JP6825733B1 - 半導体ウェーハの製造方法 - Google Patents
半導体ウェーハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6825733B1 JP6825733B1 JP2020026261A JP2020026261A JP6825733B1 JP 6825733 B1 JP6825733 B1 JP 6825733B1 JP 2020026261 A JP2020026261 A JP 2020026261A JP 2020026261 A JP2020026261 A JP 2020026261A JP 6825733 B1 JP6825733 B1 JP 6825733B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- wafer
- chamfering
- semiconductor wafer
- chamfered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 198
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 146
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 22
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004439 roughness measurement Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Description
スライス、面取り、ラッピング、エッチングの各処理を順次行って得たウェーハに対して、第1の面取り部研磨加工を行った。第1の面取り部研磨工程では、研磨布として、高硬度化するため、発泡ポリウレタンクロス(ΔT=18μm)を使用して、研磨荷重を5.5kgfとして、ウェーハの面取り部における端面のみ研磨を行った。なお前記の研磨布のΔTは、研磨布に80gの重り(直径10mm)を置いたときの研磨布厚さと880gの重り(直径10mm)を置いたときの研磨布厚さの差である。
第1の面取り部研磨工程を行わなかったこと以外は実施例1と同様に、スライス、面取り、ラッピング、エッチング、両面研磨の各処理を順次行って得たウェーハに対して、粗さ及びウェーハ平坦度の測定を行った。ウェーハ平坦度は、セルごとに25枚平均のESFQDを算出し、得られた平均ESFQDのセル間でのばらつきを評価した。
実施例1と同様に、スライス、面取り、ラッピング、エッチングの各処理を順次行って得たウェーハに対して、第1の面取り部研磨加工を行った。第1の面取り部研磨工程では、研磨布としてポリエステル繊維にポリウレタン樹脂を含浸させてなるもの(ΔT=25μm)を使用し、研磨荷重を5.5kgfとした。第1の面取り部研磨工程の後、両面研磨を行った。
実施例1と同様に、スライス、面取り、ラッピング、エッチングの各処理を順次行って得たウェーハに対して、第1の面取り部研磨加工を行った。第1の面取り部研磨工程では、発泡ポリウレタンクロス(ΔT=18μm)を使用し、研磨荷重を20kgfとした。第1の面取り部研磨工程の後、両面研磨を行った。
実施例1と同様、スライス、面取り、ラッピング、エッチングの各処理を順次行って得たウェーハに対して、第1の面取り部研磨加工を行った。第1の面取り部研磨工程では、研磨布として、ポリエステル繊維にポリウレタン樹脂を含浸させてなるもの(ΔT=70μm)を使用し、研磨荷重を3kgf〜40kgfの範囲に変化させて、ウェーハの面取り部における端面のみ研磨を行った。
実施例1と同様、スライス、面取り、ラッピング、エッチングの各処理を順次行って得たウェーハに対して、第1の面取り部研磨加工を行った。第1の面取り部研磨工程では、研磨布として、ポリエステル繊維にポリウレタン樹脂を含浸させてなるもの(ΔT=70μm)を使用し、研磨荷重を40kgfで、ウェーハの面取り部における端面のみ研磨を行った。
w…ウェーハ。
Claims (4)
- 半導体ウェーハを製造する方法であって、
少なくとも、前記半導体ウェーハの周縁部を研削して面取りを行う面取り研削工程と、前記半導体ウェーハの面取り部に対して研磨を行う第1の面取り部研磨工程と、前記第1の面取り部研磨工程を行った後に前記半導体ウェーハの両面研磨を行う両面研磨工程とを含み、
研磨布に、直径10mm、重さ80gの重りを置いたときの研磨布の厚さと、直径10mm、重さ880gの重りを置いたときの研磨布の厚さとの差をΔTとしたときに、
ΔTが60μmである研磨布を用いて研磨荷重を20kgfとして面取り部の研磨を行った時よりも、研磨加工中の研磨布の沈み込み量が小さくなるように、
前記第1の面取り部研磨工程において、ΔTが60μm以下となる研磨布を用い且つ研磨荷重を20kgf以下(但し、5kgf以下を除く)として面取り部の研磨を行い、但しΔTが60μmとなる研磨布を用い且つ研磨荷重を20kgfとして面取り部の研磨を行うことを除くことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。 - 前記両面研磨工程の後に第2の面取り部研磨工程を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェーハの製造方法。
- 前記半導体ウェーハは、シリコンウェーハであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体ウェーハの製造方法。
- 前記第1の面取り部研磨工程において、前記研磨布の研磨面に対して前記ウェーハを垂直にして前記面取り部の研磨を行うことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体ウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020026261A JP6825733B1 (ja) | 2020-02-19 | 2020-02-19 | 半導体ウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020026261A JP6825733B1 (ja) | 2020-02-19 | 2020-02-19 | 半導体ウェーハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6825733B1 true JP6825733B1 (ja) | 2021-02-03 |
JP2021132102A JP2021132102A (ja) | 2021-09-09 |
Family
ID=74228019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020026261A Active JP6825733B1 (ja) | 2020-02-19 | 2020-02-19 | 半導体ウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6825733B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7131724B1 (ja) | 2022-02-03 | 2022-09-06 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法 |
KR20230169113A (ko) | 2021-04-12 | 2023-12-15 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 반도체 웨이퍼의 제조 방법 |
-
2020
- 2020-02-19 JP JP2020026261A patent/JP6825733B1/ja active Active
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230169113A (ko) | 2021-04-12 | 2023-12-15 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 반도체 웨이퍼의 제조 방법 |
DE112022001018T5 (de) | 2021-04-12 | 2024-03-14 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwafers |
JP7131724B1 (ja) | 2022-02-03 | 2022-09-06 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2023113270A (ja) * | 2022-02-03 | 2023-08-16 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021132102A (ja) | 2021-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101627897B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 연마 방법 | |
KR100818683B1 (ko) | 경면 면취 웨이퍼, 경면 면취용 연마 클로스 및 경면 면취연마장치 및 방법 | |
EP1188516A1 (en) | Method and apparatus for polishing outer peripheral chamfered part of wafer | |
JP4780142B2 (ja) | ウェーハの製造方法 | |
KR20140048869A (ko) | 반도체 웨이퍼 및 그 제조 방법 | |
JP6825733B1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
CN113439008B (zh) | 晶片制造方法以及晶片 | |
JP2010045279A (ja) | 半導体基板の両面研磨方法 | |
US7695347B2 (en) | Method and pad for polishing wafer | |
KR100757287B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 제조 방법 | |
JP2002231665A (ja) | エピタキシャル膜付き半導体ウエーハの製造方法 | |
CN110383427B (zh) | 晶圆的制造方法 | |
JP4352229B2 (ja) | 半導体ウェーハの両面研磨方法 | |
CN110052955B (zh) | 载体的制造方法及晶圆的双面研磨方法 | |
JP5074845B2 (ja) | 半導体ウェハの研削方法、及び半導体ウェハの加工方法 | |
JP2010017779A (ja) | ウェーハ加工方法 | |
JP5287982B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP7168113B1 (ja) | ウェーハの両面研磨方法 | |
WO2022219955A1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP7131724B1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
CN115332052A (zh) | 可降低形变应力的衬底加工方法及衬底 | |
KR20230165236A (ko) | 웨이퍼 가공 방법 및 웨이퍼 | |
JP2002110594A (ja) | ウェーハの表面研磨方法 | |
JP2014220318A (ja) | 半導体ウエハの研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200512 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20200512 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20200527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200707 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200806 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201020 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201215 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6825733 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |