JPS58100432A - ウエハの面取り加工方法 - Google Patents
ウエハの面取り加工方法Info
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- JPS58100432A JPS58100432A JP19854881A JP19854881A JPS58100432A JP S58100432 A JPS58100432 A JP S58100432A JP 19854881 A JP19854881 A JP 19854881A JP 19854881 A JP19854881 A JP 19854881A JP S58100432 A JPS58100432 A JP S58100432A
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- Japan
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- wafer
- face
- grinding
- rotating
- chamfering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02021—Edge treatment, chamfering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はウェハの面取り加工方法に関する。
半導体装置の製造に用いる各種半導体の薄板（ウェハ）
は、半導体単結晶を輪切り（スライス）にして形成され
るが、この段階では厚さ、直径が規定寸法に違していな
いことから、研削等の加工が施こされる。また、研削、
ラッピング（ラップ）。
は、半導体単結晶を輪切り（スライス）にして形成され
るが、この段階では厚さ、直径が規定寸法に違していな
いことから、研削等の加工が施こされる。また、研削、
ラッピング（ラップ）。
ポリシング（ミラー仕上）等の機械的研摩に加えて、表
面の加工歪層を完全に除去するため、最終的には化学的
エツチング処理も施こされる。一方、ウェハの局面が外
力等圧よって容易にチッピングを起こさないようにする
ために、機械的面取りに加えて化学的エツチングによる
面取りも施こされ、チッピングが生じ難いウェハが提供
されている。
面の加工歪層を完全に除去するため、最終的には化学的
エツチング処理も施こされる。一方、ウェハの局面が外
力等圧よって容易にチッピングを起こさないようにする
ために、機械的面取りに加えて化学的エツチングによる
面取りも施こされ、チッピングが生じ難いウェハが提供
されている。
なお、第１図はウニへの加工工程を示す。
ところで、前記機械的面取り加工は、第２図に示すよう
な回転砥石１を用いて行なっている。回転砥石１は回転
軸２を中心に高速で回転する。回転砥石１の外周には逆
台形窪みか、らなる研削面３を有している。この研削面
３はメタルボンドダイヤ層４からなり、研削体を形作っ
ている。ウェハ５は第２図の矢印で示すように、その外
周を回転砥石１の研削面３に押し付けられて外径研削が
行なわれた後、降下させられて研削面３の下部傾斜面６
で下縁の面取りが行なわれる。その後、上昇させられて
研削面３の上部傾斜面７で上縁の面取りが行なわれた後
、中段にまで降下されて後退して１回の面取り加工が終
了する。
な回転砥石１を用いて行なっている。回転砥石１は回転
軸２を中心に高速で回転する。回転砥石１の外周には逆
台形窪みか、らなる研削面３を有している。この研削面
３はメタルボンドダイヤ層４からなり、研削体を形作っ
ている。ウェハ５は第２図の矢印で示すように、その外
周を回転砥石１の研削面３に押し付けられて外径研削が
行なわれた後、降下させられて研削面３の下部傾斜面６
で下縁の面取りが行なわれる。その後、上昇させられて
研削面３の上部傾斜面７で上縁の面取りが行なわれた後
、中段にまで降下されて後退して１回の面取り加工が終
了する。
しかし、このような面取り加工方法ではウェハの各移動
位置でウェハな回転させなければならないことから、加
工時間が長くなる難点がある。たとえば、外径研削で１
．２回転、下縁面取りで１．４回転、上縁面取りで１．
２回転、元位置後帰ＫＯ１２回転の合計４回転とウェハ
は回転する。
位置でウェハな回転させなければならないことから、加
工時間が長くなる難点がある。たとえば、外径研削で１
．２回転、下縁面取りで１．４回転、上縁面取りで１．
２回転、元位置後帰ＫＯ１２回転の合計４回転とウェハ
は回転する。
また、従来のこの種回転砥石はウェハが昇降するため、
ウェハの厚さによって面取り量が変化する。
ウェハの厚さによって面取り量が変化する。
したがって、本発明の目的は短時間に安定した面取り加
工が行なえるウェハの面取り加工方法を提供するととに
あるう このような目的を達成するために本発明は、窪んだ曲面
からなる研削面を有する回転砥石で、回転させたウェハ
の局面をウェハの１回転によって面取り加工するもので
あって、以下実施例により本発明を説明する。
工が行なえるウェハの面取り加工方法を提供するととに
あるう このような目的を達成するために本発明は、窪んだ曲面
からなる研削面を有する回転砥石で、回転させたウェハ
の局面をウェハの１回転によって面取り加工するもので
あって、以下実施例により本発明を説明する。
第３図は本発明の一実施例によるウェハの面取り加工方
法を示す断面図である。同図に示すように１回転軸２を
中心に高速回転する回転−砥石１の周ＷＪには放物線状
の曲面を有する窪んだ研削面３を有している。この研削
Ｉｉ３はメタルボンドダイヤ層４で形作られている。ま
た、研削Ｗｉ３の形状は第４図で示すように、ウニノー
５の周縁の形状の相違によるチッピング発生数の多少を
実験的に調べるととによりてタイプ（Ｔｙｐｅ）４と決
定した。
法を示す断面図である。同図に示すように１回転軸２を
中心に高速回転する回転−砥石１の周ＷＪには放物線状
の曲面を有する窪んだ研削面３を有している。この研削
Ｉｉ３はメタルボンドダイヤ層４で形作られている。ま
た、研削Ｗｉ３の形状は第４図で示すように、ウニノー
５の周縁の形状の相違によるチッピング発生数の多少を
実験的に調べるととによりてタイプ（Ｔｙｐｅ）４と決
定した。
なお、ウェハ形状を指し示す矢印はチッピングが発生し
易い箇所を示す。また、チッピング発生試験は、第５図
に示すチッピング評価用強制振動試験機８によって行な
った。すなわち、この試験機８のテーブル９上に石英治
具１０を取り付け、この石英治具１０にウニノ・５を立
て、試験機８を動作させて振動を起こさせた状態下でウ
ニノ・５を１回転させた。そして、この際のチッピング
発生数をカウントする。
易い箇所を示す。また、チッピング発生試験は、第５図
に示すチッピング評価用強制振動試験機８によって行な
った。すなわち、この試験機８のテーブル９上に石英治
具１０を取り付け、この石英治具１０にウニノ・５を立
て、試験機８を動作させて振動を起こさせた状態下でウ
ニノ・５を１回転させた。そして、この際のチッピング
発生数をカウントする。
ウェハ５の面取り加工時には、第３図で示すように、回
転砥石１を回転させた状態でウニノ・５をその外周縁を
先にして研削面３に当接させた後、ウェハ５を１回転、
実＠には１回転とわずかな回転を行なって、ウニノ・の
外径研削と周縁の上下縁の面取り加工を行なう。その後
、ウニノ・５を後退させて１回の面取り加工を終了する
。
転砥石１を回転させた状態でウニノ・５をその外周縁を
先にして研削面３に当接させた後、ウェハ５を１回転、
実＠には１回転とわずかな回転を行なって、ウニノ・の
外径研削と周縁の上下縁の面取り加工を行なう。その後
、ウニノ・５を後退させて１回の面取り加工を終了する
。
このような面取り加工方法によれば、極めて短時間Ｋｔ
ｌｉ取り加工ができることから作業性がよい。
ｌｉ取り加工ができることから作業性がよい。
また、面取り加工の形状は回転砥石１の研削面３の曲面
（曲率）ＶＣ対応するため、常に安定し、その形状はウ
ェハ５の厚さのばらつきによって変動しない。また、こ
の面取り方法による効果はウェハ径の大きいもの程チッ
ピング低減には効果的である。
（曲率）ＶＣ対応するため、常に安定し、その形状はウ
ェハ５の厚さのばらつきによって変動しない。また、こ
の面取り方法による効果はウェハ径の大きいもの程チッ
ピング低減には効果的である。
なお１本発明は前記実施例に限定されない。すなわち、
第６図に示すように、回転砥石１は研削面３の底で上砥
石１１と下砥石１２に分割できる割り構造でもよい。
第６図に示すように、回転砥石１は研削面３の底で上砥
石１１と下砥石１２に分割できる割り構造でもよい。
また、ウェハの厚さがウニノ１径に依存して変る場合に
は、砥石を変える必要がある。即ち、スライス厚さのバ
ラツキはラップ以降の加工工程で支障はないが、ウェハ
径による厚さについては固有の砥石を設定する必要があ
る。
は、砥石を変える必要がある。即ち、スライス厚さのバ
ラツキはラップ以降の加工工程で支障はないが、ウェハ
径による厚さについては固有の砥石を設定する必要があ
る。
以上のように、本発明のウニノ・の面取り加工方法によ
れば、短時間ｋかつ安定した面取り加工が行なえるる ＬＳＩプロセスではチッピングが発生すると、小さな半
導体微粉片を誘発し、これらがウニノ・の表面に付着す
るので、歩留低下の一原因になっていた。しかし、この
改良面取り法によって、チッピング低減をはかれば、歩
留向上に寄与でき、ることになる。
れば、短時間ｋかつ安定した面取り加工が行なえるる ＬＳＩプロセスではチッピングが発生すると、小さな半
導体微粉片を誘発し、これらがウニノ・の表面に付着す
るので、歩留低下の一原因になっていた。しかし、この
改良面取り法によって、チッピング低減をはかれば、歩
留向上に寄与でき、ることになる。
第１図はウェハ加工工程を示す工程図、第２図は従来の
ウェハ面取り加工方法を示す要部断面図、第３図は本発
明の一実施例によるウニ）ｓ面取り加工方法を示す要部
断面図、第４図はウニノ・鎌形状とチッピング発生状況
を示す比較図、第５図はチッピング発生試験機を示す斜
視図、第６図は他の実施例を示す要部断面図である。 １・・・回転砥石、３・・・研削面、５・・・ウニノー
、８・・・試験機、１０・・・石英治具。 第 １ 図 第 ４ 図
ウェハ面取り加工方法を示す要部断面図、第３図は本発
明の一実施例によるウニ）ｓ面取り加工方法を示す要部
断面図、第４図はウニノ・鎌形状とチッピング発生状況
を示す比較図、第５図はチッピング発生試験機を示す斜
視図、第６図は他の実施例を示す要部断面図である。 １・・・回転砥石、３・・・研削面、５・・・ウニノー
、８・・・試験機、１０・・・石英治具。 第 １ 図 第 ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、窪んだ曲面からなる研削面を有する回転砥石で回転
させたウェハの周面を研削することを特徴とするウェハ
の面取り加工方法。 ２、ウェハは回転砥石に接触させた後１回転させること
によってウニへの面取りを行なうことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のウェハの面取り加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19854881A JPS58100432A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | ウエハの面取り加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19854881A JPS58100432A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | ウエハの面取り加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58100432A true JPS58100432A (ja) | 1983-06-15 |
Family
ID=16392994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19854881A Pending JPS58100432A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | ウエハの面取り加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58100432A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62263626A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-16 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体ウエハ |
| JPS6420958A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Toshiba Ceramics Co | Chamfering device |
| JPS6448028U (ja) * | 1987-09-19 | 1989-03-24 | ||
| EP0362838A2 (en) * | 1988-10-07 | 1990-04-11 | Fujitsu Limited | A method of fabricating semiconductor devices |
| DE10063469A1 (de) * | 2000-12-19 | 2002-06-27 | Micronas Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Chips |
| CN108177044A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-06-19 | 重庆超硅半导体有限公司 | 一种集成电路用单晶硅片边缘倒角技术 |
| CN111331506A (zh) * | 2018-12-18 | 2020-06-26 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 晶圆修整模块和系统 |
-
1981
- 1981-12-11 JP JP19854881A patent/JPS58100432A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62263626A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-16 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体ウエハ |
| JPH079873B2 (ja) * | 1986-05-09 | 1995-02-01 | 三菱マテリアル株式会社 | 半導体ウエハ |
| JPS6420958A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Toshiba Ceramics Co | Chamfering device |
| JPS6448028U (ja) * | 1987-09-19 | 1989-03-24 | ||
| EP0362838A2 (en) * | 1988-10-07 | 1990-04-11 | Fujitsu Limited | A method of fabricating semiconductor devices |
| US5426073A (en) * | 1988-10-07 | 1995-06-20 | Fujitsu Limited | Method of fabricating semiconductor devices using an intermediate grinding step |
| DE10063469A1 (de) * | 2000-12-19 | 2002-06-27 | Micronas Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Chips |
| DE10063469B4 (de) * | 2000-12-19 | 2004-03-25 | Micronas Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Chips und mit dem Verfahren hergestellter elektronischer Chip |
| CN108177044A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-06-19 | 重庆超硅半导体有限公司 | 一种集成电路用单晶硅片边缘倒角技术 |
| CN111331506A (zh) * | 2018-12-18 | 2020-06-26 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 晶圆修整模块和系统 |
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