JP4780142B2 - ウェーハの製造方法 - Google Patents
ウェーハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4780142B2 JP4780142B2 JP2008133954A JP2008133954A JP4780142B2 JP 4780142 B2 JP4780142 B2 JP 4780142B2 JP 2008133954 A JP2008133954 A JP 2008133954A JP 2008133954 A JP2008133954 A JP 2008133954A JP 4780142 B2 JP4780142 B2 JP 4780142B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- notch
- holder
- crystal orientation
- supporting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 219
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 19
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/28—Work carriers for double side lapping of plane surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
図4は従来の両頭研削装置の一例を示す概略図である。
図4(A)に示すように、両頭研削装置101は、薄板状のウェーハ103を径方向に沿って外周側から支持する自転可能なホルダー102と、ホルダー102の両側に位置し、ホルダー102を自転の軸方向に沿って両側から、流体の静圧により非接触支持する一対の静圧支持部材112と、ホルダー102により支持されたウェーハ103の両面を同時に研削する一対の砥石104を備えている。砥石104はモータ111に取り付けられており、高速回転できるようになっている。
また、ウェーハが変形しないようにホルダーの突起部を軟質化した場合、突起部の剛性が不足したり、または、突起部がウェーハの厚み方向に変形して砥石と接触して磨耗することで剛性が劣化したりすることにより、突起部の破損頻度が増大する。この時加工されているウェーハは、割れの発生が起きなくとも、突起部が破損して回転駆動を失ったことでウェーハ全面の均一な研削ができていないために製品とはならないことから、歩留まりが低下するという問題が生じていた。
このように、前記1つ以上形成するウェーハ支持用のノッチの深さを0.5mm以下とすれば、後工程での面取り加工によりウェーハ支持用のノッチを容易に除去することができる。
従来、両頭研削装置を用いたウェーハの両面の両頭研削において、ホルダーの突起部とウェーハのノッチとを1箇所で係合させホルダーでウェーハの外周部を支持し、その状態で研削を行った場合、この1つのノッチ及び突起部に回転駆動による応力が集中するため、ウェーハのノッチ周辺が変形し易くなり、ウェーハのうねり、すなわちナノトポグラフィーが発生し、ひいてはウェーハや突起部が破損するという問題があった。
図1(A)に示すように、両頭研削装置1は、主に、ウェーハ3を支持するホルダー2と、ウェーハ3の両面を同時に研削する一対の砥石4を備えている。
図1(B)に本発明の両頭研削装置で使用することができるホルダー2の一例の概要図を示す。図1(B)に示すように、ホルダー2は、主として、リング状のリング部8、ウェーハ3と接触してウェーハ3の径方向に沿って外周側から支持する支持部9、ホルダー2を自転させるために用いられる内歯車部7を有している。
そして、図1(B)に示すように、支持部9の縁部から内側に向かって突出した突起部5が2つ形成されている。これらの突起部5は、1つはウェーハの結晶方位を示すノッチ6aと係合する突起部5aであり、他は、ウェーハ支持用に形成されたノッチ6bに係合する突起部5bである。図1(B)はウェーハ支持用のノッチ6bに係合する突起部5bを1つ形成しているものの例であるが、突起部5bを2つ以上形成しても良い。
このように、本発明の両頭研削装置1は、ウェーハ3のノッチ6とホルダー2の突起部5が複数個所で係合してウェーハ3を支持し、ホルダー2の回転駆動をウェーハ3に伝達することができるようになっている。
また、例えば、支持部9の材質は樹脂、内歯車部7および駆動歯車10の材質はSUSとすることができるが、これらに限定されるものではない。
また、結晶方位用のノッチ6aの深さは、ウェーハ支持用のノッチ6bの深さよりも深く、面取り加工を行っても除去されない深さとすることができる。
静圧支持部材12は、外周側にホルダー2を非接触支持するホルダ静圧部と、内周側にウェーハを非接触支持するウェーハ静圧部から構成されている。また、静圧支持部材12には、ホルダー2を自転させるのに用いられる駆動歯車10を挿入するための穴や、砥石4を挿入するための穴が形成されている。
ここでは、図1に示すような本発明の両頭研削装置1を用いた場合について説明する。
まず、結晶方位用のノッチ6aとは別に、ホルダー2の突起部5と係合してウェーハ3を支持させるための少なくとも1つ以上のウェーハ支持用のノッチ6bをウェーハ3に形成する。
あるいは、インゴット14をスライスしてウェーハ3とした後に、ウェーハ3のエッジ部の粗面取りを行う面取り加工工程でウェーハ支持用ノッチ6bを形成しても良い。
また、前記したようにして形成したウェーハ支持用のノッチ6bと結晶方位用のノッチ6aに係合する突起部5a、5bを予めホルダー2に設けておく。
ここで、両頭研削装置1が、図1に示すような静圧支持部材12を具備している場合には、ウェーハ3を支持するホルダー2を、一対の静圧支持部材12の間に、静圧支持部材12とホルダー2が隙間を有するようにして配置し、静圧支持部材12から、例えば水のような流体を供給し、ホルダー2を非接触支持する。
このように、ウェーハ3を研削することにより、研削時に発生する回転駆動応力を結晶方位用のノッチ6aと1つ以上のウェーハ支持用のノッチ6b間及びそれらのノッチと係合する突起部5a、5b間で分散することができ、ホルダー2の突起部が破損することもなく、ウェーハ3のノッチ周辺の変形を抑制して製造するウェーハ3のナノトポグラフィーを改善することができる。また、製造するウェーハ3及び突起部5の破損率を低減して製品歩留まりの向上と装置コストの低減をすることができる。
このように、1つ以上形成するウェーハ支持用のノッチ6bの位置を、少なくとも結晶方位用のノッチ6aの位置に対しウェーハ3の中心軸に関して円対称の位置を含めれば、研削時にウェーハ3のノッチ6及び突起部5に掛かる回転駆動応力をより効率的に分散することができ、ウェーハ3のノッチ周辺の変形をより確実に抑制して製造するウェーハのナノトポグラフィーをより確実に改善することができる。また、製造するウェーハ3及び突起部5の破損率をより確実に低減して製品歩留まりの向上と装置コストの低減をすることができる
そのため、1つ以上形成するウェーハ支持用のノッチ6bの深さを0.5mm以下とすることが好ましい。
また、結晶方位用のノッチ6aの深さは、ウェーハ支持用のノッチ6bの深さよりも深く、面取り加工を行っても除去されない深さとすることができる。
直径約300mmのインゴットの直胴部を円筒研削し、その円筒研削工程でインゴットの結晶方位を示す深さ1.0mmのノッチと、その結晶方位用のノッチの位置に対しインゴット中心軸に関して円対称の位置に深さ0.5mmのウェーハ支持用のノッチを1つ形成し、その後、インゴットをスライス加工してウェーハとし、図1に示すような両頭研削装置を用いて、本発明のウェーハの製造方法に従って、それら15枚のウェーハの両面を両頭研削し、その後、ウェーハの外周を約0.5mmの取り代で面取り加工してウェーハ支持用のノッチを除去した。そして、得られた15枚のウェーハのナノトポグラフィーを測定した。
このことにより、本発明の両頭研削装置及びウェーハの製造方法を用いることにより、製造するウェーハのナノトポグラフィーを改善することができ、また、破損率を低減して製品歩留まりの向上と装置コストの低減をすることができることが確認できた。
図4に示すような従来の両頭研削装置を用い、結晶方位を示すノッチのみホルダーの突起部と係合させた以外、実施例と同様な条件でウェーハの両頭研削を行い、実施例と同様にウェーハのナノトポグラフィーを測定した。
結果を図5に示す。
図5に示すように、実施例と比較してナノトポグラフィーが悪い結果であることが分かった。
4…砥石、5、5a、5b…突起部、6…ノッチ、
6a…結晶方位用ノッチ、6b…ウェーハ支持用ノッチ、
7…内歯車部、8…リング部、9…支持部、10…駆動歯車部、
11…モータ(砥石用)、12…静圧支持部材、13…モータ(ホルダー用)、
14…インゴット。
Claims (2)
- 結晶方位を示すノッチを有する薄板状のウェーハを、前記ノッチに係合する突起部を有するリング状のホルダーにより径方向に沿って外周側から支持して回転させるとともに、一対の砥石によって、前記ウェーハの両面を同時に研削するウェーハの製造方法において、少なくとも、
前記ホルダーに、前記結晶方位用のノッチに係合する突起部とは別に突起部を設け、該突起部に係合してウェーハを支持させるためのウェーハ支持用のノッチを前記結晶方位用ノッチとは別に前記ウェーハに少なくとも1つ以上形成する工程と、
前記ウェーハに形成された支持用及び結晶方位用のノッチとこれらのノッチに対応する前記ホルダーの突起部とを係合させてウェーハを外周側から支持して回転させ、前記一対の砥石で前記ウェーハの両面を同時に研削する工程と、
前記ウェーハ支持用のノッチを面取り加工により除去する工程とを含み、
前記1つ以上形成するウェーハ支持用のノッチの位置に、少なくとも前記結晶方位用のノッチの位置に対し前記ウェーハ中心軸に関して円対称の位置を含めることを特徴とするウェーハの製造方法。 - 前記1つ以上形成するウェーハ支持用のノッチの深さを0.5mm以下とすることを特徴とする請求項1に記載のウェーハの製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008133954A JP4780142B2 (ja) | 2008-05-22 | 2008-05-22 | ウェーハの製造方法 |
CN2009801169457A CN102026774B (zh) | 2008-05-22 | 2009-04-20 | 两头磨削装置及芯片的制造方法 |
PCT/JP2009/001793 WO2009141961A1 (ja) | 2008-05-22 | 2009-04-20 | 両頭研削装置及びウェーハの製造方法 |
US12/990,236 US8562390B2 (en) | 2008-05-22 | 2009-04-20 | Double-disc grinding apparatus and method for producing wafer |
KR1020107025905A KR101605384B1 (ko) | 2008-05-22 | 2009-04-20 | 양두 연삭 장치 및 웨이퍼의 제조 방법 |
DE112009001195.0T DE112009001195B4 (de) | 2008-05-22 | 2009-04-20 | Doppelseiten-Schleifvorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Wafern |
TW098113484A TWI445125B (zh) | 2008-05-22 | 2009-04-23 | A method of manufacturing a two-head grinding apparatus and a wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008133954A JP4780142B2 (ja) | 2008-05-22 | 2008-05-22 | ウェーハの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009279704A JP2009279704A (ja) | 2009-12-03 |
JP2009279704A5 JP2009279704A5 (ja) | 2010-10-14 |
JP4780142B2 true JP4780142B2 (ja) | 2011-09-28 |
Family
ID=41339904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008133954A Active JP4780142B2 (ja) | 2008-05-22 | 2008-05-22 | ウェーハの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8562390B2 (ja) |
JP (1) | JP4780142B2 (ja) |
KR (1) | KR101605384B1 (ja) |
CN (1) | CN102026774B (ja) |
DE (1) | DE112009001195B4 (ja) |
TW (1) | TWI445125B (ja) |
WO (1) | WO2009141961A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5411739B2 (ja) * | 2010-02-15 | 2014-02-12 | 信越半導体株式会社 | キャリア取り付け方法 |
JP5627114B2 (ja) * | 2011-07-08 | 2014-11-19 | 光洋機械工業株式会社 | 薄板状ワークの研削方法及び両頭平面研削盤 |
JP5979081B2 (ja) * | 2013-05-28 | 2016-08-24 | 信越半導体株式会社 | 単結晶ウェーハの製造方法 |
JP6285375B2 (ja) * | 2015-02-17 | 2018-02-28 | 光洋機械工業株式会社 | 両頭平面研削装置 |
JP6707831B2 (ja) | 2015-10-09 | 2020-06-10 | 株式会社Sumco | 研削装置および研削方法 |
KR102468793B1 (ko) | 2016-01-08 | 2022-11-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼, 반도체 구조체 및 이를 제조하는 방법 |
JP6493253B2 (ja) * | 2016-03-04 | 2019-04-03 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
KR101809956B1 (ko) * | 2017-05-29 | 2017-12-18 | (주)대코 | 평행되고 대향되게 장착되는 2개의 지석들을 용이하게 교환할 수 있는 연속 압축 선스프링 연마장치 |
CN110651327B (zh) * | 2017-09-29 | 2021-10-15 | Hoya株式会社 | 玻璃间隔件和硬盘驱动器装置 |
CN112606233B (zh) * | 2020-12-15 | 2022-11-04 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种晶棒的加工方法及晶片 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60259372A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-21 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 両面ポリツシング方法 |
JPH02178947A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Fujitsu Ltd | 半導体ウェーハのノッチ合わせ機構 |
US5508139A (en) | 1993-03-25 | 1996-04-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic toner for developing electrostatic image |
JP3923107B2 (ja) * | 1995-07-03 | 2007-05-30 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法およびその装置 |
JP3207787B2 (ja) | 1997-04-04 | 2001-09-10 | 株式会社日平トヤマ | ウエハの加工方法及び平面研削盤及びワーク支持部材 |
JPH11183447A (ja) | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Nippei Toyama Corp | 被加工材の割れ発生予知方法及びこれを利用したウエハの加工方法並びに研削盤 |
JP3856975B2 (ja) * | 1999-02-18 | 2006-12-13 | 光洋機械工業株式会社 | 複合両頭平面研削方法および装置 |
JP2000288921A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-17 | Hoya Corp | 研磨用キャリア及び研磨方法並びに情報記録媒体用基板の製造方法 |
JP2001155331A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 磁気ディスク用基板およびその研磨方法 |
JP2003071704A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-12 | Nippei Toyama Corp | ウェーハ回転用駆動プレート |
JP2003124167A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-25 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ウエハ支持部材及びこれを用いる両頭研削装置 |
KR101193406B1 (ko) * | 2005-02-25 | 2012-10-24 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 양면 연마 장치용 캐리어 및 이를 이용한 양면 연마 장치,양면 연마 방법 |
JP4798480B2 (ja) * | 2005-05-25 | 2011-10-19 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法および両面研削方法並びに半導体ウェーハの両面研削装置 |
US7355192B2 (en) * | 2006-03-30 | 2008-04-08 | Intel Corporation | Adjustable suspension assembly for a collimating lattice |
JP4935230B2 (ja) * | 2006-08-03 | 2012-05-23 | セイコーエプソン株式会社 | 透光性基板の製造方法 |
-
2008
- 2008-05-22 JP JP2008133954A patent/JP4780142B2/ja active Active
-
2009
- 2009-04-20 US US12/990,236 patent/US8562390B2/en active Active
- 2009-04-20 WO PCT/JP2009/001793 patent/WO2009141961A1/ja active Application Filing
- 2009-04-20 KR KR1020107025905A patent/KR101605384B1/ko active IP Right Grant
- 2009-04-20 CN CN2009801169457A patent/CN102026774B/zh active Active
- 2009-04-20 DE DE112009001195.0T patent/DE112009001195B4/de active Active
- 2009-04-23 TW TW098113484A patent/TWI445125B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI445125B (zh) | 2014-07-11 |
TW201009995A (en) | 2010-03-01 |
DE112009001195B4 (de) | 2024-01-18 |
JP2009279704A (ja) | 2009-12-03 |
CN102026774A (zh) | 2011-04-20 |
WO2009141961A1 (ja) | 2009-11-26 |
KR101605384B1 (ko) | 2016-03-23 |
US20110039476A1 (en) | 2011-02-17 |
US8562390B2 (en) | 2013-10-22 |
CN102026774B (zh) | 2013-04-17 |
DE112009001195T5 (de) | 2011-06-22 |
KR20110022563A (ko) | 2011-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4780142B2 (ja) | ウェーハの製造方法 | |
KR101565026B1 (ko) | 양면 연마 장치용 캐리어 및 이를 이용한 양면 연마 장치, 및 양면 연마 방법 | |
JP5494552B2 (ja) | 両頭研削方法及び両頭研削装置 | |
CN110181355B (zh) | 一种研磨装置、研磨方法及晶圆 | |
JP2013078826A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2011025322A (ja) | 両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法 | |
JP6528527B2 (ja) | ツルーアーの製造方法および半導体ウェーハの製造方法、ならびに半導体ウェーハの面取り加工装置 | |
CN108349058B (zh) | 承载环、磨削装置及磨削方法 | |
WO2005070619A1 (ja) | ウエーハの研削方法及びウエーハ | |
JP5979081B2 (ja) | 単結晶ウェーハの製造方法 | |
JP2010021394A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP4406878B2 (ja) | 単結晶インゴットの当て板 | |
KR102454449B1 (ko) | 웨이퍼의 제조방법 | |
JP6825733B1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
KR102098260B1 (ko) | 워크의 양두연삭방법 | |
KR20150073214A (ko) | 연마물의 제조 방법 | |
JP2009302478A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2010017779A (ja) | ウェーハ加工方法 | |
JP2015153999A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
KR100831019B1 (ko) | 웨이퍼 연삭휠 및 이 연삭휠을 이용한 웨이퍼 연삭방법 | |
JP6072166B1 (ja) | 表面変質層深さ測定方法、半導体ウエハ研削方法、及び、半導体ウエハ製造方法 | |
JP2015230734A (ja) | 磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法、磁気記録媒体用のガラス基板の製造方法、および磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置 | |
JP2014216424A (ja) | ウェハーの製造方法、ノッチ加工装置 | |
KR101206922B1 (ko) | 웨이퍼 연마 장치 | |
JP2007210054A (ja) | カップ型砥石および両頭研削装置ならびに両頭研削方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100415 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100831 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20100831 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20100929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101012 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110511 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110519 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110607 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110620 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140715 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4780142 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |