JP7168113B1 - ウェーハの両面研磨方法 - Google Patents
ウェーハの両面研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7168113B1 JP7168113B1 JP2022069490A JP2022069490A JP7168113B1 JP 7168113 B1 JP7168113 B1 JP 7168113B1 JP 2022069490 A JP2022069490 A JP 2022069490A JP 2022069490 A JP2022069490 A JP 2022069490A JP 7168113 B1 JP7168113 B1 JP 7168113B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- polishing
- double
- dressing
- prepared
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 176
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims abstract description 19
- 101100533725 Mus musculus Smr3a gene Proteins 0.000 claims abstract description 17
- 101100149716 Rattus norvegicus Vcsa1 gene Proteins 0.000 claims abstract description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 18
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 9
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 9
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 141
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 6
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
Description
算術平均粗さRaが100nm以上、かつ、負荷面積率Smr1が10%以上の表面モフォロジを有するウェーハを準備し、
該準備したウェーハに前記両面研磨加工を施すことにより、前記ウェーハの表面モフォロジで前記研磨布をドレッシングしつつ、前記準備したウェーハの両面を研磨することを特徴とするウェーハの両面研磨方法を提供する。
前述したように、両面研磨加工において同じ研磨布を使い続けると研磨剤の目詰まりが生じ、両面研磨ウェーハのエッジフラットネスが悪化してしまう(外周ダレの発生)。これを解消するため、研磨布表面のドレッシングを行なうにしても、十分に行われないとすぐに外周ダレが発生してしまうし、その一方でドレッシングを多用すると両面研磨ウェーハの生産性が低下してしまう。
そこで本発明者らが鋭意研究を行ったところ、両面研磨前の原料(研磨対象)となるウェーハを一定の表面条件で事前に準備し、これに両面研磨加工を施すことで、両面研磨加工の初期において、その研磨されるウェーハの自己の表面状態により(表面粗さにより)研磨布をドレッシングしつつ、ウェーハ自体も両面を研磨することができ、最終的にはフラットネスを維持したまま両面研磨加工を終了することができることを見出した。すなわち、両面研磨前のウェーハとして、算術平均粗さRaが100nm以上、かつ、負荷面積率Smr1が10%以上の表面モフォロジを有するウェーハを準備して両面研磨することで、その両面研磨において研磨布の目立てを行うことができるとともに、良好なエッジフラットネスを維持して高平坦度なウェーハを得ることができる。本発明者らはこれらのことを見出し、本発明を完成させた。
また、上定盤4の上部には、上定盤4と下定盤3の間にスラリーを供給するスラリー供給機構6(ノズル7、および上定盤4の貫通孔8)が設けられている。図2では簡単のため上定盤4における貫通孔8は1つのみ記載したが、特には複数箇所に設けることができる。
なお、図2、3に示すように、上定盤4と下定盤3の間の中心部には太陽ギヤ(内側ピン歯車)9が、周縁部にはインターナルギヤ(外側ビン歯車)10が設けられており、4way方式の両面研磨装置である。太陽ギヤ9、インターナルギヤ10は公知の機構により回転される。
各キャリア2におけるワークホール11の数は特に限定されず、ワークホール11自体のサイズ(保持するウェーハWのサイズ)等により適宜決定することができる。図3ではキャリア1つにつき1つのワークホールが形成されている場合を例に挙げている。ただし、これに限定されず、例えば図4に示すように、各キャリアに複数のワークホール11が同一円周上に設けるようにしてもよい。
また、上下定盤の間に配設するキャリア2の数は1つでもよいし、複数でもよく特に限定されない。図3では5枚の例を示している。
(ウェーハの準備工程)
まず、研磨対象のウェーハWを準備する。このとき、準備するウェーハWとしては算術平均粗さRaが100nm以上、かつ、負荷面積率Smr1が10%以上の表面モフォロジを有するものとする。なお、負荷面積率Smr1は、表面の負荷曲線において、コア部の上部の高さと負荷曲線の交点における負荷面積率を指す。
ここで、Ra及びSmr1は共焦点レーザー顕微鏡(例えばLasertec製OPTELICS)により測定された視野角100μmの点群データから算出された測定値とすることができる。
算出平均粗さRaは突起部の高低差に相関し、負荷面積率Smr1は突起部の面積率に相関する。これらの値が大きいほど、ウェーハ表面において突起部の起伏と領域が大きいことを意味する。そして上記のような数値範囲の表面状態は、比較的粗く、突起部を多く持った状態である。
例えば、Raが100nm以上となる機械的な加工(ラッピングや研削など)を行った上で、微小な凹凸が形成される異方性をもったエッチングを行うことが好ましい。例えば、アルミナベースの#3000以下の砥粒を用いたラッピングに、KOH、NaOH、TMAHなどのアルカリ水溶液を用いた浸漬式のアルカリエッチングを行い、上述の測定方法で測定の上、選定することができる。
また、そもそも従来ではその表面モフォロジのドレッシング効果の有効性については見出せておらず、わざわざ本発明における数値範囲のものを狙って準備することはなかった。一方で本発明者らはその数値範囲でのドレッシング効果を見出しており、本発明では一般的な考えとは大きく異なり敢えてその比較的大きな数値範囲に該当するものを準備している。そして、それを両面研磨することで上記の格別有利な効果(外周ダレ防止、高平坦度の維持、生産性の向上など)を奏することができる。
図2に示すような両面研磨装置1を用意する。ここで研磨布5としては、例えば、ショアA硬度で70~90の発泡ポリウレタンパッドを使用することができる。なお、ショアA硬度はJISK6253に準じて測定した値である。このような研磨布は一般的に使用される研磨布であるが、特に外周ダレやライフによる悪化が発生しやすく、本発明の両面研磨方法を行うことで効果が得られやすい。ただし、本発明で用いる研磨布5はこれに限定されず、例えば不織布タイプのものを用いても良い。
なお、研磨レートの上限値は特に限定されないが、例えば1.0μm/minとすることができる。
単結晶インゴットから切り出した直径300mmのスライスウェーハ(シリコンウェーハ)を用意し、ラップ工程およびエッチング工程を施した。このとき、ラップ工程で用いる砥粒粒径や、エッチング工程で用いるエッチャントの濃度、取り代を設定し、算術平均粗さRaが100nm以上、かつ、負荷面積率Smr1が10%以上となるエッチング後のウェーハを準備した。具体的には、#1500の遊離砥粒方式でラップを行ったウェーハに対して、異方性の強いTMAH25wt%、取り代が15μmでエッチングを行った。これらの工程で得られたウェーハ群を先述の方法で測定し(共焦点レーザー顕微鏡により測定された視野角100μmの点群データから算出されたRa、Smr1の測定値)、本発明の条件を満たすものを選定した。
ここではエッチング後の表面モフォロジが、算術平均粗さRaで221nm~304nm、かつ、負荷面積率Smr1が12%~14%となるウェーハを準備した。
なお、連続加工の途中ではドレッシングを行うことなく、複数バッチ(10バッチ)を研磨し、各研磨バッチ毎のESFQRmaxを求めた。
実施例1と同様の単結晶インゴットから切り出したスライスウェーハを用意し、ラップ条件やエッチング条件を振り、エッチング後の表面モフォロジが、算術平均粗さRaで10nm~21nm、かつ、負荷面積率Smr1が11~13%となるウェーハを準備した。具体的には、#8000の固定砥粒方式で研削を行ったウェーハに対してTMAH25wt%、取り代が10μmでエッチングを行った。これらの工程で得られたウェーハ群を先述の方法で測定し、Ra、Smr1が上記数値範囲のものを選定して準備した。その後、実施例1と同様にして両面研磨加工およびESFQRmaxの測定を行った。
実施例1と同様の単結晶インゴットから切り出したスライスウェーハを用意し、ラップ条件やエッチング条件を振り、エッチング後の表面モフォロジが、算術平均粗さRaで234~307nm、かつ、負荷面積率Smr1が6~8%となるウェーハを準備した。具体的には、#2000の遊離砥粒方式でラップを行ったウェーハに対してNaOH25wt%、取り代が20μmでエッチングを行った。これらの工程で得られたウェーハを先述の方法で測定し、Ra、Smar1が上記数値範囲のものを選定して準備した。その後、実施例1と同様にして両面研磨加工およびESFQRmaxの測定を行った。
実施例1では加工バッチが進んでもESFQRmaxは安定している。一方、比較例1や比較例2ではESFQRmaxの悪化がみられる。
実施例1と同様の単結晶インゴットから切り出したスライスウェーハを用意し、研削条件やエッチング条件を振り、エッチング後の表面モフォロジが、算術平均粗さRaで100~157nm、かつ、負荷面積率Smr1が10~12%となるウェーハを準備した。具体的には、#2000の固定砥粒方式で研削を行ったウェーハに対して異方性の強いTMAH25wt%、取り代が10μmでエッチングを行った。これらの工程で得られたウェーハを先述の方法で測定し、Ra、Smar1が上記数値範囲のものを選定して準備した。その後、実施例1と同様にして両面研磨加工およびESFQRmaxの測定を行った。
その結果、図6の実施例1とほぼ同様であり、ESFQRmaxは安定していた。
[1]: 研磨布がそれぞれ貼付された上定盤と下定盤との間にウェーハを挟み込み、該ウェーハの両面に前記研磨布を摺接させて両面研磨加工を施すウェーハの両面研磨方法であって、
算術平均粗さRaが100nm以上、かつ、負荷面積率Smr1が10%以上の表面モフォロジを有するウェーハを準備し、
該準備したウェーハに前記両面研磨加工を施すことにより、前記ウェーハの表面モフォロジで前記研磨布をドレッシングしつつ、前記準備したウェーハの両面を研磨するウェーハの両面研磨方法。
[2]: 前記両面研磨加工において、研磨レートを0.1μm/min以上とする上記[1]のウェーハの両面研磨方法。
[3]: 前記研磨布として、ショアA硬度が70~90の発泡ポリウレタンパッドを用いる上記[1]または上記[2]のウェーハの両面研磨方法。
[4]: 前記両面研磨加工を施すウェーハとして、シリコンの1次ラマンピークのシフト量が0.1cm-1以下のシリコンウェーハを準備する上記[1]から上記[3]のいずれかのウェーハの両面研磨方法。
5…研磨布、 6…スラリー供給機構、 7…ノズル、 8…貫通孔、
9…太陽ギヤ、 10…インターナルギヤ、 11…ワークホール、
12…研磨液孔、 W…ウェーハ。
Claims (5)
- 研磨布がそれぞれ貼付された上定盤と下定盤との間にウェーハを挟み込み、該ウェーハの両面に前記研磨布を摺接させて両面研磨加工を施すウェーハの両面研磨方法であって、
算術平均粗さRaが100nm以上、かつ、負荷面積率Smr1が10%以上の表面モフォロジを有するウェーハを準備し、
該準備したウェーハに前記両面研磨加工を施すことにより、前記ウェーハの表面モフォロジで前記研磨布をドレッシングしつつ、前記準備したウェーハの両面を研磨することを特徴とするウェーハの両面研磨方法。 - 前記両面研磨加工において、研磨レートを0.1μm/min以上とすることを特徴とする請求項1に記載のウェーハの両面研磨方法。
- 前記研磨布として、ショアA硬度が70~90の発泡ポリウレタンパッドを用いることを特徴とする請求項1に記載のウェーハの両面研磨方法。
- 前記研磨布として、ショアA硬度が70~90の発泡ポリウレタンパッドを用いることを特徴とする請求項2に記載のウェーハの両面研磨方法。
- 前記両面研磨加工を施すウェーハとして、シリコンの1次ラマンピークのシフト量が0.1cm-1以下のシリコンウェーハを準備することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のウェーハの両面研磨方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022069490A JP7168113B1 (ja) | 2022-04-20 | 2022-04-20 | ウェーハの両面研磨方法 |
CN202310358794.8A CN116900925A (zh) | 2022-04-20 | 2023-04-06 | 晶圆的双面研磨方法 |
TW112113016A TW202342233A (zh) | 2022-04-20 | 2023-04-07 | 晶圓的雙面研磨方法 |
KR1020230049612A KR20230149738A (ko) | 2022-04-20 | 2023-04-14 | 웨이퍼의 양면연마방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022069490A JP7168113B1 (ja) | 2022-04-20 | 2022-04-20 | ウェーハの両面研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7168113B1 true JP7168113B1 (ja) | 2022-11-09 |
JP2023159656A JP2023159656A (ja) | 2023-11-01 |
Family
ID=83977450
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022069490A Active JP7168113B1 (ja) | 2022-04-20 | 2022-04-20 | ウェーハの両面研磨方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7168113B1 (ja) |
KR (1) | KR20230149738A (ja) |
CN (1) | CN116900925A (ja) |
TW (1) | TW202342233A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002217149A (ja) | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハの研磨装置及び研磨方法 |
JP2020157449A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 保持パッド |
JP2020171996A (ja) | 2019-04-11 | 2020-10-22 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10202511A (ja) | 1997-01-21 | 1998-08-04 | Fujikoshi Mach Corp | 両面研磨装置 |
JP4904960B2 (ja) * | 2006-07-18 | 2012-03-28 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 |
-
2022
- 2022-04-20 JP JP2022069490A patent/JP7168113B1/ja active Active
-
2023
- 2023-04-06 CN CN202310358794.8A patent/CN116900925A/zh active Pending
- 2023-04-07 TW TW112113016A patent/TW202342233A/zh unknown
- 2023-04-14 KR KR1020230049612A patent/KR20230149738A/ko unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002217149A (ja) | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハの研磨装置及び研磨方法 |
JP2020157449A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 保持パッド |
JP2020171996A (ja) | 2019-04-11 | 2020-10-22 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202342233A (zh) | 2023-11-01 |
JP2023159656A (ja) | 2023-11-01 |
CN116900925A (zh) | 2023-10-20 |
KR20230149738A (ko) | 2023-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6884154B2 (en) | Method for apparatus for polishing outer peripheral chamfered part of wafer | |
CN100365774C (zh) | 半导体晶片的制造方法及晶片 | |
JP5494552B2 (ja) | 両頭研削方法及び両頭研削装置 | |
JP5741497B2 (ja) | ウェーハの両面研磨方法 | |
JP5967040B2 (ja) | 鏡面研磨ウェーハの製造方法 | |
US20090311863A1 (en) | Method for producing semiconductor wafer | |
US20090311949A1 (en) | Method for producing semiconductor wafer | |
JP6079554B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
KR102112535B1 (ko) | 연마용 발포 우레탄 패드의 드레싱 장치 | |
CN110052955B (zh) | 载体的制造方法及晶圆的双面研磨方法 | |
KR100879761B1 (ko) | 화학적 기계적 연마 장치 및 이를 이용한 연마 패드 드레싱방법 | |
KR20060024782A (ko) | 반도체 웨이퍼의 제조 방법 | |
JP4749700B2 (ja) | 研磨クロス,ウェーハ研磨装置及びウェーハ製造方法 | |
KR101328775B1 (ko) | 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 | |
JP7168113B1 (ja) | ウェーハの両面研磨方法 | |
JP2021132102A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
US8673784B2 (en) | Method for producing silicon epitaxial wafer | |
JP2017001138A (ja) | ウェーハの両面研磨方法 | |
KR100897579B1 (ko) | 웨이퍼 연마 방법 | |
CN115332052A (zh) | 可降低形变应力的衬底加工方法及衬底 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220822 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20220822 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220927 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221010 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7168113 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |