の傾斜部から連続する円弧状の部分であり、曲率半径Ｒ１を有する第１の円弧部と、前記ウェーハのもう一方の主面である第２の主面から連続するとともに該第２の主面から傾斜した第２の傾斜部と、該第２の傾斜部から連続する円弧状の部分であり、曲率半径Ｒ２を有する第２の円弧部と、前記第１の円弧部と前記第２の円弧部を接続するとともに前記ウェーハの最外周端部を構成する端部とからなるものとし、前記面取り加工において、前記製品となるウェーハにおける前記Ｒ１及び前記Ｒ２の目標値の範囲内よりも小さい前記Ｒ１及び前記Ｒ２となるように面取り加工を行い、前記面取り部の鏡面研磨加工において、前記製品となるウェーハにおける前記Ｒ１及び前記Ｒ２の目標値の範囲内の前記Ｒ１及び前記Ｒ２となるように前記面取り部の鏡面研磨加工を行って前記製品となるウェーハを製造することを特徴とするウェーハの製造方法を提供する。
このようなウェーハの製造方法であれば、製品ウェーハとして、目標値の範囲内のＲ１及びＲ２を有するとともに、従来よりも、円周方向で均一な面取り断面形状を有するウェーハを製造することができる。
また、前記面取り加工において、前記Ｒ１及びＲ２が５０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内になるように加工を行うことが好ましい。
このような範囲で面取り加工を行うことにより、より効果的に、製品となるウェーハの面取り断面形状の円周方向における均一性を得ることができる。
また、ウェーハの製造方法では、前記エッチング加工を、アルカリ系水溶液を用いて行うことができる。
このようなアルカリ系水溶液を用いたエッチング加工により、ウェーハの主面の平坦度を維持しやすくなる。また、本発明のウェーハの製造方法は、面取り断面形状のウェーハ円周方向の分布を変化させやすいアルカリ系水溶液を用いたアルカリエッチング加工を行う場合に特に好適に採用することができる。
また、前記単結晶インゴットを単結晶シリコンインゴットとすることができる。
本発明のウェーハの製造方法は、単結晶シリコンインゴットから得られる単結晶シリコンウェーハの製造方法において特に好適に用いることができる。
本発明によるウェーハの製造方法であれば、製品ウェーハとして、目標値の範囲内のＲ１及びＲ２を有するとともに、従来よりも、円周方向で均一な面取り断面形状を有するウェーハを製造することができる。特に、面取り断面形状がウェーハの円周方向の位置によって変化しやすいアルカリによるエッチングを行う場合でも、円周方向で均一な面取り断面形状を有するウェーハを製造することができる。
以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
上記のように、エッチング、特にアルカリエッチングで生じる面取り断面形状の円周方向でのばらつきの問題を解決することができるウェーハの製造方法が求められている。
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を行った。その結果、面取り加工の段階では、最終的に製品となるウェーハの面取り形状の仕様範囲における円弧部の曲率半径Ｒ１及びＲ２の値よりも小さいＲ１及びＲ２となるように加工しておき、面取り部鏡面研磨の段階において、仕様の範囲内のＲ１及びＲ２となるように鏡面研磨を行うことにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明のウェーハの製造方法を完成させた。
従来、アルカリエッチングによってウェーハ周縁部の面取り断面形状が均一でなくなるという問題点について、種々の対応策があった（例えば、特許文献１、２）。しかしながら、従来は、本発明のように面取り加工の段階で最終的なウェーハの仕様よりもＲ１及びＲ２を小さく設定するということはなかった。特に、従来は、最終的なウェーハの円弧部のＲ１及びＲ２を仕様の範囲内とするために、面取り加工直後の円弧部のＲ１及びＲ２を最終的なウェーハのＲ１及びＲ２と同等となるようにし、面取り部鏡面研磨工程では円弧部のＲ１及びＲ２を大きく変化させない加工を行っていた。
以下、図面を参照しながら本発明をより詳細に説明する。図１は、本発明のウェーハの製造方法の一例を示すフローである。
まず、図１（１）に示すように、単結晶インゴットをスライスしてスライスウェーハを得る（工程１）。このときの単結晶インゴットとして、単結晶シリコンインゴットを用いることができる。本発明のウェーハの製造方法は、半導体ウェーハ、特に、単結晶シリコンインゴットから得られる単結晶シリコンウェーハの製造方法において特に好適に用いることができる。
次に、図１（２）に示すように、上記工程１で単結晶インゴットからスライスされたウェーハの周縁部を研削して面取り加工を行う（工程２）。
ここで、面取り加工を行う工程よりも後のウェーハにおける面取り部の断面形状（面取り断面形状）について、図１４を参照して説明する。図１４は、ウェーハの周縁部１１を示している。ウェーハは２つの主面２１、２２を有している。便宜上、一方の主面を第１の主面２１、もう一方の主面を第２の主面２２とする。面取り断面形状は、ウェーハの一方の主面である第１の主面２１から連続するとともに該第１の主面２１から傾斜した第１の傾斜部３１と、該第１の傾斜部３１から連続する円弧状の部分であり、曲率半径Ｒ１を有する第１の円弧部４１とを有している。また、この面取り断面形状は、ウェーハのもう一方の主面である第２の主面２２から連続するとともに該第２の主面２２から傾斜した第２の傾斜部３２と、該第２の傾斜部３２から連続する円弧状の部分であり、曲率半径Ｒ２を有する第２の円弧部４２とを有している。さらに、面取り断面形状は、第１の円弧部４１と第２の円弧部４２を接続するとともにウェーハの最外周端部を構成する端部５１を有している。端部５１はほぼ平面とすることができる。
ここで、図１４に示した面取り断面形状の寸法のうち、Ｒ１は上記のように第１の円弧部４１の曲率半径であり、Ｒ２は上記のように第２の円弧部４２の曲率半径である。面取り断面形状の寸法としては、この他に、「ＢＣ値」を定義することができる。このＢＣ値は、ウェーハの最外周端からウェーハの内側に５０μｍの位置におけるウェーハの厚さである（図１４参照）。
本発明では、この工程２の面取り加工において、製品となるウェーハにおけるＲ１及びＲ２の目標値（すなわち、製品ウェーハの仕様）の範囲内よりも小さいＲ１及びＲ２となるように面取り加工を行う。
例えば、最終的な製品ウェーハの仕様において、面取り断面形状寸法Ｒ１値及びＲ２値が２５０μｍ以上３００μｍ以下であることが定められている場合、面取り加工の段階では、Ｒ１値及びＲ２値を２５０μｍ未満となるように面取りする。本発明では、特に、面取り断面形状寸法Ｒ１値及びＲ２値が５０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内になるように、上記のスライスウェーハの周縁部を研削する面取り加工を行うことが好ましい。この際、面取り断面形状寸法Ｒ１値及びＲ２値を５０μｍ以上１５０μｍ以下とすることがより好ましい。また、面取り断面形状寸法Ｒ１値及びＲ２値を５０μｍ以上１００μｍ以下とすることが特に好ましい。
本発明では、面取り断面形状寸法Ｒ１値及びＲ２値を小さくするほどエッチング（特にアルカリエッチング）で生じる面取り断面形状の円周方向ばらつきを抑制できる点では好ましい。その一方で、面取り加工により後に行われる加工工程におけるウェーハ外周からのカケ・チップや割れの発生や、ウェーハ・ハンドリング治具の接触によるウェーハ外周からのカケ・チップや割れの発生を抑制するためには、上記のように、面取り断面形状寸法Ｒ１値及びＲ２値を５０μｍ以上とすることが好ましい。
上記のように工程２の面取り加工を行った後、次に、図１（３）に示すように、面取り加工を行ったウェーハの主面にラッピング又は両面研削加工を行う（工程３）。
次に、図１（４）に示すように、面取りやラッピング等の加工で入った加工歪みの除去のために、ラッピング又は両面研削加工を行ったウェーハにエッチング加工を行う（工程４）。この際、エッチング加工を、アルカリ系水溶液を用いて行うことが好ましい。アルカリ系水溶液としては、水酸化ナトリウム水溶液又は水酸化カリウム水溶液を好適に使用することができる。このように、エッチング加工を、水酸化ナトリウム水溶液又は水酸化カリウム水溶液等のアルカリ系水溶液を用いて行えば、エッチング加工によるウェーハ主面の形状変化を比較的抑制してエッチングすることができ、平坦度の高いウェーハを得ることができる。
その一方で、前述したように、ウェーハに対してアルカリエッチングを行う場合はエッチング異方性により面取り断面形状の円周方向ばらつきが生じるのであるが、本発明のように、面取り加工後の面取り断面形状寸法Ｒ１値及びＲ２値を小さくするほどアルカリエッチングで生じる面取り断面形状の円周方向ばらつきを抑制することができる。
次に、図１（５）に示すように、エッチング加工を行ったウェーハの主面に片面又は両面の鏡面研磨加工を行う（工程５）。
次に、図１（６）に示すように、主面に対する鏡面研磨加工を行ったウェーハの面取り部を鏡面研磨加工する（工程６）。この面取り部の鏡面研磨加工において、製品となるウェーハにおけるＲ１及びＲ２の目標値の範囲内になるように加工を行う。工程２の面取り加工で小さく形成したＲ１及びＲ２は、この工程６の面取り部鏡面研磨加工によって大きくすることが可能である。従って、工程２で最終的な製品ウェーハの仕様よりも小さいＲ１及びＲ２としても、工程６で仕様の範囲内にすることができる。
次に、図１（７）に示すように、必要に応じて、ウェーハの主面に最終研磨加工を行うことができる（工程７）。
以上のような工程を経て、製品となるウェーハを製造する。このようなウェーハの製造方法であれば、従来、特にアルカリエッチングで生じていた面取り断面形状の円周方向ばらつきの問題を解決することができ、ばらつきの少ない精密な面取り形状を有するウェーハを作製することができる。
また、本発明では、上記のように面取り加工の段階でＲ１及びＲ２を最終的な製品ウェーハの目標値の範囲内よりも小さく加工しておき、面取り部鏡面研磨の段階において、目標値の範囲内のＲ１値及びＲ２値となるように鏡面研磨を行うことを行えばよく、上記以外の各種工程を含んでいてもよい。例えば、必要に応じて、洗浄工程や熱処理工程等を上記各工程の前後に通常の方法で行ってもよい。
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、後述の図２〜１３に示される測定値はすべてコベルコ科研社製エッジプロファイラーＬＥＰで測定したものである。
（実施例１）
以下のようにして、最終的な製品ウェーハのＲ１、Ｒ２の目標値を２２０μｍ以上３００μｍ以下と定めて、ウェーハの製造を行った。
以下のようにして、最終的な製品ウェーハのＲ１、Ｒ２の目標値を２２０μｍ以上３００μｍ以下と定めて、ウェーハの製造を行った。
まず、単結晶シリコンインゴットをスライスし、スライスウェーハを得た（工程１）。次に、面取り断面形状寸法Ｒ１値及びＲ２値が５０μｍ以上１００μｍ以下の範囲内となるように設計した溝形状を有する研削ホイールを用いて高速で回転させ、保持台に保持された上記スライス工程後のシリコンウェーハの周縁部を上記研削ホイールに当接すると共に、ウェーハを回転させることで面取り加工を行った（工程２）。
この時点（工程２の面取り加工直後）で、シリコンウェーハの円周内９点、具体的にはノッチを基準に９°と３５１°を含む４５°間隔の９箇所について面取り断面形状寸法Ｒ１値、Ｒ２値の測定を行った。この結果を図２に示す。図２に示したように、Ｒ１及びＲ２は、ウェーハの円周方向のいずれの点でも、５０μｍ以上１００μｍ以下であった。Ｒ１の最大値Ｒ１ｍａｘと、Ｒ１の最小値Ｒ１ｍｉｎの差であるＲ１ｍａｘ−Ｒ１ｍｉｎ値は７．３μｍ、Ｒ２の最大値Ｒ２ｍａｘと、Ｒ２の最小値Ｒ２ｍｉｎの差であるＲ２ｍａｘ−Ｒ２ｍｉｎ値は６．０μｍであった。
次に、上記面取り工程後のシリコンウェーハに両面研削加工を行った（工程３）。より具体的には、ダイヤモンド砥粒を有する研削ホイール２個を、上記シリコンウェーハの両面にそれぞれ押し当てると共に、研削ホイール内に研削液を供給し、ウェーハを回転させることで両面研削加工を行った。
次に、上記両面研削工程後のシリコンウェーハを質量濃度約５２％、液温約７５℃に加熱された水酸化ナトリウム水溶液を用いて１０分浸漬する事で、エッチング代が約２０μｍの厚さのエッチング加工を行った（工程４）。上記アルカリエッチング工程後のシリコンウェーハの面取り断面形状寸法を、上記と同様の箇所について前記測定条件と同じ条件で測定した。その結果を図３に示す。図３に示したように、アルカリエッチング工程直後の面取り断面形状は、図２と比べると測定点によって差が生じている（Ｒ１ｍａｘ−Ｒ１ｍｉｎ値２１．６μｍ、Ｒ２ｍａｘ−Ｒ２ｍｉｎ値１４．４μｍ）が、後述の比較例のエッチング加工直後の面取り断面形状（図１１）と比較すると、格段に円周方向でのＲ１、Ｒ２の均一性が向上している。
次に、上記エッチング工程後のシリコンウェーハ両面に鏡面研磨加工を行った（工程５）。より具体的には、両面研磨装置用キャリアの保持孔に上記シリコンウェーハを保持し、両面研磨装置の上定盤と下定盤に研磨布を貼付してウェーハを挟み込み、研磨面に研磨材を供給しながら定盤を回転させることで両面に鏡面研磨加工を行った。
次に、スピードファム社製ＩＶ型鏡面面取り機を用いて、Ｒ１、Ｒ２の狙い値が２５０μｍとなるようにして、面取り部鏡面研磨加工を行った（工程６）。上記面取り部鏡面研磨工程後のシリコンウェーハの面取り断面形状寸法を、上記と同様の箇所について測定した。このときの測定結果を、面取り断面形状寸法Ｒ１値、Ｒ２値について図４に、ＢＣ値について図５に示す。図５では、ＢＣ値の狙い値との差を示した。図４に示したように、Ｒ１、Ｒ２ともに円周方向の分布幅が小さい（Ｒ１ｍａｘ−Ｒ１ｍｉｎ値２１．６μｍ、Ｒ２ｍａｘ−Ｒ２ｍｉｎ値１４．４μｍ）。これは、特に後述の図１２との比較でわかる。また、図４においてウェーハのＲ１、Ｒ２はともに２３５〜２５５μｍ程度であり、目標値の範囲内とすることができたことがわかる。また、図５に示したように、最終的なウェーハのＢＣ値と、ＢＣ値の狙い値からのズレの差は小さく（ＢＣ値狙い値からのズレの最大値ＢＣｍａｘと、最小値ＢＣｍｉｎの差であるＢＣｍａｘ−ＢＣｍｉｎ値は２．８μｍ）、また、その分布も均一なものであった。
（実施例２）
実施例１と同様の方法でスライスウェーハを得た後、実施例１と同様の方法で、面取り断面形状寸法Ｒ１値及びＲ２値が１５０〜２００μｍとなるように設計した溝形状を有する研削ホイールを用いて面取り加工を行った。
実施例１と同様の方法でスライスウェーハを得た後、実施例１と同様の方法で、面取り断面形状寸法Ｒ１値及びＲ２値が１５０〜２００μｍとなるように設計した溝形状を有する研削ホイールを用いて面取り加工を行った。
次に実施例１と同様の方法で、順次、両面研削加工、アルカリエッチング加工、両面鏡面研磨加工及び面取り部鏡面研磨加工を行った。
実施例１と同様に、上記面取り工程後、上記アルカリエッチング工程後、上記面取り部鏡面研磨工程後の面取り断面形状寸法を実施例１と同様の箇所について前記測定条件と同じ条件で測定した。上記面取り工程後の面取り断面形状寸法Ｒ１値、Ｒ２値を図６、アルカリエッチング工程後の面取り断面形状寸法Ｒ１値、Ｒ２値を図７、面取り部鏡面面取り工程後の面取り断面形状寸法Ｒ１値、Ｒ２値を図８、ＢＣ値を図９に示す。
（比較例）
実施例１と同様の方法でスライスウェーハを得た後、実施例１と同様の方法で、面取り断面形状寸法Ｒ１値及びＲ２値が２５０〜３００μｍとなるように設計した溝形状を有する研削ホイールを用いて面取り加工を行った。すなわち、面取り加工の段階から、最終的な製品ウェーハの仕様範囲内にあるＲ１値及びＲ２値とした。
実施例１と同様の方法でスライスウェーハを得た後、実施例１と同様の方法で、面取り断面形状寸法Ｒ１値及びＲ２値が２５０〜３００μｍとなるように設計した溝形状を有する研削ホイールを用いて面取り加工を行った。すなわち、面取り加工の段階から、最終的な製品ウェーハの仕様範囲内にあるＲ１値及びＲ２値とした。
次に実施例１と同様の方法で、順次、両面研削加工、アルカリエッチング加工、両面鏡面研磨加工及び面取り部鏡面研磨加工を行った。
実施例１と同様に、上記面取り工程後、上記アルカリエッチング工程後、上記面取り部鏡面研磨工程後の面取り断面形状寸法を実施例１と同様の箇所について前記測定条件と同じ条件で測定した。上記面取り工程後の面取り断面形状寸法Ｒ１値、Ｒ２値を図１０、アルカリエッチング工程後の面取り断面形状寸法Ｒ１値、Ｒ２値を図１１、面取り部鏡面面取り工程後の面取り断面形状寸法Ｒ１値、Ｒ２値を図１２、ＢＣ値を図１３に示す。
実施例１、２及び比較例で最終的に得られたウェーハのＲ１ｍａｘ−Ｒ１ｍｉｎ値、Ｒ２ｍａｘ−Ｒ２ｍｉｎ値、ＢＣｍａｘ−ＢＣｍｉｎ値を表１にまとめた。
表１に示すように、面取り断面形状寸法Ｒ１値及びＲ２値が２５０〜３００μｍとなるように面取り加工した比較例のウェーハよりも、面取り断面形状寸法Ｒ１値及びＲ２値が５０〜１００μｍとなるように面取り加工した実施例１のウェーハ、面取り断面形状寸法Ｒ１値及びＲ２値が１５０〜２００μｍとなるように面取り加工した実施例２のウェーハの方が、Ｒ１値、Ｒ２値、ＢＣ値が円周方向で均一な面取り断面形状を有するウェーハを製造することができる。また、実施例１と実施例２を比較すると、面取り加工段階でよりＲ１値及びＲ２値を小さくした実施例１の方が、円周方向で均一な面取り断面形状を有する製品ウェーハを製造することができることがわかる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
１１…ウェーハ周縁部、
２１…第１の主面、 ２２…第２の主面、
３１…第１の傾斜部、 ３２…第２の傾斜部、
４１…第１の円弧部、 ４２…第２の円弧部、
５１…端部。
２１…第１の主面、 ２２…第２の主面、
３１…第１の傾斜部、 ３２…第２の傾斜部、
４１…第１の円弧部、 ４２…第２の円弧部、
５１…端部。
Claims (4)
- 単結晶インゴットからスライスされたウェーハの周縁部を研削して面取り加工を行う工程と、
前記面取り加工を行ったウェーハの主面にラッピング又は両面研削加工を行う工程と、
前記ラッピング又は両面研削加工を行ったウェーハにエッチング加工を行う工程と、
前記エッチング加工を行ったウェーハの主面に片面又は両面の鏡面研磨加工を行う工程と、
前記鏡面研磨加工を行ったウェーハの面取り部を鏡面研磨加工する工程と
を有し、製品となるウェーハを製造する方法であって、
前記面取り加工を行う工程よりも後のウェーハにおける面取り部の断面形状を、
前記ウェーハの一方の主面である第１の主面から連続するとともに該第１の主面から傾斜した第１の傾斜部と、
該第１の傾斜部から連続する円弧状の部分であり、曲率半径Ｒ１を有する第１の円弧部と、
前記ウェーハのもう一方の主面である第２の主面から連続するとともに該第２の主面から傾斜した第２の傾斜部と、
該第２の傾斜部から連続する円弧状の部分であり、曲率半径Ｒ２を有する第２の円弧部と、
前記第１の円弧部と前記第２の円弧部を接続するとともに前記ウェーハの最外周端部を構成する端部と
からなるものとし、
前記面取り加工において、前記製品となるウェーハにおける前記Ｒ１及び前記Ｒ２の目標値の範囲内よりも小さい前記Ｒ１及び前記Ｒ２となるように面取り加工を行い、
前記面取り部の鏡面研磨加工において、前記製品となるウェーハにおける前記Ｒ１及び前記Ｒ２の目標値の範囲内の前記Ｒ１及び前記Ｒ２となるように前記面取り部の鏡面研磨加工を行って前記製品となるウェーハを製造することを特徴とするウェーハの製造方法。 - 前記面取り加工において、前記Ｒ１及びＲ２が５０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内になるように加工を行うことを特徴とする請求項１に記載のウェーハの製造方法。
- 前記エッチング加工を、アルカリ系水溶液を用いて行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウェーハの製造方法。
- 前記単結晶インゴットを単結晶シリコンインゴットとすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のウェーハの製造方法。
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