JP6528527B2 - ツルーアーの製造方法および半導体ウェーハの製造方法、ならびに半導体ウェーハの面取り加工装置 - Google Patents
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Description
すなわち、本発明の要旨構成は以下のとおりである。
前記制御部は、前記駆動機構および前記移動機構を制御して、前記円盤状の板および前記砥石をそれぞれの周方向に回転させ、かつ、前記板および前記砥石のいずれか一方または両方を移動し、前記板の周縁部および前記砥石の周面を互いに接触させて、前記板の周縁部の輪郭を目標形状に研磨成形し、前記駆動機構および前記回転機構を制御して、前記板および前記精研砥石を周方向に回転させながら接触させて前記ツルーイングを行い、前記交換機構を制御して前記板と前記半導体ウェーハを交換し、前記駆動機構および前記回転機構を制御して、前記半導体ウェーハおよび前記精研砥石を周方向に回転させながら接触させて前記半導体ウェーハの周縁部を研磨することを特徴とする。
図3〜5を用いて、本発明の一実施形態による、砥粒を固めた円盤状の板10の周縁部を、砥石20を用いて研磨成形するツルーアー10Aの製造方法を説明する。詳細を後述するが、砥石20は円筒状であり、円盤状の板10および砥石20をそれぞれの周方向に回転させ、かつ、板10および砥石20のいずれか一方または両方を移動し、板10の周縁部および砥石20の周面を互いに接触させて、板10の周縁部の輪郭を目標形状に研磨成形することが、本実施形態の特徴である。説明の便宜上、図4において紙面に沿う右方向を+y方向とし、その反対方向を−y方向とする。同様に、紙面に沿う上方向を+z方向とし、その反対方向を−z方向とする。以下、各構成の詳細を順に説明する。
SiCの砥粒を固めた円盤状の板(直径:304mm、厚み:1200μm)を用意し、周縁部を粗研磨した。シリコンウェーハの面取り後の周縁部の形状を、形状パラメータA1=430μm、A2=430μm、BC=500μmm、θ1=21.5度、θ2=21.5度とする端面が平坦な略円錐台形型(図6)とし、その狙い値に従ってツルーアーの周縁部形状を設定してツルーアーの目標形状とした。メタルボンド(直径:50mm、厚み:5mm、番手#1000)の砥石を用いて、ツルーアーの周縁部の形状がこの目標形状となるように、EMTEK社製CVP310Rを用いて、図4に示した板10と砥石20の動作をNC制御して研磨加工を施し、円盤状の板の周縁部の輪郭を研磨成形し、ツルーアーを作製した。同一条件下で研磨加工を行い、合計5つのツルーアーを作製した。
ツルーアーの目標形状を発明例と同一に設定して設けた溝を、メタルボンドの粗研砥石(番手:#600)に8個設け、それぞれの溝を用いて8個のツルーアーを作製した。これらのツルーアーを用いて8個の溝を発明例で用いた精研砥石に設けた以外は、発明例と同様にして、精研砥石に設けたそれぞれの溝を用いて、シリコンウェーハの周縁部の面取り加工を行った。合計8つのシリコンウェーハの面取り形状の形状パラメータA1,A2,BC,θ1、θ2を、上記発明例とともに、図8(A)〜(C)および図9(A)、(B)にそれぞれ示す。
1A ツルーアー
2 粗研砥石
3 精研砥石
10 円盤状の板
10A ツルーアー
20 砥石
21 軸部
30 精研砥石
41 テーブル
50 制御部
51 駆動機構
52 移動機構
53 回転機構
54 交換機構
100 面取り加工装置
Claims (6)
- 砥粒を固めた円盤状の板の周縁部を、砥石を用いて研磨成形するツルーアーの製造方法であって、
前記円盤状の板の厚み方向をz軸と表記し、前記円盤状の板の任意に選択した径方向をy軸と表記し、
前記砥石は円筒状であり、かつ、該砥石の周面は溝なしの円筒側面であって、前記y軸及び前記z軸に直交するx軸に前記砥石の円筒軸方向を配設して前記砥石の周面の回転中心軸を前記x軸とし、
前記円盤状の板および前記砥石をそれぞれの周方向に回転させ、かつ、前記板および前記砥石のいずれか一方または両方を移動し、前記板の周縁部および前記砥石の周面を互いに接触させて、前記板の周縁部の輪郭を、半導体ウェーハの周縁部の目標形状に対応させて研磨成形することを特徴とする、ツルーアーの製造方法。 - 前記研磨成形に先立ち、前記円盤状の板の周縁部を、粗研砥石を用いて粗研磨する、請求項1に記載のツルーアーの製造方法。
- 前記移動をNC制御する、請求項1または2に記載のツルーアーの製造方法。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の製造方法により得られたツルーアーを用いて、精研砥石をツルーイングし、
前記精研砥石を用いて、半導体ウェーハの周縁部を面取りすることを特徴とする、半導体ウェーハの製造方法。 - 前記半導体ウェーハはシリコンウェーハである、請求項4に記載の半導体ウェーハの製造方法。
- 砥粒を固めた円盤状の板と、
前記板を載置するテーブルと、
前記テーブルの昇降、水平方向移動および、前記板の周方向への回転を行う駆動機構と、
前記板を研磨成形する円筒状の砥石と、
前記砥石を周方向に回転させ、かつ、前記砥石を移動する移動機構と、
前記円盤状の板によりツルーイングされる精研砥石と、
前記精研砥石を回転させる回転機構と、
前記円盤状の板を半導体ウェーハと交換する交換機構と、
前記駆動機構、前記移動機構、前記回転機構および前記交換機構を制御する制御部と、を有し、
前記砥石の周面は溝なしの円筒側面であって、
前記円盤状の板及び前記半導体ウェーハの厚み方向をz軸と表記し、前記円盤状の板の任意に選択した径方向をy軸と表記し、
前記y軸及び前記z軸に直交するx軸に前記砥石の円筒軸方向を配設して前記砥石の周面の回転中心軸を前記x軸とし、
前記制御部は、前記駆動機構および前記移動機構を制御して、前記円盤状の板および前記砥石をそれぞれの周方向に回転させ、かつ、前記板および前記砥石のいずれか一方または両方を移動し、前記板の周縁部および前記砥石の周面を互いに接触させて、前記板の周縁部の輪郭を、前記半導体ウェーハの周縁部の目標形状に対応させて研磨成形し、
前記駆動機構および前記回転機構を制御して、前記板および前記精研砥石を周方向に回転させながら接触させて前記ツルーイングを行い、
前記交換機構を制御して前記板と前記半導体ウェーハを交換し、
前記駆動機構および前記回転機構を制御して、前記半導体ウェーハおよび前記精研砥石を周方向に回転させながら接触させて前記半導体ウェーハの周縁部を研磨することを特徴とする半導体ウェーハの加工装置。
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