JP6707831B2 - 研削装置および研削方法 - Google Patents

研削装置および研削方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6707831B2
JP6707831B2 JP2015201489A JP2015201489A JP6707831B2 JP 6707831 B2 JP6707831 B2 JP 6707831B2 JP 2015201489 A JP2015201489 A JP 2015201489A JP 2015201489 A JP2015201489 A JP 2015201489A JP 6707831 B2 JP6707831 B2 JP 6707831B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ring
wafer
grinding
carrier ring
center
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015201489A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017071040A (ja
Inventor
好信 西村
好信 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumco Corp
Original Assignee
Sumco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumco Corp filed Critical Sumco Corp
Priority to JP2015201489A priority Critical patent/JP6707831B2/ja
Priority to TW105127028A priority patent/TWI622461B/zh
Priority to US15/766,484 priority patent/US11052506B2/en
Priority to DE112016004607.3T priority patent/DE112016004607T5/de
Priority to PCT/JP2016/079659 priority patent/WO2017061486A1/ja
Priority to CN201680058946.0A priority patent/CN108349058B/zh
Publication of JP2017071040A publication Critical patent/JP2017071040A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6707831B2 publication Critical patent/JP6707831B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B24B37/32Retaining rings
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/28Work carriers for double side lapping of plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34Accessories
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/10Single-purpose machines or devices
    • B24B7/16Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings
    • B24B7/17Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings for simultaneously grinding opposite and parallel end faces, e.g. double disc grinders
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping

Description

本発明は、研削装置および研削方法に関する。
両頭研削装置を用いたシリコンウェーハの両面研削は、一般的に以下のように行われる。
まず、キャリアリングの支持孔でシリコンウェーハを支持する。この支持の際、キャリアリングと同じようにシリコンウェーハを回転させるために、支持孔内部に突出する突起部に、シリコンウェーハのノッチを係合させる。また、シリコンウェーハの中心がキャリアリングの中心と一致するように、シリコンウェーハを支持する。その後、2個の研削ホイールを回転させながら、シリコンウェーハの両面にそれぞれ押し当てると同時に、研削ホイール内に研削液を供給し、キャリアリングを当該キャリアリングの中心を回転軸にして回転させることで、シリコンウェーハの研削を行う。
ところで、両面研削が行われたシリコンウェーハでは、ナノトポグラフィ(Nanotopography)と呼ばれる表面のうねりが問題となることが多い。そこで、このナノトポグラフィ悪化を低減することで、シリコンウェーハの平坦度を向上させるための技術が検討されている(例えば、特許文献1参照)。なお、ナノトポグラフィとは、「シリコンウェーハを非吸着、あるいは弱吸着で置いた時のミリメートル周期に存在するナノメートルレンジのうねり」と定義されている。
特許文献1には、ナノトポグラフィ悪化の発生メカニズムとして、以下のことが記載されている。上述のような両面研削では、シリコンウェーハのノッチとキャリアリングの突起部とがそれぞれ1個ずつであるため、ノッチと突起部とにキャリアリングの回転に伴う応力が集中し、シリコンウェーハのノッチ周辺が変形し易くなる。このノッチ周辺が変形した状態で両面研削を行うと、シリコンウェーハのナノトポグラフィが悪化する。
このようなナノトポグラフィ悪化を低減するために、特許文献1には、キャリアリングに従来の突起部とは別の突起部を設けるとともに、シリコンウェーハに従来のノッチとは別に支持用のノッチを設け、各突起部に各ノッチを係合させて両面研削を行うことで、キャリアリングの回転に伴う応力を分散させる技術が開示されている。
一方、本発明者は、シリコンウェーハの両面研削を行うと、キャリアリングの使用開始当初はナノトポグラフィの悪化が発生しないが、使用期間が長くなるとナノトポグラフィの悪化が発生し易くなることを知見し、このような現象が発生する理由を以下のように推測した。
シリコンウェーハを研削するときに突起部も研削されてしまう。突起部の研削量が多くなると、突起部がシリコンウェーハの被研削面に対して直交する方向に反ってしまい、シリコンウェーハのノッチ周辺も突起部と同じ方向に反ってしまう。この反った状態で両面研削を行うと、シリコンウェーハにナノトポグラフィの悪化が発生する。
そこで、本発明者は、このようなナノトポグラフィの悪化を低減するために、キャリアリングの使用期間に制限を設けて、当該使用期間を経過したキャリアリングを交換する対策を取っていた。
特開2009−279704号公報
しかしながら、特許文献1に記載のような方法では、シリコンウェーハに設けた支持用のノッチを後工程で除去する必要があり、工程が複雑になってしまう。
また、キャリアリングの使用期間に制限を設ける方法では、多数のキャリアリングが必要になりコストが上昇してしまう。
本発明の目的は、工程の複雑化およびコストの上昇を招くことなく被研削物の研削品質を向上可能な研削装置および研削方法を提供することにある。
本発明のキャリアリングは、ノッチを有する外形円形状のウェーハの研削に用いられる円板状のキャリアリングであって、回転リングと、前記回転リングにより外周部が保持された支持リングとを備え、前記回転リングは、本体リングと、押えリングとを備え、前記本体リングの一面における内縁側には、前記支持リングの外周部および前記押えリングが嵌め込まれる嵌合溝が設けられ、前記押えリングの内周面には、前記キャリアリングを回転させるための駆動ギアに噛み合う内歯が設けられ、前記支持リングは、前記ウェーハを支持可能な支持孔を有し、前記支持孔は、当該支持孔の中心が前記キャリアリングの中心に対して偏心した円形状に形成されていることを特徴とする。
本発明の研削装置は、ノッチを有する外形円形状のウェーハを研削する研削装置であって、前記ウェーハを支持可能な支持孔を有し、当該支持孔の中心が当該キャリアリングの中心に対して偏心した円形状に形成されているキャリアリングと、前記キャリアリングの中心を回転軸にして当該キャリアリングを回転させる回転機構と、中央に両面を貫通する研削液供給孔が設けられた円板状のホイールベースと、前記ウェーハを研削する複数の砥石とを備え、前記複数の砥石は、前記ホイールベースの一面の外縁に沿って所定間隔で設けられ、前記複数の砥石で形成される円環の直径が、前記ウェーハ直径よりも小さいことを特徴とする。
本発明の研削方法は、ノッチを有する外形円形状のウェーハを研削する研削方法であって、円板状のキャリアリングに円形状に形成され、当該キャリアリングの中心に対して当該支持孔の中心が偏心している支持孔で当該ウェーハを支持する工程と、前記キャリアリングの中心を回転軸にして当該キャリアリングを回転させる工程と、複数の砥石を有し、前記キャリアリングで保持された前記ウェーハの両面に対向するようにそれぞれ配置された2個の研削ホイールを互いに逆方向に回転させつつ、前記ウェハーの両面に押し当てて前記ウェーハを研削する工程とを備えていることを特徴とする。
ここで、従来のように、ウェーハの中心をキャリアリングの中心と一致させ、キャリアリングを回転させて研削を行う場合、被研削面側から見たときに、支持孔がウェーハに対して移動しないため、理論上、ウェーハの外周面に支持孔の内周面が接触せず、キャリアリングの回転駆動力がウェーハに伝達されない。このため、キャリアリングの回転駆動力をウェーハに伝達するために、ウェーハのノッチに係合する突起部をキャリアリングに設ける必要があった。
これに対し、本発明によれば、ウェーハの中心がキャリアリングの中心に対して偏心するように、キャリアリングでウェーハを支持し、キャリアリングの中心を回転軸にして当該キャリアリングを回転させる。このような構成により、キャリアリングを回転させたときに、支持孔がウェーハに対して移動するため、ウェーハと支持孔とが接触し、この接触箇所がウェーハの端面を押すことになるが、その際、ウェーハの中心とキャリアリングの中心をずらしているがためにウェーハには回転モーメントが発生する。この回転モーメントにより、支持孔に突起部を設けることなく、ウェーハをキャリアリングと一緒に回転させて研削することが可能となり、ノッチと突起部との係合に起因するナノトポグラフィ悪化の発生を抑制することができる。よって、従来のような工程の複雑化およびコストの上昇を招くことなくウェーハの研削品質を向上させることができる。
本発明のキャリアリングでは、前記キャリアリングの中心に対する前記支持孔の中心の偏心量は、前記被研削物の直径の1.7%以下であることが好ましい。
ここで、偏心量がウェーハの直径の1.7%を超えると、従来の研削装置では、ウェーハにおける偏心方向の端部が砥石に接触せず、研削されないという不都合がある。
これに対し、本発明では、偏心量を上述の範囲に設定することで、上述の不具合の発生を抑制することができる
本発明の一実施形態に係る両頭研削装置の要部を示す断面図。 前記一実施形態および本発明の実施例1,2におけるキャリアリングを示す正面図。 本発明の比較例におけるキャリアリングを示す正面図。 本発明の実施例1,2および比較例におけるシリコンウェーハ研削後の断面プロファイルを示すグラフ。
本発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。
[両頭研削装置の構成]
研削装置としての両頭研削装置1は、図1に示すように、内部で被研削物としてのシリコンウェーハWを保持する円板状のキャリアリング2と、キャリアリング2の中心C1を回転軸にして当該キャリアリング2を回転させる回転機構3と、シリコンウェーハWを研削する複数の砥石42を有し、キャリアリング2で保持されたシリコンウェーハWの両面に対向するようにそれぞれ配置された2個の研削ホイール4とを備えている。
キャリアリング2は、図2にも示すように、円環板状の回転リング21と、回転リング21により外周部が保持された円環板状の支持リング24とを備えている。
回転リング21は、例えばSUS(ステンレス鋼)等の材料によりそれぞれ形成された本体リング22と、押えリング23とを備えている。本体リング22の一面における内縁側には、支持リング24の外周部および押えリング23が嵌め込まれる嵌合溝221が設けられている。押えリング23の内周面には、回転機構3の後述する駆動ギア31に噛み合う内歯231が設けられている。
支持リング24は、例えばガラスエポキシ樹脂等によりシリコンウェーハWよりも薄く形成されている。支持リング24は、シリコンウェーハWを支持可能な支持孔241を有している。支持孔241は、当該支持孔241の中心C2がキャリアリング2の中心C1に対して偏心した円形状に形成されている。キャリアリング2の中心C1に対する支持孔241の中心C2の偏心量Dは、特に制限はないが、キャリアリング2の直径の1.7%以下であることが好ましい。支持孔241の内径は、シリコンウェーハWの直径よりも大きければ特に制限はないが、シリコンウェーハWの直径との差が1mm以内であることが好ましい。
なお、支持リング24には、支持孔241内部に突出し、シリコンウェーハWのノッチNに係合する突起部が設けられていない。
回転機構3は、キャリアリング2の内歯231に噛み合う駆動ギア31と、駆動ギア31を回転させる駆動モータ32とを備えている。
研削ホイール4は、略円板状のホイールベース41と、このホイールベース41の一面の外縁に沿って所定間隔で設けられた複数の砥石42とを備えている。ホイールベース41の中央には、当該ホイールベース41の両面を貫通する研削液供給孔43が設けられている。この研削液供給孔43を介して、研削ホイール4内に、研削液が供給される。
[両頭研削方法]
次に、上述の両頭研削装置1を用いた両頭研削方法について説明する。
図1に示すように、垂直に立てられたシリコンウェーハWの両面に研削ホイール4をそれぞれ押し当てるとともに、研削ホイール4内に研削液を供給し、キャリアリング2および研削ホイール4を回転させることで、シリコンウェーハWを研削する。
この研削開始直後において、図2に示すように、例えばキャリアリング2が反時計回り方向に回転すると、支持孔241の中心C2がキャリアリング2の中心C1に対して偏心しているため、支持孔241がシリコンウェーハWに対して移動し、支持孔241とシリコンウェーハWとが接触箇所Pで接触する。そして、この接触箇所PがシリコンウェーハWの端面を押すことになるが、その際、シリコンウェーハWの中心とキャリアリング2の中心C1をずらしているがためにシリコンウェーハWには回転モーメントが発生する。この回転モーメントにより、ノッチNに係合する突起部をキャリアリング2に設けなくても、シリコンウェーハWを回転させて研削することができる。
[実施形態の作用効果]
上述したような本実施形態では、以下のような作用効果を奏することができる。
キャリアリング2の支持孔241を、当該支持孔241の中心C2がキャリアリング2の中心C1に対して偏心するように形成している。
このため、上述したように、ノッチNに係合する突起部をキャリアリング2に設けなくても、シリコンウェーハWを回転させて研削することができる。したがって、ノッチNと突起部との係合に起因するナノトポグラフィ悪化の発生を抑制することができ、従来のような工程の複雑化およびコストの上昇を招くことなくシリコンウェーハWの研削品質を向上させることができる。
[他の実施形態]
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良および設計の変更などが可能である。
例えば、キャリアリング2の中心C1に対する支持孔241の中心C2の偏心量Dは、キャリアリング2の直径の1.7%を超えていてもよい。
回転リング21と支持リング24とを別材料で別部品として形成したが、同じ材料で形成してもよく、同じ材料で形成する場合、別部品として形成してもよいし、1つの部品(キャリアリング)として形成してもよい。
被研削物としては、セラミックスや石材など、シリコンウェーハW以外の外径円形状のものを対象としてもよい。
次に、本発明を実施例および比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
〔実施例1〕
上記実施形態に用いた両頭研削装置1と同様の構成を有する両頭研削装置(光洋機械工業株式会社製、DXSG320)を準備した。また、図2に示すようなキャリアリング2を準備した。この実施例1では、支持孔241を以下の条件で設けた。なお、研削対象のシリコンウェーハWの直径は、300mmである。
・内径:301mm以下
・偏心量D:2mm(シリコンウェーハWの直径の0.67%)
そして、以下の条件でシリコンウェーハWの両面を研削し、Nanotopography測定装置(ADE社製 製品名:NanoMapper)を用いてシリコンウェーハWの中心およびノッチNの配置位置を含む断面のプロファイルを測定した。その結果を図4に示す。
図4に示すように、Single Gaussian Filter Heightのプロファイルデータにおいて、シリコンウェーハWのノッチN近傍やその他箇所に特異なパターンは発生せず、シリコンウェーハ品質評価の指標となるPV値は小さくなり、シリコンウェーハ品質は良好であることが確認できた。なお、Single Gaussian Filter Heightは、研削などのシリコンウェーハの機械加工に起因する、大きな周期のうねりを表す指標として用いられるものである。
<研削条件>
・砥石の番手:#2000
・研削ホイールの直径:160mm
・研削ホイールの回転数:4000rpm
・キャリアリングの回転数:40rpm
〔実施例2〕
支持孔241の偏心量Dを5mm(シリコンウェーハWの直径の1.67%)にしたこと以外は、実施例1と同じ構成を有するキャリアリング2を準備した。そして、実施例1と同じ条件で300mmのシリコンウェーハWの両面を研削し、断面プロファイルを測定した。その結果を図4に示す。
図4に示すように、実施例1と同様に、シリコンウェーハWのノッチN近傍やその他箇所に特異なパターンは発生せず、シリコンウェーハ品質は良好であることが確認できた。
〔比較例〕
図3に示すようなキャリアリング9を準備した。
このキャリアリング9は、回転リング21と、支持リング94とを備えている。支持リング94の支持孔941は、当該支持孔941の中心C3がキャリアリング2の中心C1と一致し、かつ、内径が実施例1,2の支持孔241の内径と同じ円形状に形成されている。つまり、支持孔941の偏心量Dは0mmである。また、支持リング94には、支持孔941内部に突出し、シリコンウェーハWのノッチNに係合する突起部942が設けられている。
そして、ノッチNが突起部942に係合するように300mmのシリコンウェーハWをキャリアリング9に支持させ、実施例1と同じ条件で当該シリコンウェーハWの両面を研削し、断面プロファイルを測定した。その結果を図4に示す。
図4に示すように、ノッチN側の端部で特異なパターンが発生しており、この特異パターンにより品質評価指標のPV値は大きくなり、シリコンウェーハ品質は実施例1,2と比べて低下することがわかった。このような結果は、ノッチNと突起部942との間に過大な押し付け力が発生し、加工中のシリコンウェーハWが歪み、研削異常が発生したことを示唆すると考えられる。
以上のことから、キャリアリングの支持孔を、当該支持孔の中心がキャリアリングの中心に対して偏心するように形成することで、従来のような工程の複雑化およびコストの上昇を招くことなくシリコンウェーハの研削品質を向上させることができることが確認できた。
1…両頭研削装置(研削装置)、2…キャリアリング、241…支持孔、3…回転機構、42…砥石、W…シリコンウェーハ(被研削物)。

Claims (2)

  1. ノッチを有する外形円形状のウェーハを研削する研削装置であって、
    前記ウェーハを支持可能な支持孔を有し、前記支持孔の中心が当該キャリアリングの中心に対して偏心した円形状に形成されているキャリアリングと、
    前記キャリアリングの中心を回転軸にして当該キャリアリングを回転させる駆動ギアを有する回転機構と、
    中央に両面を貫通する研削液供給孔が設けられ、前記キャリアリングで保持された前記ウェーハの両面に対向するようにそれぞれ配置された円板状の2個のホイールベースと、
    前記ウェーハを研削する複数の砥石とを備え、
    前記キャリアリングは、回転リングと、前記回転リングにより外周部が保持された支持リングとを備え、前記回転リングは、本体リングと、押えリングとを備え、前記本体リングの一面における内縁側には、前記支持リングの外周部および前記押えリングが嵌め込まれる嵌合溝が設けられ、前記押えリングの内周面には、前記回転機構の前記駆動ギアに噛み合う内歯が設けられ、
    前記キャリアリングの中心に対する前記支持孔の中心の偏心量は、前記ウェーハの直径の1.7%以下であり、
    前記支持孔の内径は、前記ウェーハの直径よりも大きく、前記支持孔の内径と前記ウェーハの直径との差は1mm以内であり、
    前記複数の砥石は、前記ホイールベースの一面の外縁に沿って所定間隔で設けられ、
    前記複数の砥石で形成される円環の直径が、前記ウェーハ直径よりも小さい
    ことを特徴とする研削装置。
  2. ノッチを有する外形円形状のウェーハを研削する研削方法であって、
    円板状のキャリアリングに円形状に形成され、前記キャリアリングの中心に対して当該支持孔の中心が偏心している支持孔で前記ウェーハを支持する工程と、
    前記キャリアリングの中心を回転軸にして当該キャリアリングを回転させる工程と、
    複数の砥石を有し、前記キャリアリングで保持された前記ウェーハの両面に対向するようにそれぞれ配置された2個の研削ホイールを互いに逆方向に回転させつつ、前記ウェーハの両面に押し当てて前記ウェーハを研削する工程と
    を備え、
    前記キャリアリングの中心に対する前記支持孔の中心の偏心量は、前記ウェーハの直径の1.7%以下であり、
    前記支持孔の内径は、前記ウェーハの直径よりも大きく、前記支持孔の内径と前記ウェーハの直径との差は1mm以内である
    ことを特徴とする研削方法。
JP2015201489A 2015-10-09 2015-10-09 研削装置および研削方法 Active JP6707831B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015201489A JP6707831B2 (ja) 2015-10-09 2015-10-09 研削装置および研削方法
TW105127028A TWI622461B (zh) 2015-10-09 2016-08-24 承載環、研磨裝置以及研磨方法
US15/766,484 US11052506B2 (en) 2015-10-09 2016-10-05 Carrier ring, grinding device, and grinding method
DE112016004607.3T DE112016004607T5 (de) 2015-10-09 2016-10-05 Trägerring, Schleifvorrichtung und Schleifverfahren
PCT/JP2016/079659 WO2017061486A1 (ja) 2015-10-09 2016-10-05 キャリアリング、研削装置および研削方法
CN201680058946.0A CN108349058B (zh) 2015-10-09 2016-10-05 承载环、磨削装置及磨削方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015201489A JP6707831B2 (ja) 2015-10-09 2015-10-09 研削装置および研削方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017071040A JP2017071040A (ja) 2017-04-13
JP6707831B2 true JP6707831B2 (ja) 2020-06-10

Family

ID=58487739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015201489A Active JP6707831B2 (ja) 2015-10-09 2015-10-09 研削装置および研削方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11052506B2 (ja)
JP (1) JP6707831B2 (ja)
CN (1) CN108349058B (ja)
DE (1) DE112016004607T5 (ja)
TW (1) TWI622461B (ja)
WO (1) WO2017061486A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7159861B2 (ja) * 2018-12-27 2022-10-25 株式会社Sumco 両頭研削方法
CN115070604B (zh) * 2022-06-09 2023-09-29 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 双面研磨装置和双面研磨方法
CN117226707A (zh) * 2023-11-10 2023-12-15 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 驱动环、承载装置及双面研磨装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5411739B1 (ja) 1977-02-16 1979-05-17
DE3624878A1 (de) * 1985-07-31 1987-02-12 Speedfam Corp Flachlaeppmaschine
JP2644058B2 (ja) * 1989-11-10 1997-08-25 不二越機械工業株式会社 ウエハー加工装置
JPH071306A (ja) * 1993-06-22 1995-01-06 Nippon Sheet Glass Co Ltd 研磨方法及び研磨装置
JP3923107B2 (ja) 1995-07-03 2007-05-30 株式会社Sumco シリコンウェーハの製造方法およびその装置
US6036585A (en) 1997-03-31 2000-03-14 Nippei Toyama Corporation Grinder and grinding method
JP3234881B2 (ja) * 1998-12-25 2001-12-04 株式会社柏原機械製作所 両面研磨装置
JP3776624B2 (ja) * 1999-04-02 2006-05-17 信越半導体株式会社 両面同時研削装置およびカップ型砥石並びに両面同時研削方法
JP2001310247A (ja) * 2000-04-27 2001-11-06 Nippei Toyama Corp 回転ワークの研削方法
DE10060697B4 (de) * 2000-12-07 2005-10-06 Siltronic Ag Doppelseiten-Polierverfahren mit reduzierter Kratzerrate und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP2003124167A (ja) * 2001-10-10 2003-04-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd ウエハ支持部材及びこれを用いる両頭研削装置
CN100380600C (zh) * 2002-03-28 2008-04-09 信越半导体株式会社 晶片的两面研磨装置及两面研磨方法
US7196009B2 (en) * 2003-05-09 2007-03-27 Seh America, Inc. Lapping carrier, apparatus for lapping a wafer and method of fabricating a lapping carrier
JP4343020B2 (ja) * 2003-12-22 2009-10-14 株式会社住友金属ファインテック 両面研磨方法及び装置
JP4727218B2 (ja) * 2004-12-10 2011-07-20 株式会社住友金属ファインテック 両面研磨用キャリア
US20080166952A1 (en) * 2005-02-25 2008-07-10 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd Carrier For Double-Side Polishing Apparatus, Double-Side Polishing Apparatus And Double-Side Polishing Method Using The Same
JP4904960B2 (ja) * 2006-07-18 2012-03-28 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
CN101541477B (zh) * 2006-11-21 2011-03-09 3M创新有限公司 研磨载体以及方法
DE102007056628B4 (de) * 2007-03-19 2019-03-14 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zum gleichzeitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben
JP4780142B2 (ja) * 2008-05-22 2011-09-28 信越半導体株式会社 ウェーハの製造方法
KR101209271B1 (ko) * 2009-08-21 2012-12-06 주식회사 엘지실트론 양면 연마 장치와 양면 연마 장치용 캐리어
JP5411739B2 (ja) * 2010-02-15 2014-02-12 信越半導体株式会社 キャリア取り付け方法
DE102010063179B4 (de) * 2010-12-15 2012-10-04 Siltronic Ag Verfahren zur gleichzeitigen Material abtragenden Bearbeitung beider Seiten mindestens dreier Halbleiterscheiben
JP5527430B2 (ja) * 2010-12-27 2014-06-18 株式会社Sumco ワークの研磨方法
CN104024366A (zh) * 2011-12-27 2014-09-03 旭硝子株式会社 研磨剂用添加剂及研磨方法
JP5741497B2 (ja) * 2012-02-15 2015-07-01 信越半導体株式会社 ウェーハの両面研磨方法
JP5872947B2 (ja) * 2012-04-05 2016-03-01 光洋機械工業株式会社 両頭平面研削におけるワーク搬入出方法及び両頭平面研削盤
TWI465317B (zh) * 2012-06-25 2014-12-21 Sumco Corp 工作件的硏磨方法及工作件的硏磨裝置
TW201440954A (zh) * 2013-04-30 2014-11-01 Crystalwise Technology 雙面研磨拋光方法及其系統
JP6056793B2 (ja) * 2014-03-14 2017-01-11 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリアの製造方法及び両面研磨方法
JP6269450B2 (ja) * 2014-11-18 2018-01-31 信越半導体株式会社 ワークの加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE112016004607T5 (de) 2018-06-28
JP2017071040A (ja) 2017-04-13
CN108349058A (zh) 2018-07-31
US20190084122A1 (en) 2019-03-21
WO2017061486A1 (ja) 2017-04-13
TWI622461B (zh) 2018-05-01
CN108349058B (zh) 2021-02-19
US11052506B2 (en) 2021-07-06
TW201722617A (zh) 2017-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5233888B2 (ja) 両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法
KR101549055B1 (ko) 워크의 양두 연삭 장치 및 워크의 양두 연삭 방법
KR101605384B1 (ko) 양두 연삭 장치 및 웨이퍼의 제조 방법
TWI540625B (zh) Wafer processing method
JP6707831B2 (ja) 研削装置および研削方法
WO2014125759A1 (ja) 両面研磨装置用キャリアの製造方法およびウエーハの両面研磨方法
WO2013121718A1 (ja) ウェーハの両面研磨方法
JP2009285768A (ja) 半導体ウェーハの研削方法および研削装置
WO2012140842A1 (ja) 両頭研削方法及び両頭研削装置
WO2014038129A1 (ja) 両面研磨方法
WO2018168426A1 (ja) ウェーハの製造方法
JP2009004616A (ja) 半導体ウェーハ研磨装置および研磨方法
JP2019111618A (ja) 単結晶基板の加工方法
JP5430789B1 (ja) 両頭平面研削装置及び両頭平面研削装置を用いた研削方法
KR102150157B1 (ko) 웨이퍼 랩핑 장치용 캐리어
JP7067094B2 (ja) 両面研削装置及び両面研削装置のツルーイング方法
CN107685284B (zh) 一种光学器件均匀打磨的方法
JP4018993B2 (ja) 両面ラップ盤用回転定盤
KR101043487B1 (ko) 웨이퍼 양면연마기의 연마패드 보정장치와 보정방법
CN212095894U (zh) 用于半导体晶片的盘式磨削的改进装置
JP2006237098A (ja) 半導体ウェーハの両面研磨装置及び両面研磨方法
JP4241164B2 (ja) 半導体ウェハ研磨機
JP2015058501A (ja) ワークの研磨装置及びワークの製造方法
KR101285923B1 (ko) 연마장치 및 연마장치의 드레싱기어
JP2015230734A (ja) 磁気記録媒体用のガラス基板の加工方法、磁気記録媒体用のガラス基板の製造方法、および磁気記録媒体用のガラス基板の加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171211

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190212

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190312

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190611

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190809

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191008

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191205

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200421

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200504

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6707831

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250